JPS6352396B2 - - Google Patents
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- JPS6352396B2 JPS6352396B2 JP56003964A JP396481A JPS6352396B2 JP S6352396 B2 JPS6352396 B2 JP S6352396B2 JP 56003964 A JP56003964 A JP 56003964A JP 396481 A JP396481 A JP 396481A JP S6352396 B2 JPS6352396 B2 JP S6352396B2
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- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は内部電極型液晶デイスプレーセルのマ
トリクス座標アドレス方法に関する。
トリクス座標アドレス方法に関する。
英国特許第1557199号明細書およびApplied
physics、Vol.11の第2025頁〜第2034頁にはスメ
クチツク（Smectic）型液晶デイスプレー用セル
の電極間に交流電圧を印加して整合状態と散乱状
態とを切換える反転切換装置が記載されている。
20ミクロンの厚さを有する４−シアン化物−4′−
ｎ−オクタンジフエニール（４−cyano−4′−ｎ
−octylbiphenyl）（8CB）の層を用いる場合には
50Hz、200Vの時のr.m.s.の電圧は80ミリ秒の書き
込み時間（等方性配向から散乱配向への反転）を
与えることが知られている。電圧が半分になると
書き込みが約450ミリ秒に増加する。従つて1k
Hz、100Vのr.m.s電圧は消去時間が90ミリ秒とな
る。電圧が半分になると消去時間は約3.2秒に増
加する。反転電圧が比較的に高いことや反転時間
が長いことは何れも望ましいものではないので、
これらのものを改良してこの種デイスプレーを発
展させる試みがなされてきた。
physics、Vol.11の第2025頁〜第2034頁にはスメ
クチツク（Smectic）型液晶デイスプレー用セル
の電極間に交流電圧を印加して整合状態と散乱状
態とを切換える反転切換装置が記載されている。
20ミクロンの厚さを有する４−シアン化物−4′−
ｎ−オクタンジフエニール（４−cyano−4′−ｎ
−octylbiphenyl）（8CB）の層を用いる場合には
50Hz、200Vの時のr.m.s.の電圧は80ミリ秒の書き
込み時間（等方性配向から散乱配向への反転）を
与えることが知られている。電圧が半分になると
書き込みが約450ミリ秒に増加する。従つて1k
Hz、100Vのr.m.s電圧は消去時間が90ミリ秒とな
る。電圧が半分になると消去時間は約3.2秒に増
加する。反転電圧が比較的に高いことや反転時間
が長いことは何れも望ましいものではないので、
これらのものを改良してこの種デイスプレーを発
展させる試みがなされてきた。
これらのセルの書き込みと消去に関するメカニ
ズムは２つの異なる電気−光の相互作用を含んで
いる。消去作用は正の誘電異方性を有するスメク
チツク分子の誘電配列によつて行なわれる。この
作用は交番周波数の反転時間が空間電荷の衰退時
間よりも遥かに短時間である時に最も効果的に行
なわれる。空間電荷の衰退時間とは物質に電界が
印荷された後に、その物質が静電的に平衡状態と
なるまでに要する時間である。ネマチツクス
（Nematics）の場合にはこの周波数は1kHz又は
それ以上のオーダーであり、これはスメクチツク
スの場合も同様である。これ以下の周波数では電
気流体力学上の不安定が生じ易く、そのために完
全な等方性配列が得られなくなる。しかしながら
完全な等方性配列からの多少のずれにより核形成
場所が生ずることとなり、これにより散乱を容易
に惹起させることができるのでこの多少のずれは
むしろ望ましいものと考えられる。厚さ20ミクロ
ンの8CB層からなるデイスプレー用セルの場合に
は、1KHzの周波数の65Vr.m.s.で等方性配列とな
つて消去が行なわれる。この場合には配列のずれ
が少いので等方性的に配列されたセルの明るさに
対する可視的な影響は現われない。
ズムは２つの異なる電気−光の相互作用を含んで
いる。消去作用は正の誘電異方性を有するスメク
チツク分子の誘電配列によつて行なわれる。この
作用は交番周波数の反転時間が空間電荷の衰退時
間よりも遥かに短時間である時に最も効果的に行
なわれる。空間電荷の衰退時間とは物質に電界が
印荷された後に、その物質が静電的に平衡状態と
なるまでに要する時間である。ネマチツクス
（Nematics）の場合にはこの周波数は1kHz又は
それ以上のオーダーであり、これはスメクチツク
スの場合も同様である。これ以下の周波数では電
気流体力学上の不安定が生じ易く、そのために完
全な等方性配列が得られなくなる。しかしながら
完全な等方性配列からの多少のずれにより核形成
場所が生ずることとなり、これにより散乱を容易
に惹起させることができるのでこの多少のずれは
むしろ望ましいものと考えられる。厚さ20ミクロ
ンの8CB層からなるデイスプレー用セルの場合に
は、1KHzの周波数の65Vr.m.s.で等方性配列とな
つて消去が行なわれる。この場合には配列のずれ
が少いので等方性的に配列されたセルの明るさに
対する可視的な影響は現われない。
一般にセルに低周波を加えると散乱状態に相当
する電気流体力学上の不安定状態となる。ネマチ
ツク材料を使用する場合にはその力学上の散乱に
より分子をイオンの移動方向に配列させるための
伝導トルクを伴うのが普通である。この方向は純
粋の誘電力のみで分子を配列させるときの方向と
直角の方向である。この場合の渦動は電界印加方
向に沿う面内に形成される。しかしながらスメク
チツク材料の散乱状態の実験では、この材料の場
合には渦動が電界印加方向と直角な面内に形成さ
れることが判つた。電界方向に沿つて移動するイ
オンに基づく伝導力は分子を誘電力の場合と同一
方向に配列させるように働くが、層状構成のスメ
クチツクＡはこのイオンの移動を阻止する。渦動
が電界印加方向と直角な面内に形成される理由に
ついては不明であるが、前記の阻止作用により散
乱状態となるものと考えられる。層状構成のスメ
クチツクＡの場合には完全な等方性配向からのず
れが散乱状態を惹起するのに重要な役割を果すも
のと考えられる。これは電界の作用によりスメク
チツク層に分裂が生じ、スメクチツク層の波動に
より層間にイオンを移動させるためと考えられ
る。あるいは粗面又は消去期間に生ずる電気流体
力学上の不安定に基づいて層上に強制的に作られ
る波動によりイオンが層中を突抜けることができ
るような弱い部分が層に形成されるためとも考え
られる。理由は何れにせよ配向のずれを利用する
と一層低いスレツシヨルド電圧で散乱を惹起させ
たり又は応答時間を短縮させたりすることができ
ることがわかつた。従つて平滑な内壁面を有する
デイスプレーセルの場合、消去周波数を約1kHz
