JPS6366865B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な被覆組成物及びその製法に関す
る。詳述すれば、本発明の組成物は、導電性被覆
を製造するのに有用なラテツクス分散液である。
本発明はまた、このような被覆組成物で被覆した
導電性要素にも係る。 〔従来の技術と問題点〕 絶縁性支持体上における静電気の不所望な形成
は依然として問題となつている。薄い導電性層が
静電気の帯電を防止するであろうことは良く知ら
れているというものの、但し、支持体上に被覆し
うる導電性組成物を調製することが可能である反
面、これらの導電性を他の所望の物理的性質と併
存させることは極めて困難であつた。 写真要素にはきびしい物理的及び光学的要件が
課されており、また、これらの要件がかかる要素
に適当な帯電防止組成物の調製を特に煩雑にして
いる。写真要素上に被覆して帯電防止を行い得る
導電体は多数知られている。写真要素に使用しう
る組成物の特に有用なものは、Trevoyに1976年
６月15日付けで交付された米国特許第3963498号
明細書に記載されているポリアニリン酸付加塩
（以下「ポリアニリン塩」と記す）半導体を含む
組成物である。これらの半導体は、中性ポリアニ
リンイミン（以下「ポリアニリン」と記す）と酸
との反応により形成されている。これらの半導体
は、帯電防止被覆中で使用する場合に、特に写真
フイルムに使用する場合に、多数の利点をもたら
す。例えば、これらの物質はイオン半導体とは対
照的な電子導体であるから、それらの導電性は相
対湿度に比較的無関係である。従つて、これらの
半導体は、好ましくない静電気の帯電をコントロ
ールすることが特に困難な低湿度条件下であつて
も高い導電性を保有する。更に、これらの半導体
は、適当な結合剤中で被覆した場合にそれらの導
電性を保持し続け、従つて、常用の被覆法を使用
して多種の要素に使用することができる。これら
の半導体の別の利点は、比較的安価であり、従つ
て低コストで比較的大規模に使用しうるというこ
とである。 Trevoyの提案のポリアニリン塩半導体は多く
の利点をもたらすことが可能である。しかし、こ
れの更に改良が求められている。これらの半導体
を比較的低い被覆量で含む被膜は絶縁性支持体の
抵抗をある程度低減するのに有用であるが、常用
の被覆組成物に使用する場合に、苛酷な条件下で
の静電気の問題を排除するのに充分な導電性を達
成するためにはこれらの半導体の比較的高い被覆
量が必要である。例えば、10⁶Ω／sq程度の抵抗
を達成するには、Trevoyの半導体を約35mg／m²
よりも多量の被覆量で被覆する必要がある。不都
合にも、これらの半導体は有色であり、そして、
これらの被覆量の時、被覆する要素に対して好ま
しくない濃度を与える。一例を示すと、Trevoy
の特許に記載されている代表的半導体、例えばＮ
−｛ｐ−〔（４−メトキシアニリノ）アニリノ〕フ
エニル｝−１，４−ベンゾキノンイミンｐ−トル
エンスルホン酸塩35mg／m²を含む被膜は、約1.0
×10⁸Ω／sqの極めて好ましい導電性を有すると
いうものの、スペクトルの可視部分において約
0.025の積算光学濃度もまた有している。もしも、
好ましくない光学濃度を低減するために、このよ
うな層におけるポリアニリン塩の被覆量を減少し
たならば、抵抗が増加するであろう。ある種の重
要な用途、例えば透明写真材料の製造では、充分
に高い導電性を得かつこれと同時に望ましい低い
光学濃度を達成することは不可能である。これら
から明らかなように、半導電性被覆組成物の改良
が極めて望ましい。 Trevoyの半導体に係る光学濃度の問題は別と
して、これらの半導体は一般に水に不溶性であ
る。このことは、もしも被覆組成物の基剤として
水を使用しうるならば写真支持体上の被覆層の形
成は一層安全かつ経済的に達成されるので、好ま
しくない。ミリングを大規模に行えば、水に不溶
性の半導体の分散液を例えばゼラチンのような保
護コロイドの存在で調製することができる。しか
し、このような方法でのミリングは、時間がかか
り、また、強力なエネルギーを必要とする。水か
ら半導体を被覆する適当な方法が発明されたなら
ば極めて望ましいであろう。 ラテツクス分散液を導電性物質用結合剤として
使用することは知られている。例えば米国特許第
4011176号明細書に記載されている方法のような
従来法では、帯電防止物質、例えば半導体化合物
をラテツクス粒子と共に連続相中に簡単に分散さ
せる。不水溶性の帯電防止剤を分散させるために
は、大規模な混合及び／又はミリングが上記方法
に必要である。この方法をポリアニリン塩半導体
帯電防止物質を用いて試みると、有用な水性被覆
組成物を得ることができる。しかし、ラテツクス
を支持体上に被覆し、そして凝集させる場合、所
望とする高い導電性を達成するのに依然として高
い被覆量のポリアニリン塩半導体が必要である。
この高い被覆量により、再び好ましくない濃度が
発生する。 半導体は多くの理由で写真要素において極めて
望ましいけれども、前記したような困難な問題を
解決する方法を示唆している従来技術は不存在で
ある。高導電性被膜を作るため、これらの半導体
をいかにして水溶液から被覆しうるかということ
に関しての提案もみられない。 〔問題点を解決するための手段〕 上記した問題点は、本発明によれば、水連続層
と分散相とを有するラテツクスからなる被覆組成
物であつて、前記分散相が陽イオンで安定化した
疎水性ポリマー粒子を含みかつ該疎水性ポリマー
粒子がそれと組み合わさつたポリアニリン酸付加
塩半導体を有することを特徴とする被覆組成物で
もつて著しく低減することができる。このような
被覆組成物は、高い導電性及び低い光学濃度を同
時に有する被膜を形成することができる。本発明
の被覆組成物は、電気絶縁性支持体上に導電性層
として被覆することができ、また、この導電性層
は、陽イオンで安定化された凝集ラテツクス結合
剤、そしてポリアニリンと酸の反応により形成さ
れたポリアニリン塩半導体を有している。本発明
によれば、半導体及びラテツクスは、半導体が凝
集前のラテツクスと組み合わさつているようにし
