JPH03106134A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
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- JPH03106134A JPH03106134A JP1244212A JP24421289A JPH03106134A JP H03106134 A JPH03106134 A JP H03106134A JP 1244212 A JP1244212 A JP 1244212A JP 24421289 A JP24421289 A JP 24421289A JP H03106134 A JPH03106134 A JP H03106134A
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- Japan
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- laser diode
- signal
- circuit
- output
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 95
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオードを発光素子として用いること
により電気信号を光信号に変換して光伝送路へ送出する
光送信回路に関し、特にレーザダイオードの光出力をほ
ぼ一定に保つようにした光送信回路に関する。
により電気信号を光信号に変換して光伝送路へ送出する
光送信回路に関し、特にレーザダイオードの光出力をほ
ぼ一定に保つようにした光送信回路に関する。
従来の光送信回路のブロック図を第６図に示す．第６図
で、入力端子１には所要の信号レベルの電気信号が入力
されコンデンサ３を介してレーザダイオード４の一端に
印加される。
で、入力端子１には所要の信号レベルの電気信号が入力
されコンデンサ３を介してレーザダイオード４の一端に
印加される。
一方、バイアス電流駆動回路５で発生するバイアス電流
はレーザダイオード４の一端に供給される．レーザダイ
オード４の光出力は、光伝送路６へ送出されると共にそ
の一部の光出力は太陽電池などの光検出素子７で検出さ
れ光検出回路８で反転増幅されて制御信号となる。この
制御信号はバイアス電流駆動回路５のバイアス電流を制
御することによりレーザダイオード４の光出力をほぼ一
定に保っている。
はレーザダイオード４の一端に供給される．レーザダイ
オード４の光出力は、光伝送路６へ送出されると共にそ
の一部の光出力は太陽電池などの光検出素子７で検出さ
れ光検出回路８で反転増幅されて制御信号となる。この
制御信号はバイアス電流駆動回路５のバイアス電流を制
御することによりレーザダイオード４の光出力をほぼ一
定に保っている。
このバイアス電流駆動回路５の具体例を示す回路図は、
第７図に示すように入力抵抗４０，ツェナーダイオード
４１，ダーリントン接続したトランジスタ４２．４３お
よび負荷抵抗４４からなる。光検出回路８からの制御信
号は入力抵抗４０を介してダーリントン接続したトラン
ジスタ４２のベースに印加されており、この両トランジ
スタ４２．４３のエミッタ側の負荷抵抗４４を介して電
源電圧ＶＣＣが供給されることで、トランジスタ４３の
コレクタ側からレーザダイオード４のバイアス電流を発
生させる。なお、ツエナーダイオード４１はツエナ電圧
以上になるとバイアス電流を制限値ＩＬに制限する。従
って、過電流のバイアス電流を防止してレーザダイオー
ド４の破壊を防止する。
第７図に示すように入力抵抗４０，ツェナーダイオード
４１，ダーリントン接続したトランジスタ４２．４３お
よび負荷抵抗４４からなる。光検出回路８からの制御信
号は入力抵抗４０を介してダーリントン接続したトラン
ジスタ４２のベースに印加されており、この両トランジ
スタ４２．４３のエミッタ側の負荷抵抗４４を介して電
源電圧ＶＣＣが供給されることで、トランジスタ４３の
コレクタ側からレーザダイオード４のバイアス電流を発
生させる。なお、ツエナーダイオード４１はツエナ電圧
以上になるとバイアス電流を制限値ＩＬに制限する。従