から2kHz以上に増大して等方性的に配列される
層の質を改善しようとすれば、次の再書き込み動
作を著しく遅られることとなることがわかつてい
る。さらにまたスメクチツクＣ材料を用いること
により、スレツシヨルド電圧を下げたり応答時間
を早くするための配向ずれが得られるものと考え
られている。
する電気流体力学上の不安定状態となる。ネマチ
ツク材料を使用する場合にはその力学上の散乱に
より分子をイオンの移動方向に配列させるための
伝導トルクを伴うのが普通である。この方向は純
粋の誘電力のみで分子を配列させるときの方向と
直角の方向である。この場合の渦動は電界印加方
向に沿う面内に形成される。しかしながらスメク
チツク材料の散乱状態の実験では、この材料の場
合には渦動が電界印加方向と直角な面内に形成さ
れることが判つた。電界方向に沿つて移動するイ
オンに基づく伝導力は分子を誘電力の場合と同一
方向に配列させるように働くが、層状構成のスメ
クチツクＡはこのイオンの移動を阻止する。渦動
が電界印加方向と直角な面内に形成される理由に
ついては不明であるが、前記の阻止作用により散
乱状態となるものと考えられる。層状構成のスメ
クチツクＡの場合には完全な等方性配向からのず
れが散乱状態を惹起するのに重要な役割を果すも
のと考えられる。これは電界の作用によりスメク
チツク層に分裂が生じ、スメクチツク層の波動に
より層間にイオンを移動させるためと考えられ
る。あるいは粗面又は消去期間に生ずる電気流体
力学上の不安定に基づいて層上に強制的に作られ
る波動によりイオンが層中を突抜けることができ
るような弱い部分が層に形成されるためとも考え
られる。理由は何れにせよ配向のずれを利用する
と一層低いスレツシヨルド電圧で散乱を惹起させ
たり又は応答時間を短縮させたりすることができ
ることがわかつた。従つて平滑な内壁面を有する
デイスプレーセルの場合、消去周波数を約1kHz
から2kHz以上に増大して等方性的に配列される
層の質を改善しようとすれば、次の再書き込み動
作を著しく遅られることとなることがわかつてい
る。さらにまたスメクチツクＣ材料を用いること
により、スレツシヨルド電圧を下げたり応答時間
を早くするための配向ずれが得られるものと考え
られている。
前記引用英国特許明細書および図面中の第２図
ならびに前記引用文献中の第５図には消去スレツ
シヨルド電圧が周波数によつて変化し、周波数が
約400Hz以上に増加するとこの電圧が減少するこ
とが示されている。これらの引用例は400Hz以上
の周波数で消去することは有利であるが、次の再
書き込み動作が不当に遅れないような大きさの周
波数で消去させる必要があることを開示してい
る。400Hz又はこれ以下の低い周波数で動作させ
るとスレツシヨルド電圧が高くなる不利益の他に
その消去周波数が書き込み動作に用いられる周波
数領域に一層近くなるという不利益をももたらす
ものである。しかし乍らこの不利益をなくすため
に交流電圧を用いる代りに直流パルス電圧を用い
てセルを消去させることができることがわかつ
た。
ならびに前記引用文献中の第５図には消去スレツ
シヨルド電圧が周波数によつて変化し、周波数が
約400Hz以上に増加するとこの電圧が減少するこ
とが示されている。これらの引用例は400Hz以上
の周波数で消去することは有利であるが、次の再
書き込み動作が不当に遅れないような大きさの周
波数で消去させる必要があることを開示してい
る。400Hz又はこれ以下の低い周波数で動作させ
るとスレツシヨルド電圧が高くなる不利益の他に
その消去周波数が書き込み動作に用いられる周波
数領域に一層近くなるという不利益をももたらす
ものである。しかし乍らこの不利益をなくすため
に交流電圧を用いる代りに直流パルス電圧を用い
てセルを消去させることができることがわかつ
た。
直流パルス電圧による集中分散の消去動作を実
験するために厚さ20ミクロンの8CB層からなるセ
ルを作つた。10ミリ秒のパルスを用いる場合に
は、完全に消去するために100Vのパルスを約35
個必要であつた。パルス電圧を150Vに上げると
完全消去に必要なパルス数は３個に減少した。
200Vでは僅か２個のパルスですみ、中間の約
180Vでは１個のパルスだけですんだ。一般的に
パルス巾を短かくした場合についても前記と同様
な効果があり、パルス巾を短かくすると同一パル
ス数でセルを消去するためにはパルス電圧をより
高くする必要があつた。いくつかの実験結果が第
１図に示されている。これらの結果は１Hzの反復
周波数のパルスを用いて得られたものであるが、
パルス間の間隔はその効果に影響を与えないもの
とみられる。パルス巾が大きいものでは反転現象
がみられた。即ち電圧を増加させると最初は必要
なパルス数が減少し、次に反転部でこれが増加し
始める現象である。この現象は次の事実により起
るものと考えられる。即ちより大きな電圧のパル
スは書き込み動作に用いられるパルス即ちセルを
散乱状態から集中分散とするのに用いられるパル
スと似てくるという事実である。これらのすべて
の効果は温度の影響を受ける。
験するために厚さ20ミクロンの8CB層からなるセ
ルを作つた。10ミリ秒のパルスを用いる場合に
は、完全に消去するために100Vのパルスを約35
個必要であつた。パルス電圧を150Vに上げると
完全消去に必要なパルス数は３個に減少した。
200Vでは僅か２個のパルスですみ、中間の約
180Vでは１個のパルスだけですんだ。一般的に
パルス巾を短かくした場合についても前記と同様
な効果があり、パルス巾を短かくすると同一パル
ス数でセルを消去するためにはパルス電圧をより
高くする必要があつた。いくつかの実験結果が第
１図に示されている。これらの結果は１Hzの反復
周波数のパルスを用いて得られたものであるが、
パルス間の間隔はその効果に影響を与えないもの
とみられる。パルス巾が大きいものでは反転現象
がみられた。即ち電圧を増加させると最初は必要
なパルス数が減少し、次に反転部でこれが増加し
始める現象である。この現象は次の事実により起
るものと考えられる。即ちより大きな電圧のパル
スは書き込み動作に用いられるパルス即ちセルを
散乱状態から集中分散とするのに用いられるパル
スと似てくるという事実である。これらのすべて
の効果は温度の影響を受ける。
第１図図示のものからパルス巾が10ミリ秒以下
の巾となるとその電圧を上げて単一パルスで消去
し得るようにする必要があることがわかる。これ
はその電圧が分散を惹起するスレツシヨルド電圧
に近くなることを意味する。その結果この種のセ
ルに対してはパルス巾が10ミリ秒から３ミリ秒の
範囲では各パルス巾に対し完全消去に必要なパル
ス数を最小にする極大値の電圧があることを示
す。この種のセルに対しては最小パルス数は１ミ
リ秒から10ミリ秒までのパルス巾に対して一様で
はない。即ち４ミリ秒パルスに対する最小パルス
数は２であり、２ミリ秒および３ミリ秒パルスの
場合には３である。パルス巾がさらに短くなると
液晶中の空間電荷の衰退時間と同等又はそれ以下
となる。これらの条件下では分散を惹起するスレ
ツシヨルド電圧は急速に増加し、その結果消去用
により高い電圧が用いられるが、消去に要する最
小パルス数が再び低下し始めることとなる。１ミ
リ秒パルスを用いると400Vを用いるものと同様
の略完全な消去が行なわれる。
の巾となるとその電圧を上げて単一パルスで消去
し得るようにする必要があることがわかる。これ
はその電圧が分散を惹起するスレツシヨルド電圧
に近くなることを意味する。その結果この種のセ
ルに対してはパルス巾が10ミリ秒から３ミリ秒の
範囲では各パルス巾に対し完全消去に必要なパル
ス数を最小にする極大値の電圧があることを示
す。この種のセルに対しては最小パルス数は１ミ
リ秒から10ミリ秒までのパルス巾に対して一様で
はない。即ち４ミリ秒パルスに対する最小パルス
数は２であり、２ミリ秒および３ミリ秒パルスの
場合には３である。パルス巾がさらに短くなると
液晶中の空間電荷の衰退時間と同等又はそれ以下
となる。これらの条件下では分散を惹起するスレ
ツシヨルド電圧は急速に増加し、その結果消去用
により高い電圧が用いられるが、消去に要する最
小パルス数が再び低下し始めることとなる。１ミ
リ秒パルスを用いると400Vを用いるものと同様
の略完全な消去が行なわれる。
マトリクスのアドレス制御方法においては選択
駆動に用いられる電圧が次の２つの事項により制
限される。その一つは駆動電圧の発生とその選択
を容易にするために低い電圧を選ぶ必要があるこ
とである。他の一つはマトリクス中の非選択単位
素子に現われる電圧が有害な影響を及ぼさないよ
うにする必要があることである。この後者の制限
は特定のマトリクスアドレス方法を採用すること
により解決できるものである。
駆動に用いられる電圧が次の２つの事項により制
限される。その一つは駆動電圧の発生とその選択
を容易にするために低い電圧を選ぶ必要があるこ
とである。他の一つはマトリクス中の非選択単位
素子に現われる電圧が有害な影響を及ぼさないよ
うにする必要があることである。この後者の制限
は特定のマトリクスアドレス方法を採用すること
により解決できるものである。
第２図を参照して1/3選択として知られている
マトリクスのアドレス方法の一例を説明する。デ
イスプレーセルを構成する２枚のガラス板１，２
を周辺シール３を用いて一体にはり合せてスメク
チツク液晶の層をセル内に気密にシールするため
の容器を構成する。この例では周辺シールにより
厚さ20ミクロンの液晶層が得られる。この充填層
はスメクチツク材料8CBであり、且つこの層は周
辺シール３を中断して形成された開口からセル内
に導入される。セルが充填されたらこの開口を例
えばインジユームのプラグ４でシールする。イン
ジユームのプラグの代りにハンダ付けでプラグを
構成してもよい。この場合には開口の壁をセルの
充填前に金属化させる。
マトリクスのアドレス方法の一例を説明する。デ
イスプレーセルを構成する２枚のガラス板１，２
を周辺シール３を用いて一体にはり合せてスメク
チツク液晶の層をセル内に気密にシールするため
の容器を構成する。この例では周辺シールにより
厚さ20ミクロンの液晶層が得られる。この充填層
はスメクチツク材料8CBであり、且つこの層は周
辺シール３を中断して形成された開口からセル内
に導入される。セルが充填されたらこの開口を例
えばインジユームのプラグ４でシールする。イン
ジユームのプラグの代りにハンダ付けでプラグを
構成してもよい。この場合には開口の壁をセルの
充填前に金属化させる。
２枚のガラス板をはり合せる前に、その対向す
る各内面に所定デイスプレー用の適当な透明電極
層を設ける。例えば平行座標のアレイ電極を作る
場合にはガラス板１には一組の横アレイ電極X1，
X2，…Xoを、ガラス板２には一組の縦アレイ電
極Y1，Y2，…Yoをそれぞれ設ける。これらの電
極は外部接続のために周辺シール領域を越えて外
部に取出される。簡単化のためにセル外の電極配
列だけを表示してセル内の電極の詳細な構成は省
略されている。セル外の電極にはそれぞれ不透明
の導電被覆を施して電気接続用の外部接続子が構
成される。周辺シール内の電極には直流の続流を
阻止するためにシラレと酸素とを大気圧下で反応
させて析出させたシリカからなる電気絶縁膜で被
覆されている。ネマチツクやコレステリツク液晶
セルでは一般的に直流附勢しないようになされて
いる。その理由は電気分解による劣化により寿命
が短くなるからである。しかしながらスメクチツ
クセルの場合にはデイスプレーを連続的に附勢す
る必要がないので上記の事項はさほど重要ではな
いと考えられる。それにも拘らずスメクチツクの
場合には切換操作により電気分解による劣化をで
きる限り小さくするように配慮されるのが普通で
ある。
る各内面に所定デイスプレー用の適当な透明電極
層を設ける。例えば平行座標のアレイ電極を作る
場合にはガラス板１には一組の横アレイ電極X1，
X2，…Xoを、ガラス板２には一組の縦アレイ電
極Y1，Y2，…Yoをそれぞれ設ける。これらの電
極は外部接続のために周辺シール領域を越えて外
部に取出される。簡単化のためにセル外の電極配
列だけを表示してセル内の電極の詳細な構成は省
略されている。セル外の電極にはそれぞれ不透明
の導電被覆を施して電気接続用の外部接続子が構
成される。周辺シール内の電極には直流の続流を
阻止するためにシラレと酸素とを大気圧下で反応
させて析出させたシリカからなる電気絶縁膜で被
覆されている。ネマチツクやコレステリツク液晶
セルでは一般的に直流附勢しないようになされて
いる。その理由は電気分解による劣化により寿命
が短くなるからである。しかしながらスメクチツ
クセルの場合にはデイスプレーを連続的に附勢す
る必要がないので上記の事項はさほど重要ではな
いと考えられる。それにも拘らずスメクチツクの
場合には切換操作により電気分解による劣化をで
きる限り小さくするように配慮されるのが普通で
ある。
液晶の後方に特殊の反射器を具備するセルにお
いては、透明アレイ電極の代りに背面板に特殊の
反射性不透明アレイ電極を用いてアレイ電極と反
射器の両機能を有するようになされる。このよう
なアレイには例えばアルミニウム又はクロム製ア
レイが用いられる。
いては、透明アレイ電極の代りに背面板に特殊の
反射性不透明アレイ電極を用いてアレイ電極と反
射器の両機能を有するようになされる。このよう
なアレイには例えばアルミニウム又はクロム製ア
レイが用いられる。
ガラス板１および２の何れか一方又は両方の内
側対向面に塗装又はその他の表面処理を施して、
液晶層の厚さ方向に印加される電界がない状態で
液晶が冷却によりスメクチツク相となる際に表面
処理された表面に近接する液晶分子が実質的に等
方性配列となるようになされる。好ましい表面処
理としてはガラス表面をレシチン又はヘキサデシ
トリメチルアンモニウムブロマイド（HMAB）
溶液で被覆することである。セルの周辺シールと
して溶融ガラスフリツトを使用することは不活性
のために一般に好ましいことであるが、この場合
の表面処理はフリツトを付着させた後に行なわれ
る。この表面処理は最初に組立セルに必要な溶液
を満たし、次にこれを排出させることによつて行
なわれる。次にセルに所望の液晶例えば8CBを充
填する。HMAB溶液の0.2％溶液を表面処理用に
