JPS6362460A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS6362460A JPS6362460A JP61207528A JP20752886A JPS6362460A JP S6362460 A JPS6362460 A JP S6362460A JP 61207528 A JP61207528 A JP 61207528A JP 20752886 A JP20752886 A JP 20752886A JP S6362460 A JPS6362460 A JP S6362460A
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- Japan
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- light
- scanning direction
- image sensor
- main scanning
- light guide
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は密着型イメージセンサに関し、詳細には原稿か
らの直接反射光を避けて検出感度の向上を図った密着型
イメージセンサに関する。
らの直接反射光を避けて検出感度の向上を図った密着型
イメージセンサに関する。
(従来の技術)
近年、複写機あるいはファクシミリ装置等のOA機器分
野においては、装置の小型化、パーソナル化が求められ
ており、これらの要求に応じるものとして原稿に略密着
させて画像を読み込むことの可能な密着型イメージセン
サが開発されている。
野においては、装置の小型化、パーソナル化が求められ
ており、これらの要求に応じるものとして原稿に略密着
させて画像を読み込むことの可能な密着型イメージセン
サが開発されている。
このような、密着型イメージセンサとして第8図に示す
ようなものが従来開発されている。すなわち、密着型イ
メージセンサ1はガラス基板2上に光電変換素子3が形
成され、この光電変換素子3を透明保護層4で覆ってい
る。光電変換素子3はガラス基板2上に共通電極5、a
−3t(アモルファス−シリコン)膜6、透明導電膜7
および金属膜8を積層することにより形成されており、
光電変換素子3には導光窓9が形成されている。
ようなものが従来開発されている。すなわち、密着型イ
メージセンサ1はガラス基板2上に光電変換素子3が形
成され、この光電変換素子3を透明保護層4で覆ってい
る。光電変換素子3はガラス基板2上に共通電極5、a
−3t(アモルファス−シリコン)膜6、透明導電膜7
および金属膜8を積層することにより形成されており、
光電変換素子3には導光窓9が形成されている。
この密着型イメージセンサ1は第9図に示すように原稿
10の幅方向(主走査方向)に長く形成されており、導
光窓9の形成された四角形状の光電変換素子3が主走査
方向に複数個配列されている。
10の幅方向(主走査方向)に長く形成されており、導
光窓9の形成された四角形状の光電変換素子3が主走査
方向に複数個配列されている。
密着型イメージセンサ1は画像読み取り時、原稿10面
上に透明保M層4が接触し、ガラス基板2側に位置する
光源(通常L E D (Light Emittin
gDiode)アレイが使用される)11から導光窓9
を通して光が原稿10に照射される。光源11は光電変
換素子3の主走査方向の中心線上に複数個配列されてお
り、この光源11から原稿10に照射された光は原稿1
0面で反射されて光検出部である透明導電膜7に入射さ
れる。光電変換素子は透明導電膜7に光を受けると光電
変換して光量に応じた電気信号を出力する。
上に透明保M層4が接触し、ガラス基板2側に位置する
光源(通常L E D (Light Emittin
gDiode)アレイが使用される)11から導光窓9
を通して光が原稿10に照射される。光源11は光電変
換素子3の主走査方向の中心線上に複数個配列されてお
り、この光源11から原稿10に照射された光は原稿1
0面で反射されて光検出部である透明導電膜7に入射さ
れる。光電変換素子は透明導電膜7に光を受けると光電
変換して光量に応じた電気信号を出力する。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このような従来の密着型イメージセンサ
にあっては、光源から導光窓を通じて原稿10に照射さ
れた光の反射光を導光窓9の周囲に形成された透明導電
膜7で受光して光電変換しているため、第10図に示す
ように、透明導電膜7の副走査方向と平行な部分には散
