JPS636639B2 - - Google Patents
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- JPS636639B2 JPS636639B2 JP1466281A JP1466281A JPS636639B2 JP S636639 B2 JPS636639 B2 JP S636639B2 JP 1466281 A JP1466281 A JP 1466281A JP 1466281 A JP1466281 A JP 1466281A JP S636639 B2 JPS636639 B2 JP S636639B2
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Description
この発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔の製造方法に関する。
電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位体積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究が種々なされてきた。ところが、
従来の電解エツチング技術では、一般的にエツチ
ング孔を多くしようとすると、箔の表面の溶解も
同時に進行して腐食減量が増大し、機械的強度が
損われるという問題があつた。このため、拡面率
はエツチング後の機械的強度に制限されて、これ
を顕著に拡大せしめることが困難であつた。
この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、しかも機械的
強度はこれを損うことのないコンデンサ電極用ア
ルミニウム合金箔の製造方法を提供しようとする
ものである。
而して、この発明はアルミニウム純度が99.9%
以上であり、かつリンおよびヒ素の少なくともい
ずれか一方の元素を0.5〜100wt−ppm含有するア
ルミニウム合金箔を用い、該アルミニウム合金箔
を、塩素イオン2〜15%と、アノード分極により
多孔質の酸化膜を生成する酸1〜35%とを含む50
〜100℃の水溶液中で、電流密度5〜40A/dm2
の直流を用いて前段エツチング処理した後、次い
でこれを、塩素イオン2〜15%と酸化性酸0.03〜
3%とを含む50〜100℃の水溶液中で、電流密度
0.5〜7A/dm2の直流を用いて後段エツチング処
理することを特徴とするものである。
以下、これを更に詳しく説明する。
〔アルミニウム合金箔組成〕
この発明に用いるアルミニウム合金箔に含有さ
れるリンおよびヒ素は、箔の静電容量を増大させ
る点において均等物であり、これらの一方または
両者がアルミニウムに添加される。しかしその箔
中の両者の合計含有量またはいずれか一方の元素
の含有量が0.5wt−ppm(0.00005wt%)未満では
静電容量を増大する効果が少なく、100wt−ppm
(0.03wt%)を超えると、腐食減量が大となり箔
の強度保持の点で好ましくない。従つて、この含
有量は0.5〜100wt−ppmの範囲内で選ぶべきであ
るが、特に1.0〜30ppmの範囲が好ましい。この
ようなリンおよび/またはヒ素の含有が箔の静電
容量を増大させるのは、次の理由によるものと考
えられる。即ち、エツチング液に対するアルミニ
ウムとリンおよびヒ素との電気的ポテンシヤルの
差がエツチングの駆動力となつて、エツチング孔
の数を顕著に増大せしめると共に、リンおよびヒ
素は加熱することによつて材料中で拡散し易いか
ら、箔の製造過程での熱履歴により材料表面中に
均等に分散し、その際他の含有元素も伴つて分散
するため、エツチング孔を均一に分散せしめるこ
とによるものと推測される。しかしながら、それ
らの含有量が100wt−ppmを超えると、エツチン
グ孔の密度が大になる反面、箔の表面も溶解する
ので、結果的には静電容量が低下し、強度が弱く
なるものと考えられる。
一方、コンデンサ電極用アルミニウム箔とし
て、アルミニウムの純度が99.9%以上要求される
ことは周知のとおりであり、いうまでもなく純度
99.99%以上のものの方が好ましい。
従つて、この発明に用いるアルミニウム合金箔
は、リンおよび/またはヒ素の含有のほかに、不
可避不純物としての他の諸元素を含むことは当然
許容される。また、従来この種のコンデンサ電極
用アルミニウム合金箔として、単位面積当りのエ
ツチング孔の数を増大せしめるために、積極的に
他の微量元素を添加含有せしめることも行われて
いるが、この発明は、リン、ヒ素の含有のほか
に、斯る強制添加元素を付加的に含む場合もその
範囲に包含される。斯る元素としては、例えば
銅、ストロンチウム、バナジウム、チタン、マン
ガン、マグネシウム、亜鉛、インジウム、錫、
鉛、ビスマス、ホウ素、銀、ガリウム、カドミウ
ム、ジルコニウム、トリウム、鉄、ケイ素等が挙
げられ、その含有量は一般的に0.1〜5000wt−
ppmの範囲内である。リンおよびヒ素のほかにこ
れらの元素を含有する場合には、効果として、リ
ンおよびヒ素と他の元素とのそれぞれのもつ効果
が単に総和的にあらわれる場合のほか、それ以上
の相乗的効果が期待される場合も予測されるが、
この発明はそのいずれの場合も、リンおよび/ま
たはヒ素の含有による効果が実現されている以
上、その範囲に包含されるものである。
〔前段エツチング工程〕
前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが2%未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15%を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは5〜8%
程度とするのが良い。
塩素イオンを含む水溶液に添加する酸は、可及
的多孔質の酸化皮膜を生成しうるものを選択使用
すべきであり、例えば硫酸、蓚酸、リン酸、クロ
ム酸等を好適に用いうる。なかでも、特に硫酸
は、単位面積当りに多数個のエツチング孔を緻密
に形成しうる点で好ましい。上記酸の添加量は酸
の種類によつて異るが、1%未満の場合にはエツ
チング核となる多孔質酸化皮膜の生成が充分でな
く、反対に35%を超える場合には全面溶解が起こ
る。従つて、1〜35%の範囲内とすべきであり、
特に好ましくは10〜20%の範囲が良い。このよう
な範囲での上記酸の添加により好結果が得られる
のは、該酸を含む液中でアルミニウム箔をアノー
ド分極させることにより、箔表面に1mm2当り1憶
個以上もの孔をもつたいわゆる多孔質酸化皮膜を
生成し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の
部分は酸化皮膜で覆われているために表面の溶解
が抑制され、結果として塩素イオンのみによるエ
ツチングに比べて、エツチング孔が非常に多くな
り、かつ深くなるためと考えられる。
前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。
一方、電流密度は、これが5A/dm2未満の場
合にはやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A/dm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範囲内で、特に好ましくは10〜25A/dm2と
すべきである。
また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン/dm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン/dm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン/dm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン/dm2を超えると全面溶
解が進行する。
前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への酸化性酸の比較的高濃度の添加、高液
