JPS635320A - フアラデ−ロ−テ−タと光アイソレ−タ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、ファラデー効果を利用したファラデーローテ
ータ、及び光アイソレータに関する。

（従来の技術） ファラデーローテータは、入射光の偏波面を磁界内でフ
ァラデー効果により所定角度回転させる機能を有し、光
ピツクアップの受光装置等において用いられている。−
方、光アイソレータは、前記のファラデーローテータを
利用してなる装置であり、光を一方向へのみ透過させる
機能を右し、例えば、光フアイバー伝送においては、半
導体レーザ等の光源の安定化や、光ファイバーの接続点
及び人出端などで反射された反射戻り光の除去などを図
り、高い光伝送品質を確保するために使用されている。

ここで、第３図（ａ）は従来の光アイソレータを示す断
面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）中の×３−Ｘ３線
断面を示す断面図である。

従来の光アイソレータとしでは、例えば、第３図（ａ）
に示したように、入射光を直線偏光にして出射させる第
１偏光子１と、ファラデー効果を有する磁気光学素子（
ファラデー媒体）２と、磁気光学素子２に磁界を印加す
る磁石３と、磁気光学素子２からの出射光を透過させる
第２偏光子４とから基本的に構成されるものが知られて
いる。なお、第３図（ａ）及び同図（ｂ）中に図示した
５は、上記した光アイソレータを収納するケースであり
、また、図示した６はアルミニウムからなる円筒状ケー
スである。そして、円筒状ケース６の内側面には第１偏
光子１．！ｉｉ！気光学素子２及び第２偏光子４が取り
付りられ、また、その外側面には磁石３が取り付けられ
ている。

この光アイソレータにおいては、矢印ａ（第３図（ａ）
参照）の方向（順方向）から伝搬するレーザ光等の入射
光は、第１偏光子１を透過後に直線偏光となって出射さ
れ、そして、第３図（Ｃ）に示したように、磁気光学素
子２の反射防止１１ｕ２ａを被着した入射面に入射する
。次に、入射光は反射膜２ｂで反射して他方の反射膜２
Ｃの方向へ進行し、さらに反射膜２Ｃで反射して反射防
止Ｐｕ２ｄを被着した出昏１面から出射する。このとき
、第１偏光子１からの出射光は、磁気光学索子２内を上
記のように多重反射して伝搬中に、その偏波面が磁石３
の磁界強度により通常４５°回転した状態となって磁気
光学索子２から出射し、次に第２偏光子４に入射する。

このとき、第２偏光子４の透過可能の偏波面の傾きが、
予め磁気光学索子２からの出射光の偏波面の傾きく４５
°）と等しく設定されているので、磁気光学素子２から
の出射光を透過させる。−方、矢印ｂ（第３図（ａ）参
照）の方向く逆方向）から伝搬する反射戻り光は、先ず
第２偏光子４を透過し、次に磁気光学素子２内を多重反
射して伝搬することにより、第１偏光子１の透過可能の
偏波面に対して９０°傾いた偏波面をもった直線偏光に
なって、第１偏光子１に入射する。

このため、反射戻り光は第１偏光子１を透過することが
できない。以ヒのように、光アイソレータは、順方向の
入射光のみを透過させる。

ここで、第１偏光子１から出）１して磁気光学素子２へ
入射する入射光を、前述したように磁気光学素子２内で
多重反射させる理由を以下に記す。

その入射光の偏波面は、磁気光学素子２内を伝搬中に、
磁石３の磁界強度により所定角度回転〈通常４５°）す
る。この回転角度θ（ファラデー回転角θ）は、式θ＝
Ｖ１Ｈ（ここで、■は、ヴエルデ定数、ｆＬは磁気光学
素子内における入射光の伝搬光路長、及びＨは磁界強度
）で求められる。