て選択される。 本発明の被覆組成物において、半導体は疎水性
ラテツクス粒子と組み合わさつている。ここで、
「組み合わさつている」とは、半導体がポリマー
粒子に結合しているか、又はポリマー粒子内に位
置していることを意味する。即ち、半導体は、こ
の分野で公知のようにラテツクス分散液と単に混
合又は分散されるのでなくて、個々のポリマー粒
子の一部を構成するものでなければならない。従
つて、被覆組成物中のほとんどすべての半導体
は、その組成物中に吸収されるか、さもなければ
ポリマー粒子の構成部分にならなければならな
い。半導体がラテツクス粒子と組み合わさつてい
る被覆組成物を製造することによつて、予想し得
なかつた程度に高い導電性を有する被膜を低い被
覆量でもつて製造することができる。 本発明の被覆組成物は、次の工程によつて製造
することができる： (a) ポリアニリンを水と混和しうる有機溶剤に溶
かして溶液を調製する工程、 (b) 陽イオンで安定化された、組み込み可能な疎
水性ポリマー粒子を水性連続相中に分散させて
ラテツクスを調製する工程、 (c) 前記ラテツクスを前記溶液と混合する工程、 (d) 前記有機溶剤を除去してポリアニリン組み込
みラテツクスを形成させることにより前記ポリ
マー粒子の組み込みを行う工程、 及び (e) 前記ポリアニリン組み込みラテツクスのほと
んど全部をポリアニリン塩組み込みラテツクス
に変えるのに充分な酸を前記ポリアニリン組み
込みラテツクスに添加することによつてポリア
ニリン組み込みラテツクスを形成する工程。 本発明の被覆組成物は、極めて導電性が高い層
を製造するため使用することができ、また、この
ような層は、好適なことに、半導体被覆量が非常
に少量である。即ち、このことは、被覆工程にお
いて材料が節約され、そして形成される被膜が極
めて低い光学濃度を有することを意味する。これ
らの利点は、水性であるために容易かつ安全に被
覆しうる被覆組成物を用いた場合に得られる。 更に、本発明の被覆組成物を用いて製造される
層は、その層の全表面にわたつて極めて均一な導
電性を呈示する。 ポリマー粒子であつてそれと組み合わさつたポ
リアニリン塩半導体を有するものの有利な製造方
法は、Research Disclosure、159巻、No.15930
（1977年７月）にChenによつて報告された方法に
従つてポリマー粒子に半導体を組み込むこと（い
わゆる“loading”）である。まず、ポリアニリン
組み込みラテツクスを生成させ、次にこのラテツ
クスを酸での処理によつてポリアニリン塩組み込
みラテツクスに変えることによつてChenの方法
を適用するのが有利である。Chenの方法は、ポ
リアニリン塩半導体を用いる場合に特に有利であ
る。それというのは、この方法を使用すれば、多
量の半導体をポリマー粒子と組み合わせることが
できるからである。 有利な組み込み法は５工程法である。第一に、
ポリアニリンを水と混和しうる有機溶剤に溶解し
て溶液を作る。第二に、組み込み可能な疎水性ポ
リマー粒子を水性連続相中に分散させることによ
つてラテツクスを作る。第三に、このラテツクス
をポリアニリンの溶液と混合する。第四に、有機
溶剤を除去してポリマー粒子の組み込みを行う。
この工程で、ポリアニリンが組み込まれたラテツ
クスが生成する。最後に、第五の工程で、ラテツ
クスを適当な酸で酸性にすることによつてポリア
ニリン組み込みラテツクスをポリアニリン塩組み
込みラテツクスに変える。このようにして得られ
るポリアニリン塩組み込みラテツクスは、ラテツ
クスポリマー粒子と組み合わさつた半導体を有す
る優れた被覆組成物を形成する。記載のラテツク
ス被覆組成物を適当な支持体上に被覆し、ラテツ
クスの連続相を除去し、そしてラテツクスを凝集
させて導電性層を支持体上に形成させることによ
つて有用な導電性要素を製造することができる。 本発明の被覆組成物及び要素を調製するために
使用しうるポリアニリンは、ここでその開示内容
を参照するところのTrevoyの米国特許第3963498
号明細書に記載されている。詳述すれば、ポリア
ニリン成分は、前記米国特許明細書の３欄15行〜
６欄８行に記載されているＤ部分である。特に有
用なポリアニリンは、前記Trevoyの特許明細書
の６欄63行〜７欄30行の第１表に記載されてい
る。Trevoyによて記載されたポリアニリンはす
べて本発明の好ましい組成物及び要素に使用しう
るけれども、好ましいイミンは、Ｎ−｛ｐ−〔４−
（ｐ−メトキシアニリノ）アニリノ〕−フエニル｝
−１，４−ベンゾキノンイミン（ポリアニリン
(a)）、Ｎ−｛ｐ−〔ｐ−（アニリノ）アニリノ〕フエ
ニル｝−１，４−ベンゾキノンジイミン（ポリア
ニリン(b)）及びＮ−｛ｐ−〔４−（ｐ−メチルアニ
リノ）アニリノ〕フエニル｝−１，４−ベンゾキ
ノンイミン（ポリアニリン(c)）である。 本発明の好ましい被覆組成物として有用な組み
込みラテツクスを調製するには、ポリアニリン又
は半導体を水と混和しうる有機溶剤に溶解する。
有用な溶剤は、 (a) 水80容量部に溶剤少なくとも20容量部の程度
で20℃の蒸留水に溶解することができる； (b) 約−10℃を上廻る沸点（大気圧で）を有す
る； (c) ラテツクスポリマー又は半導体と不利に化学
的に又は物理的に反応しない；及び (d) 組み込みポリマー粒子を20℃で約５重量％よ
り多量には溶解しない； ものである。 有用な、水と混和しうる有機溶剤は、水和性の
アルコール、ケトン及びアミド、テトラヒドロフ
ラン、ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルス
ルホキシド及びこれらの混合物である。特にこれ
らの溶剤を例示すれば、アセトン、エチルアルコ
ール、メチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン
等がある。ポリアニリンは一般にアセトンに可溶
であり、また、アセトンは有利な方法に好ましい
溶剤である。 有用なラテツクスポリマーは、半導体と組み合
わせ可能である他、いくつかの条件に適合しなけ
ればならない。ラテツクスポリマーは、陽イオン
で安定化されなければならず、また、約65℃より