温、高電流密度の条件下において行うものであ
る。従つてかかるエツチングは非常に苛酷なもの
であり、このためエツチングが進行するにつれて
エツチング孔内は発生ガスや溶解したアルミニウ
ムイオンなどによつて電気抵抗が高くなり、エツ
チング孔内でのエツチングが停止してしまい、表
面の溶解が進行する。従つて、この発明は、エツ
チング孔内でのエツチングが停止した時点で前段
エツチングを終了し、次に後段エツチングによ
り、表面溶解を抑制しながら、エツチング孔を更
に深く、太くすることにより所期する目的を達成
するものである。
〔後段エツチング工程〕
後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から2〜15%の範囲が良好であり、特に5
〜8%の範囲が最適である。
この塩素イオンを含む水溶液に添加する酸化性
酸は、アノード分極によりアルミニウム表面に陽
極酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制するも
のであり、具体的には蓚酸、リン酸、クロム酸、
ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン酸等を好適
に用いることができる。後段エツチングは、アル
ミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、エツチン
グ孔内でのエツチングを進めるものであるから、
上記の酸の高濃度の添加は好ましくない。同様に
溶解性の強い硫酸の添加も、化学的な表面溶解を
併発して拡面率を低下せしめるため不適である。
好適性を有する上記の酸もその好適な添加量は酸
の種類によつて異るが0.03〜3%の低濃度の範囲
に限定され、最も好ましくは0.1〜1%の範囲で
ある。この添加量が0.03%未満であると、アルミ
ニウム表面の溶解を抑制する効果が少なく、逆に
3%を超えるとアルミニウム箔表面の全面溶解が
起こる。
後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に60〜70℃の範囲
が最適である。
電流密度について一般的にいえることは、後段
エツチングは、発生ガスなどによりエツチング孔
内でのエツチングが停止しないようにする必要が
あるため、相対的に低い電流密度でエツチングし
なければならない。しかし電流密度が0.5A/d
m2未満と低すぎる場合は、電気化学反応の中に占
める化学反応の割合が高くなりすぎ、エツチング
孔を深くする効果に乏しく全面溶解につながる。
逆に7A/dm2を超える高い電流密度とした場合
にも、アルミニウム箔の全面溶解が起こり、好ま
しくない。従つて、0.5〜7A/dm2の範囲で処理
すべきであり、特に2〜5A/dm2の範囲が最適
である。
一方、後段エツチングの電気量の範囲は、1000
クーロン/dm2未満ではエツチング孔を深く太く
する効果が少なく、4000クーロン/dm2を超える
と全面溶解が起こるため、このような範囲内で、
特に好ましくは2000〜3000クーロン/dm2の範囲
で処理するのが良い。
尚、上記の前段および後段の各エツチングは必
ずしも単一工程で実施する場合のみに限らず、そ
の個々を2段階で実施する場合、即ち全体として
エツチング処理を3段階以上で実施する場合もこ
の発明の範囲に包含される。
この発明は上述のように、リンおよびヒ素の少
なくともいずれかを含有する高純度アルミニウム
箔を用いて、これを先ず、前段エツチングによつ
て表面に専ら多数個のエツチング孔を高密度にし
かも比較的深く形成し、次いで後段エツチングに
より該エツチング孔内を集中的に更に太くかつ深
くするものであり、結果において拡面率を顕著に
増大して静電容量を大幅に向上せしめることがで
き、電解コンデンサの一層の小型化、軽量化を可
能にするのはもとより、拡面率の増大によつて機
械的強度が損われる欠点がなく、エツチング、化
成、組込みなどの一連の工程においてアルミニウ
ム箔の切断等の危険性が少なく、その生産性の向
上をはかることができる。
以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。
供試料
A:アルミニウム純度99.99%、厚さ0.1mmの焼鈍
アルミニウム箔
B:アルミニウム純度99.99%、リン含有量
3ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔
C:アルミニウム純度99.99%、リン含有量
20ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金
箔
D:アルミニウム純度99.99%、ヒ素含有量
5ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔
E:アルミニウム純度99.99%、リンおよびヒ素
の合計含有量4.0ppm(リン1.5ppm、ヒ素
2.5ppm)、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合
金箔
上記各種の箔を供試料とし、これを先ず表−1
に示す各種電解条件で前段エツチング処理し、次
いで更に表−2に示す各種電解条件でそれぞれ後
段エツチング処理を施した。
The present invention relates to a method for manufacturing aluminum alloy foil for electrolytic capacitor electrodes. Aluminum electrode foils for electrolytic capacitors are generally subjected to electrical or chemical etching treatment in order to expand their effective surface area and increase capacitance per unit volume. In order to increase this area expansion ratio, various studies have been made to increase the number of etching holes as much as possible. However,
Conventional electrolytic etching techniques generally have the problem that when attempting to increase the number of etching holes, the surface of the foil also dissolves at the same time, resulting in increased corrosion loss and loss of mechanical strength. For this reason, the area enlargement ratio is limited by the mechanical strength after etching, and it has been difficult to significantly increase the area enlargement ratio. The present invention solves these problems and provides a method for manufacturing an aluminum alloy foil for capacitor electrodes, which increases the area expansion ratio and significantly improves the capacitance, without sacrificing mechanical strength. This is what I am trying to do. Therefore, this invention has aluminum purity of 99.9%.
