JPS6358274A - 半導体受光素子測定装置 - Google Patents
半導体受光素子測定装置Info
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- JPS6358274A JPS6358274A JP20306186A JP20306186A JPS6358274A JP S6358274 A JPS6358274 A JP S6358274A JP 20306186 A JP20306186 A JP 20306186A JP 20306186 A JP20306186 A JP 20306186A JP S6358274 A JPS6358274 A JP S6358274A
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体受光素子の測定装置に関し、特にレーザ
ー光と受光素子内のペレットとの光軸合わけ部に関する
。
ー光と受光素子内のペレットとの光軸合わけ部に関する
。
［従来の技術］
従来、この種の測定装置の光軸合わせ部は第３図に示す
ように、レーザーダイオード制御部２によりレーザーダ
イオード１６を点灯させた状態で３軸駆動装置１７によ
り３軸ステージ１１．１２．１３（以降光軸方向をＺ軸
と呼ぶ）を前後、左石、上下方向に数十回移動させなが
ら測定装置１４により被測定受光素子８の光電流を測定
して得られる第４図（ｂ）に示すようなＸ方向の波形１
８と第４図（Ｃ）に示すようなＹ方向の波形１つとから
第４図（ａ）に示すようにペレット中心を求め、更に第
４図（ｄ）に示すようなＺ方向の波形２０から７方向の
位置を求めていた。
ように、レーザーダイオード制御部２によりレーザーダ
イオード１６を点灯させた状態で３軸駆動装置１７によ
り３軸ステージ１１．１２．１３（以降光軸方向をＺ軸
と呼ぶ）を前後、左石、上下方向に数十回移動させなが
ら測定装置１４により被測定受光素子８の光電流を測定
して得られる第４図（ｂ）に示すようなＸ方向の波形１
８と第４図（Ｃ）に示すようなＹ方向の波形１つとから
第４図（ａ）に示すようにペレット中心を求め、更に第
４図（ｄ）に示すようなＺ方向の波形２０から７方向の
位置を求めていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の光軸合わせの方法では、被測定受光素子
８の寸法及び取付は方による受光素子内のペレット位置
及び角度にバラツキがおると、まずＸ軸及びＹ軸ステー
ジを移動させペレット中心を求めても、次にレーザー光
の集光点とペレット面とを一致させる為にＺ軸ステージ
を移ｖＪさぜると、レーザー光の中心はペレットの中心
からズレてしまい、再度ＸＩＮＩ、Ｙ軸ステージを移動
させペレット中心を探さなければならず、ザなわら、Ｘ
方向→Ｙ方向→７方向→Ｘ方向→Ｙ方向→Ｚ方向・・・
・・・→Ｚ方向とステージの移動を数十回繰り返さない
と光軸合わせが完了せず、時間にして十数秒時には数十
秒かかるという欠点があった。
８の寸法及び取付は方による受光素子内のペレット位置
及び角度にバラツキがおると、まずＸ軸及びＹ軸ステー
ジを移動させペレット中心を求めても、次にレーザー光
の集光点とペレット面とを一致させる為にＺ軸ステージ
を移ｖＪさぜると、レーザー光の中心はペレットの中心
からズレてしまい、再度ＸＩＮＩ、Ｙ軸ステージを移動
させペレット中心を探さなければならず、ザなわら、Ｘ
方向→Ｙ方向→７方向→Ｘ方向→Ｙ方向→Ｚ方向・・・
・・・→Ｚ方向とステージの移動を数十回繰り返さない
と光軸合わせが完了せず、時間にして十数秒時には数十
秒かかるという欠点があった。
本発明の目的は光軸合わせを短時間に完了させる半導体
受光素子測定装置を提供することにおる。
受光素子測定装置を提供することにおる。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来の光軸合わせ方法に対し、本発明は被測定
受光素子内のペレットを画像認識処理装置を使用するこ
とによりペレッ［〜の外形認識方法によりペレット位置
を求めると同時に、Ｚステージを上下方向に動かしなが
ら、ペレットがカメラの焦点にないとぎは焦点にあると