低いガラス転移温度を有すべきである。ポリマー
粒子は、支持体の物理的又は化学的性質を低下さ
せない条件の下で充分に凝集した層を形成するべ
きである。 好ましい被覆組成物である水性ラテツクスは、
連続相としての水及び分散相としての組み込みポ
リマー粒子から本質的に構成されている。組み込
み可能なポリマー粒子は、次のような試験に適合
するものである。組み込み可能な供試ポリマー粒
子は、25℃で、(a)ラテツクスの総重量に対して
0.2〜50重量％、特に１〜20重量％のポリマー粒
子濃度で水とラテツクスを形成することができ、
かつ(b)次いで、100mlのラテツクスを等容量の、
組み込みポリマーラテツクス組成物の調製に使用
されるべき水和性有機溶剤と混合し、攪拌し、そ
して10分間放置した場合に、ポリマー粒子の凝固
が認められないものでなければならない。更に、
ラテツクスは、それにポリアニリンが組み込まれ
た後、再び約10分間で認めうる程の凝固を示すこ
となく酸性化されうるものでなければならない。
有用な組み込み可能なポリマー粒子は、
Research Disclosure、No.15930、159巻（1977年
７月）にChenによつて開示されている。この
Research Disclosureの全開示内容を参考として
本願明細書に含める。詳述すれば、有用な組み込
み可能なポリマー粒子は、Research
Disclosure、63頁２欄〜67頁１欄に記載されてい
るポリマーの陽イオンで安定化されたポリマーで
ある。 特定の陽イオンで安定化されたポリウレタンラ
テツクスポリマー粒子は前記したChenの組み込
み試験に適合する。ウレタン類は、他の従来のラ
テツクスから作つた組み込みラテツクスよりも一
層安定な組み込みラテツクスを形成する。「安定
な」とは、組み込みウレタンが認め得る程度の凝
固を示すことなく長期間、即ち、30日以上にわた
つて貯蔵されうることを意味する。この性質の結
果として、結晶化等の理由から組み込みを行い難
かつた疎水性物質をこれらのウレタン上／中に組
み込むことができる。 組み込み可能なポリウレタンラテツクスは、ポ
リオール成分及びイソシアネート成分から誘導さ
れたポリウレタンである。ポリオール単位は、下
記のものから成る： (a) ２個もしくはそれ以上のヒドロキシ末端基及
び300〜20000、特に500〜6000の分子量を有し、
ポリオール中の反復単位が低級アルキルエーテ
ル又は低級アルキルエステルである１種のプレ
ポリマー又はプレポリマーの混合物、10〜100
モル％、及び、したがつて、 (b) 得られるポリウレタンラテツクスポリマーに
正電荷又は負電荷を与える官能基を有するか又
は有しない低分子量ジオール、90〜10モル％。 イソシアネート成分は、次式の構造に一致する
ジイソシアネートの一種又は混合物を有すること
ができる： OCNRNCO 式中のＲは、アルキレン基、アルキレン含有ヘ
テロ原子、例えば酵素、脂環式基、例えばシクロ
ヘキシレン基、アルキレンビスシクロヘキシレン
及びイソホロン−１，４−ジイル基、非置換及び
置換アリーレン基、アルキレンビスアリーレン
基、アリーレンビスアルキレン基を表わす。詳述
すれば、組み込みによつて極めて安定なラテツク
スを形成しうるウレタン類は、次の構造式によつ
て表わすことができる： 〔式中のＲは前記のものを表わし、R¹は
【式】又は を表わし、Ｚはそれぞれ独立に−Ｏ−又は−NH
−を表わし、R²、R³及びR⁵はそれぞれ独立に炭
素原子数約２〜10のアルキレン基、シクロアルキ
レンビス（オキシアルキレン）基、例えば１，４
−シクロヘキシレンビス（オキシエチレン）基、
アリーレンビスアルキレン基、例えばフエニレン
ビスメチレン基、又はポリ（アルキレンオキシ
ド）基の残基、例えば（−アルキレン−Ｏ−）_p
（式中のアルキレンは約２〜４個の炭素原子を有
し、ｐは約２〜500である）から選択され、R⁴は
炭素原子数約２〜10のアルキレン基を表わし、
R⁶は炭素原子数約２〜10のアルキレン基又はア
リーレン基、例えばフエニレン基、ナフチレン
基、ビスフエニレン基、オキシジフエニレン基等
を表わし、ｌ及びｎはそれぞれ独立に２〜500で
あり、ｍは０又は１を表わし、ｙはポリウレタン
のジオール成分の０〜90モル％であり、そしてｚ
はポリウレタンの合計イソシアネート成分であ
り、また、（ｘ＋ｙ）：ｚの比は約0.4〜1.0であ
る〕。 安定な組み込み可能なウレタン類を形成するた
め、広範囲なポリオール及びジイソシアネートを
使用することができる。適当なポリオールには下
記のものがある： (1) ジオール、例えば炭素原子数２〜10のアルキ
レンジオール、アリーレンジオール、例えばハ
イドロキノン及びポリエーテルジオール〔HO
−（CH₂CH₂O−）_oＨ〕、 (2) トリオール、例えばグリセロール、２−エチ
ル−２−ヒドロキシ−メチル−１，３−プロパ
ンジオール、１，１，１−トリメチロールプロ
パン及び１，２，６−ヘキサントリオール、及
び (3) テトラオール、例えばペンタエリトリツト、
高級ポリオール、例えばソルビツト、及び前記
した種々の多価アルコールのポリ（オキシアル
キレン）誘導体。 その他の好ましいポリオールとしては、ヒドロ
キシル末端基を有し、酸価及び含水率の低い分子
量〜500の線状ポリエステル、エチレンオキシド
及びプロピレンオキシドとジアミン、例えばエチ
レンジアミンとのブロツクコポリマー、及びヒド
ロキシル末端基を有するカプロラクタムポリマー
がある。代表的なジイソシアネートには、２，４
−及び２，６−トルエンジイソシアネート、ジフ
エニルメタン−４，4′−ジイソシアネート、ポリ
メチレンポリフエニルイソシアネート、ビトリレ
ンジイソシアネート、ジアニシジンジイソシアネ
ート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、
１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、ビス
（イソシアナトシクロヘキシル）メタンジイソシ
アネート、イソホロンジイソシアネート、２，
２，４−（２，４，４）−トリメチルヘキサメチレ
