JPS6357510B2 - - Google Patents
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- JPS6357510B2 JPS6357510B2 JP60089124A JP8912485A JPS6357510B2 JP S6357510 B2 JPS6357510 B2 JP S6357510B2 JP 60089124 A JP60089124 A JP 60089124A JP 8912485 A JP8912485 A JP 8912485A JP S6357510 B2 JPS6357510 B2 JP S6357510B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
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Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、装飾的あるいは工業的用途のための
銅の電気メツキ、特に印刷回路基板の製造におい
て銅被覆板にあける孔によつて形成されるような
鋭い角を持つた回路基板上へ銅を電気メツキする
ための酸性電気銅メツキ液に関するものである。 〔発明の背景〕 回路基板は、通常、プラスチツク薄板の両面に
銅の薄板をかぶせて作られる。このプラスチツク
薄板には、大概の場合、エポキシガラスが用いら
れている。そこで、銅被覆プラスチツク薄板に孔
をあけると、プラスチツクが露出することにな
る。露出したプラスチツクに、基板の一方の面か
ら他の面への電気伝導性を持たせるために、銅メ
ツキをしなければならない。これは、通常、よく
知られている活性剤でプラスチツクを処理する方
法によつて達成されるが、その方法は、活性剤で
処理されたプラスチツク部分が電気メツキ処理に
より析出される銅を受けつけるように、回路基板
全体に対して銅の無電解メツキ処理を行い、その
後に、回路基板および孔の内面を、電気めつき法
によつて銅メツキを施すというプロセスに基づく
ものである。この場合、回路基板の上面と底面に
連なる孔の周辺にできた鋭い角の部分も、また銅
メツキされる必要がある。この銅メツキは、現在
市販されている多種の電気銅メツキ液で行なうこ
とができるが、孔の周辺などの鋭い角の銅メツキ
部分に、事後の回路基板の作製工程で行なわれる
熱衝撃にさらされる場合に、ひび割れが発生する
という問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を
解消し、銅の電気メツキにおいて、メツキの光沢
性を増加させると共に、熱的な衝撃などにさらさ
れた場合においても、ひび割れなどが発生しない
堅牢な銅メツキを施すことができる酸性電気銅メ
ツキ液を提供するにある。 〔発明の概要〕 本発明は、下記の一般式、 または、 で表わされる窒素―炭素―硫黄基を有する化合物
により製造される反応生成物を含む新規な酸性銅
電気メツキ液に関するものである。 式中、R1,R2,R3およびR4は、下記の本明細
書の発明の具体的な説明の欄において定義される
ように、少なくとも1個の末端スルホン酸基を持
つ多硫化アルキレンである。 また、一般式、 で表わされるアミド化合物(式中、Rは1個ない
し6個の炭素原子の低アルキル基、または、1個
または3個ないし4個の炭素原子の低アルキレン
基、または、芳香族基、または、水素原子)も、
所望する反応生成物を形成するための反応剤とし
て用いることができる。 〔発明の具体的な説明〕 本発明の電気銅メツキ液に添加する反応生成物
を製造するために用いる第一の反応剤である多硫
化アルキレン化合物は、下記の一般式(1)および(2)
で表わされる窒素―炭素―硫黄基のいずれか一つ
を含んでいることが望ましい。 (式中、R1およびR2は、1〜6個の炭素原子
を有するアルキル基および水素原子のうちより選
ばれる置換基を表わし、R4は、アルカリ金属、
水素、マグネシウム、およびXをアルカリ金属、
水素またはマグネシウムのいずれかとするSX基
およびSSX基の群より選択される置換基を表わ
す。) で示される化合物、もしくは 一般式、 (式中、R3は、3〜12個の炭素原子を有する
芳香族、複素環式または脂環式基を表わし、R4
は、アルカリ金属、水素、マグネシウム、および
Xをアルカリ金属、水素またはマグネシウムのい
ずれかとするSX基およびSSX基の群より選択さ
れる置換基を表わす。) で示される化合物である。 そして、上記一般式(1)および(2)におけるR3お
よびR1とR2の組合せは、上記の(2)式におけるR3
に対する硫黄および窒素の単結合に、また上記(1)