Using an aluminum alloy foil containing 0.5 to 100 wt-ppm of at least one of phosphorus and arsenic, the aluminum alloy foil is treated with 2 to 15% of chlorine ions and porous oxidized by anode polarization. 50 containing 1-35% acid to form a film
Current density 5-40A/dm 2 in aqueous solution at ~100℃
After a preliminary etching treatment using a direct current of
In an aqueous solution at 50-100℃ containing 3%
It is characterized by a post-etching process using a direct current of 0.5 to 7 A/dm 2 . This will be explained in more detail below. [Aluminum Alloy Foil Composition] Phosphorus and arsenic contained in the aluminum alloy foil used in this invention are equivalent in that they increase the capacitance of the foil, and one or both of these are added to aluminum. However, if the total content of both elements or the content of either element in the foil is less than 0.5wt-ppm (0.00005wt%), the effect of increasing capacitance is small, and 100wt-ppm
(0.03wt%), corrosion loss will be large and this is not preferable in terms of maintaining the strength of the foil. Therefore, this content should be selected within the range of 0.5 to 100 wt-ppm, with a range of 1.0 to 30 ppm being particularly preferred. The reason why the inclusion of phosphorus and/or arsenic increases the capacitance of the foil is considered to be as follows. That is, the difference in electrical potential between aluminum and phosphorus and arsenic with respect to the etching solution acts as a driving force for etching, significantly increasing the number of etching holes, and phosphorus and arsenic are removed in the material by heating. Since it is easy to diffuse, it is evenly dispersed on the material surface due to the thermal history during the manufacturing process of the foil, and at that time, it is also dispersed along with other contained elements, so it is assumed that this is because the etching holes are evenly distributed. . However, if their content exceeds 100wt-ppm, the density of etching holes increases, but the surface of the foil also dissolves, resulting in a decrease in capacitance and strength. It will be done. On the other hand, it is well known that aluminum foil for capacitor electrodes requires a purity of 99.9% or higher;
99.99% or higher is preferable. Therefore, it is naturally permissible for the aluminum alloy foil used in the present invention to contain other elements as inevitable impurities in addition to phosphorus and/or arsenic. In addition, conventionally, this type of aluminum alloy foil for capacitor electrodes has been actively added with other trace elements in order to increase the number of etched holes per unit area. In addition to the inclusion of , phosphorus, and arsenic, cases where such forcibly added elements are additionally included are also included in the scope. Such elements include, for example, copper, strontium, vanadium, titanium, manganese, magnesium, zinc, indium, tin,
Examples include lead, bismuth, boron, silver, gallium, cadmium, zirconium, thorium, iron, silicon, etc., and the content is generally 0.1 to 5000wt−
Within ppm range. When these elements are contained in addition to phosphorus and arsenic, in addition to the mere summation of the effects of phosphorus and arsenic with other elements, a more synergistic effect is expected. Although it is expected that there will be cases where
In any case, the present invention is included within the scope of the invention as long as the effects of containing phosphorus and/or arsenic are achieved. [First-stage etching process] If the chlorine ion concentration in the etching solution in the first-stage etching process is less than 2%, the desired etching effect cannot be obtained, and if it exceeds 15%, the aluminum foil surface will completely dissolve. progresses.
