JPS6350058A - 半導体撮像装置 - Google Patents
半導体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6350058A JPS6350058A JP61194244A JP19424486A JPS6350058A JP S6350058 A JPS6350058 A JP S6350058A JP 61194244 A JP61194244 A JP 61194244A JP 19424486 A JP19424486 A JP 19424486A JP S6350058 A JPS6350058 A JP S6350058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active region
- width
- charge
- charge storage
- vertical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体撮像装置に関し、さらに詳しくは、
電荷掃き寄せ型の半導体撮像装置における電荷蓄積手段
としての活性領域の改良に係るものである。
電荷掃き寄せ型の半導体撮像装置における電荷蓄積手段
としての活性領域の改良に係るものである。
この種の半導体撮像装置については、近年、その固体撮
像素子の高集積化が著るしく、１画素の占める面積も次
第に微細化される傾向にあって、これに伴いその高感度
化が要求されているところである。
像素子の高集積化が著るしく、１画素の占める面積も次
第に微細化される傾向にあって、これに伴いその高感度
化が要求されているところである。
しかして、このような高感度化の要求を満足させる固体
撮像素子の構成として、さきに、Ｍ、キマタ他（Ｍ、Ｋ
ｉｍａｔａ ｅｔ ａｌ、）により、インターナショナ
ル・ソリッド・ステート・サーキット・コンファレンス
（ＩＳＳＣＣ； Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ５ｏｌ
ｉｄ ５ｔａｔｅＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）でのダイジェ
スト・オブ會テクニカル・ペーパーズ（Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ）の１９８５
年２月号、１００頁に開示された。いわゆる電荷掃き寄
せ型（Ｏ９［ｌ； Ｃｈａｒｇｅ Ｓｗｅｅｐ Ｄｅｖ
ｉｃｅ）と呼ばれる方式が開発されている。
撮像素子の構成として、さきに、Ｍ、キマタ他（Ｍ、Ｋ
ｉｍａｔａ ｅｔ ａｌ、）により、インターナショナ
ル・ソリッド・ステート・サーキット・コンファレンス
（ＩＳＳＣＣ； Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ５ｏｌ
ｉｄ ５ｔａｔｅＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）でのダイジェ
スト・オブ會テクニカル・ペーパーズ（Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ）の１９８５
年２月号、１００頁に開示された。いわゆる電荷掃き寄
せ型（Ｏ９［ｌ； Ｃｈａｒｇｅ Ｓｗｅｅｐ Ｄｅｖ
ｉｃｅ）と呼ばれる方式が開発されている。
この電荷掃き寄せ方式による固体撮像素子においては、
ｌ水平線に対応する光電変換素子から読出された信号電
荷が、ｌ水平期間内に垂直転送素子（垂直ｃａｎ）を経
て、水平転送素子（水平ＣＣＩＩ）の近傍に掃き寄せら
れ、これが水平帰線期間中に水平転送素子に転送され、
次の１水平期間内に順次に読出される。すなわち、この
方式の場合にあっては、垂直方向の電荷転送手段に電荷
掃き寄せ型を適用しているために、チャネル幅を非常に
狭くしても、多くの信号電荷を転送することができ、こ
れによって、１画素における開口率（光電変換素子の占
める面積と１画素の面積との比）を大きくし得ると云う
特長がある。
ｌ水平線に対応する光電変換素子から読出された信号電
荷が、ｌ水平期間内に垂直転送素子（垂直ｃａｎ）を経
て、水平転送素子（水平ＣＣＩＩ）の近傍に掃き寄せら
れ、これが水平帰線期間中に水平転送素子に転送され、
次の１水平期間内に順次に読出される。すなわち、この
方式の場合にあっては、垂直方向の電荷転送手段に電荷
掃き寄せ型を適用しているために、チャネル幅を非常に
狭くしても、多くの信号電荷を転送することができ、こ
れによって、１画素における開口率（光電変換素子の占