用いることによつてセル中に残存している
HMABの残滓が充填される液晶中にドープして
その導電率を分散させるのに適する約108オーム
するのに役立つ。
側対向面に塗装又はその他の表面処理を施して、
液晶層の厚さ方向に印加される電界がない状態で
液晶が冷却によりスメクチツク相となる際に表面
処理された表面に近接する液晶分子が実質的に等
方性配列となるようになされる。好ましい表面処
理としてはガラス表面をレシチン又はヘキサデシ
トリメチルアンモニウムブロマイド（HMAB）
溶液で被覆することである。セルの周辺シールと
して溶融ガラスフリツトを使用することは不活性
のために一般に好ましいことであるが、この場合
の表面処理はフリツトを付着させた後に行なわれ
る。この表面処理は最初に組立セルに必要な溶液
を満たし、次にこれを排出させることによつて行
なわれる。次にセルに所望の液晶例えば8CBを充
填する。HMAB溶液の0.2％溶液を表面処理用に
用いることによつてセル中に残存している
HMABの残滓が充填される液晶中にドープして
その導電率を分散させるのに適する約108オーム
するのに役立つ。
1/3選択のアドレスモードの場合には順番に第
２直流電圧レベル（第１直流電圧レベルと第２直
流電圧レベルとの電位差VS）が印加される場合
を除きすべてのＹ電極が第１直流電圧レベルに維
持される。Ｘ電極はデータの入力用に用いられ、
且つ第３直流電圧レベル（第１直流電圧レベル＋
VD）および第４直流電圧レベル（第１直流電圧
レベル−VD）にそれぞれ選択的に切換えられる。
この電圧レベルの調節は以下のようになされる。
縦電極Ybが附勢されると、横電極Xaが縦電極Yb
と交叉する領域で決まる液晶の単位素子XaYb間
に現われる電圧は、横電極Xaがパルスの附勢期
間に第３電圧レベル又は第４電圧レベルの何れの
レベルに保持されるかにより、単位素子を切換え
る（消去する）のに充分な電圧（VS＋VD）＝VE
か又はそれ以下の電圧（VS−VD）の何れかとな
る。1/3選択のアドレスモードにおいてはVSは
2VDと等しくされる。従つてパルス附勢期間に単
位素子間に加えられる電圧の大きさは3VD＝VE又
はVDの何れかであり、パルス附勢期間以外の時
間における電圧はVDと等しいものであることが
明らかである。データの入力は縦電極が附勢され
ている間に横電極に現われる電位により行なわれ
る。Yb以外の縦電極が附勢されていると単位素
子XaYb間に現われる電圧の大きさはVDだけとな
る。従つてYbの附勢期間中のみが単位素子XaYb
間に現われる電圧の大きさを切換えることができ
ることとなる。
２直流電圧レベル（第１直流電圧レベルと第２直
流電圧レベルとの電位差VS）が印加される場合
を除きすべてのＹ電極が第１直流電圧レベルに維
持される。Ｘ電極はデータの入力用に用いられ、
且つ第３直流電圧レベル（第１直流電圧レベル＋
VD）および第４直流電圧レベル（第１直流電圧
レベル−VD）にそれぞれ選択的に切換えられる。
この電圧レベルの調節は以下のようになされる。
縦電極Ybが附勢されると、横電極Xaが縦電極Yb
と交叉する領域で決まる液晶の単位素子XaYb間
に現われる電圧は、横電極Xaがパルスの附勢期
間に第３電圧レベル又は第４電圧レベルの何れの
レベルに保持されるかにより、単位素子を切換え
る（消去する）のに充分な電圧（VS＋VD）＝VE
か又はそれ以下の電圧（VS−VD）の何れかとな
る。1/3選択のアドレスモードにおいてはVSは
2VDと等しくされる。従つてパルス附勢期間に単
位素子間に加えられる電圧の大きさは3VD＝VE又
はVDの何れかであり、パルス附勢期間以外の時
間における電圧はVDと等しいものであることが
明らかである。データの入力は縦電極が附勢され
ている間に横電極に現われる電位により行なわれ
る。Yb以外の縦電極が附勢されていると単位素
子XaYb間に現われる電圧の大きさはVDだけとな
る。従つてYbの附勢期間中のみが単位素子XaYb
間に現われる電圧の大きさを切換えることができ
ることとなる。
第２図図示の波形図においては単位素子X1Y1
およびX3Y1が最初の附勢期間中に選択され、
X2Y1は非選択の状態におかれる。第２番目の附
勢期間においてはX2Y2が選択されて、X1Y2およ
びX3Y2は選択されない。第３番目の附勢期間に
おいてはX3Y3が選択されてX1Y3およびX2Y3は
選択されない。X1Y5の如き非選択単位素子は最
大パルス電圧Ｖ＝3VDとなることがないが、その
附勢期間中にはＶ／３＝VDで示される多数のパ
ルスが生ずる。Ｖがパルス列の切換スレツシヨル
ドの３倍以下である場合にはアドレスされる横電
極の数ｎは限定されないこと明らかである。その
他の場合にはＶ／３のパルス列が蓄積効果を示し
非選択単位素子の状態が除々に変化して選択単位
素子の状態と似てくる。この混同を避けるために
パルス列のパルス数に制限を加える必要を生じ、
従つてこの方法でアドレスされる横電極の数ｎに
も制限が加えられることとなる。
およびX3Y1が最初の附勢期間中に選択され、
X2Y1は非選択の状態におかれる。第２番目の附
勢期間においてはX2Y2が選択されて、X1Y2およ
びX3Y2は選択されない。第３番目の附勢期間に
おいてはX3Y3が選択されてX1Y3およびX2Y3は
選択されない。X1Y5の如き非選択単位素子は最
大パルス電圧Ｖ＝3VDとなることがないが、その
附勢期間中にはＶ／３＝VDで示される多数のパ
ルスが生ずる。Ｖがパルス列の切換スレツシヨル
ドの３倍以下である場合にはアドレスされる横電
極の数ｎは限定されないこと明らかである。その
他の場合にはＶ／３のパルス列が蓄積効果を示し
非選択単位素子の状態が除々に変化して選択単位
素子の状態と似てくる。この混同を避けるために
パルス列のパルス数に制限を加える必要を生じ、
従つてこの方法でアドレスされる横電極の数ｎに
も制限が加えられることとなる。
これらの事情に鑑みて、セルとしては40個の横
電極が180Vの切換電圧VEを有する10ミリ秒のパ
ルスで附勢されるようになされている。選択的に
消去する前のセル全体の書き込みは300Vの50ミ
リ秒のパルスを各単位素子に同時に印加するよう
にしてなされている。この場合のデイスプレーの
リフレツシユ時間は1/2秒以下となる。
電極が180Vの切換電圧VEを有する10ミリ秒のパ
ルスで附勢されるようになされている。選択的に
消去する前のセル全体の書き込みは300Vの50ミ
リ秒のパルスを各単位素子に同時に印加するよう
にしてなされている。この場合のデイスプレーの
リフレツシユ時間は1/2秒以下となる。
第１図には原理的に上記と同一リフレツシユ時
間で５個の２ミリ秒のパルスを用いて各単位素子
を完全に消去できることが示されている。従つて
このような条件下では選択された点は第５番目の
スチヤンが終了するまでは完全には消去されな
い。この装置の欠点は消去切換電圧VEが250Vの
領域まで増加することである。さらにまた所定単
位素子に５スチヤン中の１スチヤン又はそれ以上
のスチヤン時にのみ切換パルスを加えることによ
り灰色等の中間調となるようにすることもでき