式におけるR1とR2の組合せに対する窒素の二重
結合に、連鎖している環式アルキル基であること
も可能である。 本発明の電気銅メツキ液に加える反応生成物を
製造するのに適する反応剤である窒素―炭素―硫
黄基を含む有機化合物は、すべて異種の原子、窒
素または硫黄にだけ結合した1個の炭素原子から
なる有機基を含んでいる。そして、これらの化合
物は、下記の一般式で表わされる窒素―炭素―硫
黄基のいずれか一つを含んでいる。 もしくは、 硫黄および窒素のいずれか一つに連鎖している
ものは、上記(4)式においては芳香族基、または、
アルキル基であり、また上記(5)式においてはアル
キル基、または、環式アルキル基である。第二の
硫黄は水素、アルキル基、または、他の窒素―硫
黄基に連結される。 上記の一般式で表わされる有機基を含むいくつ
かの特性の化合物例が、1968年12月3日にノーベ
ルらによつて出願された米国特許第3414493の第
2節に開示されている。本発明が有用としている
窒素―炭素―硫黄基を含む化合物に関連するこの
米国特許第3414493に開示されている化合物は、
本明細書の中に参考として取上げている。 現在、最も有効なものとして知られている上記
一般式(1)で示される化合物は下記に一般式(1)―1
で表わされる二硫化テトラアルキルチウラムのナ
トリウム塩であり、 (式中、R1およびR2はメチル基またはエチル
基またはそれらの混合基を表わす。) また、上記一般式(2)で示される化合物の中で最
も有効なものとして知られているものは、下記の
一般式(2)―1で表わされる2,2′―ジチオビスベ
ンゾチアゾルであり、 および、下記の一般式(2)―2で表わされる2―
メカプトベンゾチアゾルである。 上記の(1)―1式および(2)―1式の一般式で表わ
される化合物を苛性ソーダと反応させると、化合
物は、―S―S―結合の間のみではないが、主に
ここで分割され、ナトリウム塩を作る。(1)―1式
の一般式で示される化合物において、R1および
R2がエチル基である化合物を苛性ソーダと反応
させると、主として、 の2モルが生成され、 および、 の少量が生成される。 同様に、一般式(2)―1および(2)―2で表わされ
る化合物を苛性ソーダと反応させると、主に、 が生成され、 および、 の少量が生成される。 (1)―1式、(2)―1式および(2)―2式の一般式を
持つ化合物のナトリウム塩は、メタノールのよう
な溶剤中に苛性ソーダと共に、好ましくは還流下
で溶解し、化合物を加熱するという周知の方法で
簡単に得ることができる。(1)―1式、(2)―1式お
よび(2)―2式の一般式を持つ化合物は、R.T.バ
アンデルビルト(Vanderbilt)社からそれぞれ
チユアズ(TUADS)、アルタツクス(ALTAX)
およびキヤプタツクス(CAPTAX)の商品名で
市販されている。 なお、上記一般式(1)で表わされる具体的な化合
物として、 ピペリジウム―1―ピペリジンカルボジチオエ
ート、 ジブチルジチオカルバミツク酸のN,N―ジメ
チルシクロアミン塩、 ビス(ジメチルチオカルバミン)ジサルフアイ
ド、 などがあり、 上記一般式(2)で表わされる具体的な化合物とし
て、 1,3―ビス(2―ベンゾチアゾイルメルカプ
トメチル)尿素、 N―シクロヘキシル―2―ベンゾチアゾルサル
フエナミド、 2―チアゾリジン2―チオール、
銅の電気メツキ、特に印刷回路基板の製造におい
て銅被覆板にあける孔によつて形成されるような
鋭い角を持つた回路基板上へ銅を電気メツキする
ための酸性電気銅メツキ液に関するものである。 〔発明の背景〕 回路基板は、通常、プラスチツク薄板の両面に
銅の薄板をかぶせて作られる。このプラスチツク
薄板には、大概の場合、エポキシガラスが用いら
れている。そこで、銅被覆プラスチツク薄板に孔
をあけると、プラスチツクが露出することにな
る。露出したプラスチツクに、基板の一方の面か
ら他の面への電気伝導性を持たせるために、銅メ
ツキをしなければならない。これは、通常、よく
知られている活性剤でプラスチツクを処理する方
法によつて達成されるが、その方法は、活性剤で
処理されたプラスチツク部分が電気メツキ処理に
より析出される銅を受けつけるように、回路基板
全体に対して銅の無電解メツキ処理を行い、その
後に、回路基板および孔の内面を、電気めつき法
によつて銅メツキを施すというプロセスに基づく
ものである。この場合、回路基板の上面と底面に
連なる孔の周辺にできた鋭い角の部分も、また銅
メツキされる必要がある。この銅メツキは、現在
市販されている多種の電気銅メツキ液で行なうこ
とができるが、孔の周辺などの鋭い角の銅メツキ
部分に、事後の回路基板の作製工程で行なわれる