める面積と１画素の面積との比）を大きくし得ると云う
特長がある。
第６図は従来例によるこの種の電荷掃き寄せ方式を適用
した半導体撮像装置の要部構成を模式的に示した平面図
である。
した半導体撮像装置の要部構成を模式的に示した平面図
である。
この第６図において、符号１は水平転送素子、２はそれ
ぞれの垂直転送素子を示し、また、３は１水千線に対応
して、垂直および水平の２次元方向に配置される複数の
受光素子、４はこれらの各受光素子３のトランスファゲ
ートとしての第１のゲート、５は各垂直転送素子の終段
に設けられるそれぞれの電荷蓄積手段、６はこれらの各
電荷蓄積手段５の蓄積走査ゲートとしての第２のゲート
である。
ぞれの垂直転送素子を示し、また、３は１水千線に対応
して、垂直および水平の２次元方向に配置される複数の
受光素子、４はこれらの各受光素子３のトランスファゲ
ートとしての第１のゲート、５は各垂直転送素子の終段
に設けられるそれぞれの電荷蓄積手段、６はこれらの各
電荷蓄積手段５の蓄積走査ゲートとしての第２のゲート
である。
すなわち、この従来例構成の場合、１画素は、入射光を
信号電荷に変換するための９例えばｐ−ｎ接合によって
形成される受光素子３と、この受光素子３からの信号電
荷を選択的に読出すための第１のゲート４とからなって
いて、第１のゲート４を介して読出される信号電荷を、
垂直方向へ転送するために垂直転送素子２を設けると共
に、この垂直転送素子２と水平転送素子ｌとの間には、
垂直転送素子２内で掃き寄せられてきた電荷を蓄積する
ための電荷蓄積手段５と、蓄積された電荷を水平転送素
子１に読出すために、走査信号によって開閉される第２
のゲート６とを設けたものである。
信号電荷に変換するための９例えばｐ−ｎ接合によって
形成される受光素子３と、この受光素子３からの信号電
荷を選択的に読出すための第１のゲート４とからなって
いて、第１のゲート４を介して読出される信号電荷を、
垂直方向へ転送するために垂直転送素子２を設けると共
に、この垂直転送素子２と水平転送素子ｌとの間には、
垂直転送素子２内で掃き寄せられてきた電荷を蓄積する
ための電荷蓄積手段５と、蓄積された電荷を水平転送素
子１に読出すために、走査信号によって開閉される第２
のゲート６とを設けたものである。
こ〜で、この従来の電荷掃き寄せ方式による半導体撮像
装置の動作は、前記した先行技術文献。
装置の動作は、前記した先行技術文献。
または、山脇他によるテレビジョン学会技術報告ＴＥＢ
Ｓ １０９−８ＥＤ９４１の３１頁に詳しく述べられて
いるところであるが、これを簡単に説明すると、次の通
りである。
Ｓ １０９−８ＥＤ９４１の３１頁に詳しく述べられて
いるところであるが、これを簡単に説明すると、次の通
りである。
つまり、走査信号によって選択された１列の受光素子３
からの信号電荷は、まず、第１のゲート４を介して垂直
転送素子２に読出され、垂直方向に転送される。この垂
直転送素子２は、電荷掃き寄せ方式とされており、つい
で、この掃き寄せられた信号電荷は、電荷蓄積手段５に
一時的に蓄積されたのち、走査信号によって第２のゲー
ト６が開いたとき、水平転送素子１に読出されるのであ
る。
からの信号電荷は、まず、第１のゲート４を介して垂直
転送素子２に読出され、垂直方向に転送される。この垂
直転送素子２は、電荷掃き寄せ方式とされており、つい
で、この掃き寄せられた信号電荷は、電荷蓄積手段５に
一時的に蓄積されたのち、走査信号によって第２のゲー
ト６が開いたとき、水平転送素子１に読出されるのであ
る。
またこ〜で、第７図（Ａ）、（Ｂ）は前記第６図におけ
る電荷蓄積手段５の部分のパターン構成を示す詳細平面
図、および■Ｂ−■Ｂ線部の縦断面図であり、同図（Ｃ
）は同図（Ｂ）に対応するポテンシャルの状態を示す説
明図である。
る電荷蓄積手段５の部分のパターン構成を示す詳細平面
図、および■Ｂ−■Ｂ線部の縦断面図であり、同図（Ｃ
）は同図（Ｂ）に対応するポテンシャルの状態を示す説
明図である。
これらの第７図において、前記したように、掃き寄せら
れた信号電荷は、−時的に電荷蓄積手段５を構成する活
性領域１３内に蓄積されるが、この活性領域１３での蓄
積電荷容量を大きくするためには、同活性領域自体の面
積を大きくする必要がある。しかし一方で、この活性領
域１３の幅の最大値は、水平転送素子１により一義的に
設定されていて、その拘束を受けるためにあまり大きく
はできず、従って必然的にその長さが長くされる傾向に
ある。
れた信号電荷は、−時的に電荷蓄積手段５を構成する活
性領域１３内に蓄積されるが、この活性領域１３での蓄
積電荷容量を大きくするためには、同活性領域自体の面
積を大きくする必要がある。しかし一方で、この活性領
域１３の幅の最大値は、水平転送素子１により一義的に
設定されていて、その拘束を受けるためにあまり大きく
はできず、従って必然的にその長さが長くされる傾向に
ある。
すなわち、このように、従来例での電荷掃き寄せ型半導
体撮像装置においては、電荷蓄積容量を大きくとるため
に、電荷蓄積手段５を構成する活性領域１３の長さを長
くしていることから、この活性領域１３に蓄積される信
号電荷を水平転送素子１に転送する際の転送効率が悪く
なると云う問題点があった。
体撮像装置においては、電荷蓄積容量を大きくとるため
に、電荷蓄積手段５を構成する活性領域１３の長さを長
くしていることから、この活性領域１３に蓄積される信
号電荷を水平転送素子１に転送する際の転送効率が悪く
なると云う問題点があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、電荷蓄積手
段に蓄積される信号電荷を、水平転送手段へ高効率で転
送し得るようにした。この種の電荷掃き寄せ型半導体撮
像装置を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、電荷蓄積手
段に蓄積される信号電荷を、水平転送手段へ高効率で転
送し得るようにした。この種の電荷掃き寄せ型半導体撮
像装置を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体撮像
装置は、電荷蓄積手段を構成する活性領域の幅を、垂直
転送手段での信号電荷の通路となるチャネル幅よりも広
く、かつ垂直転送手段側から水平転送手段側にかけて漸
次に広く形成させたものである。
装置は、電荷蓄積手段を構成する活性領域の幅を、垂直
転送手段での信号電荷の通路となるチャネル幅よりも広
く、かつ垂直転送手段側から水平転送手段側にかけて漸
次に広く形成させたものである。
すなわち、この発明においては、電荷蓄積手段を構成す
る活性領域の幅を、垂直転送手段側から水平転送手段側
へかけて漸次に広くなるようにすることで、垂直転送手
段側から掃き寄せられて、電荷蓄積手段に一時的に蓄積
されている信号電荷を、水平転送手段側へ円滑に転送で
きて、その転送効率を改善し得るのである。
る活性領域の幅を、垂直転送手段側から水平転送手段側
へかけて漸次に広くなるようにすることで、垂直転送手
段側から掃き寄せられて、電荷蓄積手段に一時的に蓄積
されている信号電荷を、水平転送手段側へ円滑に転送で
きて、その転送効率を改善し得るのである。
以下、この発明に係る半導体撮像装置の一実施例につき
、第１図ないし第５図を参照して詳細に説明する。
、第１図ないし第５図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体撮像装置の要
部構成を模式的に示した平面図であり、また、第２図は
第１図における電荷蓄積手段の部分のパターン構成を示
す詳細平面図、第３図（Ａ）は第１図ｍＡ−ＨＡ線部の
縦断面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に対応するポテンシ
ャルの状態を示す説明図、同図（Ｃ）は第１図ｍｃ−ｍ
Ｃ線部の詳細な横断面図である。これらの一実施例各図
において、前記従来例各図と同一符号は同一または相当
部分を示している。
部構成を模式的に示した平面図であり、また、第２図は
第１図における電荷蓄積手段の部分のパターン構成を示
す詳細平面図、第３図（Ａ）は第１図ｍＡ−ＨＡ線部の
縦断面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に対応するポテンシ
ャルの状態を示す説明図、同図（Ｃ）は第１図ｍｃ−ｍ
Ｃ線部の詳細な横断面図である。これらの一実施例各図
において、前記従来例各図と同一符号は同一または相当
部分を示している。
これらの各図において、この実施例では、前記従来例で
の電荷蓄積手段５に代えて活性領域の形状構成を改良し
た電荷蓄積手段７を設けたものである。すなわち、この
実施例の場合、電荷蓄積手段７の活性領域８については
、その形状を、垂直転送素子２側から、両側でそれぞれ
に段部８ａ、８ａにより、段階状に拡幅して第２のゲー
）８に接するようにし、これによって面積の増大を図り
、電荷蓄積容量を大きくさせたものである。なお、同図
中、９はこの活性領域８での信号電荷の蓄積および転送
を制御する電荷制御電極であり、また、１０は素子分離
領域、１１はチャネルカット用の不純物拡散層、１２は
シリコン基板である。
の電荷蓄積手段５に代えて活性領域の形状構成を改良し