って、過電流のバイアス電流を防止してレーザダイオー
ド４の破壊を防止する。
レーザダイオード４の光出力Ｐを温度変動に対してほぼ
一定に保つためには、温度Ｔの高低に応じてバイアス電
流■を増減する必要がある。第８図は温度Ｔに対するバ
イアス電流Ｉと光出力Ｐとの関係を示す特性図である．
バイアス電流工の制限値工，に対応した温度ＴＬ以下の
温度が所要温度範囲に設定される。この所要温度範囲で
、例えば温度がＴ１ （低）からＴ２（高）へ上昇する
際、光出力Ｐをほぼ一定のＰｌに保つためにバイアス電
流工はＩ！ （小）からＴ２（大〉へ増大する。なお、
温度ＴＬ以上になるとバイアス電流ＩがＩＬに制限され
るので光出力Ｐは低下し始める． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述したように、レーザダイオードを用いる従来の光送
信回路は所要温度範囲で光出力Ｐをほぼ一定に保つよう
なＡ Ｌ Ｃ （ Ａｕｔｏ Ｌｅｖｅｌ Ｃｏｎｔｒ
ｏｌ）機能を持たせている。
一定に保つためには、温度Ｔの高低に応じてバイアス電
流■を増減する必要がある。第８図は温度Ｔに対するバ
イアス電流Ｉと光出力Ｐとの関係を示す特性図である．
バイアス電流工の制限値工，に対応した温度ＴＬ以下の
温度が所要温度範囲に設定される。この所要温度範囲で
、例えば温度がＴ１ （低）からＴ２（高）へ上昇する
際、光出力Ｐをほぼ一定のＰｌに保つためにバイアス電
流工はＩ！ （小）からＴ２（大〉へ増大する。なお、
温度ＴＬ以上になるとバイアス電流ＩがＩＬに制限され
るので光出力Ｐは低下し始める． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述したように、レーザダイオードを用いる従来の光送
信回路は所要温度範囲で光出力Ｐをほぼ一定に保つよう
なＡ Ｌ Ｃ （ Ａｕｔｏ Ｌｅｖｅｌ Ｃｏｎｔｒ
ｏｌ）機能を持たせている。
しかしながら、レーザダイオードは電気信号の入力レベ
ルｉＥに対する光信号の出力レベルＰ、すなわち光変調
感度ｇ（；Ｐ／ｉＥ）が温度変動に伴って変化する。第
９図は、従来の電気信号／光信号変換の関係を示すため
のレーザダイオード４の光出力Ｐの特性図である。温度
Ｔ１ （低）のとき、バイアス電流■は■１で光出力Ｐ
１が得られ、電気信号は入力レベルｉＥで変調すると光
信号の出力レベルＰ１が得られる。一方、温度Ｔ２（高
）のとき、バイアス電流工は■２で光出力Ｐ１が得られ
、電気信号は入力レベルｉεで変調すると光信号の出力
レベルＰ２ （Ｐ２ ＜Ｐ）だけしか得られない。
ルｉＥに対する光信号の出力レベルＰ、すなわち光変調
感度ｇ（；Ｐ／ｉＥ）が温度変動に伴って変化する。第
９図は、従来の電気信号／光信号変換の関係を示すため
のレーザダイオード４の光出力Ｐの特性図である。温度
Ｔ１ （低）のとき、バイアス電流■は■１で光出力Ｐ
１が得られ、電気信号は入力レベルｉＥで変調すると光
信号の出力レベルＰ１が得られる。一方、温度Ｔ２（高
）のとき、バイアス電流工は■２で光出力Ｐ１が得られ
、電気信号は入力レベルｉεで変調すると光信号の出力
レベルＰ２ （Ｐ２ ＜Ｐ）だけしか得られない。
つまり、光出力の平均電力は所要温度範囲で一定であっ
ても、光信号の出力レベルは温度上昇と共に劣化してし
まうという欠点がある。従って、とりわけアナログ光通
信では光伝送路を経由した複数の光受信回路は必ず各々
にＡ Ｇ Ｃ （ Ａｕｔｏ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌ）回路を備えなければならない必要性が生じた。また
、光受信回路では各々にＡ Ｇ Ｃ回路を備えたとして
も、光送信回路側の温度上昇時には相対的に光変調感度
の低い光信号が送信されており、光伝送路および光受信
回路では雑音が重畳されるわけでＣ／Ｎ比劣化の改善は
困難になるという欠点があった。
ても、光信号の出力レベルは温度上昇と共に劣化してし
まうという欠点がある。従って、とりわけアナログ光通
信では光伝送路を経由した複数の光受信回路は必ず各々
にＡ Ｇ Ｃ （ Ａｕｔｏ Ｇａｉｎ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌ）回路を備えなければならない必要性が生じた。また
