JPS6359530B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6359530B2
JPS6359530B2 JP58032908A JP3290883A JPS6359530B2 JP S6359530 B2 JPS6359530 B2 JP S6359530B2 JP 58032908 A JP58032908 A JP 58032908A JP 3290883 A JP3290883 A JP 3290883A JP S6359530 B2 JPS6359530 B2 JP S6359530B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
light irradiation
heating
holding
holding part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58032908A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59158952A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP58032908A priority Critical patent/JPS59158952A/ja
Publication of JPS59158952A publication Critical patent/JPS59158952A/ja
Publication of JPS6359530B2 publication Critical patent/JPS6359530B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D11/00Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
    • F27D11/02Ohmic resistance heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光照射加熱装置に関するものである。
一般に光照射加熱装置は種々の分野に用いられ
ている。例えばランプよりの放射光を被処理物に
照射して当該被処理物を加熱する装置として、鋼
材等の熱処理及び乾燥、プラスチツク成型、熱特
性試験装置等に利用されている。特に最近におい
ては、半導体の製造における加熱が必要とされる
工程、例えば不純物拡散工程、化学的気相成長工
程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工程、電
気的活性化のための熱処理工程、更にはシリコン
ウエハーの表層を窒化若しくは酸化せしめるため
の熱処理工程を遂行する場合の加熱手段として、
従来から用いられている電気炉、高周波炉等に代
わつて、その利用が検討されている。これは、光
照射による加熱においては、 1 ランプ自体の熱容量が極めて小さいため、加
熱温度の急速な上昇及び低下が可能である。
2 ランプに供給する電力を制御することによ
り、加熱温度の制御を容易に行なうことができ
る。
3 ランプよりの放射光による非接触加熱である
ので、被処理物を汚染することがない。
4 始動後の立ち上がり時間が短く、エネルギー
効率が大きいため消費エネルギーが少ない。
5 直接通電炉、高周波炉等に比して装置が小型
でコストが低い。
等の利点があるからである。
このように光照射加熱装置は種々の特長を有し
広く産業界に用いられているが、被処理物が半導
体ウエハー(以下単に「ウエハー」という。)で
ある場合には、コスト的な観点から小型であつて
しかも消費電力の小さい装置が望まれ、そして多
数のウエハーを特性の揃つたものとするためには
各ウエハーを同一の条件下で加熱することが必要
であることから、ウエハーを常に同一の処理位置
において1枚宛加熱処理を施すようにしている。
そして最近においてはウエハーの需要の増大に伴
なつてウエハーが大量に生産されるようになり、
このためウエハーの加熱処理の迅速化が強く望ま
れている。
本発明は以上の如き事情に基いてなされたもの
であつて、被処理物を一個宛加熱処理する光照射
加熱装置であり、被処理物の加熱処理を迅速に行
なうことができて単位時間当たりの処理数を増大
せしめることができる新規な構成の光照射加熱装
置を提供することを目的とし、その特徴とすると
ころは、加熱空間を囲むようランプを設けて成
り、この加熱空間に通ずる2つの出入口を有する
光照射炉と、この光照射炉内の加熱空間を通り前
記2つの出入口の各々から、搬送台の端部が光照
射炉外へ突出するよう往復動可能に設けた光透過
性材質より成る搬送台とを具えて成り、前記搬送
台は、その両端部にそれぞれ被処理物が保持され
る保持部を有し、一方の保持部が光照射炉内の処
理位置に位置されたときには他方の保持部が光照
射炉外の待機位置に位置される点にある。
以下図面によつて本発明の一実施例について説
明する。
第1図及び第2図はウエハーを被処理物とする
場合における本発明の一実施例を示す説明図であ
