JPS6358832A - ドライエツチング装置 - Google Patents

ドライエツチング装置

Info

Publication number
JPS6358832A
JPS6358832A JP20173886A JP20173886A JPS6358832A JP S6358832 A JPS6358832 A JP S6358832A JP 20173886 A JP20173886 A JP 20173886A JP 20173886 A JP20173886 A JP 20173886A JP S6358832 A JPS6358832 A JP S6358832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust
discharge tube
ozone
waveguide
dry etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20173886A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0624185B2 (ja
Inventor
Yoshikazu Maegaki
嘉一 前垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority to JP61201738A priority Critical patent/JPH0624185B2/ja
Publication of JPS6358832A publication Critical patent/JPS6358832A/ja
Publication of JPH0624185B2 publication Critical patent/JPH0624185B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] ′fJLL″の9分野) 本発明はドライエツチング装置に関し、特に放電管の外
側で発生するオゾンの排気に改良を施したドライエツチ
ング装置に係わる。
(従来の技術) 従来、ドライエツチング装置としては、例えば第2図に
示すものが知られている。
図中の1は真空容器である。この真空容器1の内部には
、被処理物2を載置する載置台3が配設され、上記真空
容器1の上面にはエツチングガスを真空容器内に均一に
導入するためのガス分散管4が取り付けられている。こ
のガス分散管4には、ガス導入管5が接続されている。
このガス導入管5の中途部には、石英管からなる放電管
6か設けられており、この放電管6に導波管、7を介し
て高周波出力8を印加することによりプラズマを発生さ
せるようになっている。また、上記真空容器1の下面に
は、図示しないが真空ポンプに接続されるガス排出管9
がマニホールド10を介して接続されている。
上記装置においては、載置台3の上面に被処理物2を′
Nc置し、ガス排出管9を介して真空容器1の真空排気
を行なう。その後、ガス導入管5によリCF4.02等
の不活性ガスを送り、真空容器1内を所定圧力のガス雰
囲気とし、放電管6の外側にマイクロ波発生器11によ
りマイクロ波(μ波)を照射することによりガスプラズ
マを発生させる。そして、このガスプラズマの発生によ
りエツチングガスとしてのフッ素ラジカルが生成され、
真空容器1内の被処理物2のエツチングを行なうように
なっている。また、プラズマが放たれると、紫外線が放
電管6の周辺の酸素と反応してオゾンが大量に発生する
そこで、従来は、第3図に示すように導波管12より窒
素(N2)を導入し、酸素と買換することによりオゾン
発生を防いでいる。
しかし、従来技術によれば、N2を大量に使用するので
不経済であるとともに、換気の悪い小さな部屋では酸欠
状態となり作業者が危険である。
また、例えば操作ミス、使用中にN2ボンベが空になる
等の理由でN2が導入されなかった場合、放電管6の周
辺に02が入り込み、プラズマ放電の紫外線と反応して
大量のオゾンが発生し部屋中に充満し、危険である。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、放電管の外
側で発生したオゾンが作業部屋内に広がることを防止で
きるドライエツチング装置を提供することを目的とする
[発明の構成] (問題点を解決するための手段と作用)本発明は、導波
管に排気用ファン又は排気ガイドを接続し、放電管の外
側で発生したオゾンを排気することにより、オゾンが作
業部屋に広がることを防止でき、作業者の安全を確保で
きる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説明する。
但し、本発明に係るドライエツチング装置は第2図(従
来装置)と略同じであるため、同部材は同符号を付して
説明を省略し、要部のみを説明する。
図中の21は導波管7の中途部に設けられた排気用ダク
トであり、このダクト21には排気用ファン22が連結
されている。このように排気用ダクト21と排気用ファ
ン22とから排気機構が構成され、これにより放電管の
外側で発生したオゾンか排気される。
上記実施例によれば、導波管7の中途部に排気用ダクト
21と排気用ファン22とからなる排気機構が設けられ
ているため、放電管6の外側でオゾンが発生しても排気
機構により排気される。従って、従来のようにN2を全
く使用する必要がなくなり、N2による作業部屋内の酸
欠や、部屋内にオゾンが充満することがなく、作業者の
安全を確保できる。
なお、上記実施例では、排気機構として排気用ファンと
排気用ダクトを用いた場合について述べたが、これに限
らず、排気用ダクトだけでも放電管の外側に発生したオ
ゾンをある程度排気できる。
[発明の効果] 以上詳述した如く本発明によれば、放電管の外側で発生
したオゾンが作業部屋内に広がるのを防止し、もって作
業者の安全を確保できるドライエツチング装置を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係るドライエ・ソチング装
置の要部の断面図、第2図は従来のドライエツチング装
置の説明図、第3図は同装置の要部の断面図である。 1・・・真空容器、2・・・被処理物、3・・・載置台
、4・・・ガス分散管、5・・・ガス導入管、6・・・
放電管、7・・・導波管、8・・・高周波出力、9・・
・ガス排出管、10・・・マニホールド、11・・・マ
イクロ波発生器、21・・・排気用ダクト、22・・・
排気用ファン。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)放電管に導波管を介して高周波出力を印加するこ
    とによりプラズマを発生させ、これにより真空容器内の
    被処理物のエッチングを行なうドライエッチング装置に
    おいて、前記導波管に排気機構を接続し、放電管の外側
    で発生したオゾンを排気することを特徴とするドライエ
    ッチング装置。
  2. (2)前記排気機構が、排気用ファンと排気用ダクトと
    から構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のドライエッチング装置。
JP61201738A 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置 Expired - Fee Related JPH0624185B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61201738A JPH0624185B2 (ja) 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61201738A JPH0624185B2 (ja) 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6358832A true JPS6358832A (ja) 1988-03-14
JPH0624185B2 JPH0624185B2 (ja) 1994-03-30

Family

ID=16446116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61201738A Expired - Fee Related JPH0624185B2 (ja) 1986-08-29 1986-08-29 ドライエツチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0624185B2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103340A (ja) * 1983-09-21 1984-06-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103340A (ja) * 1983-09-21 1984-06-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0624185B2 (ja) 1994-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4512868A (en) Microwave plasma processing apparatus
US4987284A (en) Downstream microwave plasma processing apparatus having an improved coupling structure between microwave plasma
US4175235A (en) Apparatus for the plasma treatment of semiconductors
GB2272995B (en) Method for making or treating a semiconductor
EP2190004A3 (en) Method and apparatus for generating a plasma and semiconductor device fabrication method and apparatus
JPH03241830A (ja) プラズマエッチングの方法
JPS5749234A (en) Plasma etching method
JPS6358832A (ja) ドライエツチング装置
JPH0897189A (ja) 真空処理装置のクリーニング方法
MY126467A (en) Waste demolishing method and apparatus therefor
JPS6236240Y2 (ja)
JPS5946031A (ja) プラズマ処理装置
JP3706414B2 (ja) ラジカル反応を用いた加工装置および加工方法
JPH08330285A (ja) プラズマ処理装置
JPH0426538B2 (ja)
JPS5477573A (en) Operating method of plasma treating apparatus
JPH0242308B2 (ja)
JPS63217629A (ja) アツシング方法および装置
CN218103615U (zh) 一种等离子体治疗装置
JPH0441172Y2 (ja)
JPH01205532A (ja) 光励起プロセス装置
JPS5696841A (en) Microwave plasma treating apparatus
JPS6075327A (ja) 紫外線発生装置及びそれを用いた材料処理装置
JPS647623A (en) Cleaning method for si surface by dry type
JPH0323303Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees