JPS6350289Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350289Y2 JPS6350289Y2 JP1986096819U JP9681986U JPS6350289Y2 JP S6350289 Y2 JPS6350289 Y2 JP S6350289Y2 JP 1986096819 U JP1986096819 U JP 1986096819U JP 9681986 U JP9681986 U JP 9681986U JP S6350289 Y2 JPS6350289 Y2 JP S6350289Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation source
- ion plating
- evaporated
- discharge tube
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は効率よく緻密な被膜を生成することの
できる新しいイオンプレーテイング装置に関す
る。
できる新しいイオンプレーテイング装置に関す
る。
（従来の技術）
従来行なわれているイオンプレーテイングは、
真空室内に基板と蒸発源の間でグロー放電を起こ
させ、蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化さ
せている。しかしこの方法では蒸発物質をイオン
化され陽イオンと電子に分離されても電子が存在
するために基板に到達するまでに大部分が中和さ
れる。この結果、基板付近のイオン化率は数％に
過ぎず、緻密な被覆を得ることが困難であつた。
また、蒸発源から蒸発した蒸発物質の大部分が真
空室内の炉壁に付着するため、基板に付着する蒸
着物の量は極めて少なく、生成速度が遅いという
欠点がある。
真空室内に基板と蒸発源の間でグロー放電を起こ
させ、蒸発源から蒸発した蒸発物質をイオン化さ
せている。しかしこの方法では蒸発物質をイオン
化され陽イオンと電子に分離されても電子が存在
するために基板に到達するまでに大部分が中和さ
れる。この結果、基板付近のイオン化率は数％に
過ぎず、緻密な被覆を得ることが困難であつた。
また、蒸発源から蒸発した蒸発物質の大部分が真
空室内の炉壁に付着するため、基板に付着する蒸
着物の量は極めて少なく、生成速度が遅いという
欠点がある。
（考案が解決しようとする問題点）
本考案は緻密な被膜を効率よく生成することが
できるようなイオンプレーテイング装置を提供す
ることを目的とする。
できるようなイオンプレーテイング装置を提供す
ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
このため本考案は、真空室内にガス導入管と、
蒸着物質の蒸発源と、該蒸発源に対向する基板
と、蒸発源を蒸発させイオン化させるために蒸発
源に対向して配置される電子銃とからなるイオン
プレーテイング装置であつて、蒸発源全体を区画
室内に囲繞する中空陽極放電管を設けると共に、
該区画室内にガス導入管を開口させ、接地電位に
対し正電位を印加しうることとした。
蒸着物質の蒸発源と、該蒸発源に対向する基板
と、蒸発源を蒸発させイオン化させるために蒸発
源に対向して配置される電子銃とからなるイオン
プレーテイング装置であつて、蒸発源全体を区画
室内に囲繞する中空陽極放電管を設けると共に、
該区画室内にガス導入管を開口させ、接地電位に
対し正電位を印加しうることとした。
（作用）
中空陽極放電管を電子捕集電極となし、蒸発源
から発生した二次電子を捕集すると共に、該二次
電子を蒸発原子と衝突させることにより蒸発原子
を極めて高い率で正イオンとして分解・放電させ
る。
から発生した二次電子を捕集すると共に、該二次
電子を蒸発原子と衝突させることにより蒸発原子
を極めて高い率で正イオンとして分解・放電させ
る。
（実施例）
以下本考案の実施例を図面に従つて説明する。
本考案に基づくイオンプレーテイング装置は、真
空室１中に蒸発源２と基板３を設け、蒸発物質を
蒸発およびイオン化させるためのプラズマ発生型
電子銃４を蒸発源２に対向させて設ける。さら
に、蒸発源２を区画室７内に囲繞する円筒形の中
空陽極放電管５を設けて、これを電子捕集電極と
している。前記電子捕集電極５は接地電位に対し
て正電位を印加し、区画室７内の電気的に負であ
る電子を捕集すると同時に、陽イオンを反発し、
真空室内に付着する蒸発物の量を少なくする。
本考案に基づくイオンプレーテイング装置は、真
空室１中に蒸発源２と基板３を設け、蒸発物質を
蒸発およびイオン化させるためのプラズマ発生型
電子銃４を蒸発源２に対向させて設ける。さら
に、蒸発源２を区画室７内に囲繞する円筒形の中
空陽極放電管５を設けて、これを電子捕集電極と
している。前記電子捕集電極５は接地電位に対し
て正電位を印加し、区画室７内の電気的に負であ
る電子を捕集すると同時に、陽イオンを反発し、
真空室内に付着する蒸発物の量を少なくする。
また、前記捕集電極５は添加ガスを導入するた
めのガス導入管６を前記蒸発源２と電子捕集電極
８の間に設けることにより、区画室７内に導入さ
れてイオン化された添加ガスの電子のみを捕集
し、添加ガスと蒸発物質の反応効率を高める効果
もある。なお、中空陽極放電管は実施例のように
円筒形に限らず適宜の形状を採ることもできる。
めのガス導入管６を前記蒸発源２と電子捕集電極