熱衝撃にさらされる場合に、ひび割れが発生する
という問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を
解消し、銅の電気メツキにおいて、メツキの光沢
性を増加させると共に、熱的な衝撃などにさらさ
れた場合においても、ひび割れなどが発生しない
堅牢な銅メツキを施すことができる酸性電気銅メ
ツキ液を提供するにある。 〔発明の概要〕 本発明は、下記の一般式、 または、 で表わされる窒素―炭素―硫黄基を有する化合物
により製造される反応生成物を含む新規な酸性銅
電気メツキ液に関するものである。 式中、R1,R2,R3およびR4は、下記の本明細
書の発明の具体的な説明の欄において定義される
ように、少なくとも1個の末端スルホン酸基を持
つ多硫化アルキレンである。 また、一般式、 で表わされるアミド化合物(式中、Rは1個ない
し6個の炭素原子の低アルキル基、または、1個
または3個ないし4個の炭素原子の低アルキレン
基、または、芳香族基、または、水素原子)も、
所望する反応生成物を形成するための反応剤とし
て用いることができる。 〔発明の具体的な説明〕 本発明の電気銅メツキ液に添加する反応生成物
を製造するために用いる第一の反応剤である多硫
化アルキレン化合物は、下記の一般式(1)および(2)
で表わされる窒素―炭素―硫黄基のいずれか一つ
を含んでいることが望ましい。 (式中、R1およびR2は、1〜6個の炭素原子
を有するアルキル基および水素原子のうちより選
ばれる置換基を表わし、R4は、アルカリ金属、
水素、マグネシウム、およびXをアルカリ金属、
水素またはマグネシウムのいずれかとするSX基
およびSSX基の群より選択される置換基を表わ
す。) で示される化合物、もしくは 一般式、 (式中、R3は、3〜12個の炭素原子を有する
芳香族、複素環式または脂環式基を表わし、R4
は、アルカリ金属、水素、マグネシウム、および
Xをアルカリ金属、水素またはマグネシウムのい
ずれかとするSX基およびSSX基の群より選択さ
れる置換基を表わす。) で示される化合物である。 そして、上記一般式(1)および(2)におけるR3お
よびR1とR2の組合せは、上記の(2)式におけるR3
に対する硫黄および窒素の単結合に、また上記(1)
式におけるR1とR2の組合せに対する窒素の二重
結合に、連鎖している環式アルキル基であること
も可能である。 本発明の電気銅メツキ液に加える反応生成物を
製造するのに適する反応剤である窒素―炭素―硫
黄基を含む有機化合物は、すべて異種の原子、窒
素または硫黄にだけ結合した1個の炭素原子から
なる有機基を含んでいる。そして、これらの化合
物は、下記の一般式で表わされる窒素―炭素―硫
黄基のいずれか一つを含んでいる。 もしくは、 硫黄および窒素のいずれか一つに連鎖している
ものは、上記(4)式においては芳香族基、または、
アルキル基であり、また上記(5)式においてはアル
キル基、または、環式アルキル基である。第二の
硫黄は水素、アルキル基、または、他の窒素―硫
黄基に連結される。 上記の一般式で表わされる有機基を含むいくつ
かの特性の化合物例が、1968年12月3日にノーベ
ルらによつて出願された米国特許第3414493の第
2節に開示されている。本発明が有用としている
窒素―炭素―硫黄基を含む化合物に関連するこの
米国特許第3414493に開示されている化合物は、
本明細書の中に参考として取上げている。 現在、最も有効なものとして知られている上記
一般式(1)で示される化合物は下記に一般式(1)―1
で表わされる二硫化テトラアルキルチウラムのナ
トリウム塩であり、 (式中、R1およびR2はメチル基またはエチル
基またはそれらの混合基を表わす。) また、上記一般式(2)で示される化合物の中で最
も有効なものとして知られているものは、下記の
一般式(2)―1で表わされる2,2′―ジチオビスベ
ンゾチアゾルであり、 および、下記の一般式(2)―2で表わされる2―
メカプトベンゾチアゾルである。 上記の(1)―1式および(2)―1式の一般式で表わ
される化合物を苛性ソーダと反応させると、化合
物は、―S―S―結合の間のみではないが、主に
ここで分割され、ナトリウム塩を作る。(1)―1式
の一般式で示される化合物において、R1および
R2がエチル基である化合物を苛性ソーダと反応
させると、主として、 の2モルが生成され、 および、 の少量が生成される。 同様に、一般式(2)―1および(2)―2で表わされ
る化合物を苛性ソーダと反応させると、主に、 が生成され、 および、 の少量が生成される。 (1)―1式、(2)―1式および(2)―2式の一般式を
持つ化合物のナトリウム塩は、メタノールのよう