乱光だけではなく、光源11の光が原稿10面で反射さ
れた反射光のうち、入射角と反射角の等しい反射光(以
下直接反射光という)が透明導電膜7に入射する。この
直接反射光を検出すると原画像の持つ白部分と黒部分と
のコントラスト比が小さくなり密着型イメージセンサ1
の検出感度が低下するという問題点あった。
にあっては、光源から導光窓を通じて原稿10に照射さ
れた光の反射光を導光窓9の周囲に形成された透明導電
膜7で受光して光電変換しているため、第10図に示す
ように、透明導電膜7の副走査方向と平行な部分には散
乱光だけではなく、光源11の光が原稿10面で反射さ
れた反射光のうち、入射角と反射角の等しい反射光(以
下直接反射光という)が透明導電膜7に入射する。この
直接反射光を検出すると原画像の持つ白部分と黒部分と
のコントラスト比が小さくなり密着型イメージセンサ1
の検出感度が低下するという問題点あった。
(発明の目的)
そこで本発明は、密着型イメージセンサの光検出部を導
光窓周囲の主走査方向と平行となる部分にのみ形成し、
画情報を散乱光のみで検出することにより、画像の白部
分と黒部分との出力比が高い画信号を得ることを目的と
している。
光窓周囲の主走査方向と平行となる部分にのみ形成し、
画情報を散乱光のみで検出することにより、画像の白部
分と黒部分との出力比が高い画信号を得ることを目的と
している。
(発明の構成)
本発明は、上記目的を達成するため、主走査方向に長く
形成され原稿に接する透明保31¥層と、透明保護層に
覆われ主走査方向に複数個形成された光検出部を有する
光電変換素子と、各光検出部毎に形成された導光窓を備
え、導光窓の主走査方向上に複数個配列された光源から
該導光窓を通して原稿に光を照射し、原稿からの反射光
を光検出部で受光して光電変換素子により光電変換する
密着型イメージセンサにおいて、前記光電変換素子の光
検出部を導光窓周囲の主走査方向と平行となる部分にの
み形成することを特徴とするものである。
形成され原稿に接する透明保31¥層と、透明保護層に
覆われ主走査方向に複数個形成された光検出部を有する
光電変換素子と、各光検出部毎に形成された導光窓を備
え、導光窓の主走査方向上に複数個配列された光源から
該導光窓を通して原稿に光を照射し、原稿からの反射光
を光検出部で受光して光電変換素子により光電変換する
密着型イメージセンサにおいて、前記光電変換素子の光
検出部を導光窓周囲の主走査方向と平行となる部分にの
み形成することを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
第1〜4図は本発明の1実施例を示す図である。
第1図において、21は密着型イメージセンサであり、
密着型イメージセンサ21は光源22、光電変換素子2
3および図示しない処理回路により構成されている。光
源22は、例えばL E D (Light Emit
ting Diode)をその主走査方向に複数個並べ
たものであり、原稿24に光を照射する。光電変換素子
23は、その主走査方向(第2図参照)に長く延びたガ
ラス基板25上に、同様に主走査方向に長く延びた共通
電極膜26およびa−3i(アモルファスシリコン)膜
27が順次積層され、次いで、第2図に示すように、副
走査方向に延びた透明導電膜2日が主走査方向に複数個
形成される。これら透明導電膜28の形成された各ブロ
ックには、共通電極膜26およびa−3i膜27および
透明導電膜28を貫通する導光窓29が形成されており
、この導光窓29の周辺部を残して透明導電膜28は金
属膜30で覆われている。さらに、透明導電膜28の導
光窓29の周辺部分のうち、副走査方向と平行に位置す
る部分(第2図中斜線で表示する部分)は遮光膜31で
覆われでいる。前記金属膜30および遮光膜31が形成
された部分の透明導電膜28は光に対して不感体となり
透明導電膜28が露出した部分のみが光検出部32とな
る。すなわち、光検出部32は主走査方向に長いガラス
基板25上に1列に略四角形状に分割されて複数個形成
されていることとなり、これらの光検出部32を覆うよ
うに透明保護層33が形成されている。
密着型イメージセンサ21は光源22、光電変換素子2
3および図示しない処理回路により構成されている。光
源22は、例えばL E D (Light Emit
ting Diode)をその主走査方向に複数個並べ
たものであり、原稿24に光を照射する。光電変換素子
23は、その主走査方向(第2図参照)に長く延びたガ
ラス基板25上に、同様に主走査方向に長く延びた共通
電極膜26およびa−3i(アモルファスシリコン)膜
27が順次積層され、次いで、第2図に示すように、副