ンジイソシアネート、そしてキシリレンジイソシ
アネートがある。 有用なポリウレタンは、前記のポリウレタンで
あつて、陽イオンで安定化されたものである。こ
れらのポリウレタンは、ポリウレタンに正電荷を
与えるポリオールを有する。有用な陽イオンで安
定化されたポリウレタンは、その開示内容を参考
として本願明細書に含める、米国特許第3873484
号明細書に記載されているポリウレタンである。
この種のラテツクスは、Witco Chemical Corp
からWitcobond Ｗ−210^TMの名称で市販されてい
る。 ポリアニリン塩半導体が組み込まれているその
他の特に有用な陽イオンで安定化されたラテツク
スポリマー分散液を以下に列挙する。なお、本願
明細書において、ポリマーの後に括弧でくくつて
示した数字はそのポリマー中の各モノマーの重量
％を示す。 (1) トリメチルアミドで四級化したポリ（ｎ−ブ
チルメタクリレート−コ−ビニルベンジルクロ
リド）（90／10）、 (2) トリメチルアミンで四級化したポリ〔酢酸ビ
ニル−コ−テトラヒドロフルフリルメタクリレ
ート−コ−メチルメタクリレート−コ−（Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−ビニルベンジルアン
モニウムクロリド）〕（70／20／５／５）、 (3) ポリ（酢酸ビニル−コ−メチルメタクリレー
ト）（90／10）、 (4) トリメチルアミンで四級化したポリ〔テトラ
ヒドロフルフリルメタクリレート−コ−Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−ビニルベンジルアン
モニウムクロリド）〕（90／10）、 (5) ポリ（メチルアクリレート−コ−テトラヒド
ロフルフリルメタクリレート−コ−〔２−メタ
クリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウ
ムメトサルフエート）〕（35／60／５）、 (6) トリメチルアミンで四級化したポリ〔ｎ−ブ
チルメタクリレート−コ−ブチルアクリレート
−コ−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−ビニル
ベンジルアンモニウムクロリド）〕（70／20／
10）、 (7) ポリ（酢酸ビニル）。 ポリアニリンの溶液及び組み込み可能なポリマ
ー粒子の分散液を調製した後、両者を混合する。
一般に、水と混和しうる有機溶剤の溶液を組み込
み可能なポリマー粒子の分散液中に混入するのが
有利である。混合は、ポリアニリンが溶解した
まゝでありかつ組み込み可能なポリマー粒子が分
散されたまゝであるように行う。 水及び組み込み可能なポリマー粒子をポリアニ
リンの水和性有機溶剤の溶液と混合するとポリア
ニリンのポリマー粒子中への有意な組み込みを行
うことができるけれども、ポリアニリンの一部は
水和性有機溶剤中に溶解した連続相中になおも残
存可能である。更に、少なくとも大部分の水和性
有機溶剤を除去することによつてポリマー粒子中
にポリアニリンを組み込むのが有利である。先に
引用したChenのResearch Disclosureに開示され
ている水和性有機溶剤を除去するための方法を任
意に使用しうるけれども、減圧下に蒸発すること
によつて水和性有機溶剤を急速に除去するのが有
利である。これらの工程の結果として、組み込み
可能なポリマー粒子がそれらと組み合わさつた
（すなわち、組み込まれた）半導体のポリアニリ
ン成分を有することとなる。 ポリアニリンの組み込みはほぼ中性のPHで行う
のが有利である。ポリアニリンが組み込まれたラ
テツクスはPH7.0で約１〜３週間にわたつてのみ
安定である。しかしながら、ポリアニリン塩組み
込みラテツクスに酸性化した後、PHは一般に約
2.7である。このPHで、被覆組成物は長期間にわ
わたつて、即ち、30日以上にわたつて安定であ
る。 ポリアニリンの組み込み及びその後の組み込み
ラテツクスの酸性化は、表面活性剤の存在で行う
のが有利である。表面活性剤は、疎水性ラテツク
スポリマー粒子を懸濁させておくのに助けとな
る。表面活性剤は一般に被覆組成物の約２重量％
の濃度で存在し、但し、この濃度は、表面活性
剤、ラテツクス、溶剤及びポリアニリンの特質に
応じて変化することができる。好ましい表面活性
剤は、約13〜17のHLB（親水親油バランス）を有
するものである。この基準に適合する表面活性剤
には、エトキシ化アルキルフエノール、例えば
Igepal CO−730^TM、Triton Ｘ−102^TM、Triton
Ｘ−165^TM及びIgepal CO−630^TM；及びポリ（エ
チレンオキシド）及びポリ（プロピレンオキシ
ド）のブロツクコポリマー、例えばPluronic Ｌ
−64^TM及びPluronic Ｌ−44^TMがある。 被覆組成物中及び従つて被膜自体におけるポリ
マー粒子：ポリアニリンの重量比は広い範囲にわ
たつて変化可能である。この比は被膜の抵抗と半
導体の被覆量との間の関係にほとんど影響しない
ことが判つた。従つて、結合剤の量は、層の物理
的性質及び被覆組成物の性質を最適にし、被覆を
容易にするように選択することができる。ポリマ
ー：ポリアニリンの重量比の有用な範囲は約１：
１〜20：１である。この比が４：１〜10：１であ
る場合に、特に好ましい層及び被覆組成物が得ら
れる。 この好ましい方法における次の工程は、前の工
程から得られた組み込みラテツクス分散液を酸性
化することによつて、ポリアニリン組み込みポリ
マー粒子をポリアニリン塩組み込み粒子に変える
ことである。適当な酸を含有する溶液をラテツク
ス分散液とたゞ混合することによつて、ラテツク
スの酸性化を達成することができる。酸の量及び
その特質は、(a)ほぼ全部のポリアニリンがポリア
ニリン塩に変えられ、かつ(b)得られるラテツクス
が被膜を形成するのに充分な時間にわたつて安定
であるように選択すべきである。選択された酸が
ラテツクスを不安定にする作用を有する場合に
は、ポリアニリン塩組み込みラテツクスを含む被
覆組成物を直ちに被覆しなければならない。しか
し、好ましい実施態様では、ラテツクスは貯蔵安