な溶剤中に苛性ソーダと共に、好ましくは還流下
で溶解し、化合物を加熱するという周知の方法で
簡単に得ることができる。(1)―1式、(2)―1式お
よび(2)―2式の一般式を持つ化合物は、R.T.バ
アンデルビルト(Vanderbilt)社からそれぞれ
チユアズ(TUADS)、アルタツクス(ALTAX)
およびキヤプタツクス(CAPTAX)の商品名で
市販されている。 なお、上記一般式(1)で表わされる具体的な化合
物として、 ピペリジウム―1―ピペリジンカルボジチオエ
ート、 ジブチルジチオカルバミツク酸のN,N―ジメ
チルシクロアミン塩、 ビス(ジメチルチオカルバミン)ジサルフアイ
ド、 などがあり、 上記一般式(2)で表わされる具体的な化合物とし
て、 1,3―ビス(2―ベンゾチアゾイルメルカプ
トメチル)尿素、 N―シクロヘキシル―2―ベンゾチアゾルサル
フエナミド、 2―チアゾリジン2―チオール、
【式】または
以下に本発明の一実施例を挙げ、さらに詳細に
説明する。 (実施例 1) まず、本発明の電気銅メツキ液に加える反応生
成物の製造方法について説明する。 本発明の電気銅メツキ液に添加する反応生成物
を合成するための第一の反応剤として、上述の一
般式(1)で示される化合物である二硫化テトラエチ
ルチウラム2.6gを、充分な量のメタノールと
0.78gの苛性ソーダに溶解する。これを、30分間
還流して、反応を完了させ、できた溶液を水で50
%から100%増量して濁りを除く。次に、第二の
反応剤として、上述の一般式(3)で示される化合物
であるビス(3―スルフオプロピル)二硫化ジナ
トリウム塩3.52gとアセトアミド8.0gを約30分
から1時間、還流を続けながら、添加する。還流
の間に、濃硫酸を、ガスの発生、沈澱物、濁りが
なくなるまで滴加し続ける。濃硫酸の添加の間
に、溶液の色が濃黄緑色から薄黄色がかつた無色
に変わつてくる。この反応生成物を、1まで水
で希釈し反応生成物とする。 添加する反応剤の割合は、重要なことではない
が、現在のところでは、化学量論的な量を用いる
と最良の結果が得られている。反応には、結果と
して生じる反応生成物の機能および有効な特性に
影響を与えない限り、反応剤を追加してもよい。
例えば、フオルムアルデヒドを0.6g、メタノー
ル溶液に添加し、二硫化化合物の添加前に苛性ソ
ーダと反応させることもでき、生じる反応生成物
は、本質的に同じ有効特性を有する。 (実施例 2) アセトアミドを反応剤から除外したほかは、実
施例1と全く同じ手順で反応生成物を製造した。 (実施例 3) 下記の組成を持つ酸性銅メツキ液に、2ガロン
タンクとハルセルとを用いた。 硫酸銅 75g/ 硫酸 188g/(10容積%) 塩素 85ppm 実施例1において製造した反応生成物
0.125ml/ メツキ浴は、75゜Fでハルセル中において、2ア
ンペアの電流を10分間通し、併せて空気撹拌を行
つた。2ガロンタンク内のメツキ浴も、同一のパ
ラメータで行つたが、電流密度を15ASFとし、
1時間行つた。 孔をあけた印刷回路基板を、活性化処理し、化
学メツキを施した後、上記のタンク内でメツキを
行つた。回路基板上に析出されたメツキ銅は、2
〜20ASFの電流密度範囲にわたつて、滑らかで
半光沢性を持ち、熱的衝撃の後でも、孔をあけた
基板の鋭い角の銅メツキ部分にひび割れは生じな
かつた。 (実施例 4) 下記の添加剤をメツキ浴に加えたことを除い
て、他は実施例3と同様にして電気銅メツキを行
つた。 ポリエチレングリコール(カーボワツクス
14000) 0.375g/ メツキされた基板上の析出銅は、電流密度範囲
1〜100ASFにおいて、非常に光沢があり滑らか
で、熱的衝撃の後にも、鋭い角のひび割れはなか
つた。 (実施例 5) 下記の添加剤をメツキ浴に加えたことを除い
て、他は実施例3と同様にして電気銅メツキを行
つた。 ポリエチレングリコール(カーボワツクス
14000) 0.375g/ ポリプロピレングリコール410 0.0425ml/ メツキされた基板上の析出銅は、電流密度範囲
1〜100ASFにおいて、非常に光沢があり滑らか
であつた。2ガロンタンク内でもメツキされた印
刷回路基板上の銅の析出は、非常に光沢があり、
滑らかで、熱的衝撃の後でも、鋭い角のひび割れ
は見られなかつた。 上記の実施例で、メツキされた基板に行つた熱
的衝撃テストは、従来からある方式のものであ
る。基板を150℃で約1時間加熱した後に、室温
まで冷却し、288℃で10秒間、溶融軟ろう中に浮
かべてから、裏返して10秒間浮かべる。基板をと
りだし、ひび割れの有無を調べた。 (実施例 6) 実施例2の反応生成物を、実施例5において用
いた反応生成物の代りに用いた他は、実施例5と
