JPS6365078A - 保護層を有する熱負荷される建造物部材を造るための方法 - Google Patents
保護層を有する熱負荷される建造物部材を造るための方法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/26—Deposition of carbon only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表面を保護する層を有する、高い熱負荷に曝
される建造物部材を造る方法に関する。
される建造物部材を造る方法に関する。
高い熱負荷に曝される建造物部材は例えば特に粒子流或
いは電磁流を捕捉しそれらのエネルギーがその建造物部
材によって受容されなければならないことを主たる機能
とする実験設備にあって必要である。即ち、融合実験に
あってはプラズマを去る陽子が衝突する建造物部材が使
用される。しかしこの場合、知られているように、建造
物部材の材料の粒子が運び去られ、プラズマ内に到達し
、ここでこれらの粒子は不純物として支障を来す作用を
行う。
いは電磁流を捕捉しそれらのエネルギーがその建造物部
材によって受容されなければならないことを主たる機能
とする実験設備にあって必要である。即ち、融合実験に
あってはプラズマを去る陽子が衝突する建造物部材が使
用される。しかしこの場合、知られているように、建造
物部材の材料の粒子が運び去られ、プラズマ内に到達し
、ここでこれらの粒子は不純物として支障を来す作用を
行う。
本発明の課題は、保護層を備え、熱供給が外部から建造
物部材上に衝突する電磁流により或いは陽子流のような
粒子流によって行われかつ上記保護層が少なくとも短時
間(数100mes c) 120MW/rrfの照射
出力を阻害されることなく持ち堪える建造物部材を造る
ことを可能にする、冒頭に記載した様式の方法を造るこ
とである。
物部材上に衝突する電磁流により或いは陽子流のような
粒子流によって行われかつ上記保護層が少なくとも短時
間(数100mes c) 120MW/rrfの照射
出力を阻害されることなく持ち堪える建造物部材を造る
ことを可能にする、冒頭に記載した様式の方法を造るこ
とである。
この課題は本発明により、高い熱伝導性を有する材料か
ら成る建造物部材の表面を表面不純物を除去するために
予め処理し、次いで無定形の、水素を含んでいる炭素層
を積層することによって解決される。
ら成る建造物部材の表面を表面不純物を除去するために
予め処理し、次いで無定形の、水素を含んでいる炭素層
を積層することによって解決される。
この場合、建造物部材のための材料としては、モリブデ
ン、タングステン、銅、アルミニウム或いはこれらの金
属の成分を有する合金、例えばCuBeおよびTiZr
Moが使用される。
ン、タングステン、銅、アルミニウム或いはこれらの金
属の成分を有する合金、例えばCuBeおよびTiZr
Moが使用される。
表面不純物を還元するため、即ち原子の水素或いは低エ
ネルギーの水素イオンと結合する表面不純物、例えば酸
素、炭素、塩素、弗素および硫黄のような表面不純物を
除去するため、ドイツ連邦共和国特許公報第26 47
088号から公知の方法により、建造物部材の表面を
10−2〜102 Paの圧力と100℃〜600℃1
特に300℃の温度で水素原子および/または水素イオ
ンを含んでいる水素流に曝し、この場合この水素流から
水素原子および/または水素イオンを温かい表面との接
触解離により或いはグロー放電により或いは電子サイク
ロトロン共鳴により形成し、建造物部材表面と接触させ
、発生された揮発性の化合物をポンプにより排出させる
のが有利である。
ネルギーの水素イオンと結合する表面不純物、例えば酸
素、炭素、塩素、弗素および硫黄のような表面不純物を
除去するため、ドイツ連邦共和国特許公報第26 47
088号から公知の方法により、建造物部材の表面を
10−2〜102 Paの圧力と100℃〜600℃1
特に300℃の温度で水素原子および/または水素イオ
ンを含んでいる水素流に曝し、この場合この水素流から
水素原子および/または水素イオンを温かい表面との接
触解離により或いはグロー放電により或いは電子サイク
ロトロン共鳴により形成し、建造物部材表面と接触させ
、発生された揮発性の化合物をポンプにより排出させる
のが有利である。
また、建造物部材を、表面不純物を還元するために10
4〜lQ”Paの圧力でかつ10℃〜最大100℃の範
囲の温度で水素原子および/または水素イオンを含んで
いてかつ0.1%〜3容量%のメタン割合を有する水素
流を作用させ、この場合この水素流から水素原子および
/または水素イオンおよび炭化水素イオンを温かい表面
との接触により或いはグロー放電により或いは電子サイ
クロトロン共鳴により形成し、この水素原子および/ま
たは水素イオンおよび炭化水素イオンを清浄化されるべ
き表面と接触させかつ形成された揮発性の化合物をポン
プにより排出させることも可能である0表面上の不純物
として存在している酸素はこの場合炭素と結合してCO
として除去される。
4〜lQ”Paの圧力でかつ10℃〜最大100℃の範