る。また一方向に対するバイアス電圧の影響を減
少させるために、交番する各スチヤン毎にパルス
の極性を反転させることもできる。このようにす
ることにより、完全消去の場合にはバイアス電圧
を省くこともできる。各交番スチヤン毎にパルス
の極性を反転させる代りにバイポーラパルス（或
極性のパルスの後に反対極性のパルスが続くも
の）をセル間に加えるようにしてもよい。さらに
このバイポーラパルスによりセル全体の書き込み
時におけるバイアス電圧を省くこともできる。
間で５個の２ミリ秒のパルスを用いて各単位素子
を完全に消去できることが示されている。従つて
このような条件下では選択された点は第５番目の
スチヤンが終了するまでは完全には消去されな
い。この装置の欠点は消去切換電圧VEが250Vの
領域まで増加することである。さらにまた所定単
位素子に５スチヤン中の１スチヤン又はそれ以上
のスチヤン時にのみ切換パルスを加えることによ
り灰色等の中間調となるようにすることもでき
る。また一方向に対するバイアス電圧の影響を減
少させるために、交番する各スチヤン毎にパルス
の極性を反転させることもできる。このようにす
ることにより、完全消去の場合にはバイアス電圧
を省くこともできる。各交番スチヤン毎にパルス
の極性を反転させる代りにバイポーラパルス（或
極性のパルスの後に反対極性のパルスが続くも
の）をセル間に加えるようにしてもよい。さらに
このバイポーラパルスによりセル全体の書き込み
時におけるバイアス電圧を省くこともできる。
上記は電圧VEとして多数のパルス列よりなる
切換スレツシヨルドの２倍又はそれ以上の電圧を
用いることにより、アドレスされる横電極の数ｎ
を限定するものについて説明した。即ち上述のセ
ルにおいてはｎ＝40に限定されたものについてそ
の特定の構造および作動について説明した。しか
しながら単位素子の分散を発生させるに必要なパ
ルスは、その部分のスメクチツク液晶の構成に依
存し、その構成が分裂している程動的分散を惹起
し易いことがわかつた。このためにパルス状電圧
を既に消去されたものや未だ消去されていないも
のを含む単位素子のアレイに印加するようになさ
れる。この場合パルス電圧は既分散単位素子に動
的分散を惹起させるが、消去された単位素子には
殆んど影響を与えない。さらに他の駆動方式を用
いて非選択単位素子が消去し始めるまで各ライン
を順次にアドレスして、次に選択された単位素子
（消去されたもの）に対して殆んど影響を与えな
いで他のすべての非選択単位素子を再分散させる
ような波形を有する第２の単一ブランキングパル
スをデイスプレー全体に印加する。この中間のブ
ランキングパルスの短期間の印加期間はアドレス
されるラインの数と対応する。原則的にこのプロ
セスが数回繰返えされる。
切換スレツシヨルドの２倍又はそれ以上の電圧を
用いることにより、アドレスされる横電極の数ｎ
を限定するものについて説明した。即ち上述のセ
ルにおいてはｎ＝40に限定されたものについてそ
の特定の構造および作動について説明した。しか
しながら単位素子の分散を発生させるに必要なパ
ルスは、その部分のスメクチツク液晶の構成に依
存し、その構成が分裂している程動的分散を惹起
し易いことがわかつた。このためにパルス状電圧
を既に消去されたものや未だ消去されていないも
のを含む単位素子のアレイに印加するようになさ
れる。この場合パルス電圧は既分散単位素子に動
的分散を惹起させるが、消去された単位素子には
殆んど影響を与えない。さらに他の駆動方式を用
いて非選択単位素子が消去し始めるまで各ライン
を順次にアドレスして、次に選択された単位素子
（消去されたもの）に対して殆んど影響を与えな
いで他のすべての非選択単位素子を再分散させる
ような波形を有する第２の単一ブランキングパル
スをデイスプレー全体に印加する。この中間のブ
ランキングパルスの短期間の印加期間はアドレス
されるラインの数と対応する。原則的にこのプロ
セスが数回繰返えされる。
このデイスプレーセルの実験によりVBと同一
電圧を存するが、より短期間の中間ブランキング
パルスを用いることが好ましいことがわかつた。
300Vの10ミリ秒のパルスは静止状態の単位素子
に動的分散を惹起させるが、既消去のものに対し
ては殆んど影響を与えない。この中間ブランキン
グに必要な10ミリ秒はアドレスされるライン数に
対応して必要とされるものであるから全体の書き
込み時間に付加されるものではない。
電圧を存するが、より短期間の中間ブランキング
パルスを用いることが好ましいことがわかつた。
300Vの10ミリ秒のパルスは静止状態の単位素子
に動的分散を惹起させるが、既消去のものに対し
ては殆んど影響を与えない。この中間ブランキン
グに必要な10ミリ秒はアドレスされるライン数に
対応して必要とされるものであるから全体の書き
込み時間に付加されるものではない。
アドレスされるラインの数は1/3選択アドレス
モード以外のモードとすることにより増加され得
るものである。そのアドレスモードの場合には
VSは2VDと等しくなされる。従つて非選択単位素
子にはその附勢期間に現われるパルス電圧の大き
さが、他の附勢期間に現われるパルス電圧の大き
さと同一となる。しかしながらVSを所定量だけ
増加し、且つVDをそれに対応する量だけ減少さ
せると（切換電圧VEを一定値とするため）非選
択単位素子の附勢期間中に受けるより大きなパル
スにより喚起される非選択単位素子の応答性の増
加は、他の附勢期間中に受けるより小さなパルス
により喚起される応答性の減少を補つてそれ以上
となる。これは例えばVSとVDがVS＝3VDの如く
変化する時に立証される。この条件下ではｎ列の
デイスプレー中の非選択単位素子はVE／２の大
きさの１個のパルスとVE／４の大きさの（ｎ−
１）個のパルスとを受ける。
モード以外のモードとすることにより増加され得
るものである。そのアドレスモードの場合には
VSは2VDと等しくなされる。従つて非選択単位素
子にはその附勢期間に現われるパルス電圧の大き
さが、他の附勢期間に現われるパルス電圧の大き
さと同一となる。しかしながらVSを所定量だけ
増加し、且つVDをそれに対応する量だけ減少さ
せると（切換電圧VEを一定値とするため）非選
択単位素子の附勢期間中に受けるより大きなパル
スにより喚起される非選択単位素子の応答性の増
加は、他の附勢期間中に受けるより小さなパルス
により喚起される応答性の減少を補つてそれ以上
となる。これは例えばVSとVDがVS＝3VDの如く
変化する時に立証される。この条件下ではｎ列の
デイスプレー中の非選択単位素子はVE／２の大
きさの１個のパルスとVE／４の大きさの（ｎ−
１）個のパルスとを受ける。
パルス高を相対的に変化させる場合の影響を調
査するためデイスプレーセル中のすべての単位素
子を最初に50ミリ秒300Vの書き込みパルスを用
いて分散状態とし、次に10ミリ秒60Vの80個のパ
ルス列で同時にアドレスして、40ラインデイスプ
レー用1/3選択アドレスモードにおける非選択単
位素子が、完全消去に180Vの２個のパルスを必
要とすることをシミユレートした。上記の長さの