同様にして電気銅メツキを行つた。メツキされた
基板上の銅の析出は、電流密度範囲1〜100ASF
において、非常に光沢があり、滑らかであつた。 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したごとく、本発明による酸性
電気銅メツキ液を用いて電気メツキを行うと、非
常に滑らかで光沢のある銅メツキが得られるの
で、各種の産業分野における装飾的、工業的用途
に利用することができる。特に、印刷回路基板な
どのスルーホール(鋭い角を持つた孔)部への電
気銅メツキにおいて、熱的な衝撃にさらされた場
合においても、ひび割れなどが発生しない堅牢で
緻密な銅メツキが得られるので、工業的利用価値
は極めて大きい。
説明する。 (実施例 1) まず、本発明の電気銅メツキ液に加える反応生
成物の製造方法について説明する。 本発明の電気銅メツキ液に添加する反応生成物
を合成するための第一の反応剤として、上述の一
般式(1)で示される化合物である二硫化テトラエチ
ルチウラム2.6gを、充分な量のメタノールと
0.78gの苛性ソーダに溶解する。これを、30分間
還流して、反応を完了させ、できた溶液を水で50
%から100%増量して濁りを除く。次に、第二の
反応剤として、上述の一般式(3)で示される化合物
であるビス(3―スルフオプロピル)二硫化ジナ
トリウム塩3.52gとアセトアミド8.0gを約30分
から1時間、還流を続けながら、添加する。還流
の間に、濃硫酸を、ガスの発生、沈澱物、濁りが
なくなるまで滴加し続ける。濃硫酸の添加の間
に、溶液の色が濃黄緑色から薄黄色がかつた無色
に変わつてくる。この反応生成物を、1まで水
で希釈し反応生成物とする。 添加する反応剤の割合は、重要なことではない
が、現在のところでは、化学量論的な量を用いる
と最良の結果が得られている。反応には、結果と
して生じる反応生成物の機能および有効な特性に
影響を与えない限り、反応剤を追加してもよい。
例えば、フオルムアルデヒドを0.6g、メタノー
ル溶液に添加し、二硫化化合物の添加前に苛性ソ
ーダと反応させることもでき、生じる反応生成物
は、本質的に同じ有効特性を有する。 (実施例 2) アセトアミドを反応剤から除外したほかは、実
施例1と全く同じ手順で反応生成物を製造した。 (実施例 3) 下記の組成を持つ酸性銅メツキ液に、2ガロン
タンクとハルセルとを用いた。 硫酸銅 75g/ 硫酸 188g/(10容積%) 塩素 85ppm 実施例1において製造した反応生成物
0.125ml/ メツキ浴は、75゜Fでハルセル中において、2ア
ンペアの電流を10分間通し、併せて空気撹拌を行
つた。2ガロンタンク内のメツキ浴も、同一のパ
ラメータで行つたが、電流密度を15ASFとし、
1時間行つた。 孔をあけた印刷回路基板を、活性化処理し、化
学メツキを施した後、上記のタンク内でメツキを
行つた。回路基板上に析出されたメツキ銅は、2
〜20ASFの電流密度範囲にわたつて、滑らかで
半光沢性を持ち、熱的衝撃の後でも、孔をあけた
基板の鋭い角の銅メツキ部分にひび割れは生じな
かつた。 (実施例 4) 下記の添加剤をメツキ浴に加えたことを除い
て、他は実施例3と同様にして電気銅メツキを行
つた。 ポリエチレングリコール(カーボワツクス
14000) 0.375g/ メツキされた基板上の析出銅は、電流密度範囲
1〜100ASFにおいて、非常に光沢があり滑らか
で、熱的衝撃の後にも、鋭い角のひび割れはなか
つた。 (実施例 5) 下記の添加剤をメツキ浴に加えたことを除い
て、他は実施例3と同様にして電気銅メツキを行
つた。 ポリエチレングリコール(カーボワツクス
14000) 0.375g/ ポリプロピレングリコール410 0.0425ml/ メツキされた基板上の析出銅は、電流密度範囲
1〜100ASFにおいて、非常に光沢があり滑らか
であつた。2ガロンタンク内でもメツキされた印
刷回路基板上の銅の析出は、非常に光沢があり、
滑らかで、熱的衝撃の後でも、鋭い角のひび割れ
は見られなかつた。 上記の実施例で、メツキされた基板に行つた熱
的衝撃テストは、従来からある方式のものであ
る。基板を150℃で約1時間加熱した後に、室温
まで冷却し、288℃で10秒間、溶融軟ろう中に浮
かべてから、裏返して10秒間浮かべる。基板をと
りだし、ひび割れの有無を調べた。 (実施例 6) 実施例2の反応生成物を、実施例5において用
いた反応生成物の代りに用いた他は、実施例5と
同様にして電気銅メツキを行つた。メツキされた
基板上の銅の析出は、電流密度範囲1〜100ASF
において、非常に光沢があり、滑らかであつた。 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したごとく、本発明による酸性