走査方向に延びた透明導電膜2日が主走査方向に複数個
形成される。これら透明導電膜28の形成された各ブロ
ックには、共通電極膜26およびa−3i膜27および
透明導電膜28を貫通する導光窓29が形成されており
、この導光窓29の周辺部を残して透明導電膜28は金
属膜30で覆われている。さらに、透明導電膜28の導
光窓29の周辺部分のうち、副走査方向と平行に位置す
る部分(第2図中斜線で表示する部分)は遮光膜31で
覆われでいる。前記金属膜30および遮光膜31が形成
された部分の透明導電膜28は光に対して不感体となり
透明導電膜28が露出した部分のみが光検出部32とな
る。すなわち、光検出部32は主走査方向に長いガラス
基板25上に1列に略四角形状に分割されて複数個形成
されていることとなり、これらの光検出部32を覆うよ
うに透明保護層33が形成されている。
なお、光検出部32は、例えばA4サイズの原稿を8d
ot/m■のドツト密度で読み取るとすると1680個
形成されることになる。
ot/m■のドツト密度で読み取るとすると1680個
形成されることになる。
次に、作用を説明する。
密着型イメージセンサ21は、原稿24が図示しない紙
搬送機構により指定読み取り位置まで送給されると、制
御回路からの指示によって光源22が発光する。この光
は導光窓29を通過し原稿240表面で反射する。この
反射した光は原稿24に記載された画情報を含んでおり
、光検出部32に受光されるとともに光電変換素子23
によって所定の画素(8dot/n+)毎に光電変換さ
れ画信号として処理回路に出力される。
搬送機構により指定読み取り位置まで送給されると、制
御回路からの指示によって光源22が発光する。この光
は導光窓29を通過し原稿240表面で反射する。この
反射した光は原稿24に記載された画情報を含んでおり
、光検出部32に受光されるとともに光電変換素子23
によって所定の画素(8dot/n+)毎に光電変換さ
れ画信号として処理回路に出力される。
また、画情報の光電変換は例えば原稿24の送り量が0
.13mm毎に1ラインずつ読み取られて行き、逐次両
信号として出力される。
.13mm毎に1ラインずつ読み取られて行き、逐次両
信号として出力される。
このとき、光検出部32が導光窓29周囲の主走査方向
と平行な部分のみにしか形成されていないため、第10
図に示したような直接反射光(図中破線部)を検出する
ことがなくソフトな散乱光により画像を鮮明に読み取る
ことができる。
と平行な部分のみにしか形成されていないため、第10
図に示したような直接反射光(図中破線部)を検出する
ことがなくソフトな散乱光により画像を鮮明に読み取る
ことができる。
すなわち、光源22から原稿24に向って照射された光
は導光窓29を通過し、原稿24面で反射されるが、第
10図に示したように散乱光の他に直接反射光が光電変
換素子23に入射する部分がある。この、直接反射光は
第3図に示すように光源34の光軸角度θ1に対してそ
の反射角度θ2上に光検出部35がある(θ1 =θ2
)場合に検出される。したがって、この直接反射光は、
光源22が導光窓29の中心上を主走査方向に結んだ直
線上に配設されているため導光窓29の副走査方向と平
行に位置する透明導電膜28のみに入射する。ところが
、本実施例にあっては導光窓29周囲の副走査方向に位
置する部分の透明導電膜28は遮光膜31で覆われてお
り、導光窓29周囲の主走査方向に平行に位置する部分
のみが光検出部32として形成されている。したがって
、本実施例にあっては直接反射光は光検出部32に入射
されることがない。すなわち、直接反射光を検出すると
、画像のコントラストに応じたレベル比の信号を得るこ
とができない(第5図中(b)参照)が、本実施例の場
合には、第4図に示すように光検出部35を光源34の
光軸上を避けるよう配設した時(θ1 ≠θ2)と同様
に散乱光によって画像を検出することができるため、画
像のコントラストに応じたレベル比の信号を得ることが
できる(第5図中(c)参照)。
は導光窓29を通過し、原稿24面で反射されるが、第
10図に示したように散乱光の他に直接反射光が光電変
換素子23に入射する部分がある。この、直接反射光は
第3図に示すように光源34の光軸角度θ1に対してそ
の反射角度θ2上に光検出部35がある(θ1 =θ2
)場合に検出される。したがって、この直接反射光は、
光源22が導光窓29の中心上を主走査方向に結んだ直
線上に配設されているため導光窓29の副走査方向と平
行に位置する透明導電膜28のみに入射する。ところが
、本実施例にあっては導光窓29周囲の副走査方向に位
置する部分の透明導電膜28は遮光膜31で覆われてお
