JPS6365084A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
- C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク等の磁気記録体に用いられる磁気
記録媒体（磁性ｙＸ）を作製するめつき浴に関するもの
である。
記録媒体（磁性ｙＸ）を作製するめつき浴に関するもの
である。
高密度磁気記録体として磁気記録媒体をめつｄ。
き法により形成さ〆た磁気ディスクが近年に至り用いら
れ始めている。
れ始めている。
しかしながら、従来の磁気記録媒体形成用の無電解めっ
き浴では錯化剤としてクエン酸塩、酒石酸塩、マロン酸
塩、ビロリン酸塩等が単蝕に使用されている場合が多く
、製造工種々の制約を受は易い例えば酒石酸浴において
は磁気特性の調節のために添加されるニッケルイオンに
より著しく浴が不安定となり浴分解が発生し易いと言う
問題点を有している。このように無電解めっき浴におい
ては錯化剤の選択が１を要な因子となることは一般に良
く知られている。
き浴では錯化剤としてクエン酸塩、酒石酸塩、マロン酸
塩、ビロリン酸塩等が単蝕に使用されている場合が多く
、製造工種々の制約を受は易い例えば酒石酸浴において
は磁気特性の調節のために添加されるニッケルイオンに
より著しく浴が不安定となり浴分解が発生し易いと言う
問題点を有している。このように無電解めっき浴におい
ては錯化剤の選択が１を要な因子となることは一般に良
く知られている。
更に無電解めっき法により形成される磁性膜の磁気特性
を変化させるためＫは浴のｐＨ，浴温等のめつき条件を
変える操作を要し、これらの操作はめつき浴の不安定化
を引き起こし、めっき性の変化、浴分解を促す原因とな
り浴寿命の低下、作業性の低下等の問題を生起してい九
〇〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述のような従来のめつき浴の問題を
改善して艮好な磁気特性を有する磁気記録媒体を安定に
製造できる無電解めっき浴を提供することＫある。
を変化させるためＫは浴のｐＨ，浴温等のめつき条件を
変える操作を要し、これらの操作はめつき浴の不安定化
を引き起こし、めっき性の変化、浴分解を促す原因とな
り浴寿命の低下、作業性の低下等の問題を生起してい九
〇〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述のような従来のめつき浴の問題を
改善して艮好な磁気特性を有する磁気記録媒体を安定に
製造できる無電解めっき浴を提供することＫある。
本発明の要旨は、コバルトイオン還元剤および錯化剤を
必須成分として含有する無電解めっき浴であって、該め
っき浴は、亜鉛イオン、ニッケルイオン、マンガンイオ
ン及びタングステンイオンＯｆ＃から選ばれた少なくと
も一つの全水溶性のヒドロキシカルボン酸及びアミノカ
ルボン酸を含有することを％命とする無電解めっき浴に
存する。
必須成分として含有する無電解めっき浴であって、該め
っき浴は、亜鉛イオン、ニッケルイオン、マンガンイオ
ン及びタングステンイオンＯｆ＃から選ばれた少なくと
も一つの全水溶性のヒドロキシカルボン酸及びアミノカ
ルボン酸を含有することを％命とする無電解めっき浴に
存する。
本発明のめつき浴によれば浴中金σ篇イオンと良好な反
応性を有する混合錯体を形成し、めっき液中の金嘴イオ
ンが水酸化ニッケル等の浮遊物に変化するものを防止し
、浴分解するのを防ぎめっき浴は安定化される。
応性を有する混合錯体を形成し、めっき液中の金嘴イオ
ンが水酸化ニッケル等の浮遊物に変化するものを防止し
、浴分解するのを防ぎめっき浴は安定化される。
本発明において金属イオンとして用いられるコバルトイ
オン及びニッケルイオン、り／ゲステンイオン、亜鉛イ
オン又はマンガンイオンとしては、コバルト、ニッケル
、亜鉛又はマンガンの硫酸塩、スル７アミノ酸塩、塩酸
塩、酢酸塩などの可溶性塩またはタングステン酸塩を無
電解めっき浴中に溶解することによって供給される。
オン及びニッケルイオン、り／ゲステンイオン、亜鉛イ
オン又はマンガンイオンとしては、コバルト、ニッケル
、亜鉛又はマンガンの硫酸塩、スル７アミノ酸塩、塩酸
塩、酢酸塩などの可溶性塩またはタングステン酸塩を無
電解めっき浴中に溶解することによって供給される。
コバルトイオンの濃度は通常ｏ、ｏｏｘ〜１ｍｏｌ ／
ｔの範囲が用いられるが好ましくは０，０ ／〜０．
／ ！ ｍｏｂ ／ ｌの範囲である。ニッケルイオ０
．００ ／ ５Ｏ０ｊ ｍｏｂ ／ Ｌの範囲が用いら