定性であるべきである。従つて、ポリアニリン組
み込みラテツクスと混合する場合に、得られるポ
リアニリン塩組み込みラテツクスが少なくとも10
分間にわたつて安定であるように酸を選択すべき
である。安定なラテツクスを生成させるのに適当
な酸の選択は、表面活性剤の存在、選択された組
み込み可能なポリマー粒子の特質、選択されたポ
リアニリンの特質、初めのポリアニリン組み込み
ラテツクスのPH、その他のフアクターに依存して
いる。有用な酸は、ハロゲン酸、例えば塩化水
素、臭化水素、弗化水素、沃化水素、フルオロ硼
酸等；硫黄酸、例えば亜硫酸、硫酸、チオ硫酸、
チオシアン酸等；燐の酸、例えば亜燐酸、燐酸
等；窒素酸、例えば亜硝酸、硝酸等を包含する。
単官能性、二官能性及び多官能性の有機酸を含め
た有機酸もまた有用である。有用な有機酸は、炭
素原子数１〜約８の飽和及び不飽和の両方の脂肪
酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、マレイン
酸等；芳香族酸、例えばフタル酸、テレフタル
酸、安息香酸等；そして酸性水素原子を含有する
有機化合物、例えばバルビツール酸及び２−バル
ビツール酸を包含する。安定なラテツクス分散液
を形成するために好ましい酸は、燐酸、硝酸及び
メタンスルホン酸を包含する。 燐酸は、安定なラテツクス分散液を形成し、ま
た、更に、その他の酸を利用した本発明の同様の
被膜と比べても、著しく高い導電性を有する被膜
を形成する。従つて、燐酸は特に有利である。 前記したように、ほぼ全部のポリアニリンをポ
リアニリン塩に変えるのに充分な酸をラテツクス
に添加する。ある種の条件下では、ポリアニリン
組み込みラテツクスに過剰の酸を加えるのが望ま
しい場合もある。「過剰」とは、化学量論的量よ
り多いことを意味する。過剰の酸は、酸の一部が
被膜から、例えば浸出によつて失なわれる場合で
も、ラテツクスが導電性被膜を形成するのを保証
する。従つて、ポリアニリン組み込みラテツクス
に添加する酸の量は広範囲に変化させることがで
きる。一般には、酸の有用な量は、イミン１モル
について酸1.0〜10.0モルの範囲内である。この
比が約４：１よりも大きい場合には、上塗層が導
電性層に適切に付着することができない。この比
が約1.0よりも小さい場合には、層が充分な導電
性を有し得ない。ポリアニリン塩半導体の酸成分
はこの広い範囲内で変化しうるので、ポリアニリ
ンの被覆量により半導体層の被覆量を示すのが一
層精確である。 ポリアニリン塩半導体を組み込んだ疎水性ラテ
ツクスポリマー粒子を有する好ましい被覆組成物
の製造を詳細に記載した。記載の方法での組み込
みは、半導体をラテツクスと組み合わせるために
有利な方法である。しかし、他の方法を使用し得
ることも理解されるであろう。例えば、半導体及
びラテツクスポリマーを、半導体がラテツクスポ
リマーを形成するため使用されるモノマーに可溶
であるように選択することができる。被覆組成物
は、ポリアニリン塩半導体がラテツクスと組み合
わせ可能である限り、従来の被覆組成物から作つ
た層と比べて著しく高い導電性を有する層を生ず
るであろう。 本発明のラテツクス被覆組成物において、それ
中の固形分の重量％は広く変化可能である。文献
公知のように、固形分（％）は、被覆方法ともど
も被覆組成物の凝集により生ずる層の被覆量に著
しく影響する。本願明細書において、「固形分」
とは、組み合わさつた半導体を含めた懸濁疎水性
ポリマー粒子を意味する。被覆組成物における固
形分（重量％）の有用な範囲は約0.2〜約15％で
ある。 ラテツクスポリマー粒子であつてそれらと組み
合わさつた半導体を有するものを含む被覆組成物
は、種々の電気絶縁性支持体上に被覆して有用な
導電性要素を形成することができる。支持体は、
いろいろな形の種々の材料であつてよい。例え
ば、本願明細書に記載の被覆組成物をポリマー材
料、例えばポリ（エチレンテレフタレート）、酢
酸セルロース、ポリスチレン、ポリ（メチルメタ
クリレート）等上に被覆することができる。ま
た、かかる組成物を他の支持体、例えばガラス、
樹脂被覆紙を含めた紙等上に被覆することができ
る。布帛に織るのに有用な合成繊維を含めた繊維
を支持体として使用することができる。平面の支
持体、例えば写真に有用なポリマーフイルムが特
に有用である。更に、本発明の組成物を、導電性
被膜を有することが望まれる実際に任意の製品上
に被覆することができる。例えば、この組成物を
小さいプラスチツク部品上に被覆して好ましくな
い静電気帯電を防止することができ、さもなけれ
ば、エレクトログラフイー等でトナーのために使
用されるもののような小さいポリマー球状体又は
他の形状のものの上に被覆することができる。 本発明の組成物は、任意の適当な方法を使用し
て支持体上に被覆することができる。例えば、い
くつか例示すると、これらの組成物をスプレー被
覆、流動床被覆、浸漬被覆、ドクターナイフ被覆
又は押出ホツパー被覆等によつて被覆することが
できる。 本発明の導電性層の奏する主な利点は、これら
の層は低い半導体被覆量で意外に高い導電性を示
すということである。低い被覆量とは、約10mg／
m²もしくはそれ以下の被覆量を意味する。被覆量
を約40mg／m²以上に増加しても、導電性はほとん
ど増加しない。正確な被覆量は、選択した半導体
及びラテツクスの特質、そして、もちろん、所望
の導電性に依存している。導電性層の光学濃度が
問題でない場合には、例えば不透明な支持体上に
層を被覆する場合には、高い被覆量もまた有用で
ある。 本発明の被覆組成物は、組成物を被覆した後、
半導体が組み合わさつているラテツクスを凝集さ
せることによつて有用な導電性被膜を形成する。
一般に、水性連続相をたゞ蒸発させるだけで凝集
が起る。一部の場合には、ポリマー粒子の正確な
性質に応じて、被覆した組成物を短期間加熱して
ラテツクスを凝集させる必要がある。また、場合
によつては、凝集した層をその層を例えば約120
℃に短時間、例えば約30秒間加熱することによつ
て硬化させて、改良された物理的性質を得ること
ができる。 ある実施態様では、本発明の組成物の層を保護