り、導光窓29周囲の主走査方向に平行に位置する部分
のみが光検出部32として形成されている。したがって
、本実施例にあっては直接反射光は光検出部32に入射
されることがない。すなわち、直接反射光を検出すると
、画像のコントラストに応じたレベル比の信号を得るこ
とができない(第5図中(b)参照)が、本実施例の場
合には、第4図に示すように光検出部35を光源34の
光軸上を避けるよう配設した時(θ1 ≠θ2)と同様
に散乱光によって画像を検出することができるため、画
像のコントラストに応じたレベル比の信号を得ることが
できる(第5図中(c)参照)。
したがって、画像読取時においては白部分の読み取りレ
ベルに対し黒部分の読み取りレベルの変化が大きい、出
力レベル比の高い安定した画像信号を得ることができる
。また、白部分と黒部分との出力レベル比が高いため、
階調のある画像を読み取る場合には階調に応じた所定の
レベルの信号を得ることができ画像の読み取り精度を向
上することができる。
ベルに対し黒部分の読み取りレベルの変化が大きい、出
力レベル比の高い安定した画像信号を得ることができる
。また、白部分と黒部分との出力レベル比が高いため、
階調のある画像を読み取る場合には階調に応じた所定の
レベルの信号を得ることができ画像の読み取り精度を向
上することができる。
なお、本実施例では導光窓29周囲の副走査方向と平行
な部分(直射反射光を受光する部分)に遮光膜31を形
成しているが、このような態様に限らない、例えば第6
図に示すように遮光膜31を施していた分のa−3i膜
を取り除いて導光窓の幅を増すようにする。これにより
、導光窓37の面積が増加し原稿24を照射する光源2
2からの光量を増加させることができる。
な部分(直射反射光を受光する部分)に遮光膜31を形
成しているが、このような態様に限らない、例えば第6
図に示すように遮光膜31を施していた分のa−3i膜
を取り除いて導光窓の幅を増すようにする。これにより
、導光窓37の面積が増加し原稿24を照射する光源2
2からの光量を増加させることができる。
したがって、光検出部37が導光窓37の主走査方向の
みに形成されることによる光検出部37の検出面積の減
少を補うことができ、画像の検出精度をより一層向上さ
せることができる。
みに形成されることによる光検出部37の検出面積の減
少を補うことができ、画像の検出精度をより一層向上さ
せることができる。
なお、感光部への直接反射光の影響を少なくする方法と
しては密着型イメージセンサの光検出部の構造を変える
だけではなく、光源の位置を変えることによっても達成
することができる。
しては密着型イメージセンサの光検出部の構造を変える
だけではなく、光源の位置を変えることによっても達成
することができる。
すなわち、第7図において41は密着型イメージセンサ
であり、密着型イメージセンサ41の光tA42は導光
窓29の主走査方向の中心線上から副走査方向にずらし
て設けられている。
であり、密着型イメージセンサ41の光tA42は導光
窓29の主走査方向の中心線上から副走査方向にずらし
て設けられている。
このように、光源42が導光窓29の主走査方向の中心
線上から副走査方向にずらして配置されているため、従
来と同様に導光窓29の周囲全体に光検出部43があっ
ても光源42から原稿に照射された直接反射光が当該光
検出部43に入射されることがない。したがって、本実
施例においても第1実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
線上から副走査方向にずらして配置されているため、従
来と同様に導光窓29の周囲全体に光検出部43があっ
ても光源42から原稿に照射された直接反射光が当該光
検出部43に入射されることがない。したがって、本実
施例においても第1実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
また、感光部への直接反射光の影響を少なくする方法と
して例えばガラス基板の表面をマント面(くもりガラス
状)にして光源からの光を予じめ散乱させたソフトな照
射光によって、画像を鮮明に読み取ることも可能である
。
して例えばガラス基板の表面をマント面(くもりガラス
状)にして光源からの光を予じめ散乱させたソフトな照
射光によって、画像を鮮明に読み取ることも可能である
。
(効果)
本発明によれば、密着型イメージセッサに設けられた導
光窓の主走査方向に対して平行となる部分のみに形成さ
れた光検出部により原稿を散乱光によって読み取ること
ができるので、画像の白部分と黒部分とのコントラスト
を明確に検出することができる。
光窓の主走査方向に対して平行となる部分のみに形成さ