Therefore, within the above range, particularly preferably 5 to 8%
It is better to set it as a degree. The acid to be added to the aqueous solution containing chloride ions should be selected from those capable of forming an oxide film as porous as possible; for example, sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid, chromic acid, etc. can be preferably used. Among these, sulfuric acid is particularly preferred since it can form a large number of etching holes per unit area. The amount of the above acid added varies depending on the type of acid, but if it is less than 1%, the formation of a porous oxide film that will become the etching nucleus will not be sufficient, whereas if it exceeds 35%, the entire surface will not dissolve. happen. Therefore, it should be within the range of 1 to 35%,
Particularly preferably, the range is 10 to 20%. The reason why good results can be obtained by adding the acid in this range is that by anodically polarizing the aluminum foil in a solution containing the acid, the foil surface has more than 100 million pores per 1 mm2. A so-called porous oxide film is formed, the pores of which are eroded by chlorine ions, and the areas other than the pores are covered with the oxide film, which suppresses surface dissolution, and as a result, compared to etching using only chlorine ions, This is thought to be because the number of etching holes becomes very large and deep. The temperature of the etching solution used in the pre-etching process also has an important effect on the effectiveness. If the temperature is less than 50°C, the etching effect will be small, and if it exceeds 100°C, the entire surface will dissolve. Therefore, it is preferable to carry out the treatment at a temperature in the range of 50 to 100°C, particularly preferably in the range of 70 to 90°C. On the other hand, if the current density is less than 5A/ dm2 , the etching effect is still poor;
When it exceeds 40 A/dm 2 , total melting occurs. Within this range, it should therefore particularly preferably be between 10 and 25 A/dm 2 . In addition, the amount of electricity for the first stage etching is 500 to 3000
The coulomb/ dm2 range is good, especially from 1500 to
A range of 2000 coulombs/dm 2 is optimal. That is,
If it is less than 500 coulombs/dm 2 , the etching effect will be small, and if it exceeds 3000 coulombs/dm 2 , the entire surface will be dissolved. The pre-etching step is carried out under the conditions of addition of a relatively high concentration of oxidizing acid to the etching solution, high solution temperature, and high current density, as described above. Therefore, such etching is very harsh, and as the etching progresses, the electrical resistance inside the etching hole increases due to generated gas, dissolved aluminum ions, etc., and the etching within the etching hole stops. As a result, surface dissolution progresses. Therefore, in the present invention, the first stage etching is completed when etching in the etching hole stops, and then the second stage etching is performed to further deepen and widen the etched hole while suppressing surface dissolution. It accomplishes its purpose. [Late-stage etching process] The chlorine ion concentration in the etching solution in the second-stage etching process is preferably in the range of 2 to 15% for the same reason as the first-stage etching.