、光受信回路では各々にＡ Ｇ Ｃ回路を備えたとして
も、光送信回路側の温度上昇時には相対的に光変調感度
の低い光信号が送信されており、光伝送路および光受信
回路では雑音が重畳されるわけでＣ／Ｎ比劣化の改善は
困難になるという欠点があった。
本発明は、レーザダイオードにより電気信号を光信号に
変換して光伝送路へ送出する光送信回路において、レー
ザダイオードと、レーザダイオードの光出力の一部を検
出し符号反転させた制御信号を取り出す光検出回路と、
この制御信号に応じてバイアス電流を発生するバイアス
電流駆動回路と、この制御信号に応じて電気信号の振幅
レベルを可変する利得制御増幅回路と、この利得制御回
路とレーザダイオードとを接続するコンデンサとを少く
とも有し、レーザダイオードに供給する電気信号の入力
レベルをレーザダイオードの電気信号に対する光信号の
光変調感度特性の逆特性に追従させることを特徴とする
横戒になっている。
変換して光伝送路へ送出する光送信回路において、レー
ザダイオードと、レーザダイオードの光出力の一部を検
出し符号反転させた制御信号を取り出す光検出回路と、
この制御信号に応じてバイアス電流を発生するバイアス
電流駆動回路と、この制御信号に応じて電気信号の振幅
レベルを可変する利得制御増幅回路と、この利得制御回
路とレーザダイオードとを接続するコンデンサとを少く
とも有し、レーザダイオードに供給する電気信号の入力
レベルをレーザダイオードの電気信号に対する光信号の
光変調感度特性の逆特性に追従させることを特徴とする
横戒になっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の光送信回路のブロック図を示す。第１図にお
いて、入力端子１に入力された所要の信号レベルの電気
信号は、利得制御増幅回路２およびコンデンサ３を介し
てレーザダイオード４の一端に印加される。また、バイ
アス電流駆動回路５で発生するバイアス電流も利得制御
増幅回路の出力信号と同じくレーザダイオード４の一端
に供給される。レーザダイオード４の光出力は光伝送路
６へ送出されると共にその一部の光出力は太陽電池など
の光検出素子７で検出され光検出回路８で反転増幅され
て制御信号となる。この制御信号により、バイアス電流
を制御してレーザダイオード４の光出力をほぼ一定に保
つと共に、利得制御増幅回路２の利得を制御することに
よってレーザダイオード４の光変調感度の温度変化に対
しても光信号の出力レベルがほぼ一定に保つ機能を付加
している。
は本発明の光送信回路のブロック図を示す。第１図にお
いて、入力端子１に入力された所要の信号レベルの電気
信号は、利得制御増幅回路２およびコンデンサ３を介し
てレーザダイオード４の一端に印加される。また、バイ
アス電流駆動回路５で発生するバイアス電流も利得制御
増幅回路の出力信号と同じくレーザダイオード４の一端
に供給される。レーザダイオード４の光出力は光伝送路
６へ送出されると共にその一部の光出力は太陽電池など
の光検出素子７で検出され光検出回路８で反転増幅され
て制御信号となる。この制御信号により、バイアス電流
を制御してレーザダイオード４の光出力をほぼ一定に保
つと共に、利得制御増幅回路２の利得を制御することに
よってレーザダイオード４の光変調感度の温度変化に対
しても光信号の出力レベルがほぼ一定に保つ機能を付加
している。
なお、従来の光送信回路において同じ椙或要素について
は本発明においても同じ名称および符号番号を用いてい
る。
は本発明においても同じ名称および符号番号を用いてい
る。
第２図は本発明の構成要素となる利得制御増幅回路の具
体例を示す回路図である。本実施例で用いた利得制御増
幅回路は、ＦＥＴＩＯ，抵抗１１．１３および演算増幅
器１２からなる．前述した光検出回路８の制御信号はＦ
ＥＴＩＯのゲート（Ｇ）へ印加され、ＦＴＥ １ ０の
ドレイン（Ｄ）一ソース（Ｓ）間オン抵抗値を変化させ
る。このＦＥＴＩＯのドレイン（Ｄ）一ソース（Ｓ）間
には抵抗１１が並列接続されており、ＦＥＴＩＯのドレ
イン（Ｄ）一ソース（Ｓ）間オン抵抗と抵抗１１との並
列抵抗が演算増幅器ｌ２の入力抵抗Ｒｌｎになる。そこ
で演算増幅器１２の利得ＧはＧ＝２０＆ｏｇ （１−ｔ
