JPS636489B2 - - Google Patents
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- JPS636489B2 JPS636489B2 JP9365480A JP9365480A JPS636489B2 JP S636489 B2 JPS636489 B2 JP S636489B2 JP 9365480 A JP9365480 A JP 9365480A JP 9365480 A JP9365480 A JP 9365480A JP S636489 B2 JPS636489 B2 JP S636489B2
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Landscapes
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Description
本発明は、音響材料として音速が大きく製造が
比較的容易なホウ素−ケイ素系の製造方法に関す
るものである。 スピーカや、マイクロフオンの振動板は、軽く
て弾性率の大きな材料すなわち比弾性率（弾性
率／密度）の大きな材料が望まれてきた。比弾性
率が大きいことは、音速が大なることを意味し、
音響材料として非常に有効である。 音響部品として、たとえば、振動板を考える
と、紙、樹脂、カーボン繊維が混抄されたもの、
アルミニウム、チタン等の金属箔等が使用されて
きたが、音速が1500〜5000ｍ／secと低かつた。 本発明は、従来の音響材料にあつた欠点を除去
し、音速の大きな薄板のホウ素−ケイ素を得るた
めの製造方法を提供するものである。 以下本発明の方法について具体的に説明する。 まずホウ素とケイ素を所定量秤量し、ノズルの
付いたルツボに投入し、1300℃以上の温度でアル
ゴン中または、真空中で加熱溶解し、次にこの溶
解物をアルゴンガスの圧力（0.1〜0.5Kg／cm2）で
高速回転（300〜5000r.p.m）する金属製ロールに
ふきつけ薄帯とする。 以下本発明の実施例を具体的に説明する。 実施例 １ 90原子％のホウ素と10原子％のケイ素から成る
組成の混合物を５グラム配合し、次にこれを先端
にノズルが付けてある（ノズルの形0.5mm×20.0
mm）アルミナルツボに投入し、アルゴン雰囲気中
で高周波加熱により溶解した（この時の溶解温度
は、1450℃であつた。）次にこのルツボの上端に
アルゴンガス圧をかけ（0.3Kg／cm2）、毎分800回
転するロール（外径200mmφ、巾50mm）上に吹き
付けた。得られた薄帯の厚さは、約35μｍ、巾は
約30mmであつた。次にこの薄帯を巾20mm、長さ50
mmにレーザにより切断した。（この薄帯は、Ｘ線
解析の結果アモルフアスであつた。）次にこのサ
ンプルの密度と弾性率を測定し、これらの値から
音速を求めた。結果は表に示す。 実施例 ２ 80原子％のホウ素と20原子％のケイ素から成る
組成の混合物を５グラム配合し、以下実施例１と
同様の方法で薄帯を製造した。（ただしロールの
回転数が1000r.p.m、溶解温度が1400℃であつ
た。）このようにして得られたホウ素−ケイ素
（アモルフアス）薄帯の密度と弾性率、および音
速を表に示す。 実施例 ３ 80原子％のホウ素と20原子％のケイ素から成る
組成の混合物を５グラム配合し、以下実施例２と
同様の方法で薄帯を製造した。（ただし、アルゴ
ンガス圧が0.8Kg／cm2であつた。）このようにして
得られるアモルフアス薄帯の密度、弾性率および
音速を表に示す。以下実施例４〜８および比較例
９〜13の実験結果をそれぞれ表に示した。（ただ
し４〜13は、実施例１〜３とホウ素とケイ素の原
子比、アルゴンガス圧、ロールの回転数、溶解温
度を変えたものである。
比較的容易なホウ素−ケイ素系の製造方法に関す
るものである。 スピーカや、マイクロフオンの振動板は、軽く
て弾性率の大きな材料すなわち比弾性率（弾性
率／密度）の大きな材料が望まれてきた。比弾性
率が大きいことは、音速が大なることを意味し、
音響材料として非常に有効である。 音響部品として、たとえば、振動板を考える
と、紙、樹脂、カーボン繊維が混抄されたもの、
アルミニウム、チタン等の金属箔等が使用されて
きたが、音速が1500〜5000ｍ／secと低かつた。 本発明は、従来の音響材料にあつた欠点を除去
し、音速の大きな薄板のホウ素−ケイ素を得るた
めの製造方法を提供するものである。 以下本発明の方法について具体的に説明する。 まずホウ素とケイ素を所定量秤量し、ノズルの
付いたルツボに投入し、1300℃以上の温度でアル
ゴン中または、真空中で加熱溶解し、次にこの溶
解物をアルゴンガスの圧力（0.1〜0.5Kg／cm2）で
高速回転（300〜5000r.p.m）する金属製ロールに
ふきつけ薄帯とする。 以下本発明の実施例を具体的に説明する。 実施例 １ 90原子％のホウ素と10原子％のケイ素から成る
組成の混合物を５グラム配合し、次にこれを先端
にノズルが付けてある（ノズルの形0.5mm×20.0
mm）アルミナルツボに投入し、アルゴン雰囲気中
で高周波加熱により溶解した（この時の溶解温度
は、1450℃であつた。）次にこのルツボの上端に
アルゴンガス圧をかけ（0.3Kg／cm2）、毎分800回
転するロール（外径200mmφ、巾50mm）上に吹き
付けた。得られた薄帯の厚さは、約35μｍ、巾は
約30mmであつた。次にこの薄帯を巾20mm、長さ50
mmにレーザにより切断した。（この薄帯は、Ｘ線
解析の結果アモルフアスであつた。）次にこのサ
ンプルの密度と弾性率を測定し、これらの値から
音速を求めた。結果は表に示す。 実施例 ２ 80原子％のホウ素と20原子％のケイ素から成る
組成の混合物を５グラム配合し、以下実施例１と
