JPS6362140B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6362140B2
JPS6362140B2 JP56101058A JP10105881A JPS6362140B2 JP S6362140 B2 JPS6362140 B2 JP S6362140B2 JP 56101058 A JP56101058 A JP 56101058A JP 10105881 A JP10105881 A JP 10105881A JP S6362140 B2 JPS6362140 B2 JP S6362140B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
multiplication factor
apd
amplifier
temperature
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56101058A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS583337A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP56101058A priority Critical patent/JPS583337A/ja
Publication of JPS583337A publication Critical patent/JPS583337A/ja
Publication of JPS6362140B2 publication Critical patent/JPS6362140B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/693Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
    • H04B10/6931Automatic gain control of the preamplifier
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/691Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
    • H04B10/6911Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フルAGCを用いた光/電気変換を
行う受信回路において、周囲温度の変化に拘らず
S/Nを常に最良の状態に保つことができる温度
補償方式に関するものである。
光通信システムの中継器等においては、アバラ
ンシエ・フオト・ダイオード(APD)を受光素
子として用いて、受信光を光/電気変換しさらに
増幅して、電気信号からなる受信信号を発生す
る、受信回路が用いられる。周知のごとくAPD
には信号の増倍作用があり、そのためこのような
受信回路においては、APDに対する光AGCと増
幅系に対する電気AGCとを併用する、フルAGC
が用いられることが多い。
第1図はAPDを用いた受信回路の構成例を示
すブロツク図である。同図において、1はAPD、
2は増幅器、3はピーク検出回路、4は光AGC
回路、5は電気AGC回路である。
第1図において、APD1は光信号入力を受け
てこれを光/電気変換して変換された電気信号を
発生し、発生した電気信号は増幅器2において増
幅されて出力を発生する。増幅器2の出力はピー
ク検出回路3においてそのピーク値を検出され
る。ピーク検出回路3の出力によつて光AGC回
路4を介してAPD1のバイアス電圧を変化させ
ることによつてAPD1の増倍率Mを制御し、同
時にピーク検出回路3の出力によつて電気AGC
回路5を介して増幅器2の利得を制御することに
よつてフルAGCが行われて、増幅器2の出力に
おける信号振幅は、光入力レベルの変化に拘らず
一定に保たれる。この際増幅器2における利得
は、通常の光入力レベルにおいては最大の一定値
に制御され、光入力レベルの変動に対しては、主
として光AGC回路4を介してAPD1の増倍率M
を変化させることによつて、AGC作用が行われ
る。光入力レベルが上昇してAPD1の増倍率変
化によるAGCの限界を超えたときは、電気AGC
回路4を介して増幅器2の利得を変化させて、出
力信号振幅を一定に保つ。
第2図は、第1図の受信回路における光入力レ
ベルとAPDの増倍率Mおよび増幅器の利得Gと
の関係の一例を示している。同図にみられるごと
く、光入力レベルが小さいときは利得Gはゼロに
近い一定値であり、光入力レベルが上昇するに伴
つて増倍率Mが低下する。光入力レベルが大きい
ときは、増倍率Mは一定値1となり、光入力レベ
ルがさらに上昇するに伴つて利得Gが負の値をと
つて低下する。このようなAGCが行われる結果、
第1図の受信回路においては、光入力レベルの変
化に拘らず、増幅回路2における出力信号振幅は
一定に保たれる。
一方、APDは雑音(暗電流)を発生し、その
値は増倍率Mによつて変化することが知られてい
る。すなわちAPDは個有のS/N最大となる増
倍率(最適増倍率Mopt)を有する。例えば長波
長(波長1.3μ程度)のゲルマニウムAPDにおけ
るMoptは10〜20である。従つて第1図に示され
たごとき受信回路においては、APD1の増倍率
MのAGC動作における中心値は、一般に、標準
となる動作状態において最適増倍率Moptに等し
くなるようにとられる。
しかしながらAPDの最適増倍率Moptは、温度
によつても変化する。例えば前述の長波長ゲルマ
ニウムAPDにおいては、常温で最適増倍率Mopt
を設定した場合、温度が上昇するに伴つて最適増
倍率Moptは低下し、温度が低下すれば逆に上昇
する。従来は受信回路におけるAPDの増倍率M
の中心値は、周囲温度の変化に拘らず一定にとら
れていた。そのため周囲温度が標準状態から変化
した場合、APDの増倍率Mの中心値が、最適増
倍率Moptと異なる状態になる欠点があつた。
本発明はこのような従来技術の欠点を除去しよ
うとするものであつて、その目的は、周囲温度が
変化しても受光素子としてのAPDの増倍率Mの
中心値を、常にその温度における最適増倍率
Moptに保つことができ、従つて受信回路を常に
その温度におけるS/N最良の状態に維持するこ
とができる方式を提供することにある。
本発明の温度補償方式は、周囲温度の変動によ
つてAPDの最適増倍率Moptが変化した場合、増
幅器の利得を変化させることによつて、出力信号
振幅を一定に保つとともにAPDの増倍率の中心
値が常にその温度における最適増倍率Moptにな
るように制御するものである。
以下、実施例について本発明を詳細に説明す
る。
第3図は、本発明の温度補償方式の一実施例を
示し、第1図に示された受信回路において、増幅
器2に含まれる一部の増幅用トランジスタの利得
を変化させて温度補償を行う場合を示し、増幅器
2を除くAPD1,ピーク検出回路3,光AGC回
路4,電気AGC回路5の構成,動作は第1図の
場合と同様である。
第3図において、11は第1図に示された増幅
器2を構成する増幅用トランジスタ中の一段のト
ランジスタであつて、ベースから前段の信号入力
を受けてコレクタから増幅された出力を次段に出
力する。12,13はサーミスタ、14,15は
抵抗である。サーミスタ12,13は受光素子と
して使用されるAPDの特性に応じて、いずれか
一方のみを使用してもよい。例えば前述の長波長
ゲルマニウムAPDの場合は、サーミスタ12を
使用せずその部分を短絡し、サーミスタ13のみ
を使用する。
第3図において、信号はトランジスタ11のベ
ースに入力され、コレクタから出力される。周囲
温度が変化するとサーミスタ12,13の内部抵
抗が変化し、従つて第3図の回路における入力と
出力との間の利得が変化して、コレクタにおける
出力レベルが変化する。周囲温度の変化に対する
第3図の回路における利得変化が、周囲温度の変
化に基づくAPDの最適増倍率Moptの変化を補償
するように、第3図の回路におけるサーミスタ1
2,13の特性およびその他の部品定数を選んで
おくことによつて、周囲温度の変化によつて
APDの最適増倍率Moptの値が変化しても、
APDにおける増倍率の中心値が常にその温度に
おける最適増倍率Moptであり、かつ増幅器の出
力信号振幅が一定に保たれるように、第1図の受
信回路におけるAGC動作を行わせることができ
る。
第4図は本発明の温度補償方式の他の実施例を
示し、第1図において、電気AGC回路5から入
力される制御電圧aに対して温度補償を施して、
増幅器2における利得制御を行う場合を示し、増
幅器2を除くAPD1,ピーク検出回路3,光
AGC回路4,電気AGC回路5の構成,動作は第
1図の場合と同様である。第4図において、21
は制御電圧入力端子、22,23,24,25は
サーミスタまたはダイオード、26はトランジス
タ、27はバリオロツサ、28,29,30,3
1,32は抵抗、33は信号入力端子、34は信
号出力端子である。バリオロツサ27は増幅器2
内における信号経路の一部をなし、入力端子33
から入力された信号に対して、制御電圧aに基づ
くその抵抗の変化によつて可変損失を与えて出力
端子34に出力することによつて、増幅器2の利
得を変化させる作用を行う。サーミスタ22,2
3,24,25は受光素子として使用される
APDの特性に応じて、いずれか1個所または2
個所を使用する。例えば前述の長波長ゲルマニウ
ムダイオードの場合は、サーミスタ22のみを用
いて他の部分は短絡するか、またはサーミスタ2
4のみを使用して他の部分を短絡する。またはサ