ここで、磁気光学素子２としては、希土類イオンを含有
してなる常磁性ガラス等が用いられているが、いまだ、
そのヴ、エルデ定数■の値が充分に大きななものはない
。従って充分なファラデー回転角θを得ることができな
い。そこで、磁気光学素子２内で入射光を多重反射させ
ることによって伝搬光路長ｌを長くして、所定のファラ
デー回転角θが得られるようにしている。

なお、ここでは、磁気光学素子２内で入射光を二回反射
（多重反射）させて伝搬光路５立を長くする例を示した
が、入射光の波長等に対応して３回以上反射（多重反射
）させて伝搬光路長りを良くする場合もある。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、第１偏光子１から出射して磁気光学素子
２へ入射する入射光を、上述したように磁気光学素子２
内で多重反則させるとき、その入射光を反ｒＡ膜２ｂ及
び２Ｃで反射させて出射面から出射させ、第２偏光子４
の方向へ正確に進行させる為には、反射膜２ｂ及び２Ｃ
を被着する各反射面を精密に加工しなければならない。

何故ならば、前記した各反射面を精密に加工しく充分な
加工精度を確保していないと、適正な反則がなされず所
定のファラデー回転角θが得られず、ざらには磁気光学
素子２への入射光が磁気光学素子２内で散乱や干渉など
を起して、その入射光が減衰して磁気光学素子２から出
射される為、その入射光における順方向の損失が大きく
なる。さらに、磁気光学素子２から出射した後に、第２
偏光子４を透過して出射する出射光の出射方向く出射角
度）を規制することもできにくい。さらに、磁気光学素
子２への入射光が磁気光学素子２内で散乱や干渉を起す
と、本来、反射防止膜２ｄを被着した出射面の方向くず
なわら、順方向）へ進行すべき入射光において、その入
射光の一部が反射防止膜２ａを被着した入用面の方向（
すなわら、逆方向）へ戻り、偏光子１を透過して逆方向
へ出射されてしまう場合もある。

また、前記した従来の光アイソレータにおいては、反射
防止ｎｌＡ　２　ａを被着した入射面の径に対応して入
射光の径（入射ビーム径）を所定の値に設定し、かつそ
の入射面の所定領域へ入射光を正確に入射させる必要が
ある。何故ならば、入射ビーム径が入射面の径よりも大
きいと、入射光が磁気光学素子２内へ完全に入射しきれ
ず、その結果、入射光の順方向の損失が増大してしまう
。さらに、磁気光学素子２内で入射光を多重反射させて
いるので、所定領域へ入射光を正確に入射させないと、
やはり所定のファラデー回転角θが１ｑられない。

上述したように、所定のファラデー回転角θを１ｑ、か
つ順方向の損失を低くし、さらに出射光の出射方向を正
確に規制し、さらに入射光の一部が逆方向へ戻ってしま
うことを防出する為には、特に、反射防止膜２ｂ及び２
Ｃを被着する各反射面をｖｉ密に加工して磁気光学素子
２を製作しなければならない。しかし、各反射面を精密
に加工しで磁気光学素子２を製作することは、非常に困
難な作業であり、非常に長い時間を費やして行なわれて
いる。

また、上述したように順方向の損失を低くし、所定のフ
ァラデー回転角θを１１？る為には、入）１光の入射ビ
ーム径を所定の直に設定し、磁気光学素子２の入射面の
所定領域へ正確に入）Ｉさせなければならない。しかし
、例えば、集光レンズ等を用いて半導体レーザ光等の入
射ビーム径を所定の値まで縮小して設定すること、及び
入射面の所定領域へ正確に入射させることは非常に困難
である。

本発明は、以上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、順方向損失が小さく、所定のファラデー回転角θを
確実に桿ることができ、さらに出射光の出射方向を容易
に規制でき、さらに入射光の一部が磁気光学素子内から
逆方向へ戻ることを防止できる光アイソレータ、及びフ
ァラデーローテータを提供することを目的とする。