８の間に設けることにより、区画室７内に導入さ
れてイオン化された添加ガスの電子のみを捕集
し、添加ガスと蒸発物質の反応効率を高める効果
もある。なお、中空陽極放電管は実施例のように
円筒形に限らず適宜の形状を採ることもできる。
上記の実施例に示す装置によつて窒化チタンの
イオンプレーテイングを行ない、同時にプローブ
法により基板位置のイオン化率を測定した。蒸発
源にはチタン、添加ガスには窒素を用いた。この
ときイオン化率は50％であり、また被膜生成速度
は１時間当り8μであつた。
イオンプレーテイングを行ない、同時にプローブ
法により基板位置のイオン化率を測定した。蒸発
源にはチタン、添加ガスには窒素を用いた。この
ときイオン化率は50％であり、また被膜生成速度
は１時間当り8μであつた。
また電子捕集電極に正電位を印加しないで同様
のイオンプレーテイングを行なつたが、このとき
のイオン化率は６％、被膜生成速度は１時間当り
3μであつた。このときの被膜を走査型電子顕微
鏡で観察したが、電子捕集電極に正電位を印加し
たときと比べ、ポーラスな被膜であつた。
のイオンプレーテイングを行なつたが、このとき
のイオン化率は６％、被膜生成速度は１時間当り
3μであつた。このときの被膜を走査型電子顕微
鏡で観察したが、電子捕集電極に正電位を印加し
たときと比べ、ポーラスな被膜であつた。
（効果）
以上のように、本考案によれば、中空陽極放電
管の区画室内に蒸発源全体を囲繞したので中空陽
極放電管に接地電位に対し正電位を印加すること
により、これが電子捕集電極として作用して蒸発
源で発生した二次電子を捕集すると同時に蒸発原
子と衝突をし、蒸発原子を極めて高い率で正イオ
ンとして分解放電させ、蒸発源付近で生じたイオ
ンが中和されることなく、基板まで確実に到達す
る。しかも蒸発物を真空内の炉壁に付着させずに
効率よく基板に付着させることが可能になつた。
管の区画室内に蒸発源全体を囲繞したので中空陽
極放電管に接地電位に対し正電位を印加すること
により、これが電子捕集電極として作用して蒸発
源で発生した二次電子を捕集すると同時に蒸発原
子と衝突をし、蒸発原子を極めて高い率で正イオ
ンとして分解放電させ、蒸発源付近で生じたイオ
ンが中和されることなく、基板まで確実に到達す
る。しかも蒸発物を真空内の炉壁に付着させずに
効率よく基板に付着させることが可能になつた。
図面は本考案による装置の構成を示す概略ブロ
ツク図である。 １……真空室、２……蒸発源、３……基板、４
……プラズマ発生型電子銃、５……中空陽極放電
管（電子捕集電極）、６……ガス導入管、７……
区画室。
ツク図である。 １……真空室、２……蒸発源、３……基板、４
……プラズマ発生型電子銃、５……中空陽極放電
管（電子捕集電極）、６……ガス導入管、７……
区画室。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空室内にガス導入管と、蒸着物質の蒸発源
と、該蒸発源に対向する基板と、蒸発源を蒸発
させイオン化させるために蒸発源に対向して配
置される電子銃とからなるイオンプレーテイン
グ装置において、蒸発源全体を区画室内に囲繞
する中空陽極放電管を設けてこれを電子捕集電
極となすと共に、ガス導入管を蒸発源と中空陽
極放電管の間に開口させたことを特徴とするイ
オンプレーテイング装置。 (2) 前記中空陽極放電管は円筒形である実用新案
登録請求の範囲第１項記載のイオンプレーテイ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986096819U JPS6350289Y2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986096819U JPS6350289Y2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637158U JPS637158U (ja) | 1988-01-18 |
| JPS6350289Y2 true JPS6350289Y2 (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=30963018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986096819U Expired JPS6350289Y2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350289Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4990685A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-29 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP1986096819U patent/JPS6350289Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4990685A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637158U (ja) | 1988-01-18 |
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