た電荷蓄積手段７を設けたものである。すなわち、この
実施例の場合、電荷蓄積手段７の活性領域８については
、その形状を、垂直転送素子２側から、両側でそれぞれ
に段部８ａ、８ａにより、段階状に拡幅して第２のゲー
）８に接するようにし、これによって面積の増大を図り
、電荷蓄積容量を大きくさせたものである。なお、同図
中、９はこの活性領域８での信号電荷の蓄積および転送
を制御する電荷制御電極であり、また、１０は素子分離
領域、１１はチャネルカット用の不純物拡散層、１２は
シリコン基板である。
またこへで、第４図は同一のゲート電圧に対するチャネ
ル幅と、そこに形成されるチャネルポテンシャルとの関
係を示す図であるが、同図から明らかなように、チャネ
ル幅が狭くなれば、形成されるチャネルポテンシャルも
低くなる。その理由としては、チャネルカット用の不純
物拡散層１１からの不純物の横方向拡散によって、活性
領域８での不純物濃度が補償されることによるものと考
えられており、これは特に活性領域８の幅が狭くなった
場合、顕著に作用する。この現象は、通常。
ル幅と、そこに形成されるチャネルポテンシャルとの関
係を示す図であるが、同図から明らかなように、チャネ
ル幅が狭くなれば、形成されるチャネルポテンシャルも
低くなる。その理由としては、チャネルカット用の不純
物拡散層１１からの不純物の横方向拡散によって、活性
領域８での不純物濃度が補償されることによるものと考
えられており、これは特に活性領域８の幅が狭くなった
場合、顕著に作用する。この現象は、通常。
狭チャネル効果と呼ばれている。
この実施例構成では、チャネル幅、つまり活性領域８の
幅を、垂直転送素子２側から水平転送素子１側へかけて
漸次に広くなるように変化させ、チャネルポテンシャル
を制御することによって、垂直転送素子２側から掃き寄
せられて電荷蓄積手段７に一時的に蓄積されている信号
電荷を、走査信号により第２のゲート６を開いて、水平
転送素子１側へ円滑に転送し得るのである。すなわち。
幅を、垂直転送素子２側から水平転送素子１側へかけて
漸次に広くなるように変化させ、チャネルポテンシャル
を制御することによって、垂直転送素子２側から掃き寄
せられて電荷蓄積手段７に一時的に蓄積されている信号
電荷を、走査信号により第２のゲート６を開いて、水平
転送素子１側へ円滑に転送し得るのである。すなわち。
このとき、活性領域８には第３図（Ｂ）に示すポテンシ
ャル差があるが、前記従来例第７図（Ｃ）でのようにポ
テンシャル差のない場合よりも、円滑に転送できて、そ
の転送効率を十分に向上できるのである。
ャル差があるが、前記従来例第７図（Ｃ）でのようにポ
テンシャル差のない場合よりも、円滑に転送できて、そ
の転送効率を十分に向上できるのである。
なお、前記実施例においては、活性領域８の形状を、両
側の段部８ａ 、 ８ａにより段階状に拡幅させている
が、第５図（Ａ）に示すように、片側の段部８ａにより
段階的に拡幅させても、あるいは同第５図（Ｂ）に示す
ように、両側（あるいは片側）をテーパ一部８ｂ、８ｂ
により傾斜状に拡幅しても良く、同様な作用、効果が得
られる。
側の段部８ａ 、 ８ａにより段階状に拡幅させている
が、第５図（Ａ）に示すように、片側の段部８ａにより
段階的に拡幅させても、あるいは同第５図（Ｂ）に示す
ように、両側（あるいは片側）をテーパ一部８ｂ、８ｂ
により傾斜状に拡幅しても良く、同様な作用、効果が得
られる。
以上詳述したように、この発明によれば、電荷掃き寄せ
型の半導体撮像装置において、電荷蓄積手段を構成する
活性領域の幅を、垂直転送手段での信号電荷の通路とな
るチャネル幅よりも広く、かつ垂直転送手段側から水平
転送手段側にかけて漸次に広く形成させたので、垂直転
送手段側から掃き寄せられて、電荷蓄積手段に一時的に
蓄積されている信号電荷を、チャネルポテンシャルの制
御により、水平転送手段側へ円滑かつ容易に転送できる
もので、従来のように電荷蓄積手段での活性領域の長さ
を長くせずに、水平転送手段側への転送効率を格段に向
上させることができ、しかも構造的にも極めて簡単で、
容易に実施し得るなどの優れた特長を有するものである
。
型の半導体撮像装置において、電荷蓄積手段を構成する
活性領域の幅を、垂直転送手段での信号電荷の通路とな
るチャネル幅よりも広く、かつ垂直転送手段側から水平
転送手段側にかけて漸次に広く形成させたので、垂直転
送手段側から掃き寄せられて、電荷蓄積手段に一時的に
蓄積されている信号電荷を、チャネルポテンシャルの制
御により、水平転送手段側へ円滑かつ容易に転送できる
もので、従来のように電荷蓄積手段での活性領域の長さ