Ｃ問題点を解決するための手段） 本発明は、上記した目的を達成する為になされたもので
あり、第１発明は、入射光の偏波面を磁界内でファラデ
ー効果により回転させる、前記入射光の方向に所定間隔
を保って配置された複数個の磁気光学素子を具備してな
るファラデーローテータである。また、第２発明は、入
射光を直線偏光にして出射させる第１偏光子と、前記第
１偏光子からの出射光の偏波面を磁界内でファラデー効
果により回転させる、前記出射光の方向に所定間隔を保
って配置された複数個の磁気光学素子と、前記磁気光学
素子から最終的に出射して、偏波面が所定角度まで回転
した直線偏光を透過させる第２偏光子とを具備してなる
光アイソレータである。

（作用） 第２発明の光アイソレータにおいては、第１偏光子から
の出）１光は、複数個の磁気光学素子を仏殿中に偏波面
がそれぞれ回転してゆき、Ｒ柊的に磁気光学索子から出
Ｄｉ　Ｌ　／二ときに、第１偏光子からの出射光の偏波
面は所定角度まで回転する。

（実施例） 以下、先ず、第２発明の実施例による光アイソレータに
ついて５１１ＩＪ＋に説明する。

第１図乃至第２図は本実施例による光アイソレータを示
す図であり、第１図は外側ケースを取り外したときの光
アイソレータを示寸−部断面斜視図、第２図（ａ）は垂
直断面図、同図（ｂ）は水平断面図、同図ｆｃ）は同図
（ａ）中のＸ＋−Ｘ＋線断面を示す断面図、及び同図＜
ｄ）は同図（ａ）中の×２−Ｘ２線断面を示す断面図で
ある。

本実施例による光アイソレータは、第１図、並びに第２
図（ａ）及び（ｂｌに示したように、第１偏光子７と、
第１磁気光学索了８と、第１磁気光学素子８に磁界を印
加する第１１ｉｉ１石つと、第２磁気光学素子１０と、
第２磁気光学素子１０に磁界を印加する第２６ｆｉ石１
１と、第３磁気光学素子１２と、第３磁気光学素子１２
に磁界を印加する第３ｖ１１石１３と、第２偏光子１４
とから基本的に構成される。

なお、ここで、本例においては、後記するように第１偏
光子７の側（第１図、並びに第２図（ａ）及び（ｂ）中
の左側）から入射光が入射する。

第１偏光子７及び第２幅光子１４は、入射光を直線偏光
にして出射させる偏光ビームスプリッタからなる偏光子
であり、なお、後記するように第２偏光子１４の透過可
能の偏波面は、第１＆ｉ光子７の透過可能の偏波面に対
して４５°傾くように設置して固着されている。

第１〜第３磁気光学累子８，１０及び１２は、円柱形状
の常磁性硝子（例；　ＨＯＹＡ■ＨＦＲ−５、寸法−５
ｍｍφ、ｔ＝２０ｍｍ）であり、それぞれの両底面には
反射防止膜（図示せず）が被着されている。そして、第
１〜第３磁気光学素子８．１０及び１２は、アルミニウ
ム等の非磁性体からなる円筒状ケース１５（外径：　ｔ
ｏｍｍ、内径：５ｍｍ）内にそれぞれ嵌合挿入され、隣
り合う各磁気光学素子８．１０及び１２の対向する各底
面の間隔が、所定路１ｉ１ｆｔ（本例；２０ｍｍ）を保
持して配置されている。なお、このとき、第１〜第３！
１気光学素子８，１０及び１２は、第１偏光子７からの
出）１光の方向に所定間隔を保って嵌合して配置されて
いて、さらに、隣り合う各磁気光学索子８，１０及び１
２の対向する底面の間は、それぞれ中空となっている。

なお、同様に、第１偏光子７と第１磁気光学素子８の入
射側底面との間、並びに第３磁気光学素子１２の出射側
底面と第２偏光子１４との間もそれぞれ中空である。

次に、各磁気光学素子８，１０及び１２に磁界を印加す
る第１〜第３磁石９，１１及び１３は、焼結型の希土類
磁石（例：５Ｉｌｌ−Ｃｏ磁石）からなり、その形状は
円筒（外径：　３０ｍｍ、内径：　１０ｍ１ｌ、高さ二
２０ｍｍ）である。そして、第１〜第３磁石９，１１及
び１３は、第２　ＦＸＩ　（ａ）及び（ｂ）に示したよ
うに第１偏光子７の側へＮｌｕが向かうようにして、円
筒状ケース１５の外側面に沿ってそれぞれ嵌合押通され
て配設される。そしＣ１第１磁石９は第１ｖ７１気光学
素子８を円筒状ケース１５の部分を介して包囲し、第２
磁石１１は第２磁気光学索子１０を円筒状ケース１５０
部分を介して包囲し、第３磁石１３は第３磁気光学索子
１２を円筒状ケース１５の部分を介して包囲し、このと
き、第１〜第３磁石９．１１及び１３は、第１〜第３磁
気光学素子８，１０及び１２に入射する入射光の偏波面
を１５°回転させる磁界強度をそれぞれ有する。なお、
第１磁石９と第２１ｉｔ１石１１との間、並びに第２磁
石１１と第３磁石１３との間には、アルミニウム等の非
磁性体からなる円筒状のスペーサ１６ａ及び１６ｂ（外
径：　３０１１１ｍ、内径：　１０ｍｍ、高さ２２０ｍ
ｍ　）がそれぞれ配設され、第１〜第３磁石９゜１１及
び１３に接着剤を用いてそれぞれ固着されている。なお
、このスペーサ１６ａ及び１６ｂも円筒状ケース１５の
外側面に沿って嵌合挿通されて配設され、さらに、この
スペーサ１６ａ及び１６ｂは、第１〜第３磁石９，１１
及び１３が、前述したように第１偏光子７の側へＮＩｆ
！が向かうよう（Ｖなわち同一極性方向）に配設させた
とき、それぞれの磁石の磁界強度が低下することを防Ｉ
Ｆする作用を果たす。なお、前記したようにして、スペ
ーサ１６ａ及び１６ｔ）は第１〜第３磁石９．１１及び
１３に固着されて一体となり、円筒状ケース１５の外側
面に沿ってその軸方向に移動可能の状態で嵌合する。

以上のようにして基本的に構成される光アイソレータに
おいて、第１〜第３１ｉｆｉ石９．１１及び１３、並び
にスペーサ１６ａ及び１６ｂは、第２図（ａ）。

（Ｃ）及び（ｄ）に示すように底板１７ｋに載置されて
いる。さらに、円筒状ケース１５の一端近傍部分は入射
光側の側板１８ａの部分に固設され、−方、円筒状ケー
ス１５の他端近傍部分は出射光側の側板１８ｂの部分に
固設されている（第２図（ａ）参照）。

また、第１図及び第２図（ａ）に示したように、固設さ
れた円筒状ケース１５の一端の前方（図中の左側）に位
置する側板１８ａの部分には、前記した第１偏光子７が
固設され、−方、固設された円筒状ケース１５の他端の
後方（図中の右側）に位置する側板１８ｂの部分には、
第１偏光子７の透過可能の偏波面に対して４５°傾くよ
うに第２偏光子１４が固設されている。さらに、円筒状
ケース１５の一端近傍部分の上側から、第１の押具１９
ａによって円筒状ケース１５の一端近傍の上側部分は押
えつけられて固設され、−方、円筒状ケース１５の他端
近傍部分の上側から、第２の押具１９ｂによって円筒状
ケース１５の他端近傍の上側部分も押えつけられて固設
されている（第２図（ａ）及び（ｂ）参照）。なお、押
具１９ａは側板１８ａに、また押具１９ｂは側板１８ｂ
に、それぞれ接着剤等によって回前されている。