れるが好ましくは０．００２〜０．／ ！ ｍｏｂ ／
ｌの範囲である。
ｔの範囲が用いられるが好ましくは０，０ ／〜０．
／ ！ ｍｏｂ ／ ｌの範囲である。ニッケルイオ０
．００ ／ ５Ｏ０ｊ ｍｏｂ ／ Ｌの範囲が用いら
れるが好ましくは０．００２〜０．／ ！ ｍｏｂ ／
ｌの範囲である。
又、磁気特性の碩点からコバルトイオンに対する他の合
成イオンの割合は、ｌ〜←泰モル−の範囲にする必要が
ある。
成イオンの割合は、ｌ〜←泰モル−の範囲にする必要が
ある。
還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いられるが、ヒ
ドラジン塩類ホウ水素化物なども用いることができる。
ドラジン塩類ホウ水素化物なども用いることができる。
ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、通常０．Ｑ／−コｍｏｌ／１（Ｄｉｒ
！、囲の濃度が用いられる。その他剤成分として光沢改
良剤等が用いられる。ｐＨ１１４節剤として は、ｐＨの上昇にはアンモニア、水酸化す） ＩＪクラ
ムどのアルカリが用いられ、ｐＨの降下には硫酸、塩酸
などの酸が用いられる。
などが使用され、通常０．Ｑ／−コｍｏｌ／１（Ｄｉｒ
！、囲の濃度が用いられる。その他剤成分として光沢改
良剤等が用いられる。ｐＨ１１４節剤として は、ｐＨの上昇にはアンモニア、水酸化す） ＩＪクラ
ムどのアルカリが用いられ、ｐＨの降下には硫酸、塩酸
などの酸が用いられる。
錯化剤として用いられる水溶性のヒドロ中ジカルボン酸
としては、代表的にはクエン酸、酒石酸等が挙げられ、
これらは、そのまま或いは可溶性塩類として供給され、
通常ｏ、ｏ ｒ〜λ、！ｍｏｂ ／ ｔの範囲の濃度が
用いられる。一方、アミノカルボン酸としては、代表的
には、グリシ或いは可溶性塩ゆとして供給され、通常０
．０！〜コ、ｊ ｍｏ１／ｌの範囲の濃度が用いられる
。尚、ム アラニンとしては、Ｄ、／−αアラニンが好ましい、 こうして得られた本発明の無電解めっき浴は、磁気ディ
スク等のａ気記録媒体における磁性膜の作成に好運に使
用される。
としては、代表的にはクエン酸、酒石酸等が挙げられ、
これらは、そのまま或いは可溶性塩類として供給され、
通常ｏ、ｏ ｒ〜λ、！ｍｏｂ ／ ｔの範囲の濃度が
用いられる。一方、アミノカルボン酸としては、代表的
には、グリシ或いは可溶性塩ゆとして供給され、通常０
．０！〜コ、ｊ ｍｏ１／ｌの範囲の濃度が用いられる
。尚、ム アラニンとしては、Ｄ、／−αアラニンが好ましい、 こうして得られた本発明の無電解めっき浴は、磁気ディ
スク等のａ気記録媒体における磁性膜の作成に好運に使
用される。
前記磁性膜の作成は、従来公知の方法に従い、金寓、プ
ラスチック、セラミック等の基板上ＫＮｉ −Ｐ 無
電解めっき、パラジウム触媒化処理等の表面処理を施し
たりした後、本発明の無電解めっき浴中に浸漬し、ｔｏ
−５Ｆ（１１℃、磁性膜の厚みに応じて６０〜／１０秒
の条件下にめっき処理を施すことによって行われる。
ラスチック、セラミック等の基板上ＫＮｉ −Ｐ 無
電解めっき、パラジウム触媒化処理等の表面処理を施し
たりした後、本発明の無電解めっき浴中に浸漬し、ｔｏ
−５Ｆ（１１℃、磁性膜の厚みに応じて６０〜／１０秒
の条件下にめっき処理を施すことによって行われる。
以下、本発明による無電解めっき浴の特徴を実施例によ
り説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の
実施例に限定されるものではない。
り説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例／
非磁性基板上に公知の方法に従って非磁性ニッケルーリ
ン層をめっきし、その上に下記のめつき浴組成およびめ
っき条件にてコバルト−ニッケルーリン合金磁性、＠を
形成した。
ン層をめっきし、その上に下記のめつき浴組成およびめ
っき条件にてコバルト−ニッケルーリン合金磁性、＠を
形成した。
めっき浴組成（ｍｏｌ／ｌ）
スルファミン酸コパル） ０．０２３硫酸ニツケル
０．００ Ｊ Ａ次亜リン酸ナトリウム
０．／ ０ホウ酸 Ｏ０弘
２ジェタノールアミン ０．／ ０クエン酸ナト
リウム ０．／７ アミノ酢酸 ０．／ Ｆ めっき条件 めっき浴のｐＨ： Ｙ、ｔｊ （コ！℃にてＮａＯＨで
ｐＨ１１節） めっき浴の温度： ７１℃ めっき時間 ＝５ＰＯ秒〜ｌλＯ秒 こうして得られたコバルト−ニッケルーりン膜の磁気特
性を明らかＫするため振動試料型磁力計（理研電子■製
ＢＨＶ−ｊ）による測定結果を表−ｌに示す。
