JPS6364027A - 強誘電性液晶の配向処理方法 - Google Patents
強誘電性液晶の配向処理方法Info
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- JPS6364027A JPS6364027A JP20797986A JP20797986A JPS6364027A JP S6364027 A JPS6364027 A JP S6364027A JP 20797986 A JP20797986 A JP 20797986A JP 20797986 A JP20797986 A JP 20797986A JP S6364027 A JPS6364027 A JP S6364027A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発用は、強誘電性液晶の配向処理方法に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］
従来、液晶分子の配向処理方式においては、基板面に、
例えばポリイミド（ＰＩ） 、ポリビニルアルコール（
ＰＶＡ）等の有機配向膜を４００Ａ 〜２０００Ａの厚
さに形成して、その上を約１．１ｍｍの毛を植毛した布
で一方向にこする方式（ラビング方式）が広く行われて
いた。
例えばポリイミド（ＰＩ） 、ポリビニルアルコール（
ＰＶＡ）等の有機配向膜を４００Ａ 〜２０００Ａの厚
さに形成して、その上を約１．１ｍｍの毛を植毛した布
で一方向にこする方式（ラビング方式）が広く行われて
いた。
しかし、この方法では、作業上、ゴミの発生を防ぐこと
ができず、さらにラビング中に、植毛の中に入ったゴミ
などにより配向膜面を必要以上にキズな付けたりするた
めに、特に強誘電性液晶の場合には均一な配向を得るこ
とが困難てあった。
ができず、さらにラビング中に、植毛の中に入ったゴミ
などにより配向膜面を必要以上にキズな付けたりするた
めに、特に強誘電性液晶の場合には均一な配向を得るこ
とが困難てあった。
［充用か解決しようとする問題点］
本発明はこの様な従来の有機配向Ｓ等を用いて、その上
を春てラビングすることにより液晶分子に方向性を付与
する方法において、発生するゴミにより配向面か傷つき
やすい欠点を改良し、配向面をゴム、プラスチックス等
の配向処理物質で押圧またはＪ？擦することにより、配
向面を平滑に改質し、強誘電性液晶を均一に配列せしめ
る配向処理方法を提供することを目的とするものである
。
を春てラビングすることにより液晶分子に方向性を付与
する方法において、発生するゴミにより配向面か傷つき
やすい欠点を改良し、配向面をゴム、プラスチックス等
の配向処理物質で押圧またはＪ？擦することにより、配
向面を平滑に改質し、強誘電性液晶を均一に配列せしめ
る配向処理方法を提供することを目的とするものである
。
［問題点を解決するための手段］
即ち、本発明は強誘電性液晶素子の配向処理方法に３い
て、液晶分子配向面を配向膜物質と少なくとも同程度以
上の硬度を有する配向処理物質て、押圧またはＪｇ擦す
ることを特徴とする強誘電性液晶の配向処理方法である
。
て、液晶分子配向面を配向膜物質と少なくとも同程度以
上の硬度を有する配向処理物質て、押圧またはＪｇ擦す
ることを特徴とする強誘電性液晶の配向処理方法である
。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の強誘電性液晶の配向処理方法に使用す
る装置の一例を示す説明図である。同第１図において、
本発明の配向処理方法はガラス基板３の上にパターニン
グされた透明型ｆｉ （ＩＴＯ）４を設け、さらにその
上にＰＩ、 ＰＶＡ等の有機物質からなる配向膜５をコ
ーティングしてなる液晶基板８を移動台７に装着し、該
移動台７をテーブル移動用モーター６で水平方向に左右
に移動せしめ、前記配向膜５の表面を連設した植毛布ラ
ビング用ローラーｌと摩擦用ローラー２により、まず従
来のようなラビング用植毛布（ナイロン、アセテート等
の植毛布）で一定のラビング処理を行ってから、次に配
向膜５と接触する表面が配向処理′Ｓ賀からなる摩擦用
ローラー７によって摩擦する方法である。
る装置の一例を示す説明図である。同第１図において、
本発明の配向処理方法はガラス基板３の上にパターニン
グされた透明型ｆｉ （ＩＴＯ）４を設け、さらにその
上にＰＩ、 ＰＶＡ等の有機物質からなる配向膜５をコ
ーティングしてなる液晶基板８を移動台７に装着し、該
移動台７をテーブル移動用モーター６で水平方向に左右
に移動せしめ、前記配向膜５の表面を連設した植毛布ラ
ビング用ローラーｌと摩擦用ローラー２により、まず従
来のようなラビング用植毛布（ナイロン、アセテート等
の植毛布）で一定のラビング処理を行ってから、次に配
向膜５と接触する表面が配向処理′Ｓ賀からなる摩擦用
ローラー７によって摩擦する方法である。
第２図は本発明の配向処理方法の他の例を示す説明図で
あり、前記第１図における植毛布ラビング用ローラーを
使用しないで、直接摩擦ローラー２て配向Ｉ！！５を摩
擦する方法である。
あり、前記第１図における植毛布ラビング用ローラーを
使用しないで、直接摩擦ローラー２て配向Ｉ！！５を摩
擦する方法である。
本発明において、配向処理物質は配向Ｉ！２物質と少な
くとも同程度以上の硬度を有する物質か用いられ、例え
ばシリコーンゴム等のゴム、テフロン、ポリエチレン等
のプラスチックスが挙げられるゆ また、配向膜と接触する配向処理物質の表面は凸部の高
さ又は四部の深さか１００．■以下となっている精度で
平滑化されていることが望ましく、具体的には配向膜面
を複数回こすることにより、面積で９０％以上の部分と
接触するぐらいか望ましい。
くとも同程度以上の硬度を有する物質か用いられ、例え
ばシリコーンゴム等のゴム、テフロン、ポリエチレン等
のプラスチックスが挙げられるゆ また、配向膜と接触する配向処理物質の表面は凸部の高
さ又は四部の深さか１００．■以下となっている精度で
平滑化されていることが望ましく、具体的には配向膜面
を複数回こすることにより、面積で９０％以上の部分と
接触するぐらいか望ましい。
また、本発明において、配向膜は上記の有機膜に限定さ
れることなく、ＳｉＯ等の一部の無機膜等ても有効に配
向処理を行うことかできる。
れることなく、ＳｉＯ等の一部の無機膜等ても有効に配
向処理を行うことかできる。
次に、第３図は本発明の配向処理方法のさらに別の例を
示す説明図であり、６個の摩擦ローラー２ａ〜２［をゴ