を長くせずに、水平転送手段側への転送効率を格段に向
上させることができ、しかも構造的にも極めて簡単で、
容易に実施し得るなどの優れた特長を有するものである
。
第１図はこの発明に係る半導体撮像装置の一実施例によ
る要部構成を模式的に示した平面図、第２図は第１図に
おける電荷蓄積手段の部分のパターン構成を示す詳細平
面図、第３図（Ａ）は第２図ＩＩＩ Ａ−ｍ Ａ線部の
縦断面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に対応するポテンシ
ャルの状態を示す説明図、同図（Ｃ）は第２図ｍｃ−ｍ
Ｃ線部の詳細な横断面図、第４図は同一のゲート電圧に
対するチャネル幅と、そこに形成されるチャネルポテン
シャルとの関係を説明するグラフ、第５図（Ａ） 、
（Ｂ）は電荷蓄積手段での活性領域の各別個による平面
形状を示すそれぞれに平面説明図であり、また第６図は
従来例による半導体撮像装置の要部構成を模式的に示し
た平面図、第７図（Ａ）、（Ｂ）は第６図における電荷
蓄積手段５の部分のパターン構成を示す詳細平面図、お
よび■Ｂ−■Ｂ線部の縦断面図、同図（Ｃ）は同図（Ｂ
）に対応するポテンシャルの状態を示す説明図である。 １・・・・水平転送素子、２・・・・垂直転送素子、３
・・・・受光素子、４・・・・第１のゲート、５．７・
・・・電荷蓄積手段、６・・・・第２のゲート、８・・
・・電荷蓄積手段の活性領域、８ａおよび８ｂ・・・・
活性望城拡幅のための段階状段部および傾斜状テーパ一
部、８・・・・電荷蓄積手段の電荷制御電極。 代理人 大 岩 増 雄 特開１８６３−５００５８（６） 手続補正書（負で） １． 事件（１）表示 ｎ願昭に１−１１：１４１
午、＋５３、補正をする者 代表者志岐守哉 ５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。 （２）同書３頁２０行〜４頁１行の「１画素における〜
の面積との比）」を次の文のとおり補正する。 「開口率（１画素中に占める光電変換素子の面積の割合
）」 以上 特許請求の範囲 （１）垂直および水平の２次元方向に配置された複数の
受光手段と、垂直方向にそれぞれに配置されて、前記垂
直方向列の各受光手段をそれぞれに第１のゲートを介し
て接続させ、各受光手段で生じた信号電荷を、垂直方向
に転送する各垂直転送手段と、これらの各垂直転送手段
の終段にそれぞれ設けられて、信号電荷を一時的に蓄積
する活性領域をもつ各電荷蓄積手段と、水平方向に配置
されて、前記各電荷蓄積手段をそれぞれに第２のゲート
を介して接続させ、各電荷蓄積手段の活性領域に蓄積さ
れた信号電荷を、水平方向に転送する水平転送手段とを
備える半導体撮像装置において、前記各活性領域の幅を
、前記垂直転送手段での信号電荷の通路となるチャンネ
ル幅よりも広１１を成させたことを特徴とする半導体撮
像装置。 （２）活性領域の幅 ゛に広く／ させたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体撮像装置。 （３）活性領域の幅が、Ｗに拡幅されていることを特徴
とする特許請求の範囲第７項記載の半導体撮像装置。 代撮里１１・
る要部構成を模式的に示した平面図、第２図は第１図に
おける電荷蓄積手段の部分のパターン構成を示す詳細平
面図、第３図（Ａ）は第２図ＩＩＩ Ａ−ｍ Ａ線部の
縦断面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に対応するポテンシ
ャルの状態を示す説明図、同図（Ｃ）は第２図ｍｃ−ｍ
Ｃ線部の詳細な横断面図、第４図は同一のゲート電圧に
対するチャネル幅と、そこに形成されるチャネルポテン
シャルとの関係を説明するグラフ、第５図（Ａ） 、
（Ｂ）は電荷蓄積手段での活性領域の各別個による平面
形状を示すそれぞれに平面説明図であり、また第６図は
従来例による半導体撮像装置の要部構成を模式的に示し
た平面図、第７図（Ａ）、（Ｂ）は第６図における電荷
蓄積手段５の部分のパターン構成を示す詳細平面図、お
よび■Ｂ−■Ｂ線部の縦断面図、同図（Ｃ）は同図（Ｂ
）に対応するポテンシャルの状態を示す説明図である。 １・・・・水平転送素子、２・・・・垂直転送素子、３
・・・・受光素子、４・・・・第１のゲート、５．７・
・・・電荷蓄積手段、６・・・・第２のゲート、８・・
・・電荷蓄積手段の活性領域、８ａおよび８ｂ・・・・
活性望城拡幅のための段階状段部および傾斜状テーパ一
部、８・・・・電荷蓄積手段の電荷制御電極。 代理人 大 岩 増 雄 特開１８６３−５００５８（６） 手続補正書（負で） １． 事件（１）表示 ｎ願昭に１−１１：１４１
