JPS6360516A - 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法Info
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- JPS6360516A JPS6360516A JP20627186A JP20627186A JPS6360516A JP S6360516 A JPS6360516 A JP S6360516A JP 20627186 A JP20627186 A JP 20627186A JP 20627186 A JP20627186 A JP 20627186A JP S6360516 A JPS6360516 A JP S6360516A
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法、特に化
成電圧が200v以上の化成を行なう場合に好適な化成
方法に関する。
成電圧が200v以上の化成を行なう場合に好適な化成
方法に関する。
(従来の技術)
電解コンデンサ用アルミ箔の化成に用いる給電手段とし
ては、コンタクトローラにアルミ箔を接触させて給電す
る手段を用いていたが、アルミ箔とコンタクトローラと
の間で火花を生じたり、ローラの汚損のため絶えず研摩
しなければならない問題点があった。このため最近では
、これらの欠点を除去できる液中給電法が用いられ、特
に200V以上の化成においては電力削減と高静電容量
を得るため、種々の化成方法が知られている。すなわち
特開昭61−37977号公報には擬似ベーマイト層を
形成したのち給電槽−化成槽の順にアルミ箔を走行させ
て化成する技術が記載されている。この化成方法では、
給電槽で逆電処理による皮膜が形成されたり、アルミ箔
に水素が吸蔵れたゆするため、静電容量が低くなり、ア
ルミ箔が脆くなったりする問題点が生じていた。また該
公報に記載された参考例のように給電槽−擬似ベーマイ
ト生成槽−化成槽の順で化成を行なった場合は、給電槽
を最初に設けたことによりアルミ箔に逆電圧が印加され
ることになって皮膜が形成されるので、擬似ベーマイト
槽が生成できにくくなる。
ては、コンタクトローラにアルミ箔を接触させて給電す
る手段を用いていたが、アルミ箔とコンタクトローラと
の間で火花を生じたり、ローラの汚損のため絶えず研摩
しなければならない問題点があった。このため最近では
、これらの欠点を除去できる液中給電法が用いられ、特
に200V以上の化成においては電力削減と高静電容量
を得るため、種々の化成方法が知られている。すなわち
特開昭61−37977号公報には擬似ベーマイト層を
形成したのち給電槽−化成槽の順にアルミ箔を走行させ
て化成する技術が記載されている。この化成方法では、
給電槽で逆電処理による皮膜が形成されたり、アルミ箔
に水素が吸蔵れたゆするため、静電容量が低くなり、ア
ルミ箔が脆くなったりする問題点が生じていた。また該
公報に記載された参考例のように給電槽−擬似ベーマイ
ト生成槽−化成槽の順で化成を行なった場合は、給電槽
を最初に設けたことによりアルミ箔に逆電圧が印加され
ることになって皮膜が形成されるので、擬似ベーマイト
槽が生成できにくくなる。
この結果、高静電容量や電力削減などの効果が得られな
い問題がある。また他の参考例の如く、擬似ベーマイト
生成槽−化成槽−給電槽の順で化成を行なった場合は給
電槽を最後に位置させたことによりアルミ箔にすでに生
成されている化成皮膜のために抵抗値が大となって電力
損を生じ、皮膜特性が悪くなる欠点があった。
い問題がある。また他の参考例の如く、擬似ベーマイト
生成槽−化成槽−給電槽の順で化成を行なった場合は給
電槽を最後に位置させたことによりアルミ箔にすでに生
成されている化成皮膜のために抵抗値が大となって電力
損を生じ、皮膜特性が悪くなる欠点があった。
〈発明が解決しようとする問題点)
上記した如く、液中給電法を使用した化成方法において
は大ぎな静電容量が得られなかったり、アルミ箔が脆く
なったり、あるいは電力量の削減が小さいなどの欠点が
あり、これらを解決する手段が見出されていなかった。
は大ぎな静電容量が得られなかったり、アルミ箔が脆く
なったり、あるいは電力量の削減が小さいなどの欠点が
あり、これらを解決する手段が見出されていなかった。
本発明は、以上の欠点を除去するもので大きな静電容量
と電力ロ削減が得られ、アルミ箔が脆くなることがない
電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法を提供しようとす
るものである。
と電力ロ削減が得られ、アルミ箔が脆くなることがない
電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法を提供しようとす
るものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明になる電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法では
、純水ホイル処理による擬似ベーマイト層を形成する工
程→10〜i oovの範囲の化成を行なう第1化成→
給電椿→第2化成槽を行なうものである。
、純水ホイル処理による擬似ベーマイト層を形成する工
程→10〜i oovの範囲の化成を行なう第1化成→
給電椿→第2化成槽を行なうものである。
(作用)
本発明のffl!コンデンサ用アルミ箔の化成方法は、
擬似ベーマイト層を形成させたのら、10〜i oov
の低電圧化成を行なうが、アルミ箔はこの第1化成によ
って比較的低抵抗の状態で給MWIに入ったのち、順次
化成されるので電力量が削減でき、大きな静電容量が得
られるとともに、アルミ箔も水素を吸蔵することがない
ので強度の向上にも寄与できるものである。
擬似ベーマイト層を形成させたのら、10〜i oov
の低電圧化成を行なうが、アルミ箔はこの第1化成によ
って比較的低抵抗の状態で給MWIに入ったのち、順次
化成されるので電力量が削減でき、大きな静電容量が得
られるとともに、アルミ箔も水素を吸蔵することがない
ので強度の向上にも寄与できるものである。
(実施例)
エツチング処理済のアルミ箔を純水ホイル処理を5分間
行なって擬似ベーマイト層を形成させたのち10Vおよ
び100Vの化成電圧で第1化成を行ない、次いで給電
槽−第2化成槽の順にアルミ箔を走行させて260v化
成を行なった場合の第1化成電圧と得られた静電容量お
よび沸騰水中10分間放置後のV−I特性R柊到達電圧
との関係を表に示す。なお、前記最終到達電圧は化成済
アルミ箔の放置特性を見るための促准試験として行なっ
たものである。そして従来例1は前記特開昭61−37
977号記載の擬似ベーマイト生成槽−給電槽−化成槽
の順で化成したもの、従来例2は前記特開昭61−37
977号に記載された参考例の給電槽−擬似ベーマイト
生成槽−化成槽の順で化成したもの、従来例3は同じく
擬似ベーマイト生成槽−化成槽−給電槽の順で化成した
もの、参考例は本発明と同じ工程順で化成を行なうが、
第1化成電圧が150Vの場合を示すものである。
行なって擬似ベーマイト層を形成させたのち10Vおよ
び100Vの化成電圧で第1化成を行ない、次いで給電
槽−第2化成槽の順にアルミ箔を走行させて260v化
成を行なった場合の第1化成電圧と得られた静電容量お
よび沸騰水中10分間放置後のV−I特性R柊到達電圧
との関係を表に示す。なお、前記最終到達電圧は化成済
アルミ箔の放置特性を見るための促准試験として行なっ
たものである。そして従来例1は前記特開昭61−37
977号記載の擬似ベーマイト生成槽−給電槽−化成槽
の順で化成したもの、従来例2は前記特開昭61−37
977号に記載された参考例の給電槽−擬似ベーマイト
生成槽−化成槽の順で化成したもの、従来例3は同じく
擬似ベーマイト生成槽−化成槽−給電槽の順で化成した
もの、参考例は本発明と同じ工程順で化成を行なうが、
第1化成電圧が150Vの場合を示すものである。
以 下 余 白
表の結果から明らかなように擬似ベーマイト生成槽や給
電槽を先に位置させ化成槽を後とした従来例1や2では
静電容量が小さく、特に給電槽を擬似ベーマイト生成槽
の前に位置させた従来例2では擬似ベーマイト皮膜がT
分に形成されないための影響として静電容量が低下する
のである。また、第1化成槽を設けず直接260Vの所
定電圧を印加した従来例3ではV−1特性が著しく低い
。そして本発明と同じ工程を採るが第1化成電圧を15
0■とした参考例ではV−1特性値が低い欠点を生じた
。これに対して、本発明の実流例では静電容ffi、V
−1特性とも良好な値を得ることができた。
電槽を先に位置させ化成槽を後とした従来例1や2では
静電容量が小さく、特に給電槽を擬似ベーマイト生成槽
の前に位置させた従来例2では擬似ベーマイト皮膜がT
分に形成されないための影響として静電容量が低下する
のである。また、第1化成槽を設けず直接260Vの所
定電圧を印加した従来例3ではV−1特性が著しく低い
。そして本発明と同じ工程を採るが第1化成電圧を15
0■とした参考例ではV−1特性値が低い欠点を生じた
。これに対して、本発明の実流例では静電容ffi、V
−1特性とも良好な値を得ることができた。
次に水素の吸蔵についての実施例を示す。本発明の実施
例3および従来例1について水素膜a量の比較を図面に
示す。なお化成電圧は260V、給電はIOA/dTI
t−5分間、擬似ベーマイト層形成は沸騰水中5分間で
あり、実施例における第1化成電圧は50Vの条件で化
成したものである。これによれば従来例1の化成後にお
けるアルミ箔の重量増加は給電液温度によって差はある
ものの、2〜3倍に遅しているが、本実施例の場合は給
電槽に入る前に第1化成によって保護皮膜が形成されて