電気銅メツキ液を用いて電気メツキを行うと、非
常に滑らかで光沢のある銅メツキが得られるの
で、各種の産業分野における装飾的、工業的用途
に利用することができる。特に、印刷回路基板な
どのスルーホール(鋭い角を持つた孔)部への電
気銅メツキにおいて、熱的な衝撃にさらされた場
合においても、ひび割れなどが発生しない堅牢で
緻密な銅メツキが得られるので、工業的利用価値
は極めて大きい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 可溶性銅塩および遊離酸、もしくは可溶性銅
塩、遊離酸およびメツキの光沢性または平滑性を
付与する添加剤を含む酸性の電気銅メツキ液にお
いて、該電気銅メツキ液に、 (a) 一般式、 (式中、R1およびR2は、1〜6個の炭素原
子を有するアルキル基および水素原子のうちよ
り選ばれる置換基を表わし、R4は、アルカリ
金属、水素、マグネシウム、およびXをアルカ
リ金属、水素またはマグネシウムのいずれかと
するSX基およびSSX基の群より選択される置
換基を表わす。) で示される化合物、もしくは 一般式、 (式中、R3は、3〜12個の炭素原子を有す
る芳香族、複素環式または脂環式基を表わし、
R4は、アルカリ金属、水素、マグネシウム、
およびXをアルカリ金属、水素またはマグネシ
ウムのいずれかとするSX基およびSSX基の群
より選択される置換基を表わす。) で示される化合物、および (b) 一般式、 XR1―(S)o―R2―SO3H ……(3) (式中、R1およびR2は、1〜6個の炭素原
子を有するアルキレン基を表わし、そしてR1
およびR2は、同一基かまたは異なる基である
場合もあり、Xは、水素または―SO3H基を表
わし、nは、2〜5を表わす。) で示される化合物を、ほぼ化学量論的量の割合で
反応させて得られる反応生成物であつて、該反応
生成物は、上記一般式(1)もしくは(2)で示される化
合物を還流下で溶媒に溶解した後、上記一般式(3)
で示される化合物を加えて還流を続け、ついで還
流下で酸を添加しながら、ガスの発生、沈澱物ま
たは濁りが無くなり、溶液が黄色ないしは無色透
明になるまで反応を継続して得られる上記反応生
成物を、電気銅メツキの光沢性を増し、かつ熱的
衝撃に対するひび割れの発生を防止するのに十分
な量を含有させたことを特徴とする電気銅メツキ
液。 2 銅塩が硫酸銅であり、遊離酸が硫酸であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電
気銅メツキ液。 3 一般式(1)で示される化合物が二硫化テトラア
ルキルチウラムのアルカリ金属塩であり、一般式
(2)で示される化合物が2,2′―ジチオ―ビス―ア
リールチアゾル、もしくは2―メルカプトアリー
ルチアゾルのアルカリ金属塩であり、一般式(3)で
示される化合物が、ジ(3―スルフオン酸塩―1
―アルキル)硫化物であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項または第2項に記載の電気銅メ
ツキ液。 4 一般式(1)で示される化合物が二硫化テトラメ
チルチウラムまたは二硫化テトラエチルチウラム
のナトリウム塩、もしくはそれらの混合物であ
り、一般式(2)で示される化合物が2,2′―ジチオ
―ビス―ベンゾチアゾルまたは2―メルカプトベ
ンゾチアゾルのナトリウム塩、もしくはそれらの
混合物であり、一般式(3)で示される化合物が、ジ
(ナトリウム―3―スルフオン酸塩―1―プロピ
ル)硫化物であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項または第2項に記載の電気銅メツキ液。 5 メツキの光沢性または平滑性を付与する添加
剤が、少なくとも8個のエチレンまたはプロピレ
ン基を持つ、オキシエチレンポリマおよびオキシ
プロピレンポリマのうちの1種または2種からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第4項のいずれか1項に記載の電気銅メツキ液。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US604917 | 1984-04-27 | ||
US06/604,917 US4490220A (en) | 1982-09-30 | 1984-04-27 | Electrolytic copper plating solutions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6119791A JPS6119791A (ja) | 1986-01-28 |