−Ｒｒ ／Ｒ＋ｎ）［ｄＢ］で与えられ、入力した電気
信号は制御信号に基いて利得制御された電気信号に変換
される。従って、レーザダイオード４の光変調感度の変
動特性を補償してほぼ一定の光信号の出力レベルが得ら
れるように改善される。
体例を示す回路図である。本実施例で用いた利得制御増
幅回路は、ＦＥＴＩＯ，抵抗１１．１３および演算増幅
器１２からなる．前述した光検出回路８の制御信号はＦ
ＥＴＩＯのゲート（Ｇ）へ印加され、ＦＴＥ １ ０の
ドレイン（Ｄ）一ソース（Ｓ）間オン抵抗値を変化させ
る。このＦＥＴＩＯのドレイン（Ｄ）一ソース（Ｓ）間
には抵抗１１が並列接続されており、ＦＥＴＩＯのドレ
イン（Ｄ）一ソース（Ｓ）間オン抵抗と抵抗１１との並
列抵抗が演算増幅器ｌ２の入力抵抗Ｒｌｎになる。そこ
で演算増幅器１２の利得ＧはＧ＝２０＆ｏｇ （１−ｔ
−Ｒｒ ／Ｒ＋ｎ）［ｄＢ］で与えられ、入力した電気
信号は制御信号に基いて利得制御された電気信号に変換
される。従って、レーザダイオード４の光変調感度の変
動特性を補償してほぼ一定の光信号の出力レベルが得ら
れるように改善される。
第３図は本発明の構成要素となる利得制御回路の第２の
具体例を示す回路図である。第３図では第２図と同じ横
或要素については同じ名称および符号番号を用いている
。第３図では前述した光検出回路８の制御信号は負荷の
抵抗１４を介して光アナログカプラ１５の発光素子に印
加され、光結合された光アナログカプラ１５の受光素子
の抵抗値を可変させる。この光アナログカブラｌ５の受
光素子は抵抗１１と並列接続されており、光アナログカ
ブラ１５の受光素子と抵抗１１との並列抵抗が演算増幅
器１２の入力抵抗ＲＩｎになる。従ってこの具体例で演
算増幅器１２の利得ＧはＧ一２（１’ｏｇ （１＋Ｒｒ
／Ｒｔｆｉ）［ｄＢ］で与えられ、入力した電気信号
は制御信号に基いて利得制御された電気信号に変換され
る．この実施例では、電気信号は制御信号とは電気的に
アイソレーションが保たれており電位差を合わせなくて
よいという利点がある。
具体例を示す回路図である。第３図では第２図と同じ横
或要素については同じ名称および符号番号を用いている
。第３図では前述した光検出回路８の制御信号は負荷の
抵抗１４を介して光アナログカプラ１５の発光素子に印
加され、光結合された光アナログカプラ１５の受光素子
の抵抗値を可変させる。この光アナログカブラｌ５の受
光素子は抵抗１１と並列接続されており、光アナログカ
ブラ１５の受光素子と抵抗１１との並列抵抗が演算増幅
器１２の入力抵抗ＲＩｎになる。従ってこの具体例で演
算増幅器１２の利得ＧはＧ一２（１’ｏｇ （１＋Ｒｒ
／Ｒｔｆｉ）［ｄＢ］で与えられ、入力した電気信号
は制御信号に基いて利得制御された電気信号に変換され
る．この実施例では、電気信号は制御信号とは電気的に
アイソレーションが保たれており電位差を合わせなくて
よいという利点がある。
以上の説明では太陽電池などの光検出素子７を用い光出
力の直流或分を検出して得られる制御信号を利用してい
たが、フォトダイオードなどの光検出素子を用い、光出
力をピーク検波して得られる制御信号でもよい。第４図
に本発明の構成要素となるピーク検波光検出回路の一実
施例を示す。
力の直流或分を検出して得られる制御信号を利用してい
たが、フォトダイオードなどの光検出素子を用い、光出
力をピーク検波して得られる制御信号でもよい。第４図
に本発明の構成要素となるピーク検波光検出回路の一実
施例を示す。
レーザダイオード４からの光出力の一部はフォトダイオ
ードなどのへ光検出素子２０で電気信号に変換され、抵
抗２１．２２および演算増幅器２３とにより反転増幅さ
れ、段間の抵抗２４を経てダイオード２５．２６および
負荷の抵抗２７．２８とによりピーク検波される。ピー
ク検波された電気信号は抵抗２９．３０および演算増幅
器３１によりさらに増幅されて制御信号となる。この場
合、制御信号には直流戒分の他に電気信号の高周波成分
が含まれるために応答速度が速い制御を行うことができ
る利点がある。
ードなどのへ光検出素子２０で電気信号に変換され、抵
抗２１．２２および演算増幅器２３とにより反転増幅さ
れ、段間の抵抗２４を経てダイオード２５．２６および
負荷の抵抗２７．２８とによりピーク検波される。ピー