る。この例において、1は光照射炉であり、この
光照射炉1において、Lは長尺なハロゲンランプ
などより成るランプであつて、これらのランプL
は加熱空間Sを囲むよう上方及び下方にそれぞれ
12本宛一平面上に密に並んで設けられている。1
1及び12はそれぞれ上方及び下方の各ランプL
の背後に設けた主ミラーであり、これら主ミラー
11,12の内部には冷却水路Wが設けられてい
る。13及び14は加熱空間Sの両側方を蔽うよ
う設けた側方ミラーであり、この側方ミラー1
3,14の内部にも図示はしないが冷却水路が設
けられている。15A及び15Bはウエハーを加
熱空間S内に出し入れするための一方の出入口及
び他方の出入口である。17は出入口15A,1
5Bに面した両端が開口の筒状透明石英製の容器
であり、この容器17は加熱空間S内に配置され
ている。
2はウエハー3の搬送台であり、この搬送台2
は光透過性材質例えば透明石英により形成されて
おり、この搬送台2の両端部にはそれぞれウエハ
ー3が保持される保持部21A及び21Bがあ
り、これら保持部21A及び21Bの各々には透
明石英製の爪22の4つが円弧に沿つて固設され
ており、ウエハー3はその周縁がこれら4つの爪
22の斜面に接触して重力により保持されてい
る。41A及び41Bは搬送台2の両端に固定さ
れた可動枠であり、この可動枠41A及び41B
はそれぞれガイドレール42A及び42Bに摺動
自在に保持されている。一方のガイドレール42
Aは一方の出入口15Aから光照射炉外方に伸
び、他方のガイドレール42Bは他方の出入口1
5Bから光照射炉外方に伸びていてそれぞれ支枠
43A,44A及び支枠43B,44Bにより保
持されている。45は搬送台移動用の送りねじで
あり、その一端は一方の可動枠41Aに螺合さ
れ、他端は支枠43Aに回転自在に保持されると
共に駆動モータMに連結されている。51A及び
52Aはそれぞれ光照射炉1外におけるウエハー
の一方の待機位置PAに近接して配置されたウエ
ハー供給機構及びウエハー回収機構であり、真空
吸着アーム510Aにより供給ボツクス511A
内の未処理のウエハーが待機位置PAに供給され、
真空吸着アーム520Aにより処理済のウエハー
が待機位置PAから回収ボツクス521A内に回
収される。51B及び52Bは光照射炉1外にお
けるウエハーの他方の待機位置PBに近接して配
置されたウエハー供給機構及びウエハー回収機構
であり、真空吸着アーム510Bにより供給ボツ
クス511B内の未処理のウエハーが待機位置
PBに供給され、真空吸着アーム520Bにより
処理済のウエハーが待機位置PBから回収ボツク
ス521B内に回収される。
搬送台2における保持部21Aと保持部21B
の位置関係は、一方の保持部21Aが一方の待機
位置PAに位置するときには他方の保持部21B
が光照射炉1内の処理位置PCに位置PCに位置さ
れ、一方の保持部21Aが処理位置PCに位置す
るときには他方の保持部21Bが他方の待機位置
PBに位置されるものとし、この搬送台2は送り
ねじ45の回転によつてガイドレール42A及び
42Bに沿つて一方の待機位置PAから処理位置
PCを通つて他方の待機位置PBまで伸びる搬送路
を往復動自在に移動される。
このような構成の装置によれば次のようにして
ウエハーの加熱処理が行なわれる。即ち、先ず一
方の保持部21Aが一方の待機位置PAに位置さ
れて、この位置でウエハー供給機構51Aの真空
吸着アーム510Aにより未処理のウエハーが一
方の保持部21Aに保持される。次いで搬送台2
を搬送せしめて一方の保持部21Aを処理位置
PCに位置せしめ、この位置においてランプLよ
りの光照射によりウエハーを加熱する。このウエ
ハーの加熱処理中において、他方の保持部21B
は他方の待機位置PBに位置されており、この位
置でウエハー供給機構51Bの真空吸着アーム5
10Bにより未処理のウエハーが他方の保持部2
1Bに保持される。
前記一方の保持部21Aに保持されたウエハー
の加熱処理が終了した後、搬送台2を搬送せしめ
て他方の保持部21Bを処理位置PCに位置せし
め、この位置においてランプLよりの光照射によ
り他方の保持部21Bに保持されたウエハーを加
熱する。このウエハーの加熱処理中において、一
方の保持部21Aは一方の待機位置PAに位置さ
れており、この位置で真空吸着アーム520Aに
より処理済のウエハーが一方の保持部21Aから
除去される回収ボツクス521Aに回収される。
そして続いてこの位置においてウエハー供給機構
51Aの真空吸着アーム510Aにより未処理の
ウエハーが一方の保持部21Aに保持される。
前記他方の保持部21Bに保持されたウエハー
の加熱処理が終了した後、搬送台2を搬送せしめ
て一方の保持部21Aを処理位置PCに位置せし
め、この位置においてランプLよりの光照射によ
り一方の保持部21Aに保持されたウエハーを加
熱する。このウエハーの加熱処理中において、他
方の保持部21Bは他方の待機位置PBに位置さ
れており、この位置で真空吸着アーム520Bに
より処理済のウエハーが他方の保持部21Bから
除去され回収ボツクス521Bに回収され、続い
てこの位置においてウエハー供給機構51Bの真