０．００ Ｊ Ａ次亜リン酸ナトリウム
０．／ ０ホウ酸 Ｏ０弘
２ジェタノールアミン ０．／ ０クエン酸ナト
リウム ０．／７ アミノ酢酸 ０．／ Ｆ めっき条件 めっき浴のｐＨ： Ｙ、ｔｊ （コ！℃にてＮａＯＨで
ｐＨ１１節） めっき浴の温度： ７１℃ めっき時間 ＝５ＰＯ秒〜ｌλＯ秒 こうして得られたコバルト−ニッケルーりン膜の磁気特
性を明らかＫするため振動試料型磁力計（理研電子■製
ＢＨＶ−ｊ）による測定結果を表−ｌに示す。
表−／
上表の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していた。めっき浴の安定性は浮遊物の発生、
沈殿物の生成等のないことから極めて良好であることが
確紹された。
特性を有していた。めっき浴の安定性は浮遊物の発生、
沈殿物の生成等のないことから極めて良好であることが
確紹された。
実施例λ
非磁性基板上に非磁性ニッケルーリン層をめっきし、そ
の上に下記のめつき浴組成およびめっき条件にてコバル
ト−タングステン−リン合金磁性膜を形成し念。
の上に下記のめつき浴組成およびめっき条件にてコバル
ト−タングステン−リン合金磁性膜を形成し念。
めっき浴組成（ｍｏｌ／ｌ）
スルファミン酸コバル） ０．０ ／ ｒタン
グステン酸ナトリウム ｏ、ｏ Ｏ弘ｒ次亜リン酸
ナトリウム ０．０７ホウ酸
Ｑ、≠２ジェタノールアミン ０．／
ククエン酸ナトリウム Ｑ、／７アミノ酢Ｉ
ＩＩ Ｏ，／りめっき条件 めっき浴のｐＨ：り、ｒｊ（２ｊ’ＣにてＮａＯＨでｐ
Ｈｉ節）めっき浴の温１ｆニアｒ℃ めっき時間：ｌλＱ秒〜ココａ秒 こうして得られたコバルト−タングステン−リン膜の磁
気特性を明らかにするため、実施例１で用いたと同じ装
置を用いて磁気特性を評価した。結果を表−１に示す。
グステン酸ナトリウム ｏ、ｏ Ｏ弘ｒ次亜リン酸
ナトリウム ０．０７ホウ酸
Ｑ、≠２ジェタノールアミン ０．／
ククエン酸ナトリウム Ｑ、／７アミノ酢Ｉ
ＩＩ Ｏ，／りめっき条件 めっき浴のｐＨ：り、ｒｊ（２ｊ’ＣにてＮａＯＨでｐ
Ｈｉ節）めっき浴の温１ｆニアｒ℃ めっき時間：ｌλＱ秒〜ココａ秒 こうして得られたコバルト−タングステン−リン膜の磁
気特性を明らかにするため、実施例１で用いたと同じ装
置を用いて磁気特性を評価した。結果を表−１に示す。
−１表−コ
上表の如く、上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁
気特性を有していた。
気特性を有していた。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿物Ｏ生成等のな
いことから極めて良好でらることが確認された。
いことから極めて良好でらることが確認された。
実施例３
実施例コのタングステン酸ナトリウムの代りに硫酸亜鉛
を０，００り４ｍｏｌ／ｚ 用いた以外は実施例２と同
様にしてコバルト−亜鉛−りン膜のめっきを行ない実施
例１で用いたと同じ装置を用いて磁気特性を評価した。
を０，００り４ｍｏｌ／ｚ 用いた以外は実施例２と同
様にしてコバルト−亜鉛−りン膜のめっきを行ない実施
例１で用いたと同じ装置を用いて磁気特性を評価した。
結果を表−３に示す０ 表−３
上表の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していた。
特性を有していた。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿物の生成等のな
いことから極めて良好であることが確認された。
いことから極めて良好であることが確認された。
実施例弘
実施例１の硫酸ニッケルの代りに硫酸マンガンを０，０
０ぶりｍｏｌ／４ 用いた以外は実施例１と同様にして
コバルト−マンガン−りン膜のめつ１１ｔ−行ない実施
例１で用い九と同じ装置を用いて磁気特性を評価した結
果を表−係に示す。
０ぶりｍｏｌ／４ 用いた以外は実施例１と同様にして
コバルト−マンガン−りン膜のめつ１１ｔ−行ない実施
例１で用い九と同じ装置を用いて磁気特性を評価した結
果を表−係に示す。
表−一
上、宍の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁
気特性を有していた。めっき浴の安定性は浮遊物の発生
、沈殿物の生成等のないことから極めて良好であること
が確認された。
気特性を有していた。めっき浴の安定性は浮遊物の発生
、沈殿物の生成等のないことから極めて良好であること
が確認された。
実施例！
非磁性基板上に非磁性ニッケルーリン層をめっきし、そ