層で被覆するのが好ましい。保護層は種々の理由
で存在することができる。例えば、保護層は、耐
摩耗性層又はその他の好ましい物理的性質を与え
る層であることができる。多くの態様の場合に、
例えば、好ましいポリアニリン塩半導体の酸成分
の浸出をひきおこし得る条件から本発明の導電性
層を保護するのが好ましい。本発明の導電性層が
塩基性層を有する要素の一部である場合には、導
電性層と塩基との接触を防止するため、保護層の
形でバリヤ層を設けるのが有利である。保護層は
通常フイルム形成性ポリマーであり、また、この
ようなポリマーは、導電性層自体に関して記載し
たような被覆技術を使用して施すことができる。
適当なフイルム形成性樹脂は、酢酸セルロース、
酢酸酪酸セルロース、ポリ（メチルメタクリレー
ト）、ポリエステル、ポリカーボネート等である。
一般に好ましい保護層は、ポリ（ｎ−ブチルアク
リレート−コ−スチレン）、ポリ（ｎ−ブチルア
クリレート−コ−メチルメタクリレート）、ポリ
（ｎ−ブチルメタクリレート−コ−スチレン）、ポ
リ（メチルメタクリレート）、そしてポリ（１，
４−ブチレン−１，１，３−トリメチル−３−フ
エニルインダン−4′，５−ジカルボキシレート）
の層を包含する。 本発明の被覆組成物は、写真要素用の帯電防止
層又はエレクトログラフイー要素及び電子写真要
素における導電性層を形成するのに特に有用であ
る。本発明の組成物は、低い被覆量及び従つて低
い光学濃度を有する層において高い導電性を与え
ることができる。従つて、本発明の組成物は、透
明な写真要素、例えば映写スライド、映画フイル
ム、マイクロフイルム等用の帯電防止層を形成す
る際に特に有用である。この種の要素は、少なく
とも１つの感放射線層を上方に被覆した支持体を
有する。記載の導電性層は写真要素中の任意の位
置に存在していてよいが、感放射線物質の被膜を
有する側とは反対側の写真支持体上に導電性層を
被覆するのが有利である。本発明の被覆組成物
は、文献に公知の薄いゼラチン層を有する支持体
上に直接に被覆し、次に前記保護層で上塗りする
のが有利である。また、本発明の導電性層を支持
体の感放射線物質と同じ側に存在させてもよく、
そして保護層を必要に応じて中間層又は上塗層と
して含ませてもよい。 本発明の写真要素又は電子写真要素の感放射線
層は種々の形をとることができる。これらの層
は、銀塩写真乳剤、例えばハロゲン化銀乳剤、ジ
アゾ−タイプ組成物、気泡画像形成性組成物、光
重合性組成物、感放射線半導体を含む電子写真組
成物等を有することができる。ハロゲン化銀写真
乳剤がとりわけ好ましく、そして例えば、
Product Licensing Index、Publication 9232、
92巻（1971年12月）107〜110頁に記載されてい
る。 別の特に有用な要素はエレクトログラフイー要
素である。本発明の導電性層は、その導電性が均
一であり、かつ湿度に無関係であるから、この種
の要素のための優れた導電性層である。本発明の
この実施態様は、前記した導電性層及び最外層と
しての誘電層で被覆した支持体からなる。この実
施態様では、導電性層は、高いポリアニリン被覆
量、例えば約35mg／m²を使用して、得られる導電
性層が極めて高い導電性を有し得るようにするた
め、若干の濃度を有していてよい。上記よりも高
いか又は低い被覆量を使用することもできる。任
意の誘電性フイルム形成性材料、例えば保護層と
して有用なものとして先に列挙したポリマーから
誘電層を形成することができる。この実施態様に
一般に好ましい誘電層は、米国特許第3703372号
明細書に記載されているポリ（エチレン−コ−
４，4′−イソプロピレンビスフエノキシエチルテ
レフタレート）である。場合により、そして好ま
しい実施態様では、誘電層は更に艶消剤を有して
いる。米国特許第2701245号及び同第3810759号明
細書に記載されているポリ（メチルメタクリレー
ト）ビードのような多くの艶消剤を使用すること
ができる。一般に好ましい艶消剤は、一部のフル
オロカーボン、例えばYonkers（ニユーヨーク）
のMicro Powders、Inc.から市販されている
Polyfluo^TM＃190ビードともども、ポリエチレン
のビードである。この種の艶消剤は、使用する溶
剤中で膨潤せず、したがつて、画像の品質を劣化
するビードの凝集を防止するので、有利である。
前記種類のエレクトログラフイー要素の使用は公
知であり、そして例えばDessauer及びClark著、
Xerography and Related Processes（Focal
Press、1965年）、章439〜450頁に記載されて
いる。 本発明の被膜の表面の抵抗は、周知の技法を使
用して測定することができる。抵抗は、対向する
２つの面の間の材料の平面で測定した材料の薄い
フイルムの正方形の電気抵抗である。これは、
R.E、Atchison著、Aust.J.Appl.Sci.10（1954年）
に詳細に記載されている。 本発明の好ましい導電性層のイミン成分の被覆
量は、公知な方法を使用して容易に計算すること
ができる。 〔実施例〕 次に、実施例に基づいて本発明を詳述する。 例 １ (a) ポリアニリン塩組み込みポリマーラテツクス
の製造 Witco Bond Ｗ−210^TMの固形分35.2重量％
の分散液28.4ｇを水で希釈して総重量400ｇに
した。これに、アセトン100ml中のＮ−｛ｐ−
〔４−ｐ−メトキシアニリノ）アニリノ〕フエ
ニル｛−１，４−ベンゾキノンイミン2.0ｇの
溶液を加えた。次に、回転蒸発によりアセトン
を除去したWitco Bond Ｗ−210^TMラテツクス
のポリアニリン組み込みポリマー分散液が得ら
れた。ポリアニリン組み込みラテツクス393ｇ
に水500ｇ、10％燐酸14ml及び更に水を加えて
総重量1180ｇにした。得られた分散液はポリア
ニリン塩組み込みラテツクスであつた。 (b) 導電性被膜の製造 前記のポリアニリン塩分散液を、下塗り層を
有するポリ（エチレンテレフタレート）フイル
ム支持体上に10.8ml／m²の湿潤被覆量で被覆し
た。ラテツクス分散液の水を適度の熱により蒸
発させて除去したところ、２×10⁶Ω／sqの電