ーミスタ22,24を組合わせて用いることもで
きる。なお第4図において、サーミスタの代りに
感温性のダイオードを使用してもよい。
第4図において、端子21から入力した制御電
圧aは、抵抗28,サーミスタ22,抵抗29,
サーミスタ23からなる分圧器で分圧される。分
圧された電圧はトランジスタ26のベースに加え
られ、これによつてトランジスタ26の内部抵抗
が変化し、従つて電源Vccから抵抗32,バリオ
ロツサ27,サーミスタ25,抵抗31,トラン
ジスタ26,抵抗30,サーミスタ24を経て接
地に流れる電流値が変化する。バリオロツサ27
はそれに流れる電流によつて抵抗値が大幅に変化
する。従つて端子33から入力して端子34に出
力する信号に対して与えられる損失が変化して、
第1図について説明したようなAGC動作が行わ
れる。この際、サーミスタ22,23,24,2
5は周囲温度によつてその抵抗値が変化し、従つ
て第4図の回路における利得(損失)は温度によ
つて変化する。周囲温度の変化に対する第4図の
回路における利得変化が、周囲温度の変化に基づ
くAPDの最適増倍率Moptの変化を補償するよう
に、第4図の回路におけるサーミスタ22,2
3,24,25の特性およびその他の部品定数を
選んでおくことによつて、第1図の受信回路にお
いて、所要の温度補償を施してAGC動作を行わ
せることができる。
第3図,第4図によるAPD1の増倍率Mと増
幅器2の利得Gとの関係について、第5図により
説明する。
第5図においてa,b,cはいずれも、光入力
レベルが一定であるとした場合である。
第5図aに示すように、光入力レベルが一定の
場合APDの最適増倍率Moptは常温を中心とし
て、温度が上昇した場合は低下し、逆に温度が低
下した場合は上昇する。従来は、点線で示すよう
に、光入力レベルが一定である限りは、APDの
増倍率Mは一定であつたため、低温、高温の状態
では、増倍率Mは最適増倍率Moptからかけ離れ
てしまう。
そこで本発明では、第5図bの如く低温の状態
では、増幅器2の利得Gを下げることにより、増
幅器2の出力レベルを低下させる(矢印)逆
に、高温の状態では増幅器2の利得Gを上げるこ
とにより、増幅器2の出力レベルを上昇させる。
(矢印) このように、増幅器2の利得Gを制御すること
により、増幅器2の出力レベルは、第5図aに示
すAPD1の最適増倍率Moptと逆特性を示すよう
にする。ピーク検出回路3は、第5図bに示す逆
特性の増幅器2の出力レベルを検出し、これを光
AGC回路4に入力する。
光AGC回路4は、第5図cに示すように低温
では一点鎖線で示す増幅器2の出力レベルを点線
で示す一定値とするため、増倍率Mを点線で示す
一定値から上昇させ、増幅器2への入力レベルを
上昇させる。(矢印′) 逆に、高温では、増倍率Mを低下させ増幅器2
への入力レベルを低下させる。(矢印′) つまり、増幅器2の利得の増減と相反するよう
に増幅器2への入力レベル、(APD1の出力レベ
ル)を制御すべくAPD1の増倍率Mは、光AGC
回路4により制御される。
従つて、APD1の増倍率Mは第5図aに示す
ような最適増倍率Moptに近似した値を取るよう
になる。
さて、以上の動作を実現するためには、第3図
においてサーミスタ13の抵抗値が温度に逆比例
するように設定しておけば、トランジスタ11の
コレクタ出力電圧は温度に比例する。従つて、コ
レクタ出力電圧は、第5図bの温度特性を有する
ようになる。
また第4図においては、例えばサーミスタ22
を用いる場合には、サーミスタ22の抵抗値が温
度に逆比例するように設定しておけば、トランジ
スタ26のベース電圧は第5図bに示す温度特性
を有することとなり、その利得も第5図bに示す
温度特性を有することになる。
以上説明したように本発明の温度補償方式によ
れば、周囲温度が変化しても、受光素子である
APDの増倍率Mの中心値を常にその温度におけ
る最適増倍率Moptに保つてAGC動作を行わせる
ことができる。従つて本発明の方式によれば、受
信回路を常にその温度におけるS/N最良の状態
で動作させることができるので、回線品質向上の
ために極めて効果的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は光受信回路の構成例を示すブロツク
図、第2図は光入力レベルと増倍率Mおよび利得
Gとの関係の一例を示す図、第3図および第4図
はそれぞれ本発明の温度補償方式の一実施例の構
成を示す回路図、第5図はAPDの増倍率と増幅
器の利得との関係を説明する図である。 1…アバランシエ・フオト・ダイオード
(APD)、2…増幅器、3…ピーク検出回路、4
…光AGC回路、5…電気AGC回路、11…トラ
ンジスタ、12,13…サーミスタ、14,15
…抵抗、21…制御入力端子、22,23,2
4,25…サーミスタまたはダイオード、26…