ムもしくはプラスチックス等の物質を用いて、その表面
に細くストライプ状の溝を構成して、液晶基板８の有機
物質からなる配向膜５をＪ”？擦する方法である。
示す説明図であり、６個の摩擦ローラー２ａ〜２［をゴ
ムもしくはプラスチックス等の物質を用いて、その表面
に細くストライプ状の溝を構成して、液晶基板８の有機
物質からなる配向膜５をＪ”？擦する方法である。
この場合、ストライブのピッチ自体は １００ｇ５位で
も複数回摩擦することによって液晶分子の配向を達成す
ることができる。
も複数回摩擦することによって液晶分子の配向を達成す
ることができる。
さらに、第４図は本発明の別の例を示す説明図であり、
シリコンゴムの表面を平滑化して形成した押型９を、電
磁弁１１により作動するシリンダー１０により配向膜５
の上に押圧することにより配向処理を行う方法である。
シリコンゴムの表面を平滑化して形成した押型９を、電
磁弁１１により作動するシリンダー１０により配向膜５
の上に押圧することにより配向処理を行う方法である。
押圧する圧力は基板の種類により異なるか、通常０．４
ｇ／ｃｍ” 〜１５０ｋｇ／ｃｍ２．好ましくは０．１
ｋｇ／ｃｍ２〜２ ｋｇ／ｃｍ２か望ましい。
ｇ／ｃｍ” 〜１５０ｋｇ／ｃｍ２．好ましくは０．１
ｋｇ／ｃｍ２〜２ ｋｇ／ｃｍ２か望ましい。
本発明においては液晶分子配向面を植毛布等の布でζす
る等のラビング処理の前後もしくはその一方において配
向処理物質で押圧または摩擦することができる。
る等のラビング処理の前後もしくはその一方において配
向処理物質で押圧または摩擦することができる。
また表面にストライプ状の溝を形成したゴム、プラスチ
ックス等の配向処理物質て、該ストライプ状の溝を液晶
分子配向面に対して上下もしくは左右に若干距離をずら
しながら複数回押圧または摩擦を行うことかてきる。
ックス等の配向処理物質て、該ストライプ状の溝を液晶
分子配向面に対して上下もしくは左右に若干距離をずら
しながら複数回押圧または摩擦を行うことかてきる。
尚、液晶分子配向面とは配向膜または基板面の液晶分子
と接触する面を言う。
と接触する面を言う。
次に、本発明で用いる強誘電性液晶としては、加えられ
る電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的安
定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双安
定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液晶
が用いられる。
る電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的安
定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双安
定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液晶
が用いられる。
本発明で用いることかてきる双安定性を有する強誘電性
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクティッ
ク液晶か最も好ましく、そのうちカイラルスメクティッ
クＣ相 （Ｓａｃ”） 、又Ｈ相（Ｓａｌｌ”）の液晶
が適している。この強誘電性液晶については、“ル・ジ
ュールナル・ド・フィジーク・ルチール” （“ＬＥ
ＪＯｌ、’ＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＥＬＥＴＴ
Ｅｌ？Ｓ”） １９７５年、 ３１ｉ （Ｌ−６９）号
、「フェロエレクトリック・リキッド・クリスタルス」
（ｒ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ）；“アプライド・フィジックス
・レターズ” （“Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ”） １９８０年、 ３６ （１１）号、
「サブミクロ・ヤカントーハイステイブル・エレクトロ
オブチック・スイッチング・イン・リキッド・クリスタ
ルスＪ （ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｃ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ
１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃ
ｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ’）
；“固体物理”１９８１年、長（１４１）号、「液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示された強
誘電性液晶を用いることができる。
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクティッ
ク液晶か最も好ましく、そのうちカイラルスメクティッ
クＣ相 （Ｓａｃ”） 、又Ｈ相（Ｓａｌｌ”）の液晶
が適している。この強誘電性液晶については、“ル・ジ
ュールナル・ド・フィジーク・ルチール” （“ＬＥ
ＪＯｌ、’ＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＥＬＥＴＴ
Ｅｌ？Ｓ”） １９７５年、 ３１ｉ （Ｌ−６９）号
、「フェロエレクトリック・リキッド・クリスタルス」
（ｒ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ）；“アプライド・フィジックス
・レターズ” （“Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ”） １９８０年、 ３６ （１１）号、
「サブミクロ・ヤカントーハイステイブル・エレクトロ
オブチック・スイッチング・イン・リキッド・クリスタ
ルスＪ （ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｃ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ
１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃ
ｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ’）