きよりも２値化処理を行なったときのペレット画面のサ
イズが大きくなる性質を利用して、２値化処理後のベレ
ット画面のサイズが最少になる位置を求めることにより
、７方向の位置ズレ量を求め、これを位置補正すること
により別の位置にあるレーザー光集光点に上記被測定受
光索子を移動させて非常に短時間で光軸合わせを行うと
いう独創的内容を有する。
受光素子内のペレットを画像認識処理装置を使用するこ
とによりペレッ［〜の外形認識方法によりペレット位置
を求めると同時に、Ｚステージを上下方向に動かしなが
ら、ペレットがカメラの焦点にないとぎは焦点にあると
きよりも２値化処理を行なったときのペレット画面のサ
イズが大きくなる性質を利用して、２値化処理後のベレ
ット画面のサイズが最少になる位置を求めることにより
、７方向の位置ズレ量を求め、これを位置補正すること
により別の位置にあるレーザー光集光点に上記被測定受
光索子を移動させて非常に短時間で光軸合わせを行うと
いう独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は被測定半導体素子内のペレット位置を認識する
認識装置と、被測定半導体素子を３方向へ移動させる３
軸駆動装置と、被測定半導体素子にレーザー光を入射ざ
ぜるレーザーモジュールと、該レーザーモジュールを制
御するレーザーモジュール制御部と、光ファイバー、コ
リメート用レンズ、集光用レンズを備えた光学装置と、
被測定半導体素子の電気的特性を測定する測定装置と、
前記各装置を全体的に制御する制御装置とを有すること
を特徴とする半導体受光素子測定装置でおる。
認識装置と、被測定半導体素子を３方向へ移動させる３
軸駆動装置と、被測定半導体素子にレーザー光を入射ざ
ぜるレーザーモジュールと、該レーザーモジュールを制
御するレーザーモジュール制御部と、光ファイバー、コ
リメート用レンズ、集光用レンズを備えた光学装置と、
被測定半導体素子の電気的特性を測定する測定装置と、
前記各装置を全体的に制御する制御装置とを有すること
を特徴とする半導体受光素子測定装置でおる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図において、１０は被測定受光素子Ｂ内のペレット
位置を認識するＣＣＤカメラ９を備えた認識装置、１７
は被測定受光索子８を３方向へ移動させる３軸駆動装置
、３は被測定受光素子８にレーザー光を入射させるレー
ザーモジュール、２はレーザーモジュール３を制御する
レーザーモジュール制御部である。１４は被測定受光素
子８の電気的特性を測定する測定装置、４は光ファイバ
ー、５は光フアイバー用コネクタ、６はコリメート用レ
ンズ、７は集光レンズ、１５は試料保持台である。
位置を認識するＣＣＤカメラ９を備えた認識装置、１７
は被測定受光索子８を３方向へ移動させる３軸駆動装置
、３は被測定受光素子８にレーザー光を入射させるレー
ザーモジュール、２はレーザーモジュール３を制御する
レーザーモジュール制御部である。１４は被測定受光素
子８の電気的特性を測定する測定装置、４は光ファイバ
ー、５は光フアイバー用コネクタ、６はコリメート用レ
ンズ、７は集光レンズ、１５は試料保持台である。
制御装置１は本発明の装置全体の主制御を行なう機能を
有するもので、例えばパーンナルコンピュータなどを用
いる。レーザーモジュール制御部２は光源であるレーザ
ーモジュール３の０Ｎ１０ＦＦ及びＡＰＣ制御を行なう
。レーザーモジュール３より発娠されたレーザー光は光
ファイバー４．光ファイバー用コネクタ５．コリメート
用レンズ６及び集光用レンズ７を通って測定位置で必り
レーザー光の集光点でおるへ′位置に集光されており、
まず被測定受光索子８をＣＣＤカメラ９の焦点位置Ａの
近くに位置させ認識装置１０により被測定受光素子８内
のベレッ１へ位置を求め、次にＺ軸ステージ１１を上下
方向に動かしながらペレットを２値化したペレット画面
のサイズが最少になる点を探して上記ベレット而がＣＣ
Ｄカメラ９の焦点に合った時の位置（ΔＸ、Δｙ、Δ２
）を求めた後、上記ペレット而がレーザー光集光部Ａ′
に位置する様にｘｍステージ１２．Ｙ軸ステージ１３．
Ｚ軸ステージ１１を移動させた後、すなわちＣＣＤカメ