の上に下記のめつき浴組成およびめっき条件にてコバル
ト−ニッケルーりン合金磁性膜を形成した。
の上に下記のめつき浴組成およびめっき条件にてコバル
ト−ニッケルーりン合金磁性膜を形成した。
めっき浴組成（ｍｏｌ／ｌ）
硫酸コバルト ０．０２！
硫酸ニッケル ０．０／３７
次亜リン酸ナトリウＡ ０１１０ホウ酸
０．４Ｌタ ジエタノールアミン ０．１０ クエン酸ナトリウム ０．／７ ＤＬ−α−テア２二ン Ｏ，コｒ めつき条件 めっき浴ＯｐＨ： Ｐ、！！ （２ｊ’ｃＫ′ｃＮａＯ
ＨでｐＨ調節） めっき浴の温度 ：’ｆｆ”ｃ めっき時間 ：ｌコＯトλｕｏ秒 こうして得られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特
性を明らかにするため実施例１で用い九と同じ装置を用
−て磁気特性を評価した。結果を表−！に示す。
０．４Ｌタ ジエタノールアミン ０．１０ クエン酸ナトリウム ０．／７ ＤＬ−α−テア２二ン Ｏ，コｒ めつき条件 めっき浴ＯｐＨ： Ｐ、！！ （２ｊ’ｃＫ′ｃＮａＯ
ＨでｐＨ調節） めっき浴の温度 ：’ｆｆ”ｃ めっき時間 ：ｌコＯトλｕｏ秒 こうして得られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特
性を明らかにするため実施例１で用い九と同じ装置を用
−て磁気特性を評価した。結果を表−！に示す。
表−ｊ
上表の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していた。めっき浴の安定性は浮遊物の発生、
沈殿物の生成等のないことから極めて良好であることが
確認された。
特性を有していた。めっき浴の安定性は浮遊物の発生、
沈殿物の生成等のないことから極めて良好であることが
確認された。
実施例６
実施例！ＯＲ駿ニッケルの代りにタングステン酸ナトリ
クムを０．０／３７ ｍｏ：Ｌ／ｊ 用いた以外は実
施例！と同様にしてコバルト−タングステン−リン膜の
めっきを行ない実施例１で用いたと同じ装置を用いて磁
気特性を評価した。結果を表−乙に示す。
クムを０．０／３７ ｍｏ：Ｌ／ｊ 用いた以外は実
施例！と同様にしてコバルト−タングステン−リン膜の
めっきを行ない実施例１で用いたと同じ装置を用いて磁
気特性を評価した。結果を表−乙に示す。
表−４
上表の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していた。
特性を有していた。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿物の生成等のな
いことから極めて良好であることが確認された。
いことから極めて良好であることが確認された。
実施例７
実施例！の硫酸ニッケルの代りに硫酸亜鉛を０．０／３
７ｍｏ１／Ｌ用いた以外は実施例！と同様にしてコバル
ト−亜鉛−リン膜のめっきを行ない実施例１で用いたと
同じ装置を用いて磁気特性を評価した。結果を表−７に
示す。
７ｍｏ１／Ｌ用いた以外は実施例！と同様にしてコバル
ト−亜鉛−リン膜のめっきを行ない実施例１で用いたと
同じ装置を用いて磁気特性を評価した。結果を表−７に
示す。
表−７
上表の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していた。
特性を有していた。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿物の生成等のな
いことから極めて良好であることが確認された。
いことから極めて良好であることが確認された。
実施例を
実施例！の硫酸ニッケルの代りに硫酸マンガンを０．０
／Ｊ７ｍｏ１／ｌ 用いた以外は！＋１！施例！とＦＨ
Ｉにしてコバルト−マンガン−リン膜のめっきを行ない
実施例１で用いたと同じ装置を用いて磁気特性を評価し
た。結果を表−ｒに示す。
／Ｊ７ｍｏ１／ｌ 用いた以外は！＋１！施例！とＦＨ
Ｉにしてコバルト−マンガン−リン膜のめっきを行ない
実施例１で用いたと同じ装置を用いて磁気特性を評価し
た。結果を表−ｒに示す。
表−ｒ
王９表の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁
気特性を有していた。
気特性を有していた。
めっき浴の安定性社浮遊物の発性、沈殿物の生成等のな
いことから極めて良好であることが確認された。
いことから極めて良好であることが確認された。
実施例？
実施例１と同様にしてコバルト−ニッケルー−りン膜の
めっきを行なったがめつき浴として下記の組成を用いた