なお、このとき、第１〜光子７．第１〜第３磁気光学累
子８，１０及び１２．並びに第２　［１ｌｉｉ光子１４
は、入射光に対して光軸上で調整されて配置される。

さらに、第１図並びに第２図（ａ）及び（ｂ）に示した
ように、側板１８ａ並びに押具１９ａの面には、円筒状
の磁界強度可変用磁石２０（外径：　３０ｍｍ、内径：
　１０ｍｍ、高さ：　１０ｍｍ）が接着剤等によって固
着されている。なお、この磁石２０も第１〜第３磁石９
．１１及び１３と同様の焼結型の希土類磁石からなり、
第１＆光子７の側がＳ極となっている。また、側板１８
ｂ及び押具１９ｂにはマイクロメータからなる押圧部２
１が配設され、この抑圧部を回動調節することにより、
−体となった第１磁石９．スペーサ１６ａ、第２晒石１
１．スペー＋ｊ１６ｂ及び第３！１石１３を、円筒状ケ
ース１５の軸方向（第１図並びに第２図（ａ）及び（ｂ
）中のへ方向）に移Ｅ）Ｊさせることが可能となってい
る。

また、第１図並びに第２図（ａ）及び（ｂ）に示したよ
うに、側根１８ａには入射光を入射させる為の入射孔２
２が形成され、第１偏光子７へ入）１光を導入させ、ま
た、側板１８ｂには出射孔２３が形成され、第２偏光子
１４からの出射光を出射する。さらに、第１図中の外側
ケース２４を螺子２５を用いて所定位胃に螺了留めして
取り付けて、本実施〃１による光アイソレータが製作さ
れる。

次に本実施例による光アイソレータの作動について説明
する。

入射孔２２から入射した入射光は第１偏光子７を透過す
ることにより直線偏光となり、次に、第１磁気光学素子
８に入射して第１ｒａ石９の磁界強度によりその偏波面
が反時Ｓ１回りに１５°回転し、次に、第２１６気光学
素子１０に入射して第２１ｆｉ１１の磁界強度によりそ
の偏波面が更に反時計回りに１５°回転し、次に、第３
磁気光学素子１２に入射して第３１ｉ石１３の磁界強度
によりその偏波面が史に反時計回りに１５°回転する。

以上のようにして、第３磁気光学索子１２から最終的に
出射した８１射光の偏波面は、所定角度（本例＝４５°
）まで反時計回りに回転して第２偏光子１４に入射する
。そして、前述したように第２偏光子１４の透過可能の
一波面は、第１偏光子７からの出射光の偏波面に対して
予め反時計回りに４５°傾けているので、第２偏光子１
４に入射する入射光は第２偏光子１４を透過し、出射孔
２３から出射する。

一方、出射孔２３から入射する反射戻り光は第２偏光子
１４を透過後、第３磁気光学索了１２に入射して第３磁
石１３の磁界強度により一波面が時計回りに１５°回転
し、次に、第２磁気光学索子１０に入射して第２磁石１
１の磁界強度により偏波面が更に時計回りに１５°回転
し、次に、第１磁気光学索子８に入射して第１磁石９の
磁界強度により偏波面が更に時５１回りに１５°回転す
る。以上のようにして、第１磁気光学素子８から最終的
に出射した反射戻り光の偏波面は、第２偏光子１４を透
過後の反射戻り光の偏波面と比して時計回りに４５°回
転している。なお、ここで、第１磁気光学索子８から最
終的に出射した反射戻り光の偏波面は、入射孔２２側か
らみた場合には、第２偏光子１４を透過後の反射戻り光
の偏波面と比べて、反時計回りに４５°回転しているこ
とになる。そして、このとき、出射孔２３から入射して
第２偏光子１４を透過後の反射戻り光の偏波面は、第１
偏光子７の透過可能の偏波面に対して反時計回りに４５
°回転し、更に上記したように第１磁気光学素子８から
最終的に出射した反射戻り光の偏波面も、入射孔２２側
からみた場合反時Ｊ１回りに４５°回転しているので、
第１偏光子７に入射する反射戻り光の偏波面は、第１偏
光子７の透過可能の偏波面に対して反時計回りに９０゜
回転している。従って、反射戻り光は第１幅光子７を透
過することができず、入射孔２２から出射されない。