JPS6357510B2 true JPS6357510B2 (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=24421560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60089124A Granted JPS6119791A (ja) | 1984-04-27 | 1985-04-26 | 電気銅メッキ液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4490220A (ja) |
EP (1) | EP0163131B1 (ja) |
JP (1) | JPS6119791A (ja) |
AT (1) | ATE45193T1 (ja) |
DE (1) | DE3572013D1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4786746A (en) * | 1987-09-18 | 1988-11-22 | Pennsylvania Research Corporation | Copper electroplating solutions and methods of making and using them |
US4948474A (en) * | 1987-09-18 | 1990-08-14 | Pennsylvania Research Corporation | Copper electroplating solutions and methods |
US6379522B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal |
US6544399B1 (en) * | 1999-01-11 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Electrodeposition chemistry for filling apertures with reflective metal |
EP1069210A1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-17 | Applied Materials, Inc. | Process for electrochemical deposition of high aspect ratio structures |
JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
WO2002024979A1 (de) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Dr.-Ing. Max Schlötter Gmbh & Co. Kg | Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-kupfer-legierungsschichten |
US6776893B1 (en) | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
US20030049858A1 (en) * | 2001-07-15 | 2003-03-13 | Golden Josh H. | Method and system for analyte determination in metal plating baths |
US20040046121A1 (en) * | 2001-07-15 | 2004-03-11 | Golden Josh H. | Method and system for analyte determination in metal plating baths |
US20030030800A1 (en) * | 2001-07-15 | 2003-02-13 | Golden Josh H. | Method and system for the determination of arsenic in aqueous media |
WO2003023395A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Microbar Systems, Inc. | Enhanced detection of metal plating additives |