。
めっきを行なったがめつき浴として下記の組成を用いた
。
めっき浴組成（ｍｏｌ／ｌ）
硫酸コバルト ｏ、ｏｉａ
硫酸ニッケル ０．００７
次亜リン酸ナトリウム ０．／ ／
ホウ酸 ０．ｊ２
ジェタノールアミン ０．／ ０
酒石酸カリウムナトリウム Ｑ、コｊグリシン
０．／７ めっき条件 めっき浴のｐＨ： Ｐ、Ｐｊ（Ｊよ℃にてＮａＯＨでＰ
Ｈ調節） ゛ めつき浴の温度ニア７℃ めっき時間 ：２０秒〜ｌｊＯ秒 こうして得られ九フパルトーニッケルーリン膜の磁気特
性を明らｔｌにするため実施例１で用いたと同じ装置を
用いて磁気特性を評価した。結果を表−２に示す。
０．／７ めっき条件 めっき浴のｐＨ： Ｐ、Ｐｊ（Ｊよ℃にてＮａＯＨでＰ
Ｈ調節） ゛ めつき浴の温度ニア７℃ めっき時間 ：２０秒〜ｌｊＯ秒 こうして得られ九フパルトーニッケルーリン膜の磁気特
性を明らｔｌにするため実施例１で用いたと同じ装置を
用いて磁気特性を評価した。結果を表−２に示す。
表−タ
上置の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していえ。
特性を有していえ。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿物Ｏ生成等の彦
かことから極めて良好であることが確認され九。
かことから極めて良好であることが確認され九。
実施例１０
実１１１例／ト同機にしてコバルト−ニッケルーリン膜
のめっきを行なったがめつき浴として下記の組成を用い
た。
のめっきを行なったがめつき浴として下記の組成を用い
た。
めっき浴組成（ｍｏｌ／ｌ）
硫酸コバルト ０．０２１
硫酸ニツケル ｏ、ｏｉｕ −次亜リン酸ナ
トリウム ０．１０ ホ９酸 ｏ、４ＣＰ ジエタノールアミン Ｏ１″ 酒石酸カリウムナトリウム Ｑ、３ｊＤＬ−α−ア
ラニン Ｑ、２ｒめっき条件 メク＠ 浴Ｃ１ｐＨ： ９３！（２ｊ’ＣにてＮａＯＨ
でｐＨ！！ｔｉ節） めっき浴の温ｅニア７〜７Ｊｒ℃ めっき時間：膜厚に応じ／２０秒〜２弘Ｏ秒こうして得
られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特性を明らか
にするため実施例１で用いたと同じ装置を用いて磁気特
性を評価し九。結果を表−１ｏＫ示す。
トリウム ０．１０ ホ９酸 ｏ、４ＣＰ ジエタノールアミン Ｏ１″ 酒石酸カリウムナトリウム Ｑ、３ｊＤＬ−α−ア
ラニン Ｑ、２ｒめっき条件 メク＠ 浴Ｃ１ｐＨ： ９３！（２ｊ’ＣにてＮａＯＨ
でｐＨ！！ｔｉ節） めっき浴の温ｅニア７〜７Ｊｒ℃ めっき時間：膜厚に応じ／２０秒〜２弘Ｏ秒こうして得
られたコバルト−ニッケルーリン膜の磁気特性を明らか
にするため実施例１で用いたと同じ装置を用いて磁気特
性を評価し九。結果を表−１ｏＫ示す。
表−１０
上浅の如く上記浴組成から得られる磁性膜は良好な磁気
特性を有していた。
特性を有していた。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿物Ｏ生成等Ｏ々
いことから極めて良好であることが確認された。
いことから極めて良好であることが確認された。
本発明によればコバルトイオン、還元剤および錯化剤を
必須成分として含有する無電解めっキ浴に亜鉛イオン、
ニッケルイオン、マンガンイオン及びタングステンイオ
ンの倒れかを含み、しかも錯化剤として水溶性のヒドロ
キシカルボン酸及びアミノカルボン酸を含有することに
よりめっき浴が安定化され、かつ曳好な磁気特性を有す
る磁性膜が得られる。
必須成分として含有する無電解めっキ浴に亜鉛イオン、
ニッケルイオン、マンガンイオン及びタングステンイオ
ンの倒れかを含み、しかも錯化剤として水溶性のヒドロ
キシカルボン酸及びアミノカルボン酸を含有することに
よりめっき浴が安定化され、かつ曳好な磁気特性を有す
る磁性膜が得られる。
Claims (6)
- （１）コバルトイオン、還元剤および錯化剤を必須成分
として含有する無電解めつき浴でありて、該めつき浴は
、亜鉛イオン、ニッケルイオン、マンガンイオン及びタ
ングステンイオンの群から選らばれた少なくとも１つの
金属イオンを前記コバルトイオンに対して１〜６０モル
％の割合で含み、しかも、錯化剤として水溶性のヒドロ
キシカルボン酸およびアミノカルボン酸を含有すること
を特徴とする無電解めつき浴。 - （２）コバルトイオンの濃度が０．０２〜１モル／ｌの
範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の無電解めつき浴。 - （３）亜鉛イオン、ニッケルイオン、マンガンイオン、