パルス列の後に単位素子の分散状態には実質的な
劣化が見られなかつたが、10ミリ秒、60Vの160
個のパルス列を用いると不統一状態を呈した。し
かし乍らアドレスパルスとして10ミリ秒90Vの単
一パルス、これに続く10ミリ秒45Vの119個のパ
ルス、これに続く10ミリ90Vの単一パルス、さら
にこれに続く10ミリ秒45Vの119個のパルスを用
いてVS＝3VDモードをシミユレートしたところ、
その分散状態は実質的には劣化しないことがわか
つた。（このシミユレーシヨンを行うために用い
られた装置ではパルス高を手動で調整しなければ
ならなかつたので全パルスシークエンスを安定状
態で発生させることはできなかつた。従つてパル
ス高の異なるパルス間の間隔としては30秒となる
ように選んだ。）これはVS＝2VDからVS＝3VDに
変えるとアドレス可能なライン数を３倍近くまで
増加できることを示している。
査するためデイスプレーセル中のすべての単位素
子を最初に50ミリ秒300Vの書き込みパルスを用
いて分散状態とし、次に10ミリ秒60Vの80個のパ
ルス列で同時にアドレスして、40ラインデイスプ
レー用1/3選択アドレスモードにおける非選択単
位素子が、完全消去に180Vの２個のパルスを必
要とすることをシミユレートした。上記の長さの
パルス列の後に単位素子の分散状態には実質的な
劣化が見られなかつたが、10ミリ秒、60Vの160
個のパルス列を用いると不統一状態を呈した。し
かし乍らアドレスパルスとして10ミリ秒90Vの単
一パルス、これに続く10ミリ秒45Vの119個のパ
ルス、これに続く10ミリ90Vの単一パルス、さら
にこれに続く10ミリ秒45Vの119個のパルスを用
いてVS＝3VDモードをシミユレートしたところ、
その分散状態は実質的には劣化しないことがわか
つた。（このシミユレーシヨンを行うために用い
られた装置ではパルス高を手動で調整しなければ
ならなかつたので全パルスシークエンスを安定状
態で発生させることはできなかつた。従つてパル
ス高の異なるパルス間の間隔としては30秒となる
ように選んだ。）これはVS＝2VDからVS＝3VDに
変えるとアドレス可能なライン数を３倍近くまで
増加できることを示している。
以上は本発明の実施例について説明したが、本
発明は上記の実施例に限定されることなく、これ
に種々の変更、変形を加え得るものであること勿
論である。
発明は上記の実施例に限定されることなく、これ
に種々の変更、変形を加え得るものであること勿
論である。
第１図は消去するのに要するパルス数に対する
パルス電圧とパルス期間との関係を示す図、第２
図はデイスプレーセルと、選択消去時に電極に印
加されるパルス波形の一例を示す図である。 １，２……ガラス板、３……周辺シール、４…
…プラグ、X1〜Xo……横電極、Y1〜Yo……縦電
極。
パルス電圧とパルス期間との関係を示す図、第２
図はデイスプレーセルと、選択消去時に電極に印
加されるパルス波形の一例を示す図である。 １，２……ガラス板、３……周辺シール、４…
…プラグ、X1〜Xo……横電極、Y1〜Yo……縦電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２枚の電極板間に介挿されたスメクチツク材
からなる層を有し、前記各電極板には互いに交叉
するように配設された第１および第２のアレイ電
極が設けられ、前記各アレイ電極の各交叉部に前
記層の厚さと前記各アレイ電極の交叉面積とによ
り限定される液晶の各単位素子が形成され、前記
スメクチツク材は正の誘電異方性を有し且つ前記
層間に印加される電界により動的分散を起こさせ
るのに充分な大きさの導電性を有し、前記電極板
の少なくとも一方が透明体であり且つこの電極板
面に接する前記層が電界が印加されない状態で冷
却により非スメクチツク相からスメクチツク相に
変化する際に前記電極板面に近接する前記層の分
子が等方性配向となるようになされた内部電極型
液晶デイスプレーセルにおいて、 前記各アレイ電極間に電圧を印加して前記単位
素子に動的分散を起こさせる工程と、 前記印加電圧を除去して前記単位素子の動的分
散を静的集中分散に変換する工程と、 消去の時に必要なパルス数を極小とするパルス
電圧およびパルス巾を有する直流電圧切換パルス
を前記単位素子を形成する各電極間に該パルス数
印加して前記単位素子を選択的に非分散の等方性
配向状態に復元する工程と、 を具備してなることを特徴とする液晶デイスプレ
ーセルのマトリクス座標アドレス方法。 ２ 前記単位素子間にそれぞれ異なる電位差を発
生する複数の切換パルスを用いて、前記単位素子
を非分散状態に選択的に復元させることを特徴と
する前記特許請求の範囲第１項記載の液晶デイス
プレーセルのマトリクス座標アドレス方法。 ３ 前記複数の切換パルスは、前記電位差を交番
させるようなパルスよりなることを特徴とする前
記特許請求の範囲第２項記載の液晶デイスプレー
セルのマトリクス座標アドレス方法。 ４ 前記切換パルスを選択単位素子に印加した後
スキヤンし、前記選択素子に次の切換パルスが印
加される前にこのスキヤンを終るようにしてなる
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第２項記載
の液晶デイスプレーセルのマトリクス座標アドレ
ス方法。 ５ 各マトリクスのスキヤン中に一組の選択単位
素子にバイポーラパルス波形の切換パルスを印加
するようにしてなることを特徴とする前記特許請
求の範囲第３項記載の液晶デイスプレーセルのマ
トリクス座標アドレス方法。 ６ 或る選択単位素子に他のものより少い切換パ
ルスを印加することにより中間調を得るようにし
てなることを特徴とする前記特許請求の範囲第２
項、第３項第４項または第５項記載の液晶デイス
プレーセルのマトリクス座標アドレス方法。 ７ 前記単位素子を選択的に非分散状態に復元す
る工程は、各第１アレイ電極が第１直流電圧レベ
ルから第２直流電圧レベル（第１直流電圧レベル
と第２直流電圧レベルとの電位差VS）へ順番に
印加される場合を除き、各第１アレイ電極を第１
直流電圧レベルに保持し、且つ同時に各第２アレ
イ電極を選択的に第３直流電圧レベル（第１直流
電圧レベル＋VD）および第４直流電圧レベル
（第１直流電圧レベル−VD）（ただしVS2VD）
に切換えることにより行なうようにしてなること
を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の液
晶デイスプレーセルのマトリクス座標アドレス方
法。 ８ 前記電位差VSは VS＜3VD となるようにしてなることを特徴とする前記特許
請求の範囲第７項記載の液晶デイスプレーセルの
マトリクス座標アドレス方法。 ９ 前記電位差VSは VS＝2VD となるようにしてなることを特徴とする前記特許
請求の範囲第７項記載の液晶デイスプレーセルの
マトリクス座標アドレス方法。 １０ 前記電位差VSは VS＝3VD となるようにしてなることを特徴とする前記特許
請求の範囲第７項記載の液晶デイスプレーセルの
マトリクス座標アドレス方法。 １１ 前記動的分散を惹起させるために前記各第