；“固体物理”１９８１年、長（１４１）号、「液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示された強
誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーｐ′−ア
ミノー２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベン゛ジリデン−ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（）ＩＯＢＡＣＰＣ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリダン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ ８）等が挙げら
れる。
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーｐ′−ア
ミノー２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベン゛ジリデン−ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（）ＩＯＢＡＣＰＣ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリダン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ ８）等が挙げら
れる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ厘り″相又はＳｍ）！”相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ厘り″相又はＳｍ）！”相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
第５図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。 ２１ａと２１ｂは、Ｉｎ２０ｚ 、 ５１１
０２やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向
した５ｔａＣ”相の液晶が封入されている。太線で示し
た線２３か液晶分子を表わしており、この液晶分子２３
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２４はす
べて電界方向へ向くよう、液晶分子２３の配向方向を変
えることがてきる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って、例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの
位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によ
って光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、
容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄く
した場合（例えばＩｇ）には、第６図に示すように電界
を印加していない状態でも、液晶分子のらせん構造は、
はどけ（非らせん構造）、その双極子モーメントＰａ又
はｐｂは上向き（：＋４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに第６図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを所
定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅａ又はＥ
ｂの電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は、下向き
３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安
定状態３３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂのいずれ
か一方に配向する。
である。 ２１ａと２１ｂは、Ｉｎ２０ｚ 、 ５１１
０２やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向
した５ｔａＣ”相の液晶が封入されている。太線で示し
た線２３か液晶分子を表わしており、この液晶分子２３
は、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２４はす
べて電界方向へ向くよう、液晶分子２３の配向方向を変
えることがてきる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って、例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの
位置関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によ
って光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、
容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄く
した場合（例えばＩｇ）には、第６図に示すように電界
を印加していない状態でも、液晶分子のらせん構造は、
はどけ（非らせん構造）、その双極子モーメントＰａ又
はｐｂは上向き（：＋４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに第６図に示す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを所
定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅａ又はＥ
ｂの電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は、下向き
３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安
定状態３３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂのいずれ
か一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向か双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第６図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。ま
た、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の
安定状＄ ３３ｂに配向して、その分子の向きを変える
か、やはり電界を切ってもこの状態に留まっている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向か双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第６図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。ま
た、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の
安定状＄ ３３ｂに配向して、その分子の向きを変える
か、やはり電界を切ってもこの状態に留まっている。
又、与える電界Ｅａ、 Ｅｂが一定の閾値を越えない限
り、それぞれの配向状態にやはり維持されている。この
ような応答速度の速さと、双安定性か有効に実現される
には、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般
的には、０．５鉢〜２０ル、特にｔｇ〜５鉢か適してい
る。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造
を有する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガ
ハルにより、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案
されている。
り、それぞれの配向状態にやはり維持されている。この
ような応答速度の速さと、双安定性か有効に実現される
には、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般
的には、０．５鉢〜２０ル、特にｔｇ〜５鉢か適してい
る。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造
を有する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガ
ハルにより、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案
されている。
［作用］
本発明は、液晶分子配向面を配向膜物質と少なくとも同
程度以上の硬度を有する配向処理物質で、押圧または摩
擦して配向処理を行うことにより、従来の植毛布等を使
用する場合の様に配向膜にゴミか付着したり傷がつくこ
とかなく、均質な配向面を形成することかできると共に
強誘電性液晶分子を均一に配列せしめることができるも
のと推定される。
程度以上の硬度を有する配向処理物質で、押圧または摩
擦して配向処理を行うことにより、従来の植毛布等を使
用する場合の様に配向膜にゴミか付着したり傷がつくこ
とかなく、均質な配向面を形成することかできると共に
強誘電性液晶分子を均一に配列せしめることができるも
のと推定される。
［実施例］
次に、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
第１図に示す装置を使用して配向処理を行った。
植毛布ラビング用ローラー１にはアセテートの植毛布を
、また摩擦ローラー２にはシリコンゴムからなり、表面
の凸部か約８０μ■に平滑されているものを使用した。
、また摩擦ローラー２にはシリコンゴムからなり、表面
の凸部か約８０μ■に平滑されているものを使用した。
たて ３５０龍−１よこ ３００ｏ＋諺、厚さ １．１
ｍ−のガラス基板上に透明電極（［ＴＯ）のバターニン
グを行い、ポリイミド（東し製、５Ｐ−５１０）樹脂を
１００ＯＡの厚みでコーティングした液晶基板を、移動
台７の上にのせて、１６１■／ｓｅｃの速度で移動して
、毛先が０．２層−の長さでガラス基板と接触するよう
な条件で植毛布ラビング用ローラーｌを１１０００ｒｐ
の回転数で回転して従来のラビングをほどこした後に、
摩擦ローラー２を用いて１０ｒｐ−で約５００ｇ／ｃｍ
２の加重で摩擦を行った。工程回数は４往復行った。
ｍ−のガラス基板上に透明電極（［ＴＯ）のバターニン
グを行い、ポリイミド（東し製、５Ｐ−５１０）樹脂を
１００ＯＡの厚みでコーティングした液晶基板を、移動
台７の上にのせて、１６１■／ｓｅｃの速度で移動して
、毛先が０．２層−の長さでガラス基板と接触するよう
な条件で植毛布ラビング用ローラーｌを１１０００ｒｐ
の回転数で回転して従来のラビングをほどこした後に、
摩擦ローラー２を用いて１０ｒｐ−で約５００ｇ／ｃｍ
２の加重で摩擦を行った。工程回数は４往復行った。
その結果、強誘電性液晶であるチッソ社製のｒｃｓｌｌ
ｏｌＪを注入したところ、良好な配向状態か得られた。
ｏｌＪを注入したところ、良好な配向状態か得られた。
実施例２
第２図に示す方法で、実施例１で用いたのと同様の基板
および摩擦用ローラーを使用して、基板を１６ｍ＋＊／
ｓｅｃの速度で移動して、５００ｒｐｍで５００ｇ／ｃ
ｍ”の加重を加え１０分間摩擦を行った。
および摩擦用ローラーを使用して、基板を１６ｍ＋＊／
ｓｅｃの速度で移動して、５００ｒｐｍで５００ｇ／ｃ
ｍ”の加重を加え１０分間摩擦を行った。
その結果、強誘電性液晶であるチッソ社製のｒｃｓｌｌ
ｏｌＪを注入したところ、良好な配向状態が得られた。
ｏｌＪを注入したところ、良好な配向状態が得られた。
実施例３
第３図に示す方法で、約１００μ曹ピツチで、凸凹を形
成した摩擦用ローラー６本を縦続接続し、実施例２と同
様の条件で配向処理を行った。
成した摩擦用ローラー６本を縦続接続し、実施例２と同
様の条件で配向処理を行った。
その結果、強誘電性液晶であるチ・ンソ社製のｒ Ｃ５
Ｉ １０１ Ｊを注入したところ、良好な配向状態が得
られた。
Ｉ １０１ Ｊを注入したところ、良好な配向状態が得
られた。
実施例４
第４図に示す方法で、実施例１で用いたのと同様の基板
を使用し、表面の凹部か８０μ■となっている平滑性を
有するシリコンゴムの押型な用いて、押型なヒーターで
１００℃に加熱して、 ５００ｇ／ｃ膳２の押圧で１
０回押しつけた。