JP3789107B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2006-06-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 特定骨格を有するアミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 |
JP4115240B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-07-09 | 日鉱金属株式会社 | 特定骨格を有する四級アミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 |
EP1422320A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating bath |
CA3119028A1 (en) | 2018-11-07 | 2020-05-14 | Coventya, Inc. | Satin copper bath and method of depositing a satin copper layer |
CN110284162B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-06-30 | 广州三孚新材料科技股份有限公司 | 一种光伏汇流焊带无氰碱性镀铜液及其制备方法 |
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US3682788A (en) * | 1970-07-28 | 1972-08-08 | M & T Chemicals Inc | Copper electroplating |
US3804729A (en) * | 1972-06-19 | 1974-04-16 | M & T Chemicals Inc | Electrolyte and process for electro-depositing copper |
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US4134803A (en) * | 1977-12-21 | 1979-01-16 | R. O. Hull & Company, Inc. | Nitrogen and sulfur compositions and acid copper plating baths |
US4347108A (en) * | 1981-05-29 | 1982-08-31 | Rohco, Inc. | Electrodeposition of copper, acidic copper electroplating baths and additives therefor |
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WO1984001393A1 (en) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Learonal Inc | Electrolytic copper plating solutions |
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1984
- 1984-04-27 US US06/604,917 patent/US4490220A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-04-25 DE DE8585105038T patent/DE3572013D1/de not_active Expired
- 1985-04-25 EP EP85105038A patent/EP0163131B1/en not_active Expired
- 1985-04-25 AT AT85105038T patent/ATE45193T1/de active
- 1985-04-26 JP JP60089124A patent/JPS6119791A/ja active Granted
Also Published As
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EP0163131A2 (en) | 1985-12-04 |
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EP0163131A3 (en) | 1988-02-03 |
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