A range of ~8% is optimal. The oxidizing acid added to this aqueous solution containing chlorine ions is one that suppresses dissolution of the aluminum surface by forming an anodized film on the aluminum surface through anodic polarization, and specifically includes oxalic acid, phosphoric acid, chromic acid,
Boric acid, tartaric acid, succinic acid, maleic acid, etc. can be suitably used. The second-stage etching is to proceed with etching inside the etching holes while suppressing dissolution of the aluminum foil surface.
Addition of the above acids at high concentrations is not preferred. Similarly, the addition of highly soluble sulfuric acid is also unsuitable because it also causes chemical surface dissolution and reduces the area expansion ratio.
The preferred amount of the above-mentioned acids to be added varies depending on the type of acid, but is limited to a low concentration range of 0.03 to 3%, most preferably in the range of 0.1 to 1%. If the amount added is less than 0.03%, the effect of suppressing the dissolution of the aluminum surface will be small, and if it exceeds 3%, the entire surface of the aluminum foil will be dissolved. If the temperature of the etching solution in the second stage etching is too low, it will not have the effect of widening the etching hole formed in the first stage etching, whereas if it is too high, complete dissolution will occur. Therefore, a suitable temperature range is 50 to 100°C, with a range of 60 to 70°C being particularly optimal. Generally speaking, regarding current density, it is necessary to prevent etching in the etching hole from being stopped due to generated gas in the subsequent etching process, so etching must be performed at a relatively low current density. However, the current density is 0.5A/d
If it is too low, less than m 2 , the proportion of chemical reactions in the electrochemical reaction will be too high, and the effect of deepening the etching hole will be poor, leading to total dissolution.
Conversely, when the current density is set to a high current density exceeding 7 A/dm 2 , the entire surface of the aluminum foil is melted, which is not preferable. Therefore, treatment should be performed within the range of 0.5 to 7 A/dm 2 , and particularly the range of 2 to 5 A/dm 2 is optimal. On the other hand, the range of electricity amount for post-etching is 1000
If it is less than 4000 coulombs/dm2, it will have little effect in making the etching hole deeper and thicker, and if it exceeds 4000 coulombs/ dm2 , total dissolution will occur, so within this range,
Particularly preferably, the treatment is carried out within the range of 2000 to 3000 coulombs/dm 2 . Note that the above-mentioned first and second stages of etching are not necessarily carried out in a single step, but the present invention also applies when each of them is carried out in two stages, that is, when the etching process as a whole is carried out in three or more stages. Included within the scope of. As described above, this invention uses a high-purity aluminum foil containing at least one of phosphorus and arsenic, and firstly, a large number of etching holes are formed on the surface at a high density and relatively The etched hole is formed deeply, and then the inside of the etched hole is intensively made thicker and deeper by subsequent etching.As a result, the area expansion ratio can be significantly increased and the capacitance can be greatly improved, making it possible to improve the electrolytic capacitor. Not only does it enable further downsizing and weight reduction, it also eliminates the disadvantage of mechanical strength loss due to an increase in area expansion ratio, and allows cutting of aluminum foil in a series of processes such as etching, chemical conversion, and assembly. There is less risk of this, and productivity can be improved. Examples of the present invention will be shown below along with comparative examples. Sample A: Aluminum purity 99.99%, annealed aluminum foil with a thickness of 0.1 mm B: Aluminum purity 99.99%, phosphorus content
3ppm, 0.1mm thick annealed aluminum alloy foil C: Aluminum purity 99.99%, phosphorus content
20ppm, 0.1mm thick annealed aluminum alloy foil D: Aluminum purity 99.99%, arsenic content
5ppm, 0.1mm thick annealed aluminum alloy foil E: Aluminum purity 99.99%, total phosphorus and arsenic content 4.0ppm (phosphorus 1.5ppm, arsenic
2.5ppm), 0.1mm thick annealed aluminum alloy foil.
The first stage etching treatment was performed under various electrolytic conditions shown in Table 2, and the second stage etching treatment was then performed under various electrolytic conditions shown in Table 2.