トランジスタ、27…バリオロツサ、28,2
9,30,31,32…抵抗、33…信号入力端
子、34…信号出力端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 受光素子としてアバランシエ・フオト・ダイ
    オードを用い受光素子の増倍率を制御する光
    AGCと増幅器の利得を制御する電気AGCとを併
    用して出力信号振幅を一定にする光受信回路にお
    いて、増幅器の利得を周囲温度に応じて変化させ
    る手段を設け、受光素子における増倍率の中心値
    を周囲温度の変動に拘らず該受光素子のその温度
    における最適増倍率に保つようにしたことを特徴
    とする温度補償方式。
JP56101058A 1981-06-29 1981-06-29 温度補償方式 Granted JPS583337A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56101058A JPS583337A (ja) 1981-06-29 1981-06-29 温度補償方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56101058A JPS583337A (ja) 1981-06-29 1981-06-29 温度補償方式

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS583337A JPS583337A (ja) 1983-01-10
JPS6362140B2 true JPS6362140B2 (ja) 1988-12-01

Family

ID=14290508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56101058A Granted JPS583337A (ja) 1981-06-29 1981-06-29 温度補償方式

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS583337A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0370223A (ja) * 1989-08-09 1991-03-26 Fujitsu Ltd 受光回路の最低受光レベル安定化方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS583337A (ja) 1983-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4623786A (en) Transimpedance amplifier with overload protection
US4353037A (en) Amplifier protection circuit
JP2948054B2 (ja) 送受信機
US4096382A (en) Photo-current log-compression circuit
US7057423B2 (en) Current-voltage transforming circuit employing limiter circuit
US4115741A (en) Fast attack automatic gain control circuit
JPS6234169B2 (ja)
JPS6362140B2 (ja)
US4642453A (en) Apparatus for increasing the dynamic range in an integrating optoelectric receiver
JPH0314244B2 (ja)
JPH0222873A (ja) アバランシエホトダイオードのバイアス回路の温度補償回路
JPH04265004A (ja) Apdバイアス電圧制御回路
JP3047525B2 (ja) アバランシェフォトダイオードのバイアス回路
JP2536412B2 (ja) 光agc回路
JPS6146075B2 (ja)
JP2953799B2 (ja) 光受信回路
JPS6048609A (ja) 自動レベル調整回路
US4205275A (en) Method and apparatus of controlling bias voltage in regulating amplifiers
JP3761298B2 (ja) 受光回路
JP2848495B2 (ja) 光受信器
JPH03106133A (ja) 光送信回路
JPH07183752A (ja) 可変減衰器
JPH05129706A (ja) 半導体レーザ駆動制御回路
JPS62120134A (ja) 光信号受信回路
JPH03106134A (ja) 光送信回路