JPS6356002A

JPS6356002A - 遅延線

Info

Publication number: JPS6356002A
Application number: JP19960586A
Authority: JP
Inventors: Toshiki Morozumi; 両角　俊樹
Original assignee: DERUFUAI KK; Delphi Co Ltd
Current assignee: DERUFUAI KK; Delphi Co Ltd
Priority date: 1986-08-26
Filing date: 1986-08-26
Publication date: 1988-03-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用性Ｙｆ）本発明は遅延線に関するものである。特に薄型ＳＩＰ形
状の分布定数型８延線に関するものである。

（従来の技術）従来の分布定数型Ｓ　Ｉ　Ｐ　（Ｓｉｎｇｌｅ−ｉｎ−
Ｐａｃｋａｇｅ）形状の遅延線は、第６図に図示のよう
に絶縁基板２の一側にグランド電極層４を施し、更に前
記絶縁基板２の他の一側にインダクタンス導体層６を施
して、前記絶縁基板は誘電体としての機能を具えるよう
になし、その結果第３図に図示した遅延線回路を形成し
ていた。また前記絶縁基板２は主にアルミナ賀（４文２
Ｏ３９０〜９９％）基板が用いられ、その誘電率はεｓ
＝８〜１１である。更に前記グランド電極層４及びイン
ダクタンス導体層６はニッケルなどのＥｌｌｉＭ層で形
成されている。

絶縁基板２の端部はリード端子８．９で挾持され、グラ
ンド電極層４とインダクタンス導体層６のそれぞれにリ
ード端子８，９は、ハンダペーストＩＯにより固定され
、電気的導通がなされているものである。

（発明の解決しようとする問題点）しかし前記構成にはいくつかの問題点があり、先づアル
ミナ質絶縁基板２を誘電体に使っている為、その比語ｆ
ｒｉ、率（（Ｓ）が一定であり、ａ延時間や特性インピ
ーダンスの異なる遅延線を設計する時に種々の制約があ
り、例えばキャパシタンスの変動要素は、前記絶縁基板
２の厚さくいだけであるから、従って所望する遅延時間
と特性インピーダンスの兼ね合いによっては、設計不町
濠な事態が生ずる等の問題点があった。

また薄膜でパターンを形成するので、製作上の工数も多
く製品価格を上昇させる要因となっている。

（問題点を解決するための手段）そこで本発明は前述の問題点を解決することを目的とし
、ガラス質エナメル誘電体組成物又は有機質エナメル誘
電体組成物を誘電体として利用し、その比誘電率（εＳ
）を任意に選択することを可能として、所望の遅延時間
と所望の特性インピーダンスの組み合わせにおける遅延
線に対しても、設計対応することを可使とした。

またさらに、従来例での薄膜方式に対しては、ガラス質
エナメル組成物又は有機質エナメル組成物を材料として
、スクリーン印刷方式あるいは塗布方式を採用し、量産
工程において可能ならしめ、工数の低減を計ることが出
来た。

またさらにアルミナ質絶縁基板にブレイク用溝を形成す
ることにより複数個の遅延線を一度にスクリーン印刷あ
るいは塗布方式により、大量生産を実施可能にした。

そこで先づ本発明に採用されいるガラス質エナメル導体
組成物の詳細について説明する。

一般に本発明のガラス質エナメル導体組成物は、ガラス
フリットと金属成分の微粒子混合物とを混合してなるも
のである、′微粒子”とは約５ミクロンより大きくない
平均粒子サイズを有する粒子を意味する。金属成分とは
例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰＬ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａ、ｕ等
であり、それらの単体或いは混合物は、この導体組成物
の中に約１０〜９５％容積の割合で存在する。

また本発明のガラス質エナメル導体組成物において用い
られるカラスフリットは、前記金属成分の軟化点以下の
軟化点を有する任意の周知の組成物である。特に好まし
いガラスフリットはホウケイ耐塩フリット、たとえばビ
スマス、カドミウム、バリウム、カルシウム、その他の
アルカリ士金属ホウケイ酸塩フリットである。このよう
なガラスフリフトの製法は周知であって、たとえばそれ
ぞれ醇化物の形のガラス成分を一緒に融解し、この融解
組成物を水中へそそぎ出してフリントを形成する方法で
ある。次に粗製のフリットをボールミルの中で水と共に
粉砕して、粒子サイズを減少し、実質的に均等なサイズ
のフリットをうろことができる。

次に又本発明のガラス質エナメル導体組成物を製造する
場合には、前記金属成分を粉砕して、それぞれの成分物
質を希望の粒子サイズの粉末状にする。次に前処理とし
て、あらかじめボールミル処理されたガラスフリットと
前記金属成分とを最適の割合で、再び水又は酢酸ブチル
カルピトール等と共にボールミル処理がなされ、関係成
分を完全に混合する。