ところで、光アイソレータは、入射光の波長によって磁
気光学素子の有するベルｆ定数が異なる等の理由により
、単一の波長の入射光に対してのみ有効に作動する。し
かし、本実施例の光アイソレータにおいては、磁界強度
可変用磁石２０を配設し、更に、−体となった第１１ｉ
ｆ１石９．スペーサ１６ａ、第２１ｉｔ１石１１．スペ
ーサ１６ｂ及び第３…石１３を、押圧部２１を回動調節
して円筒状ケース１５の・軸方向（第１図、並びに第２
図（ａ）及び（ｂ）中のＡ方向）に移動することができ
、第１〜第３磁気光学素子８，１０及び１２に印加され
るそれぞれの磁界強度を可変させて調節し、所望のファ
ラデー回転角θを得、異なる波長の入射光に対しても有
効に作動させることができる。

本実施例の光アイソレータによれば、各磁気光学素子が
入射光を多重反射させる為に精密に加工されるべき反α
１面を有しないので、第１〜第３磁気光学索子８，１０
及び１２を容易に製作して、所定のファラデー回転角θ
を確実に得ることができる。

さらに、入射光が散乱や干渉を起こすことによって、入
）１孔２２から入射した入射光の一部が逆方向（すなわ
ち、入射孔２２側）に出射されることもなく、さらに人
錦先の順方向損失が増大することもなく、さらに第２偏
光子１４を透過して出射される出射光の出射方向を容易
に規制することができる。

また、第１〜第３ｆａ気光学素子８．１０及び１２の一
方の底面全体を入射面とすることができるので、入射ビ
ーム径をその入射面に対応して大きく設定できる。従っ
て、入射ビーム径を絞り込んで所定の値に設定すること
が容易となり、入射光が磁気光学素子内に入射しきれな
い為に順方向のｋ）失が増大することを防止でき、さら
に入射光を入射面に入射させることも容易となる。

また、第１〜第３磁石９，１１及び１３内に、第１〜第
３磁気光学索子８，１０及び１２がそれぞれ円筒状ケー
ス１５の部分を介して包囲されて配設され、また、各磁
気光学索子８，１０及び１２内で入射光を多重反射させ
ていないので、各磁石９，１１及び１３の磁界強度の不
均一等に起因する入射光の偏波面の乱れが発生すること
、及び入射光の順方向１ｎ失が増大することも抑制でき
る。

第２発明は、上記した実施例に限定されるものではない
。

第１及び第２偏光子７及び１４としては偏光ビームスプ
リッタ以外に、グラントムソンプリズム。

ローションプリズム、グランフーコープリズム等の偏光
子を用いてもよい。また、第１及び第２偏光子７及び１
４を配設しなければ、光アイソレータとしてではなく、
第１発明の実施例によるファラデーローテータとなり、
本実施例による光アイソレータと同様な効果が得られる
。

第１〜第３磁気光学素子８，１０及び１２としては、常
磁性硝子を用いたが、イツトリウム鉄ガーネット（ＹＩ
Ｇ）などの強磁性体等からなる磁気光学素子を用いても
よく、また、その形状・寸法も適宜選択してよい。また
、第１〜第３磁石９，１１及び１３は円筒形状であった
が任愈の形状であってよく、さらに電磁石等の磁石であ
ってもよい。

また、本実施例中では第１〜第３磁気光学素了８．１０
及び１２の各底面の間隔を２０ｍｍとしたが、必要に応
じて適宜選択決定してよく、また、その底面に被着する
反射防止膜は必須のものではない。