及びタングステンイオンの群から選ばれた少なくとも１
つの金属イオンの濃度が０．００１〜０．５モル／ｌの
範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項に記載のめつき浴。 - （４）還元剤が次亜リン酸塩であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないしは第３項のいずれかに記載の
無電解めつき浴。 - （５）水溶性ヒドロキシカルボン酸がクエン酸または酒
石酸であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
しは第４項のいずれかに記載の無電解めつき浴。 - （６）水溶性のアミノカルボン酸がグリシン又はＤ．Ｌ
−α−アラニンであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないしは第５項のいずれかに記載の無電解めつき
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20859986A JPS6365084A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20859986A JPS6365084A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365084A true JPS6365084A (ja) | 1988-03-23 |
Family
ID=16558872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20859986A Pending JPS6365084A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365084A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677057B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-01-13 | Posco | Zn-Co-W alloy electroplated steel sheet with excellent corrosion resistance and weldability, and electrolyte for plating same |
| JP2006507404A (ja) * | 2002-06-21 | 2006-03-02 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 無電解メッキ槽の温度制御手順 |
| JP2011174180A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-09-08 | E-Chem Enterprise Corp | 太陽電池電極を提供するための無電解めっき溶液 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP20859986A patent/JPS6365084A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677057B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-01-13 | Posco | Zn-Co-W alloy electroplated steel sheet with excellent corrosion resistance and weldability, and electrolyte for plating same |
| JP2006507404A (ja) * | 2002-06-21 | 2006-03-02 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 無電解メッキ槽の温度制御手順 |
| JP2011174180A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-09-08 | E-Chem Enterprise Corp | 太陽電池電極を提供するための無電解めっき溶液 |
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