ラ９の焦点座標を（０，Ｏ，Ｏ）、レーザー集光点Ａ′
の座標を（Ｘ＋ 、Ｙ＋ 、Ｚｌ）とすると、ステージ
を（Ｘ＋＋ΔＸ、Ｙ＋十Δ’／、Ｚ１＋Δ２〉座標へ移
動させた後、被測定受光素子８の電気的特性を測定装置
４で行なう。
有するもので、例えばパーンナルコンピュータなどを用
いる。レーザーモジュール制御部２は光源であるレーザ
ーモジュール３の０Ｎ１０ＦＦ及びＡＰＣ制御を行なう
。レーザーモジュール３より発娠されたレーザー光は光
ファイバー４．光ファイバー用コネクタ５．コリメート
用レンズ６及び集光用レンズ７を通って測定位置で必り
レーザー光の集光点でおるへ′位置に集光されており、
まず被測定受光索子８をＣＣＤカメラ９の焦点位置Ａの
近くに位置させ認識装置１０により被測定受光素子８内
のベレッ１へ位置を求め、次にＺ軸ステージ１１を上下
方向に動かしながらペレットを２値化したペレット画面
のサイズが最少になる点を探して上記ベレット而がＣＣ
Ｄカメラ９の焦点に合った時の位置（ΔＸ、Δｙ、Δ２
）を求めた後、上記ペレット而がレーザー光集光部Ａ′
に位置する様にｘｍステージ１２．Ｙ軸ステージ１３．
Ｚ軸ステージ１１を移動させた後、すなわちＣＣＤカメ
ラ９の焦点座標を（０，Ｏ，Ｏ）、レーザー集光点Ａ′
の座標を（Ｘ＋ 、Ｙ＋ 、Ｚｌ）とすると、ステージ
を（Ｘ＋＋ΔＸ、Ｙ＋十Δ’／、Ｚ１＋Δ２〉座標へ移
動させた後、被測定受光素子８の電気的特性を測定装置
４で行なう。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
この実施例では実施例１と異なり被測定受光素子８を保
持させる試料保持台１５上に複数の被測定受光素子８を
保持させておぎ、まず全素子内のペレット位置を順次測
定し、その全ての座標を記憶し、その後、記憶した座標
データで補正して全測定素子を測定位置Ａ′に移動させ
て順次電気的特性の測定を行なうものでおり、実施例１
に比較して１素子当りの測定時間が更に短くなる利点が
おる。
持させる試料保持台１５上に複数の被測定受光素子８を
保持させておぎ、まず全素子内のペレット位置を順次測
定し、その全ての座標を記憶し、その後、記憶した座標
データで補正して全測定素子を測定位置Ａ′に移動させ
て順次電気的特性の測定を行なうものでおり、実施例１
に比較して１素子当りの測定時間が更に短くなる利点が
おる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は被測定受光素子とその電気
的特性の測定を行なうのに必要なレーザー光との光軸合
わせを、ペレット認識装置を使って行なうことにより、
受光面の形状及び感度分布の不均一性の影響を受けるこ
となく、非常に短時間に精度よく行なえる効果がおる。
的特性の測定を行なうのに必要なレーザー光との光軸合
わせを、ペレット認識装置を使って行なうことにより、
受光面の形状及び感度分布の不均一性の影響を受けるこ
となく、非常に短時間に精度よく行なえる効果がおる。
また、レーザー光は光ファイバー及び光フアイバー用コ
ネクタを通している為、何らかの原因により光源である
レーザーモジュールが劣化した場合でも、上記光フアイ
バー用コネクタを外し、レーザーモジュールを交換する
のみで、その都度光軸の再調整を行なう必要もなく、光
源の交換が非常に容易であるという効果を有するもので
ある。
ネクタを通している為、何らかの原因により光源である
レーザーモジュールが劣化した場合でも、上記光フアイ
バー用コネクタを外し、レーザーモジュールを交換する
のみで、その都度光軸の再調整を行なう必要もなく、光
源の交換が非常に容易であるという効果を有するもので
ある。
第１図は本発明の実施例１の構成図、第２図は本発明の
実施例２の構成図、第３図は従来の受光素子測定装置の
構成図、第４図（ａ）は受光素子内のペレットの概略図
、第４図（ｂ）、 （ｃｌ （ｄ）は十分に細いレーザ
ー光がペレットに当たったときの受光パワー強度分布の
様子を示す図である。 １・・・制御装置 ２・・・レーザーダイオード制御部 ３・・・レーザーモジュール ４・・・光ファイバー ５・・・光フアイバー用コネクタ ６・・・コリメート用レンズ ７・・・集光用レンズ ８・・・被測定受光素子９