また、このとき、円筒状のスペーサ１６ａ及び１６ｂの
高さく本例；　２０ｍｍ）等の寸法や形状も必要に応じ
て決定される。

また、第１〜第３磁気光学素子８．１０及び１２を透過
後に回転する入射光の偏波面の回転角度も１５°に限定
されず、それぞれ適宜選択してよく、この場合には、各
磁石９．１１及び１３の磁界強度を所望の回転角度に対
応して選択する。また、第３磁気光学素子１２から最終
的に出射された出射光の偏波面は、第１偏光子７からの
出射光の偏波面に対して４５°回転しているが、この値
に限定されるものではなく、順方向損失を多少犠１１に
して例えば３５４　としてもよい。

また、本実施例中では、磁気光学素子及び磁石をそれぞ
れ３１１１！Ｉずつ並設したが、ベルｆ定数、磁気光学
素子の伝搬光路長、及び磁界強度等を適宜決定すること
によって２個以上の任怠の個数の磁気光学素子及び磁石
を並設してもよい。

また、第１〜第３１ｉ石９，１１及び１３並びにスペー
サ１６ａ及び１６ｂを一体とし、押圧部２１によって可
！ｌｌｌ１させるようにし、さらに磁界強度可変用磁石
２０を設けたが、単一波長の入射光に対してのみ使用す
る場合には、このような可動機構等を設けなくてもよい
。このとき、スペーサ１６ａ及び１６ｂは必須のもので
はなく、さらに、円筒状ケース１５を介さずに、第１〜
第３磁気光学素子８．１０及び１２を第１〜第３磁石９
，１１及び１３で包囲して磁界を印加してもよい。さら
に甲−波長の入射光に対して使用できる光アイソレータ
とする場合において、第１〜第３１１石９．１１及び１
３の磁界強度を高めること等を行えばスペーリ゛１６ａ
及び１６ｂは必須のものではない。

なお、第１〜第３磁石９，１１及び１３は、第１偏光子
７の側へＮ極が位置するように配設したがＳ極が位置す
るように配設してもよい。

〔発明の効果］ 本発明の光アイソレータ及びファラデーローテータによ
れば、順方向損失が小さく、所定のファラデー回転角θ
を容易に得ることができ、さらに入射光の一部が磁気光
学素子内から逆方向へ戻ることを抑制でき、さらに入射
光を磁気光学素子の入射面に容易に入射させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第２図は第２発明の実施例による光アイソレ
ータを示す図であり、第１図は外側ケースを取り外した
ときの光アイソレータを示す一部断面斜視図、第２図（
ａ）は垂直断面図、同図（ｂ）は水平断面図、同図（Ｃ
）は同図（ａ）中のＸｉ−×１１断面を示す断面図、及
び同図（ｄ）は同図（ａ）中のＸ２−Ｘ２線断面を示す
断面図、並びに第３図は従来の光アイソレータを示す図
であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂｌは同図（ａ）
中の×３−Ｘ３線断面を示す断面図、同図（Ｃ）は磁気
光学素子を示す断面図である。 ７・・・第１偏光子、８．１０．１２・・・磁気光学素
子、９．１１．１３・・・磁石、１４・・・第２偏光子

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）入射光の偏波面を磁界内でファラデー効果により
   回転させる、前記入射光の方向に所定間隔を保つて配置
   された複数個の磁気光学素子を具備してなるファラデー
   ローテータ。
2. （２）入射光を直線偏光にして出射させる第１偏光子と
   、前記第１偏光子からの出射光の偏波面を磁界内でファ
   ラデー効果により回転させる、前記出射光の方向に所定
   間隔を保つて配置された複数個の磁気光学素子と、前記
   磁気光学素子から最終的に出射して、偏波面が所定角度
   まで回転した直線偏光を透過させる第２偏光子とを具備
   してなる光アイソレータ。