各成分が混合された後液体媒質を除き又は加えるなどの
方法で、ガラス質エナメル導体組成物を作るのに適した
粘度に調整する。

又本発明のガラス質エナメル誘電体組成物は、前記ガラ
ス質エナメル導体組成物の金属成分の代りに、　ＢａＴ
ｉＯ３或いはその他のガラス賀誘電体が混合されてなる
もので、その他はガラス質導体組成物と同じであるから
その詳細については説明を省略する。

本発明においては、前記ガラス質エナメル導体組成物及
びガラス質エナメル誘電体組成物に代って有機質エナメ
ル導体組成物及び有機質エナメル誘電体組成物も採用さ
れているが、これらの有機質エナメル導体組成物及び有
機質エナメル誘電体組成物は、前記ガラス質エナメル導
体組成物において用いられたガラスフリットの代りに有
機物、例えばエポキシ系有機系合成物を用いるものであ
る。

尚以下の説明においては、「ガラス質エナメル導体組成
物又は有機質エナメル導体組成物」は単に「ガラス質（
有機質）エナメル導体組成物」と又「ガラスエナメル質
誘電体組成物又は有機質エナメル誘電体組成物」は巾に
「ガラス質（有機質）エナメル誘電体組成物」と略称す
ることとする。

（作　用）本発明の遅延線はガラス質（有機質）エナメル組成物に
より、形成された分布定数型の遅延線であり、キャパシ
タとして機能するガラス質（有機質）エナメル誘電体組
成物は任意の比誘電率（εＳ）を選択することが出来る
。又ブレイク用溝を設けた絶縁基板は複数個の遅延線を
例えばスクリーン印刷方式あるいは塗布方式を用いて大
量生産を実施することを可能にした。

（実施例）以下添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。第５
図は複数個の遅延線を大量生産するために絶縁基板に複
数のブレイク用溝１２を設けた平面図である。第１図に
おいて先づ絶縁基板２の一面に第−層有機質エナメル導
体組成物によりグランド電極層１８を形成する。この第
−層ガラス質（有機質）エナメル導体組成物の形成には
、スクリーン印刷又は塗布方式により形成後、温度Ｚｏ
ｏ−１５０℃所要時間５〜１５分間の範囲で乾燥を施し
、その後温度１００〜１０００℃所要時間１０〜６０分
の範囲で焼結させ、絶縁基板２上に前記導体組成物を密
着形成する。形成された前記導体組成物の膜厚は２〜３
０−の範囲が最適である。次に前述のように形成された
第−層ガラス質（有機質）導体組成物上に更に第二層有
機質エナメル　誘電体組成物により誘電体層２Ｏを形成
する。またこの組成物層はＭを２価の全屈原子とすれば
、に０・Ｆｅ２Ｏ３で表わされるガラス質（有Ｊｊ＆質
）エナメルフェライト組成物を採用しても良い。

またこの組成物層はスクリーン印刷又は塗布方式で形成
するが、その所要の工程は前述のグランド電極層１８を
構成する第−層ガラス質（有機質）エナメル導体組成物
の形成と同一であるので、その説明を省略する。

かくして誘電体層２Ｏが形成される。

次に前記導体組成物と同質のガラス質（有機質）エナメ
ル導体組成物を用いて、スクリーン印刷又は塗布方式に
より、前記導体組成物と同様の工程で前記誘電体層２Ｏ
の上に第三層ガラス質（有機質）エナメル導体組成物を
形成することによりインダクタンス導体層２２が構成さ
れる。尚インダクタンス導体層２２の形成過程において
。

温度１００〜１５０℃、所要時間５〜１５分間の範囲で
乾燥後に別の組成物の形成をスクリーン印刷及び塗布方
式により形成することも出来る。

以りの工程により第３図に図示するような分布定数型回
路のｉｌ￥延線が形成される。又ガラス質（有機質）エ
ナメルフェライト組成物においては、ガラス質（有機質
）組成物とフェライト組成物の含有比率を調整すること
により、下記に示す論理式に従ってガラス質（有機質）
エナメルフェライト組成物の比透磁率を任意に選択する
ことができる。

Ｐｔ：混合する乙エライトの比透磁率 βｍニガラス質（有機質）エナメルフェライト組成物の
比透磁率ｍ；混合するフェライトの体積比ｎ：混合するガラス質（有機質）の体積比また絶縁基板
Ｍを２価の金属原子としてＭＯ・Ｆｅ２Ｏ３で表わされ
るフェライト特にマンガン−亜鉛系またはニッケルー亜
鉛系フェライトを使用すれば、前記インダクタに生じた
磁束を効率よく閉じ込めることが出来、ガラス質（有機
質）エナメルフェライト組成物層の見掛けの比透磁率を
あげることが出来る。