を使用し、表面の凹部か８０μ■となっている平滑性を
有するシリコンゴムの押型な用いて、押型なヒーターで
１００℃に加熱して、 ５００ｇ／ｃ膳２の押圧で１
０回押しつけた。
その結果、強誘電性液晶であるチッソ社製のｒ Ｃ３ｌ
ＩＯＩＪを注入したところ、良好な配向状態が得られた
。
ＩＯＩＪを注入したところ、良好な配向状態が得られた
。
［発明の効果］
以上説明した様に本発明の配向処理方法は、液晶分子配
向面にゴミが付着したり、傷が付いたりすることがなく
、平滑に改質することかでき、また強誘電性液晶分子を
均一に配列せしめることができる優れた効果がある。
向面にゴミが付着したり、傷が付いたりすることがなく
、平滑に改質することかでき、また強誘電性液晶分子を
均一に配列せしめることができる優れた効果がある。
第１図は本発明の強誘電性液晶の配向処理方法に使用す
る装置の１例を示す説明図、第２図〜第４図は各々本発
明の配向処理方法を示す説明図、第５図はらせん構造の
強誘電性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視図
および第６図は非らせん構造の強誘電性液晶を用いた液
晶素子を模式的に表わす斜視図である。 １−・・植毛布ラビング用ローラー ２．２ａ〜２ｆ−・・摩擦用ローラー ３・・・ガラス基板 ４・・・透明電極 ５・・・配向膜 ６・・・テーブル移動用モーター ７・・・移動台 ８・・・液晶基板 ９・・・押型 １０・・・シリンダー １１・・・電磁弁 １２・・・ヒーター ２１ａ、２１ｂ −＝基板 ２２・・・液晶分子層 ２３・・・液晶分子 ２４−・・双極子モーメント ３３ａ−−−第１の安定状態 ３３ｂ・・・第２の安定状態 ３４ａ −・・上向き双極子モーメント３４ｂ・・・下
向き双極子モーメント Ｅａ、Ｅｂ・・・電界
る装置の１例を示す説明図、第２図〜第４図は各々本発
明の配向処理方法を示す説明図、第５図はらせん構造の
強誘電性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視図
および第６図は非らせん構造の強誘電性液晶を用いた液
晶素子を模式的に表わす斜視図である。 １−・・植毛布ラビング用ローラー ２．２ａ〜２ｆ−・・摩擦用ローラー ３・・・ガラス基板 ４・・・透明電極 ５・・・配向膜 ６・・・テーブル移動用モーター ７・・・移動台 ８・・・液晶基板 ９・・・押型 １０・・・シリンダー １１・・・電磁弁 １２・・・ヒーター ２１ａ、２１ｂ −＝基板 ２２・・・液晶分子層 ２３・・・液晶分子 ２４−・・双極子モーメント ３３ａ−−−第１の安定状態 ３３ｂ・・・第２の安定状態 ３４ａ −・・上向き双極子モーメント３４ｂ・・・下
向き双極子モーメント Ｅａ、Ｅｂ・・・電界
Claims (4)
- （１）強誘電性液晶素子の配向処理方法において、液晶
分子配向面を配向膜物質と少なくとも同程度以上の硬度
を有する配向処理物質で、押圧または摩擦することを特
徴とする強誘電性液晶の配向処理方法。 - （２）液晶分子配向面を植毛布等の布でこする等のラビ
ング処理の前後もしくは少なくともその一方において、
配向処理物質で押圧または摩擦する特許請求の範囲第１
項記載の配向処理方法。 - （３）表面にストライプ状の溝を形成したゴム、プラス
チックス等の配向処理物質で、ストライプ状の溝を液晶
分子配向面に対して垂直な方向に上下もしくは左右に若
干距離をずらしながら複数回、押圧または摩擦を行う特
許請求の範囲第１項記載の配向処理方法。 - （４）液晶分子配向面に複数個連続して設けた配向処理
物質を接触して押圧または摩擦する特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれかの項記載の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20797986A JPS6364027A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 強誘電性液晶の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20797986A JPS6364027A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 強誘電性液晶の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364027A true JPS6364027A (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=16548670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20797986A Pending JPS6364027A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 強誘電性液晶の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0336321A2 (en) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Idemitsu Kosan Company Limited | Process for producing liquid crystal optical device |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP20797986A patent/JPS6364027A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0336321A2 (en) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Idemitsu Kosan Company Limited | Process for producing liquid crystal optical device |
| EP0336321A3 (en) * | 1988-04-04 | 1990-09-26 | Idemitsu Kosan Company Limited | Process for producing liquid crystal optical device |
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