午、＋５３、補正をする者 代表者志岐守哉 ５、補正の対象 （１）明細書の特許請求の範囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。 （２）同書３頁２０行〜４頁１行の「１画素における〜
の面積との比）」を次の文のとおり補正する。 「開口率（１画素中に占める光電変換素子の面積の割合
）」 以上 特許請求の範囲 （１）垂直および水平の２次元方向に配置された複数の
受光手段と、垂直方向にそれぞれに配置されて、前記垂
直方向列の各受光手段をそれぞれに第１のゲートを介し
て接続させ、各受光手段で生じた信号電荷を、垂直方向
に転送する各垂直転送手段と、これらの各垂直転送手段
の終段にそれぞれ設けられて、信号電荷を一時的に蓄積
する活性領域をもつ各電荷蓄積手段と、水平方向に配置
されて、前記各電荷蓄積手段をそれぞれに第２のゲート
を介して接続させ、各電荷蓄積手段の活性領域に蓄積さ
れた信号電荷を、水平方向に転送する水平転送手段とを
備える半導体撮像装置において、前記各活性領域の幅を
、前記垂直転送手段での信号電荷の通路となるチャンネ
ル幅よりも広１１を成させたことを特徴とする半導体撮
像装置。 （２）活性領域の幅 ゛に広く／ させたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体撮像装置。 （３）活性領域の幅が、Ｗに拡幅されていることを特徴
とする特許請求の範囲第７項記載の半導体撮像装置。 代撮里１１・
Claims (3)
- （１）垂直および水平の２次元方向に配置された複数の
受光手段と、垂直方向にそれぞれに配置されて、前記垂
直方向列の各受光手段をそれぞれに第１のゲートを介し
て接続させ、各受光手段で生じた信号電荷を、垂直方向
に転送する各垂直転送手段と、これらの各垂直転送手段
の終段にそれぞれ設けられて、信号電荷を一時的に蓄積
する活性領域をもつ各電荷蓄積手段と、水平方向に配置
されて、前記各電荷蓄積手段をそれぞれに第２のゲート
を介して接続させ、各電荷蓄積手段の活性領域に蓄積さ
れた信号電荷を、水平方向に転送する水平転送手段とを
備える半導体撮像装置において、前記各活性領域の幅を
、前記垂直転送手段での信号電荷の通路となるチャネル
幅よりも広く、かつ垂直転送手段側から水平転送手段側
にかけて漸次に広く形成させたことを特徴とする半導体
撮像装置。 - （２）活性領域の幅が、段階状に拡幅されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体撮像装
置。 - （３）活性領域の幅が、傾斜状に拡幅されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194244A JPS6350058A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194244A JPS6350058A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350058A true JPS6350058A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16321379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194244A Pending JPS6350058A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350058A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661465A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子 |
| US5355934A (en) * | 1992-07-22 | 1994-10-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Low pressure casting apparatus |
| JP2005150125A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置および電荷排出部 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194244A patent/JPS6350058A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5355934A (en) * | 1992-07-22 | 1994-10-18 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Low pressure casting apparatus |
| JPH0661465A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子 |
| JP2005150125A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Nec Electronics Corp | 固体撮像装置および電荷排出部 |
| JP4519447B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2010-08-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置および電荷排出部 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5355165A (en) | Very high frame rate CCD imager | |
| EP0862219B1 (en) | Active pixel sensor in which adjacent pixels share an integrated electrical element | |
| US4117514A (en) | Solid state imaging device | |
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH04172085A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US20060072026A1 (en) | Solid-state image pickup device and method for driving the same | |
| JP2597600B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR20210044793A (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| JPS6350058A (ja) | 半導体撮像装置 | |
| GB2181012A (en) | Imaging devices comprising photovoltaic detector elements | |
| JP4845247B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3164069B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0319368A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2685436B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP2001111028A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0831585B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62260362A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3092156B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0212967A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3713863B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS61272965A (ja) | 電荷移送形固体撮像素子 | |
| JPS59132655A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS62269353A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10229183A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6314468A (ja) | 電荷移送形固体撮像素子 |