JPS6350471A - タ−ゲツトの製法 - Google Patents

タ−ゲツトの製法

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JPS6350471A
JPS6350471A JP62201988A JP20198887A JPS6350471A JP S6350471 A JPS6350471 A JP S6350471A JP 62201988 A JP62201988 A JP 62201988A JP 20198887 A JP20198887 A JP 20198887A JP S6350471 A JPS6350471 A JP S6350471A
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0475Impregnated alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
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    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、陰極ス・ぐツタリング又は蒸着により物体を
被覆するための、その組成に基づき平衡状態で高い脆性
相分を含有し、周囲の雰囲気及び/又はるつぼ材料と容
易に反応する、高純度で、機械的に安定な、高密度を有
するターゲット殊に主として稀土類及び遷移金属又は珪
素及び超耐熱性金属(refraktaren Mat
all)よυなるターゲットの製法に関する。
従来の技術 陰柩ス/Fツタリング(5puttern )及び蒸着
を用いて、その使用が電子工学及びデータ工学での作用
層から腐蝕及び磨滅−保護層を経て装飾及びエネルギー
工業用の光学的層にまで及ぶ基材上の薄層を得ることが
できる。
陰極ス・マンタリングの際には、陰極(ターゲット)と
対向電極との間に電気的なガス放電が起こシ、この際、
跳飛イオンによりターゲットから原子の大きさの粒子が
打ち出され、対向電極の範囲に配置されている基材上に
沈着される。
ガス放電雰囲気として、不活性ガス例えばアルゴン又は
ヘリウム又は反応性ガス例えば酸素、窒素又はアセチレ
ンが低い圧力で使用される。
不活性ガススノンツタ一の際に、このターゲットは、通
例、形成すべき層を構成する物質よシ成り、反応性ス・
ぐツタ−の際に、打ち出されるターゲット粒子は反応性
ガスと反応し、反応性生成物の形で層として沈着される
蒸着法では、とのターゲット材料を真空中で、電子ビー
ム−又は抵抗−加熱により熱的に蒸発させ、薄層として
基材上に析出させる。
このターゲットは、通例、熔融法で、変形及び切削法に
より、又は相応する粉末もしくは粉末混合物の圧縮又は
焼結による粉末冶金学的により適当な後処理を伴なって
製造できる。
その組成に基づき、高い脆性相分を含有するターゲット
材料では、熔融法による製法は問題である。それという
のも、このようなターケ・ノドは、鋳型後の冷却時に、
熱膨張に基づき亀裂を有し、破断して片になりうるから
である。更に、このような材料は、大抵は機械的に操作
不能であり、一定の所望の価値のターゲット形状は製造
できない。
粉末冶金学的方法は、反応敏感な成分を多量に含有し、
例えば空気酸素と反応するようなターゲット材料では問
題である。粉末の大きい比表面積及びこれから生じる反
応親和性(で基づき、例えば低い酸素含分での高いター
ゲット品質は粉末冶金学的には製造できない。
更に、粉末冶金学的に製造された製品は、大抵、部分的
に開放残留空隙を有し、この残留空隙は酸素敏感なター
ゲット材料では、全ターゲットの酸化可能性に基づき許
容可能ではない。
この製造困難性は、殊に、主として稀土類及び厳づ金属
もしくは珪素及び超耐熱性金属を有するターゲットで現
われる。
発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の課題は、物体を陰極ス・母ツタリング
又は蒸着により被覆するための、その組成に基づき平衡
状態で高い脆性相分を含有し、容易に周囲の雰囲気及び
/又はるつぼ材料と反応する、高純度で機械的に安定な
、高い相対密度を有するターゲット殊に、主として稀土
類及び遷移金属又は珪素及び超耐熱性金属より成り、機
械的に加工可能で、孔のないターゲットの製法を開発す
ることであった。
問題を解決するための手段 この課題は、本発明により次のようにして解決される:
まず所望のターゲット組成の高融点成分の少なくとも1
部分から多孔性体を製造し、引続きターゲット成分の残
りで低融点含浸物質を製造し、多孔性体をこれで含浸し
、この際、含浸物質の組成を、含浸物質と多孔性体との
反応により含浸物質に比べて著るしい低融点相分は生じ
ないように選択すべきであシ、この際相応する炉プログ
ラムによる含浸時間は、脆性と関連して無視しうる程度
の平衡相分が生じるように短かく選択する。
周囲の雰囲気及び/又はるつぼ材料に対して反応敏感な
ターゲット組成の成分を含浸物質に加えるのが有利であ
る。
所望のターゲット組成の高融点成分の少なくとも1部分
を含有する多孔性体を、通例、弛るい粉末堆積物として
かつ/又は圧縮及び/又は焼結により製造する。しかし
ながら、これは、ワイヤメツシュ、ワイヤウール、フリ
ース又は穿孔板から並びに緻密な材料の機械的操作によ
り製造することもできる。
含浸工程は、真空中での被覆−1基材−1浸漬−又は加
圧−含浸として、保護ガス下で、又は還元性雰囲気中で
行なうことができる。完全な含浸のための作動力は、孔
中で作用する毛細管力及び対向する湿潤化力である。
含浸物質として、ターゲット組成の低融点成分又は必要
成分の残りを含有する低融点(例えば共融)合金が使用
される。この際、含浸物質の組成は、多孔性体との反応
により含浸物質よりも著るしく低い融解温度を有する相
を生じないように選択すべきである。含浸時間(加熱、