ク検波された電気信号は抵抗２９．３０および演算増幅
器３１によりさらに増幅されて制御信号となる。この場
合、制御信号には直流戒分の他に電気信号の高周波成分
が含まれるために応答速度が速い制御を行うことができ
る利点がある。
なお、光出力の直流成分からレーザダイオード４のバイ
アス電流を制御する制御信号と、光出力の電気信号成分
から利得制御増幅回路２の利得を制御する制御信号とを
各々分離して出力するように構成できるのは言うまでも
ない。
アス電流を制御する制御信号と、光出力の電気信号成分
から利得制御増幅回路２の利得を制御する制御信号とを
各々分離して出力するように構成できるのは言うまでも
ない。
第５図は本発明により利得制御した電気信号／光信号変
換の関係を示すためのレーザダイオード４の光出力Ｐの
特性図である。利得制御された電気信号は、例えば温度
Ｔ２（高）の場合のレベルｉＥ′２が温度Ｔｔ（−低）
の場合のレベルｉＥ′１より増大されており、温度上昇
で光変調感度が劣化しても光信号の出力レベルｐ２，ｐ
１はほぼ等しくすることができる。
換の関係を示すためのレーザダイオード４の光出力Ｐの
特性図である。利得制御された電気信号は、例えば温度
Ｔ２（高）の場合のレベルｉＥ′２が温度Ｔｔ（−低）
の場合のレベルｉＥ′１より増大されており、温度上昇
で光変調感度が劣化しても光信号の出力レベルｐ２，ｐ
１はほぼ等しくすることができる。
以上説明したように本発明の光送信回路は、レーザダイ
オード４に供給する電気信号の入力レベルをレーザダイ
オード４の電気信号に対する光信号の光変調感度特性の
逆特性に追従するようにしたことにより光信号の出力レ
ベルをほぼ一定に保つことができる効果がある。すなわ
ち、光送信側で光変調度を安定化できることになり、光
伝送路を経た光受信側ではより安定した電気信号のＣ／
Ｎ比を得ることができるという利点がある。
オード４に供給する電気信号の入力レベルをレーザダイ
オード４の電気信号に対する光信号の光変調感度特性の
逆特性に追従するようにしたことにより光信号の出力レ
ベルをほぼ一定に保つことができる効果がある。すなわ
ち、光送信側で光変調度を安定化できることになり、光
伝送路を経た光受信側ではより安定した電気信号のＣ／
Ｎ比を得ることができるという利点がある。
例えば、ＩｎＧａＡｓＰダブルへテロ接合形レーザダイ
オード（発光波長１３１０ｎｍ）の代表データの場合、
光出力Ｐｏ＝４ｍＷの一定出力を得るのに温度Ｔ１＝５
゜Ｃでバイアス電流Ｉ．＝２７ｍＡ，温度Ｔ２＝７０℃
でバイアス電流Ｉ２５３ｍＡを要し、温度Ｔ，＝５゜Ｃ
のとき光変調感度ｇｌ ’＝Ｏｊ４（ｍｗ／ｍＡ） 、
温度Ｔ２＝７０℃のとき光変調感度ｇ２＝０．２４（ｍ
Ｗ／ｍＡ）である。よってこの場合電流レベルでのＣ／
Ｎ比は約３ｄＢの劣化分を改善補償できる効果がある。
オード（発光波長１３１０ｎｍ）の代表データの場合、
光出力Ｐｏ＝４ｍＷの一定出力を得るのに温度Ｔ１＝５
゜Ｃでバイアス電流Ｉ．＝２７ｍＡ，温度Ｔ２＝７０℃
でバイアス電流Ｉ２５３ｍＡを要し、温度Ｔ，＝５゜Ｃ
のとき光変調感度ｇｌ ’＝Ｏｊ４（ｍｗ／ｍＡ） 、
温度Ｔ２＝７０℃のとき光変調感度ｇ２＝０．２４（ｍ
Ｗ／ｍＡ）である。よってこの場合電流レベルでのＣ／
Ｎ比は約３ｄＢの劣化分を改善補償できる効果がある。
第１図は本発明の光送信回路のブロック図、第２図は本
発明の構成要素となる利得制御回路の具体例を示す回路
図、第３図は本発明の楕戒要素となる利得制御回路の第
２の具体例を示す回路図、第４図は本発明の構成要素と
なるピーク検波光検出回路の一実施例を示す回路図、第
５図は利得制御した電気信号／光信号変換の関係を示す
ためのレーザダイオード４の光出力Ｐの特性図、第６図
は従来の光送信回路のブロック、第７図はバイアス電流
駆動回路５の具体例を示す回路図、第８図は温度Ｔに対
するバイアス電流Ｉと光出力Ｐとの関係を示す特性図、
第９図は従来の電気信号／光信号変換の関係を示すため
のレーザダイオード４の光出力Ｐの特性図である。 １・・・入力端子、２・・・利得制御増幅回路、３・・
・コンデンサ、４・・・レーザダイオード、５・・・バ
イアス電流駆動回路、６・・・光伝送路、７・・・太陽
電池などの光検出素子、８・・・光検出回路、１０・・