れた光検出部により原稿を散乱光によって読み取ること
ができるので、画像の白部分と黒部分とのコントラスト
を明確に検出することができる。
したがって、本発明の密着型イメージセンサを使用する
ことにより画像を鮮明に読み取ることができる。
ことにより画像を鮮明に読み取ることができる。
第1〜5図は本発明の密着型イメージセンサの1実施例
を示す図であり、第1図はその密着型イメージセンサの
要部断面図、第2図はその密着型イメージセンサの導光
窓の形状を示す図、第3図はその密着型イメージセンサ
の直接反射光を受光する状態を示す図、第4図はその密
着型イメージセンサの散乱光を受光する状態を示す図、
第5図はその密着型イメージセンサにおける、実際の白
部分と黒部分との出力レベル比(a)、直接反射光を受
光した場合の出力レベル比(b)、散乱光を受光した場
合の出力レベル比(C)の関係を示す図、第6図は本発
明の密着型イメージセンサの他の実施例である導光窓の
形状を示す図、第7図は本発明の密着型イメージセンサ
の他の実施例である要部断面図、第8〜10図は従来の
密着型イメージセンサであり、第8図はその密着型イメ
ージセンサの要部断面部、第9図はその密着型イメージ
センサの導光窓の形状を示す図、第10図はその密着型
イメージセンサの直接反射光の検出状態を示す図である
。 21・・・・・・密着型イメージセンサ、22・・・・
・・光源、 23・・・・・・光電変換素子、 24・・・・・・原稿、 25・・・・・・導光窓、 32・・・・・・光検出部、 33・・・・・・透明保護層。
を示す図であり、第1図はその密着型イメージセンサの
要部断面図、第2図はその密着型イメージセンサの導光
窓の形状を示す図、第3図はその密着型イメージセンサ
の直接反射光を受光する状態を示す図、第4図はその密
着型イメージセンサの散乱光を受光する状態を示す図、
第5図はその密着型イメージセンサにおける、実際の白
部分と黒部分との出力レベル比(a)、直接反射光を受
光した場合の出力レベル比(b)、散乱光を受光した場
合の出力レベル比(C)の関係を示す図、第6図は本発
明の密着型イメージセンサの他の実施例である導光窓の
形状を示す図、第7図は本発明の密着型イメージセンサ
の他の実施例である要部断面図、第8〜10図は従来の
密着型イメージセンサであり、第8図はその密着型イメ
ージセンサの要部断面部、第9図はその密着型イメージ
センサの導光窓の形状を示す図、第10図はその密着型
イメージセンサの直接反射光の検出状態を示す図である
。 21・・・・・・密着型イメージセンサ、22・・・・
・・光源、 23・・・・・・光電変換素子、 24・・・・・・原稿、 25・・・・・・導光窓、 32・・・・・・光検出部、 33・・・・・・透明保護層。
Claims (1)
- 主走査方向に長く形成され原稿に接する透明保護層と、
透明保護層に覆われ主走査方向に複数個形成された光検
出部を有する光電変換素子と、各光検出部毎に形成され
た導光窓を備え、導光窓の主走査方向上に複数個配列さ
れた光源から該導光窓を通して原稿に光を照射し、原稿
からの反射光を光検出部で受光して光電変換素子により
光電変換する密着型イメージセンサにおいて、前記光電
変換素子の光検出部を導光窓周囲の主走査方向と平行と
なる部分にのみ形成することを特徴とする密着型イメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207528A JPS6362460A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61207528A JPS6362460A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362460A true JPS6362460A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16541213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61207528A Pending JPS6362460A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362460A (ja) |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP61207528A patent/JPS6362460A/ja active Pending
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