【表】【table】
【表】【table】
【表】【table】
【表】
上記により得られた各エツチング箔を、硼酸溶
液中で380Vに化成したのち、各試料について静
電容量、引張り強さを測定した。その結果を表−
3に示す。[Table] After each of the etched foils obtained above was chemically converted to 380V in a boric acid solution, the capacitance and tensile strength of each sample were measured. Table the results.
Shown in 3.
【表】【table】
【表】【table】
【表】
表−3に示した結果からも明らかなように、こ
の発明によれば極めて高い拡面率を得て静電容量
の大幅な増大をはかりつつ、機械的強度、特に引
張り強度においても優れたアルミニウム電極箔を
得ることができる。[Table] As is clear from the results shown in Table 3, according to the present invention, an extremely high area ratio is obtained and the capacitance is greatly increased, while mechanical strength, especially tensile strength, is also improved. Excellent aluminum electrode foil can be obtained.
Claims (1)
リンおよびヒ素の少なくともいずれか一方の元素
を0.5〜100wt−ppm含有するアルミニウム合金箔
を用い、該アルミニウム合金箔を、塩素イオン2
〜15%と、アノード分極により多孔質の酸化皮膜
を生成する酸1〜35%とを含む50〜100℃の水溶
液中で、電流密度5〜40A/dm2の直流を用いて
前段エツチング処理したのち、次いでこれを、塩
素イオン2〜15%と酸化性酸0.03〜3%とを含む
50〜100℃の水溶液中で、電流密度0.5〜7A/d
m2の直流を用いて後段エツチング処理することを
特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム合
金箔の製造方法。 2 前段エツチングのエツチング液として、塩酸
および硫酸を含む水溶液を用い、後段エツチング
のエツチング液として、塩酸および蓚酸を含む水
溶液を用いる特許請求の範囲第1項記載の電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム合金箔の製造方法。[Claims] 1. Using an aluminum alloy foil having an aluminum purity of 99.9% or more and containing 0.5 to 100 wt-ppm of at least one of phosphorus and arsenic,
A pre-etching process was performed using direct current at a current density of 5 to 40 A/dm 2 in an aqueous solution at 50 to 100 °C containing ~15% and 1 to 35% of an acid that produces a porous oxide film by anode polarization. This is then added to a solution containing 2-15% chloride ions and 0.03-3% oxidizing acid.
Current density 0.5-7A/d in aqueous solution at 50-100℃
1. A method for producing an aluminum alloy foil for electrolytic capacitor electrodes, which comprises performing a subsequent etching treatment using a direct current of m 2 . 2. Production of aluminum alloy foil for electrolytic capacitor electrodes according to claim 1, in which an aqueous solution containing hydrochloric acid and sulfuric acid is used as an etching solution in the first stage etching, and an aqueous solution containing hydrochloric acid and oxalic acid is used as an etching solution in the second stage etching. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1466281A JPS57131399A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1466281A JPS57131399A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57131399A JPS57131399A (en) | 1982-08-14 |
| JPS636639B2 true JPS636639B2 (en) | 1988-02-10 |
Family
ID=11867420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1466281A Granted JPS57131399A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57131399A (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2696882B2 (en) * | 1988-02-19 | 1998-01-14 | 松下電器産業株式会社 | Manufacturing method of electrode foil for aluminum electrolytic capacitor |
| JP2692107B2 (en) * | 1988-02-19 | 1997-12-17 | 松下電器産業株式会社 | Manufacturing method of electrode foil for aluminum electrolytic capacitor |
| JP2692108B2 (en) * | 1988-02-19 | 1997-12-17 | 松下電器産業株式会社 | Manufacturing method of electrode foil for aluminum electrolytic capacitor |
| JPH03108711A (en) * | 1989-05-17 | 1991-05-08 | Elna Co Ltd | Method of etching aluminum foil for electrolytic capacitor |
| JPH07211593A (en) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Showa Alum Corp | Aluminum foil for electrolytic capacitor electrode and method for etching the same |
| WO2005086192A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Vishay Bccomponents B.V. | High capacitance electrolytic capacitor foil, method for production thereof and electrolytic capacitor |
| JP4793957B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-10-12 | ニチコン株式会社 | Method for producing aluminum electrode foil for electrolytic capacitor |
-
1981
- 1981-02-02 JP JP1466281A patent/JPS57131399A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57131399A (en) | 1982-08-14 |
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