・ＦＥＴ、１１．１３，１４．２１，２２．２４．２７
，２８，２９．３０，４０．４４・・・抵抗、１２，２
３．３１・・・演算増幅器、１５・・・光アナログカプ
ラ、２０・・・フォトダイオードなどの光検出素子、２
５．２６・・・ダイオード、４１・・・ツエナーダイオ
ード、４２．４３・・・トランジスタ。 第 １ 図
発明の構成要素となる利得制御回路の具体例を示す回路
図、第３図は本発明の楕戒要素となる利得制御回路の第
２の具体例を示す回路図、第４図は本発明の構成要素と
なるピーク検波光検出回路の一実施例を示す回路図、第
５図は利得制御した電気信号／光信号変換の関係を示す
ためのレーザダイオード４の光出力Ｐの特性図、第６図
は従来の光送信回路のブロック、第７図はバイアス電流
駆動回路５の具体例を示す回路図、第８図は温度Ｔに対
するバイアス電流Ｉと光出力Ｐとの関係を示す特性図、
第９図は従来の電気信号／光信号変換の関係を示すため
のレーザダイオード４の光出力Ｐの特性図である。 １・・・入力端子、２・・・利得制御増幅回路、３・・
・コンデンサ、４・・・レーザダイオード、５・・・バ
イアス電流駆動回路、６・・・光伝送路、７・・・太陽
電池などの光検出素子、８・・・光検出回路、１０・・
・ＦＥＴ、１１．１３，１４．２１，２２．２４．２７
，２８，２９．３０，４０．４４・・・抵抗、１２，２
３．３１・・・演算増幅器、１５・・・光アナログカプ
ラ、２０・・・フォトダイオードなどの光検出素子、２
５．２６・・・ダイオード、４１・・・ツエナーダイオ
ード、４２．４３・・・トランジスタ。 第 １ 図
Claims (1)
- レーザダイオードと、前記レーザダイオードの光出力の
一部を検出し符号反転させた制御信号を取り出す光検出
回路と、前記制御信号に応じてバイアス電流を発生する
バイアス電流駆動回路と、前記制御信号に応じて前記電
気信号の振幅レベルを前記レーザダイオードの前記電気
信号に対する前記光信号の光変調感度特性の逆特性に追
従して変化させる利得制御増幅回路と、該利得制御増幅
回路と前記レーザダイオードとを接続するコンデンサと
を少くとも有することを特徴とする光送信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244212A JPH03106134A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244212A JPH03106134A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光送信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106134A true JPH03106134A (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=17115422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244212A Pending JPH03106134A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光送信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03106134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956880B2 (en) | 2001-12-06 | 2005-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1244212A patent/JPH03106134A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956880B2 (en) | 2001-12-06 | 2005-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module |
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