同様の方法で薄帯を製造した。（ただしロールの
回転数が1000r.p.m、溶解温度が1400℃であつ
た。）このようにして得られたホウ素−ケイ素
（アモルフアス）薄帯の密度と弾性率、および音
速を表に示す。 実施例 ３ 80原子％のホウ素と20原子％のケイ素から成る
組成の混合物を５グラム配合し、以下実施例２と
同様の方法で薄帯を製造した。（ただし、アルゴ
ンガス圧が0.8Kg／cm2であつた。）このようにして
得られるアモルフアス薄帯の密度、弾性率および
音速を表に示す。以下実施例４〜８および比較例
９〜13の実験結果をそれぞれ表に示した。（ただ
し４〜13は、実施例１〜３とホウ素とケイ素の原
子比、アルゴンガス圧、ロールの回転数、溶解温
度を変えたものである。
【表】
この実験において、ホウ素の原子比を20〜90原
子％が適当であつた。ホウ素が90原子％以上で
は、薄帯にすることが困難であり、20原子％以下
では音速が速くならないためである。またケイ素
の原子比は、10〜80原子％が適当であつた。ケイ
素が10原子％以下では薄帯とならず80原子％以上
では、高い音速が得られなかつた。 また、アルゴンガス圧は0.3〜0.8Kg／cm2が適当
であり、これ以外では、薄帯になりにくい。また
ロールの回転数は、アルゴンのガス圧と相関があ
るが、500〜4000m.p.pが薄帯製造に適当であり、
これ以外では、薄帯になりにくい。 以上述べたとおり本発明の方法によれば、ホウ
素−ケイ素薄帯は密度が小さく音速の速い音響材
料である。ホウ素−ケイ素薄帯を得ることができ
スピーカの振動板等好適な材料を得ることがで
き、産業上の価値は大きい。
子％が適当であつた。ホウ素が90原子％以上で
は、薄帯にすることが困難であり、20原子％以下
では音速が速くならないためである。またケイ素
の原子比は、10〜80原子％が適当であつた。ケイ
素が10原子％以下では薄帯とならず80原子％以上
では、高い音速が得られなかつた。 また、アルゴンガス圧は0.3〜0.8Kg／cm2が適当
であり、これ以外では、薄帯になりにくい。また
ロールの回転数は、アルゴンのガス圧と相関があ
るが、500〜4000m.p.pが薄帯製造に適当であり、
これ以外では、薄帯になりにくい。 以上述べたとおり本発明の方法によれば、ホウ
素−ケイ素薄帯は密度が小さく音速の速い音響材
料である。ホウ素−ケイ素薄帯を得ることができ
スピーカの振動板等好適な材料を得ることがで
き、産業上の価値は大きい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 20原子％〜90原子％のホウ素と10原子％〜80
原子％のケイ素を先端にノズルの付いたルツボ中
で溶解し、これをアルゴンガスの圧力を利用し
て、ノズルより高速回転する金属性ロールにふき
つけて、薄帯とすることを特徴とするホウ素−ケ
イ素薄板の製造方法。 ２ アルゴンガスの圧力が0.3〜0.8Kg／cm2である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のホ
ウ素−ケイ素薄板の製造方法。 ３ ロールの回転数が800〜4500r.p.mであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のホウ素
−ケイ素薄板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365480A JPS5722114A (en) | 1980-07-08 | 1980-07-08 | Preparation of thin boron-silicon plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365480A JPS5722114A (en) | 1980-07-08 | 1980-07-08 | Preparation of thin boron-silicon plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5722114A JPS5722114A (en) | 1982-02-05 |
| JPS636489B2 true JPS636489B2 (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=14088362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9365480A Granted JPS5722114A (en) | 1980-07-08 | 1980-07-08 | Preparation of thin boron-silicon plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5722114A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144401A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-04 | ティーディーケイ株式会社 | 耐摩耗層および電子部品 |
| CN107381589B (zh) * | 2017-08-10 | 2019-12-31 | 东华大学 | 一种有序介孔硅硼碳氮材料的制备方法 |
-
1980
- 1980-07-08 JP JP9365480A patent/JPS5722114A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5722114A (en) | 1982-02-05 |
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