いるので、水素の吸蔵を防止できるためである。なJ3
、実施例では260■化成を1槽のみで行うものとして
述べたが、これを第2化成槽として、必要に応じ徐々に
化成電圧を上昇させるn化成工程としてもよい。
例3および従来例1について水素膜a量の比較を図面に
示す。なお化成電圧は260V、給電はIOA/dTI
t−5分間、擬似ベーマイト層形成は沸騰水中5分間で
あり、実施例における第1化成電圧は50Vの条件で化
成したものである。これによれば従来例1の化成後にお
けるアルミ箔の重量増加は給電液温度によって差はある
ものの、2〜3倍に遅しているが、本実施例の場合は給
電槽に入る前に第1化成によって保護皮膜が形成されて
いるので、水素の吸蔵を防止できるためである。なJ3
、実施例では260■化成を1槽のみで行うものとして
述べたが、これを第2化成槽として、必要に応じ徐々に
化成電圧を上昇させるn化成工程としてもよい。
[発明の効果]
以上述べたように本発明になる化成方法を用いれば、静
電容量が大で放置劣化が小さく、水素吸1g1ffiが
少ないなどの優れた特性を有する化成済電解コンデンサ
用アルミ箔を得ることができる。
電容量が大で放置劣化が小さく、水素吸1g1ffiが
少ないなどの優れた特性を有する化成済電解コンデンサ
用アルミ箔を得ることができる。
図面は給電液温度とアルミ箔の重量増加を示す曲線図で
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社
ある。 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社
Claims (1)
- (1)200V以上の化成を行なう電解コンデンサ用ア
ルミ箔の化成方法において、純水ホイル処理による擬似
ベーマイト層を形成させる工程−10〜100Vの範囲
の化成電圧を印加する第1化成工程−給電槽−第2化成
工程を有することを特徴とする電解コンデンサ用アルミ
箔の化成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20627186A JPS6360516A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20627186A JPS6360516A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6360516A true JPS6360516A (ja) | 1988-03-16 |
JPH0381292B2 JPH0381292B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=16520561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20627186A Granted JPS6360516A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6360516A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140811A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | マルコン電子株式会社 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法および化成装置 |
JPS6137977A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-22 | Marcon Electronics Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20627186A patent/JPS6360516A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140811A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | マルコン電子株式会社 | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法および化成装置 |
JPS6137977A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-22 | Marcon Electronics Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0381292B2 (ja) | 1991-12-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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