気抵抗及び支持体１m²当りの層のイミン成分の
乾燥被覆量17mgを有する凝集フイルムが得られ
た。400〜700nｍでの支持体の積分光学濃度は
0.015であつた。 例 ２ 前記例１で製造したポリアニリン塩組み込みラ
テツクス100ｇを水で希釈して総重量333ｇにし、
そして下塗り層を有するポリ（エチレンテレフタ
レート）フイルム支持体上に8.6ml／m²の割合で
被覆した。蒸発により水を除去したところ、５×
10⁷Ω／sqの表面電気抵抗及び支持体１m²当りの
ポリアニリン成分の乾燥被覆量4.3mgを有する凝
集フイルムが得られた。 例 ３ 前記例１で製造したポリアニリン組み込みラテ
ツクス分散液107ｇを水で希釈して総重量400ｇに
した。この分散液にメタンスルホン酸の10％溶液
3.65mlを加えた。得られたポリアニリン塩組み込
みラテツクスを下塗り層を有するポリ（エチレン
テレフタレート）フイルム支持体上に被覆し、そ
して蒸発により水を除去した。得られた凝集フイ
ルムは、1.1×10⁷Ω／sqの表面電気抵抗及び支持
体１m²当りのポリアニリン成分の乾燥被覆量17mg
を有していた。 例 ４ 前記例１と同様にしてポリアニリン組み込みラ
テツクスを製造した。但し、本例の場合、イミン
としてＮ−｛ｐ−〔ｐ−（アニリノ）アニリノ〕フ
エニル｝−１，４−ベンゾキノンジイミンを選択
した。このポリアニリン組み込みポリマー分散液
80ｇを水で希釈して340ｇの重量にし、そして10
％燐酸溶液2.70mlを加えた。得られたポリアニリ
ン塩組み込みラテツクス分散液を下塗り層を有す
るポリ（エチレンテレフタレート）フイルム支持
体上に被覆した。蒸発によりラテツクスの水を除
去したところ、9.3×10⁶の表面電気抵抗及び支持
体1ft²当りのポリアニリン成分の乾燥被覆量17mg
を有する凝集フイルムが得られた。 例 ５ (A) ポリアニリン塩組み込みラテツクスの製造 トリメチルアミンで四級化したポリ（ｎ−ブ
チルメタクリレート−コ−ビニルベンジルクロ
リド）（90／10）の固形分16.46％のラテツクス
30.39ｇにIgepal CO−730^TM表面活性剤（分散
助剤として）0.10ｇ及び水を加えて総重量200
ｇにした。このラテツクスに、アセトン55ml中
の前記例１のポリアニリン1.0ｇの溶液を加え
た。回転蒸発によりアセトンを除去したとこ
ろ、ポリアニリン組み込みラテツクスが生成し
た。イミン組み込みラテツクス分散液1.7ｇに
水200ｇ、10％燐酸溶液3.8ml及び更に水を加え
て総重量400ｇとした。生成物はポリアニリン
塩組み込みラテツクスであつた。 (B) ポリアニリン塩組み込みラテツクスの被覆 前記(A)工程からのラテツクスを下塗り層を有
するポリ（エチレンテレフタレート）フイルム
支持体上に10.8ml／m²の被覆量で被覆した。蒸
発により水を除去したところ、５×10⁶Ω／sq
の表面電気抵抗及び支持体１m²当りのポリアニ
リン成分の乾燥被覆量17mgを有する凝集フイル
ムが得られた。400〜700nｍの領域での積分光
学濃度は0.015であつた。 例 ６ 本例は比較例である。 ポリアニリン塩組み込みラテツクスを前記例１
に示した手順により製造した。使用したラテツク
スは、ポリ（ｎ−ブチルアクリレート−コ−２−
アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸
（90／10）（陰イオンで安定化したラテツクス）の
５重量％ラテツクスであつた。ポリアニリンはＮ
−｛ｐ−〔４−（ｐ−メトキシアニリノ）アニリノ〕
フエニル｝−１，４−ベンゾキノンイミンであつ
た。これを、アセトン中のイミンの0.5重量％溶
液を使用してラテツクス中に導入した。このポリ
アニリン組み込みラテツクス40ｇに２％燐酸水溶
液7.3mlを加えてポリアニリン塩組み込みラテツ
クスを形成した。下塗り層を有するポリ（エチレ
ンテレフタレート）フイルム支持体上にこのラテ
ツクスを被覆し、そして蒸発により水を除去した
ところ、凝集フイルムが得られた。このフイルム
は、2.0×10⁹Ω／sqの電気抵抗及びポリアニリン
成分の被覆量16mg／m²を有した。 例 ７ 本例は比較例である。 ゼラチン結合剤中の前記例１のポリアニリン塩
を使用して下記の方法で導電性被膜を製造した：
１重量％ゼラチン溶液400mlを40℃に加温し、そ
してOlin 10G^TM表面活性剤１重量％を含む溶液
4.0ml及び85％燐酸0.76ｇを添加した。次に、ア
セトン中に前記例１のポリアニリン0.8ｇを含む
溶液25mlを前記ゼラチン溶液に激しく攪拌しなが
ら添加した。回転蒸発によりアセトンを除去した
ところ、ゼラチン溶液中のポリアニリン塩の微細
な分散液が得られた。ポリアニリン塩はゼラチン
と組み合わさつていなかつた。この分散液を下塗
り層を有するポリ（エチレンテレフタレート）フ
イルム支持体上に、支持体１m²当り約28.6mgのポ
リアニリン被覆量を生ずるように被覆した。乾燥
後、この層は5.3×10⁸Ω／sqの抵抗を有してい
た。本例から、ポリアニリン塩半導体の従来の層
は、半導体をほぼ２倍の被覆量で被覆した場合で
も、本発明の層の高い導電性を示さないことが判
る。前記例１の被覆量17mg／m²及び抵抗２×10⁶
Ω／sqを本例の被覆量28.6mg／m²及び抵抗5.3×
10⁸Ω／sqと対比されたい。 例 ８ 本例は比較例である。 前記例１のポリアニリン塩及び例１のラテツク
ス結合剤を使用して導電性被膜を製造した。但
し、本例の場合、ポリアニリン塩を被覆前及び凝
集前にラテツクスと組み合わせなかつた。導電性
層は下記の方法で製造した：10％燐酸6.2ml及び
Igepal CO−730^TM表面活性剤0.1ｇを含む水180ml
に前記例１のポリアニリン1.05ｇ及びIgepal CO
−630^TM0.1ｇを含むアセトン溶液25mlを加えた。
添加は激しく攪拌しながら行なつた。得られた溶
液からアセトンを除去したところ、水中のポリア
ニリン塩半導体の微細な分散液が生成した。この
分散液に、Witco Bond Ｗ−210^TMラテツクスの
固形分35重量％の分散液14.2ｇを加えた。これら