空吸着アーム510Bにより未処理のウエハーが
他方の保持部21Bに保持され、次の加熱処理に
供される。
このような工程が繰返されてウエハーの加熱処
理が、一方の保持部21Aと他方の保持21Bと
において交互に行なわれる。
このように上記実施例によれば、一方の保持部
21Aに保持されたウエハーが処理位置PCにお
いて加熱処理を受けている間は他方の保持部21
Bが他方の待機位置PBに位置されるので、この
間に他方の待機位置PBにおいて処理済のウエハ
ーの回収と未処理のウエハーの供給とを行なうこ
とができ、他方の保持部21Bに保持されたウエ
ハーが処理位置PCにおいて加熱処理を受けてい
る間は一方の保持部21Aが一方の待機位置PA
において処理済のウエハーの回収と未処理のウエ
ハーの供給とを行なうことができ、結局ウエハー
の加熱処理を迅速に行なうことができ、単位時間
当たりの処理数を増大せしめることができる。
因みに、搬送台2に保持部が一つしかない場合
にはウエハー1枚の処理に要する時間が、加熱時
間10秒、待機位置と処理位置との往復時間4秒、
ウエハーの供給及び回収時間6秒と合計20秒であ
り、1時間当たりの処理数は180であつたのに対
し、上記実施例によれば、ウエハーの供給及び回
収は処理位置PCで他のウエハーが加熱されてい
るときに行なわれるので供給及び回収時間は加熱
時間中に包含され、待機位置と処理位置との往復
は、一方の保持部21Aの往復と他方の保持部2
1Bの往復とが交互に重復して行なわれるので、
ウエハー1枚当たりこれに要する時間は半分の2
秒で済み、結局加熱時間10秒を加えて合計12秒で
ウエハー1枚を処理することができ、1時間当た
りの処理数は300となり単位時間当たりの処理効
率は40%アツプとなる。
そして搬送台2は光透過性であるため、下方の
ランプLからの照射光が遮られることがなくウエ
ハーの加熱に有効に寄与する。
第3図は他の実施例の要部を示し、この例にお
いては、搬送台2の一方の保持部21A及び他方
の保持部21Bの各々の周囲に例えばリング状で
透明石英製の封体を具えたハロゲンランプなどよ
り成る加熱器6A及び6Bが設けられ、この加熱
器6A及び6Bの封体外壁にはそれぞれウエハー
を保持する透明石英製の爪61A及び61Bが設
けられている。このように加熱器6A及び6Bを
付加した構成によれば、ウエハーが待機位置にお
いて保持部に保持されている間に予備的にウエハ
ーの外周または外周近傍を加熱し、或いはウエハ
ーが処理位置において加熱処理されている間に補
助的にウエハーの外周または外周近傍を加熱する
ことにより、ウエハーの全体を均一な温度で加熱
することができ、スリツプライン或いは反りのな
い良好な加熱処理を施すことができる。
以上において搬送台2は必ずしも直線的に搬送
されることは必要でなく、円弧状に沿つて搬送せ
しめるよう構成してもよい。
以上本発明をウエハーの加熱処理に適用した場
合について説明したが本発明はこれに限定され
ず、他の被処理物の加熱に適用することができ
る。
以上説明したように本発明は加熱空間を囲むよ
うランプを設けて成り、この加熱空間に通ずる2
つの出入口を有する光照射炉と、この光照射炉内
の加熱空間を通り前記2つの出入口の各々から、
搬送台の端部が光照射炉外へ突出するよう往復動
可能に設けた光透過性材質より成る搬送台とを具
えて成り、前記搬送台は、その両端部にそれぞれ
被処理物が保持される保持部を有し、一方の保持
部が光照射炉内の処理位置に位置されたときには
他方の保持部が光照射炉外の待機位置に位置され
ることを特徴とする光照射加熱装置であるから、
被処理物を一個宛加熱処理する光照射加熱装置で
あり、被処理物の加熱処理を迅速に行なうことが
できて単位時間当たりの処理数を増大せしめるこ
とができる新規な構成の光照射加熱装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の一実施例を示す説
明用横断平面図及び説明用縦断正面図、第3図は
他の実施例の要部を示す説明図である。 1……光照射炉、L……ランプ、S……加熱空
間、11,12……主ミラー、13,14……側
方ミラー、15A,15B……出入口、17……
容器、2……搬送台、21A,21B……保持
部、41A,41B……可動枠、42A,42B
……ガイドレール、51A,51B……ウエハー
供給機構、52A,52B……ウエハー回収機
構、3……ウエハー、PA,PB……待機位置、
PC……処理位置、6A,6B…加熱器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 加熱空間を囲むようランプを設けて成り、こ
    の加熱空間に通ずる2つの出入口を有する光照射
    炉と、この光照射炉内の加熱空間を通り前記2つ
    の出入口の各々から、搬送台の端部が光照射炉外
    へ突出するよう往復動可能に設けた光透過性材質
    より成る搬送台とを具えて成り、前記搬送台は、
    その両端部にそれぞれ被処理物が保持される保持
    部を有し、一方の保持部が光照射炉内の処理位置
    に位置されたときには他方の保持部が光照射炉外