１アレイ電極と第２アレイ電極との間に印加する
電圧を単一直流電圧パルスを構成するようにして
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の液晶デイスプレーセルのマトリクス座標アドレ
ス方法。 １２ 前記動的分散を惹起させるために前記各第
１アレイ電極と第２アレイ電極との間に印加する
電圧をバイポーラパルスで構成するようにしてな
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記
載の液晶デイスプレーセルのマトリクス座標アド
レス方法。 １３ 前記動的分散を惹起させるために用いられ
る前記パルスのパルス巾以下のパルス巾を有し、
且つ非選択単位素子を前記選択的復元工程の終了
前の分散状態と同一分散状態に復元させるために
必要なパルス巾であるが、選択単位素子を復元さ
せる程のパルス巾ではないパルス巾を有するリフ
レツシユパルスを挿入して、前記各単位素子を非
分散状態に選択的に復元する工程を一回以上中断
させるようにしてなることを特徴とする前記特許
請求の範囲第１１項記載の液晶デイスプレーセル
のマトリクス座標アドレス方法。 １４ 前記スメクチツク材はスメクチツクＡから
構成されるようにしてなることを特徴とする前記
特許請求の範囲第１項記載の液晶デイスプレーセ
ルのマトリクス座標アドレス方法。
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190244640A1 (en) * | 2018-02-07 | 2019-08-08 | Getac Technology Corporation | Waterproof module and seal member thereof |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| GB2139392B (en) * | 1983-05-05 | 1986-10-22 | Standard Telephones Cables Ltd | Display device |
| GB2149176B (en) * | 1983-10-26 | 1988-07-13 | Stc Plc | Addressing liquid crystal displays |
| GB2150726B (en) * | 1983-11-30 | 1988-01-20 | Standard Telephones Cables Ltd | Office terminals |
| GB2161951B (en) * | 1984-07-17 | 1988-01-20 | Stc Plc | Laser addressed smectic displays |
| US4682858A (en) * | 1984-08-20 | 1987-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having reduced-pressure region in communication with ferroelectric liquid crystal |
| US4668049A (en) * | 1984-12-18 | 1987-05-26 | Itt Corporation | Illumination for a scattering type liquid crystal display |
| KR910001848B1 (ko) * | 1986-02-06 | 1991-03-28 | 세이꼬 엡슨 가부시끼가이샤 | 화상 표시 장치 |
| US4773738A (en) * | 1986-08-27 | 1988-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device using ferroelectric liquid crystal and AC and DC driving voltages |
| US4799770A (en) * | 1986-10-02 | 1989-01-24 | Greyhawk Systems, Inc. | Liquid crystal cell for image projections and method of operating same |
| US5082587A (en) * | 1988-09-23 | 1992-01-21 | Janulis Eugene P | Achiral fluorine-containing liquid crystals |
| US5262082A (en) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ferroelectric liquid crystal compounds having perfluoroether terminal portions |
| US5482650A (en) * | 1992-04-28 | 1996-01-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compounds having perfluoroether terminal portions |
| US5399291A (en) * | 1993-09-30 | 1995-03-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compounds having a fluoroether terminal portion |
| US6154190A (en) * | 1995-02-17 | 2000-11-28 | Kent State University | Dynamic drive methods and apparatus for a bistable liquid crystal display |
| US5702637A (en) * | 1995-04-19 | 1997-12-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compounds having a chiral fluorinated terminal portion |
| US5658491A (en) * | 1995-10-12 | 1997-08-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for controlling cone tilt angle in mixtures of smectic liquid crystal compounds |
| US5855812A (en) * | 1997-04-11 | 1999-01-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Compounds and process for controlling cone tilt angle in mixtures of smectic liquid crystal compounds |