の条件下で、半導体の著量とラテツクスとの間の
組み合わせは不存在であつた。むしろ、半導体と
ラテツクスの共通の分散液が生成した。下塗り層
を有するポリ（エチレンテレフタレート）フイル
ム支持体上にこの共通の分散液を被覆し、乾燥し
たところ、支持体１m²当り10.8mgのポリアニリン
被覆量を有する凝集層が得られた。この層は3.8
×10⁷Ω／sqの抵抗を有していた。前記例１に記
載した組み込みラテツクスから被覆した層を同じ
被覆層で被覆したところ、3.5×10⁶Ω／sqの抵抗
であつた。5.4mg／m²のポリアニリン被覆量でこ
の比較を繰り返した場合、共通の分散液から調製
した被膜の抵抗は4.3×10⁸Ω／sqであり、一桁以
上大きさが増大した。一方、組み込みラテツクス
から調製した被膜は、２倍より低く、6.3×10⁶
Ω／sqに増加した。 例９〜例12 これらの例は比較例である。 前記例８と同様の方法で、共通の分散液から及
び種々のポリアニリンと酸とを使用した本発明の
被覆組成物から被膜を製造した。 共通の分散液（ａ及びｃと記す）： アセトン55ml中のポリアニリン1.0ｇ及び
Igepal CO−630^TM0.1ｇの溶液を、Igepal 730^TM
表面活性剤0.2ｇ及び酸2.5モル／ポリアニリン１
モルの比を生ずるのに充分な量の酸を含む、激し
く攪拌した水溶液200mlに添加した。得られた溶
液からアセトンを除去して、水中のポリアニリン
塩の分散液を調製した。この分散液にラテツクス
ポリマー（Witco bond Ｗ−210^TM）の固体5.0ｇ
を加えて、ポリアニリン塩及びラテツクスポリマ
ーの共通の分散液を調製した。 組み込みラテツクス（ｂ及びｄと記す）： ポリアニリン塩を組み込んだラテツクスを前記
例１と同様の方法で製造した。 本発明の組み込みラテツクス及び共通の分散液
の両方をポリアニリン10.8mg／m²及び5.4mg／m²
の被覆量で被覆した。結果を次の第１表に示す。 例13〜例19 前記例１を繰り返した。但し、Witco bond Ｗ
−210^TMの代りに陽イオンで安定化した種々のラ
テツクスポリマーを使用した。それぞれの場合
に、ラテツクスポリマー／ポリアニリンの重量比
は５：１であつた。結果を次の第１表に示す。ポ
リマーの番号は、有用な組み込み可能なポリマー
の説明のところで記載したものである。 次表には、上記した例からのデータが示されて
いる。適当な場合に、ポリアニリン及び結合剤に
関する表示は、これらの成分に関して先に与えた
表示に対応する。 【表】 【表】 例 20 下塗り層を有するポリ（エチレンテレフタレー
ト）フイルム支持体上に導電性層を被覆し、そし
て次にこの導電性層に誘電層を上塗りすることに
よつてエレクトログラフイー要素を製造した。ラ
テツクス：ポリアニリンの重量比が５：１である
前記例１の被覆組成物を使用して、約30mg／m²の
ポリアニリン塩被覆量となるように導電性層を被
覆した。誘電層はPolyfluo^TM＃190艶消ビード3.5
重量％を含むポリ（エチレン−コ−４，4′−イソ
プロピリデンビスフエノキシエチルテレフタレー
ト）（50：50）の膜厚3.5μｍの層であつた。誘電
層を被覆する際に、米国特許第3861915号明細書
に記載されている展着剤を使用した。 上記エレクトログラフイー要素についてGould
＃5005プロツター／プリンタースタイラス記録装
置上でイメージングを行い、そして液体検電現像
剤で調色した。画像の品質は優れたものであつ
た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 連続相としての水と分散相とを有するラテツ
   クスからなる被覆組成物であつて、前記分散相が
   陽イオンで安定化した疎水性ポリマー粒子を含み
   かつ該疎水性ポリマー粒子がそれと組み合わさつ
   たポリアニリン酸付加塩半導体を有することを特
   徴とする被覆組成物。 ２ 前記疎水性ポリマー粒子に前記半導体が組み
   込まれている、特許請求の範囲第１項に記載の被
   覆組成物。 ３ 前記疎水性ポリマー粒子：前記ポリアニリン
   塩半導体のイミンの重量比が４：１〜10：１であ
   る、特許請求の範囲第１項に記載の被覆組成物。 ４ 0.2〜15重量％の固形分を含む、特許請求の
   範囲第１項に記載の被覆組成物。 ５ 前記ポリアニリン塩半導体のポリアニリンが
   Ｎ−｛ｐ−〔４−（ｐ−メトキシアニリノ）アニリ
   ノ〕フエニル｝−１，４−ベンゾキノンイミン又
   はＮ−｛ｐ−〔ｐ−（アニリノ）アニリノ〕フエニ
   ル｝−１，４−ベンゾキノンジイミンである、特
   許請求の範囲第１項に記載の被覆組成物。 ６ 前記ポリアニリン塩が燐酸付加塩である、特
   許請求の範囲第１項に記載の被覆組成物。 ７ 前記疎水性ポリマー粒子が、陽イオンで安定
   化された、実質的に線状のポリウレタン尿素から
   なる、特許請求の範囲第１項に記載の被覆組成
   物。 ８ 前記疎水性ポリマー粒子が、トリメチルアミ
   ンで四級化されたポリ（ｎ−ブチルメタクリレー
   ト−コ−ビニルベンジルクロリド）（90／10）の
   粒子である、特許請求の範囲第１項に記載の被覆
   組成物。 ９ 連続層としての水と分散相とを有するラテツ
   クスからなる被覆組成物を製造する方法であつ
   て、下記の工程： (a) ポリアニリンを水と混和しうる有機溶剤に溶
   かして溶液を調製する工程； (b) 陽イオンで安定化された、組み込み可能な疎
   水性ポリマー粒子を水性連続相中に分散させて
   ラテツクスを調製する工程； (c) 前記ラテツクスを前記溶液と混合する工程； (d) 前記有機溶剤を除去してポリアニリン組み込
   みラテツクスを形成させることにより前記ポリ
   マー粒子の組み込みを行う工程；及び (e) 前記ポリアニリン組み込みラテツクスのほと
   んど全部をポリアニリン塩組み込みラテツクス
   に変えるのに充分な酸を前記ポリアニリン組み
   込みラテツクスに添加することによつてポリア
   ニリン塩組み込みラテツクスを形成する工程； を含んでなることを特徴とする被覆組成物の製
   法。