囲の温度で水素原子および/または水素イオンを含んで
いてかつ0.1%〜3容量%のメタン割合を有する水素
流を作用させ、この場合この水素流から水素原子および
/または水素イオンおよび炭化水素イオンを温かい表面
との接触により或いはグロー放電により或いは電子サイ
クロトロン共鳴により形成し、この水素原子および/ま
たは水素イオンおよび炭化水素イオンを清浄化されるべ
き表面と接触させかつ形成された揮発性の化合物をポン
プにより排出させることも可能である0表面上の不純物
として存在している酸素はこの場合炭素と結合してCO
として除去される。
この方法を実施するため温かい表面として例えばタング
ステン、レニウム或いはタンタルから成る糸体或いは螺
旋体が使用される。
ステン、レニウム或いはタンタルから成る糸体或いは螺
旋体が使用される。
清浄されるべき表面上への水素原子および/またはイオ
ン或いは炭化水素イオンの整向は電気的な場によって或
いは建造物部材が清浄化の際収納される容器を適当な幾
何学的な形状で構成することによって達せられ、従って
原子および/またはイオンは清浄化されるべき表面に到
達する。
ン或いは炭化水素イオンの整向は電気的な場によって或
いは建造物部材が清浄化の際収納される容器を適当な幾
何学的な形状で構成することによって達せられ、従って
原子および/またはイオンは清浄化されるべき表面に到
達する。
発生した化合物を排出するため、この化合物の生成率の
点で充分な吸引力を適用し、これにより発生した化合物
をポンプにより排出可能であるようにする。
点で充分な吸引力を適用し、これにより発生した化合物
をポンプにより排出可能であるようにする。
表面方向に整向された原子流およびイオン流の電流密度
を数μA / c4〜100μA/dに調節し、かつこ
の流れ密度を少なくとも半時間維持するのが有利である
。
を数μA / c4〜100μA/dに調節し、かつこ
の流れ密度を少なくとも半時間維持するのが有利である
。
無定形の、水素を含んでいる炭素層を積層するために、
建造物部材の表面は10−2〜10−”Paの圧力で炭
化水素イオン−流に曝され、この場合炭化水素イオンが
グロー放電により或いは電子サイクロトロン共鳴により
発生され、建造物部材の積層されるべき表面上に指向さ
れる。
建造物部材の表面は10−2〜10−”Paの圧力で炭
化水素イオン−流に曝され、この場合炭化水素イオンが
グロー放電により或いは電子サイクロトロン共鳴により
発生され、建造物部材の積層されるべき表面上に指向さ
れる。
この場合、炭化水素イオンを整向は電気的・な場によっ
て、或いはこの炭化水素イオンが壁体に衝突した際約1
0eVのイオンの充分なエネルギーが発生するので、層
を積層する際に建造物部材が入れられる容器の幾何学的
形状を適当に選択し、これにより建造物部材の表面にイ
オンが到達するようにして達せられる。
て、或いはこの炭化水素イオンが壁体に衝突した際約1
0eVのイオンの充分なエネルギーが発生するので、層
を積層する際に建造物部材が入れられる容器の幾何学的
形状を適当に選択し、これにより建造物部材の表面にイ
オンが到達するようにして達せられる。
この場合、容器内に供給された炭化水素は純粋なメタン
であってもよいが、しかし適当なのはメタン−水素混合
物(この場合水素成分内にデウトリウムおよびトリチウ
ムが含まれていてもよい)を使用することであり、この
際メタンの割合は最低3容量%である。
であってもよいが、しかし適当なのはメタン−水素混合
物(この場合水素成分内にデウトリウムおよびトリチウ
ムが含まれていてもよい)を使用することであり、この
際メタンの割合は最低3容量%である。
この場合、水素ガスおよび/またはメタンの水素は全部
或いは部分的に、融合装置において建造物部材を使用し
た際プラズマの同位体比率に相応して、デウテリウム或
いはトリチウムによって置き換えることができる。
或いは部分的に、融合装置において建造物部材を使用し
た際プラズマの同位体比率に相応して、デウテリウム或
いはトリチウムによって置き換えることができる。
建造物部材の積層されるべき表面は炭素層が積層される
間室温に存在しているが、安定した炭素層を形成するた
め表面は層形成の間特に高い温度(最高600″Cの温
度)に保持される。 。
間室温に存在しているが、安定した炭素層を形成するた
め表面は層形成の間特に高い温度(最高600″Cの温
度)に保持される。 。
災旌班1
2cmX2cmX1cmの寸法を有するモリブデン試料
を水素が10−’Paの作業圧力で流過すしかつグロー
放電が維持されている真空容器に入れる。試料を陰極と
して接続し、別個の電気抵抗加熱部により300℃の温
度に保持する。
を水素が10−’Paの作業圧力で流過すしかつグロー
放電が維持されている真空容器に入れる。試料を陰極と
して接続し、別個の電気抵抗加熱部により300℃の温
度に保持する。
試料の表面上に存在している不純物である酸素および炭
素を10μA / cmの電流密度を有する水素イオン
を供給しながら水もしくはメタンに変換し、ポンプによ
り排出する。
素を10μA / cmの電流密度を有する水素イオン
を供給しながら水もしくはメタンに変換し、ポンプによ