また二種類のガラス質（有機質）エナメル誘電体組成物
において、それらの比誘電率を今仮に、ε１　、（２で
表わすとすれば、これらを任意の体積比率で混合攪拌す
ることにより、任意の比誘電率を有するガラス５５！（
有機質）エナメル誘電体組成物を作ることができる。そ
の理論式は下記の如くである。

ε　１（２ｎ　ε　Ｈ＋ｍ　ε２（１：１つのガラス質（有機質）エナメル誘電体組成物
Ａの比誘電率 ε２　：別のガラス質（有ａ質）エナメル誘電体組成物
Ｂの比誘電率ｍ　ニガラス質（有機質）エナメル誘電体組成物Ａの体
積比ｎ　ニガラス質（有機質）エナメル誘電体組成物Ｂの体
積比 ε　：Ａ：Ｂ＝ｍ：ｎに混合攪拌したガラス質（有ａ質
）エナメル誘電体組成物の比誘電率以上説明したように、複数のガラス質（有機質）エナメ
ル組成物により絶縁基板上２に６〜９０−の範囲で分布
定数型の遅延線が形成されるものであるが、第−層ガラ
ス質（有機質）エナメル導体組成物と第三層ガラス質（
有機質）エナメル導体組成物とは逆に入れ替えて形成し
てもよい。

また第４図に示すように、絶縁基板２端部にはリード端
子８．９取り出し用のグランド電極層１８とインダクタ
ンス導体層２２の導体部を設けて、その部分にリード端
子８．９をハンダペースト１０を適用して接続する（第
１図、第２図）。

次に第２図に図示のように、プラスチック等よりなるケ
ース２４内に関係部材を収容して、いわゆるＳＩＰ型の
遅延線を製作する。

また第５図に図示のブレイク用ｙｔ１２を切断して、形
成した複数の絶縁基板上に、それぞれ遅延線を形成出来
るので、効率的に大量生産を実施することも可能である
。

（効　果）本発明においては、分布定数型遅延線の設計自由度を拡
大することが出来、大量生産を自動的に可能となし、歩
留り効率のよい高性能の遅延線を提供することが出来る
等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る遅延線の断面図、第２図はケース
内に収容してＳＩＰ型に形成した斜視図。第３図は遅延線の回路図、第４図は第１図の遅延線の平
面図、第５図はブレイク用溝を設けた基板の平面図、第
６図は従来例の遅延線の断面図。２・・・絶縁基板、３・・・遅延線、８・・・リード端
子、９・・・リード端子、１２・・・ブレイク用溝、１
日・・・グランド電極層、２Ｏ・・・誘電体層、２２・
・・インダクタンス導体層、２４・・・ケース出　　願　　人　　株式会社デルファイ代理人　弁理士
　　小　　林　　　　榮第１図２・・・・・・絶縁基板８・・・・・・リード端子第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】１、絶縁基板の一面にガラス質エナメル導体組成物又は
有機質エナメル導体組成物を付着焼成し、その上層にガ
ラス質エナメル誘電体組成物又は有機質エナメル誘電体
組成物を付着、焼成し、更にその上層にガラス質エナメ
ル導体組成物又は有機質エナメル導体組成物を付着、焼
成することにより、インダクタとキャパシタが分布定数
で構成されてなる遅延線。２、前記絶縁基板にはＭを２価の金属原子とすればＭＯ
・Ｆｅ＿２Ｏ＿３で表わされるフェライトを採用した特
許請求の範囲第１項記載の遅延線。３、前記ガラス質エナメル誘電体組成物又は有機質エナ
メル誘電体組成物には、Ｍを２価の金属原子とすればＭ
Ｏ・Ｆｅ＿２Ｏ＿３で表わされるガラス質エナメルフェ
ライト組成物又は有機質エナメルフェライト組成物を採
用した特許請求の範囲第１項記載の遅延線。４、マンガン亜鉛系又はニッケル亜鉛系フェライトを採
用した絶縁基板を有する特許請求の範囲第２項記載の遅
延線。５、絶縁基板上に形成した第一層目のガラス質エナメル
導体組成物又は有機質エナメル導体組成物と第三層目の
ガラス質エナメル導体組成物又は有機質エナメル導体組
成物とをそれぞれ絶縁基板端部に配線されたリード端子
を接着剤で固定しケース内に収納することによりＳＩＰ
型に形成してなる特許請求の範囲第１項記載の遅延線。