| US6268840B1 (en) | 1997-05-12 | 2001-07-31 | Kent Displays Incorporated | Unipolar waveform drive method and apparatus for a bistable liquid crystal display |
| US6133895A (en) * | 1997-06-04 | 2000-10-17 | Kent Displays Incorporated | Cumulative drive scheme and method for a liquid crystal display |
| US6309561B1 (en) | 1997-12-24 | 2001-10-30 | 3M Innovative Properties Company | Liquid crystal compounds having a chiral fluorinated terminal portion |
| US20030122752A1 (en) * | 2002-01-03 | 2003-07-03 | Yao-Dong Ma | Localized driving means for cholesterics displays |
| CA2792334A1 (en) | 2010-03-15 | 2011-09-22 | Terry Victor Clapp | Liquid crystal formulations and structures for smectic a optical devices |
| WO2011115611A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | Cambridge Enterprise Limited | Liquid crystal formulations and structures for smectic a optical devices |
| GB201100375D0 (en) | 2011-01-10 | 2011-02-23 | Cambridge Entpr Ltd | Smectic A compositions for use in electrical devices |
| GB2553147A (en) * | 2016-08-26 | 2018-02-28 | Univ Oxford Innovation Ltd | Speckle reduction |
| PL240079B1 (pl) | 2017-10-31 | 2022-02-14 | Wojskowa Akad Tech | Smektyczna mieszanina ciekłokrystaliczna domieszkowana związkami jonowymi, sposób jej otrzymywania oraz jej zastosowanie |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116278A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Hitachi Chemical Co Ltd |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3575492A (en) * | 1969-07-10 | 1971-04-20 | Rca Corp | Turnoff method and circuit for liquid crystal display element |
| GB1557199A (en) * | 1976-01-06 | 1979-12-05 | Standard Telephones Cables Ltd | Liquid crystal display cells |
| FR2373076A1 (fr) * | 1976-12-03 | 1978-06-30 | Thomson Csf | Cellule a cristal liquide |
| JPS5887535A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
1980
- 1980-01-16 GB GB8001499A patent/GB2067811B/en not_active Expired
- 1980-12-23 US US06/219,559 patent/US4419664A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-01-16 AU AU66271/81A patent/AU532891B2/en not_active Expired
- 1981-01-16 NL NL8100184A patent/NL191806C/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-01-16 JP JP396481A patent/JPS56106283A/ja active Granted
-
1983
- 1983-08-25 US US06/526,563 patent/US4528562A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116278A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Hitachi Chemical Co Ltd |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190244640A1 (en) * | 2018-02-07 | 2019-08-08 | Getac Technology Corporation | Waterproof module and seal member thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL191806B (nl) | 1996-04-01 |
| JPS56106283A (en) | 1981-08-24 |
| NL8100184A (nl) | 1981-08-17 |
| GB2067811B (en) | 1983-08-10 |
| GB2067811A (en) | 1981-07-30 |
| AU6627181A (en) | 1981-07-23 |
| NL191806C (nl) | 1996-08-02 |
| AU532891B2 (en) | 1983-10-20 |
| US4419664A (en) | 1983-12-06 |
| US4528562A (en) | 1985-07-09 |
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