・・・ＣＣＤカメラ １０・・・８＊識装置１１・
・・７軸ステージ １２・・・Ｘ軸ステージ１３・
・・Ｙ軸ステージ １４・・・測定装置１５・・・
試料保持台 １６・・・レーザーダイオード １７・・・３１１１１駆動装置
実施例２の構成図、第３図は従来の受光素子測定装置の
構成図、第４図（ａ）は受光素子内のペレットの概略図
、第４図（ｂ）、 （ｃｌ （ｄ）は十分に細いレーザ
ー光がペレットに当たったときの受光パワー強度分布の
様子を示す図である。 １・・・制御装置 ２・・・レーザーダイオード制御部 ３・・・レーザーモジュール ４・・・光ファイバー ５・・・光フアイバー用コネクタ ６・・・コリメート用レンズ ７・・・集光用レンズ ８・・・被測定受光素子９
・・・ＣＣＤカメラ １０・・・８＊識装置１１・
・・７軸ステージ １２・・・Ｘ軸ステージ１３・
・・Ｙ軸ステージ １４・・・測定装置１５・・・
試料保持台 １６・・・レーザーダイオード １７・・・３１１１１駆動装置
Claims (1)
- （１）被測定半導体素子内のペレット位置を認識する認
識装置と、被測定半導体素子を３方向へ移動させる３軸
駆動装置と、被測定半導体素子にレーザー光を入射させ
るレーザーモジュールと、該レーザーモジュールを制御
するレーザーモジュール制御部と、光ファイバー、コリ
メート用レンズ、集光用レンズを備えた光学装置と、被
測定半導体素子の電気的特性を測定する測定装置と、前
記各装置を全体的に制御する制御装置とを有することを
特徴とする半導体受光素子測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20306186A JPS6358274A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体受光素子測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20306186A JPS6358274A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体受光素子測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358274A true JPS6358274A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16467689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20306186A Pending JPS6358274A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体受光素子測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003511861A (ja) * | 1999-10-04 | 2003-03-25 | スティックティング・エネルギーオンデルズーク・セントルム・ネーデルランド | 光起電性素子における製造エラーを局所化する装置 |
| CN104483105A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种像素间串扰检测系统及方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20306186A patent/JPS6358274A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003511861A (ja) * | 1999-10-04 | 2003-03-25 | スティックティング・エネルギーオンデルズーク・セントルム・ネーデルランド | 光起電性素子における製造エラーを局所化する装置 |
| CN104483105A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种像素间串扰检测系统及方法 |
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