    の待機位置に位置されることを特徴とする光照射
    加熱装置。 2 前記搬送台の保持部の周囲に加熱器を設けた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
    照射加熱装置。
JP58032908A 1983-03-02 1983-03-02 光照射加熱装置 Granted JPS59158952A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58032908A JPS59158952A (ja) 1983-03-02 1983-03-02 光照射加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58032908A JPS59158952A (ja) 1983-03-02 1983-03-02 光照射加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59158952A JPS59158952A (ja) 1984-09-08
JPS6359530B2 true JPS6359530B2 (ja) 1988-11-21

Family

ID=12371988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58032908A Granted JPS59158952A (ja) 1983-03-02 1983-03-02 光照射加熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59158952A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0866236A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Naito Kogyo:Kk 清掃用ブラシ

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5592581A (en) * 1993-07-19 1997-01-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus
TWI513028B (zh) * 2014-08-15 2015-12-11 Motech Ind Inc 處理裝置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0866236A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Naito Kogyo:Kk 清掃用ブラシ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59158952A (ja) 1984-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4698486A (en) Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
JPS6411712B2 (ja)
KR0155545B1 (ko) 기판의 열처리 장치
US4550245A (en) Light-radiant furnace for heating semiconductor wafers
US4649261A (en) Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
JPS59152618A (ja) 加熱処理方法およびその装置
US4436985A (en) Apparatus for heat treating semiconductor wafers
JPH025294B2 (ja)
US4543472A (en) Plane light source unit and radiant heating furnace including same
JPH0369111A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JPS6359530B2 (ja)
JPS60173852A (ja) ウエ−ハ処理用基板ホルダ
JPS6130154Y2 (ja)
JP2002299319A (ja) 基板処理装置
JPS59158954A (ja) 光照射加熱装置
JPH07201949A (ja) 連続熱処理装置
JPS59158953A (ja) 光照射加熱装置
JP3704677B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2691907B2 (ja) 加熱方法及び処理装置及び処理方法
JPS6130153Y2 (ja)
JPS6115511Y2 (ja)
JP2548961B2 (ja) レーザ熱処理装置
CN117238815B (zh) 一种晶圆预热冷却装置及传片方法
JPH03256326A (ja) 処理装置
JP4417023B2 (ja) 熱処理装置