含浸温度での保持、冷却)は、多孔性体の完全な濡れ及
び充填を行なうが、脆性相を生じるはずの含浸物質と多
孔性体との間の反応が無視可能に僅かである程度の短時
間を選択すべきである。
ターゲットの全組成は、完全な含浸時に多孔性体及び含
浸物質の全組成によっても多孔性体の孔容積によっても
決定される。従って、多孔性体の孔容積を、例えば篩別
された粉末フラクション及び相応する圧縮条件を用いて
正確に調節することが必要である。
意外にも、脆く、反応に敏感なターゲット物質を用いて
のこの製造法は、ス・ぐツタリング要件に一致し、複雑
な形状の型造のために機械的に加工可能であり、緻密で
孔を有せず、機械的に安定な成形部材をもたらす。これ
らは、非常に僅かなガス及び不純物を含有する。この含
浸法は、意外にも、脱気と共に、真空中又は還元性雰囲
気中での他の精製工程を可能にし、熔融されていない不
純物例えば含浸物質が場合によ多含有している酸化物は
、含浸後後に、含浸体の外に残滓(5chlack )
として残り、僅かな融液のみが多孔性体の毛細管中に達
する。
実施例 次の実施例につき本発明の方法を詳述する:例1 テルビウム25原子チを含有する鉄−テルビウム−合金
から磁気光学的記憶層を得るための、高純度で、緻密な
、機械的に安定なス・ぞソターターゲットを製造するた
めに、多孔性の鉄物体を真空下に焼結法で純鉄粉末から
製造する(1000”C/lh/10=Pa  )。
この鉄粉末の粒度分布は、篩別により、前記の焼結条件
で54.3%の空隙率に調節されるように選択すべきで
ある。この空隙率は、線状RR3−分布を有する粒度5
o〜150μmのフラクション(DIN66145 )
を使用する際に達成される。
この場合、含浸物質の組成は、系鉄−テルビウムの共融
組成(テルビウム72原子チ、融点847°C)に一致
し、完全な含浸の際に、テルビウム25原子チで残りは
鉄である所望組成が得られる。
この含浸工程は、真空炉内での被覆含浸として行なう。
この含浸物質の必要な被覆板は真空透導炉内で熔融法で
製造することができる。共融組成の合金は、充分に延性
であり、機械的に安定である。
真空炉の装荷の後に、含浸法は900″C/10−6m
 パールで3分間行なう。
例2 Q 00 ”C/ l 0−4Paで20分まで含浸時
間を延長する際に、含浸及び濡れを経て、含浸物質と鉄
物体との間で激しい反応が起こり、この際、脆性相の高
い組織分が生じる。このターゲットは、脆性に基づき、
融解法での製造の際と同様に機械的に安定ではなく、個
々の片に崩壊する。
これに反して、含浸時間を例1におけるように3分に限
定すると、この含浸番てわたり、あまり反応は起こらず
、従って、生成物は良好な機械的安定性を有し、複雑な
形状も切削性作業で製造可能である。
このターゲット材料で得られるガス含分ば5o o p
pm以下である。
例3 高純度の緻密で、機械的に安定な珪化タンタル(TaS
i)−スノセッターターグットを製造するために、含浸
すべき物体として、真空中で高縄度の集塊タンタル粉末
の焼結により多孔性メンタル体を製造する(1480°
O/lh/10−’Pa)。前記焼結条件で、105〜
210μmの粒度分布の相応する選択により、69%の
必要空隙率が達成され、共融含浸材料(珪素99原子係
、タンタル1原子チ、Ts=1385°C)の使用及び
完全な含浸の際に、珪素66.6原子チの所望全組成が
達成される。
との含浸工程は、真空中、1450°O/2m1n/ 
l Q−4Pa  での浸漬含浸として行なう。
前記の含浸法は、類似の状態に応じて、高純度で、緻密
な機械的に安定なターゲットを製造するために、稀土類
及び遷移金属もしくは超耐熱性金属及び珪素を基礎とす
るすべての材料に移行することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、物体を陰極スパッタリング又は蒸着により被覆する
    ための、その組成に基づき平衡状態時に高い脆性相分を
    含有し、容易に周囲の雰囲気及び/又はるつぼ材料と反
    応する、高い相対密度を有し、高純度で、機械的に安定
    なターゲットを製造するために、まず、所望のターゲッ
    ト組成の高融点成分の少なくとも1部分から多孔性体を
    つくり、引続きこのターゲット成分の残りを用いて低融
    点含浸物質をつくり、多孔性体をこれで含浸し、その際
    、含浸物質の組成を、含浸物質と多孔性体との反応によ
    り含浸物質に比べて著るしい低融点相分が生じないよう
    に選択し、この際、相応する炉プログラムによる含浸時
    間を、脆性と関連して無視しうる程度の平衡相分が生じ
    る程度に短かく選択することを特徴とする、物体被覆用
    の、高い相対密度を有し、高純度で機械的に安定なター
    ゲットの製法。 2、周囲の雰囲気及び/又はるつぼ材料に対して反応性
    の成分を含浸物質中に含有している、特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
JP62201988A 1986-08-16 1987-08-14 タ−ゲツトの製法 Granted JPS6350471A (ja)

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JPS6350471A true JPS6350471A (ja) 1988-03-03
JPH057461B2 JPH057461B2 (ja) 1993-01-28

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EP (1) EP0257463A3 (ja)
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DE (1) DE3627775A1 (ja)

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