り排出する。
半時間後、水素の代わりに水素−メタン−混合物(メタ
ンの割合15容量%)を入れる。他の作業条件はそのま
ま維持する。次いでモリブデン表面上に無定形の、水素
を含有している炭素層が析出し、この層は5時間の作業
時間の後プラズマに面した側で100OAの厚みを有す
る。
ンの割合15容量%)を入れる。他の作業条件はそのま
ま維持する。次いでモリブデン表面上に無定形の、水素
を含有している炭素層が析出し、この層は5時間の作業
時間の後プラズマに面した側で100OAの厚みを有す
る。
このようにして造った試料を電子照射により100m5
の間120MW/ポの熱負荷に曝す。
の間120MW/ポの熱負荷に曝す。
試料上に積層された炭素層はこの負荷に対して全(損傷
されることなく耐えた。
されることなく耐えた。
1隻斑2
試料の清浄化と炭素層の積層を実施例1におけると同じ
方法で行う、しかし、モリブデン試料の代わりに銅から
なる試料を使用する。この場合も炭素層は実施例1にお
けると同様の方法により行った熱負荷に対して全く損傷
されることなく耐えた。
方法で行う、しかし、モリブデン試料の代わりに銅から
なる試料を使用する。この場合も炭素層は実施例1にお
けると同様の方法により行った熱負荷に対して全く損傷
されることなく耐えた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、建造物部材の表面を先ず表面不純物を除去するため
に前処理する、無定形の、水素を含んでいる炭素層で建
造物部材を積層するための方法において、保護層として
の炭素層を120MW/m^2以下の照射率で短時間照
射し、これに加えて高い熱伝導性の材料から成る建造物
部材上に積層することを特徴とする、上記水素を含んで
いる炭素層で建造物部材を積層するための方法。 2、建造物部材としてモリブデン、タングステン、銅、
アルミニウム或いはこれらの金属の成分を含んでいる合
金を使用する、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、建造物部材を、その表面不純物を還元するために1
0^−^2〜10^2Paの圧力と100℃〜600℃
、特に約300℃の温度下で水素原子および/または水
素イオンを含有する水素流の作用下におき、この際この
水素流から建造物部材の表面と接触させられる水素原子
および/または水素イオンを温かい表面との接触解離に
より或いはグロー放電により或いは電子サイクロトロン
共鳴により形成し、発生された揮発性の化合物をポンプ
により排出する、特許請求の範囲第1項或いは第2項に
記載の方法。 4、建造物部材を、その表面不純物を還元するために1
0^−^2〜10^2Paの圧力と10℃〜最高100
℃の範囲の温度で水素原子および/または水素イオンを
含有しかつ0.1%〜3容量%のメタン割合を有する水
素流の作用下におき、この際ガス流から清浄化されるべ
き表面と接触させられる水素原子および/または水素イ
オンおよび炭化水素イオンを温かい表面との接触解離に
より或いはグロー放電により或いは電子サイクロトロン
共鳴により形成し、かつ発生した揮発性の化合物をポン
プにより排出する、特許請求の範囲第1項に記載の方法
。 5、表面に整向された原子流もしくはイオン流を数μA
/cm^2〜100μA/cm^2の電流密度に調節す
る、特許請求の範囲第3項或いは第4項に記載の方法。 6、建造物部材を、これに無定形の、水素を含んでいる
炭素層を積層するために10^−^2〜10^2Paの
圧力で炭化水素イオン流の作用下におき、この場合炭化
水素イオンをグロー放電或いは電子サイクロトロン共鳴
により発生させかつ建造物部材の積層さるべき表面に整
向させる、特許請求の範囲第1項から第4項までのいず
れか一つに記載の方法。 7、炭素層の厚みを0.1mmより大きくない厚みとす
る、特許請求の範囲第6項に記載の方法。
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US4663183A (en) * | 1984-09-10 | 1987-05-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Glow discharge method of applying a carbon coating onto a substrate |
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DE3587881T2 (de) * | 1984-11-29 | 1995-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zur plasma-chemischen Abscheidung aus der Dampfphase und Verfahren zur Herstellung eines Films von diamantähnlichem Kohlenstoff. |
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