JPS6346805Y2 - - Google Patents

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JPS6346805Y2
JPS6346805Y2 JP1981100055U JP10005581U JPS6346805Y2 JP S6346805 Y2 JPS6346805 Y2 JP S6346805Y2 JP 1981100055 U JP1981100055 U JP 1981100055U JP 10005581 U JP10005581 U JP 10005581U JP S6346805 Y2 JPS6346805 Y2 JP S6346805Y2
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coil
detectors
coils
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iron core
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は回転体の回転検出装置に係り、特に
VTR(ビデオテープレコーダ)のヘツドドラムの
回転速度および回転位相を検出するためのパルス
ジエネレータに用いて好適なものである。
回転ヘツドドラムにヘツドを取付け、このヘツ
ドによつて映像信号の記録再生を行うようにした
ヘリカルスキヤン方式のVTRにおいては、上記
ヘツドドラムの回転速度および回転位相を正確に
規制する必要がある。従つてヘツドドラムの回転
速度および回転位相をパルスジエネレータで検出
し、この検出出力をドラムサーボ回路に加えてサ
ーボ制御を行うようにしている。
第1図は、本願出願人が実願昭55−15020号
(実公昭61−4849号)において提案したパルスジ
エネレータであつて、ヘツドドラム1の下面には
1個のマグネツト2と5個のヨーク3とが円周方
向に60゜間隔で設けられている。これに対して、
上記マグネツト2とヨーク3との回転軌跡に対向
して1個のコイル4と、そしてバイアスマグネツ
トを有する一対のコイル5,6とが固定配置され
ている。なお、4a,5a,6aはそれぞれ上記
コイル4,5,6の巻線であり、また4b,5
b,6bはそれぞれ上記コイル4,5,6の鉄心
である。
このような構成において、ヘツドドラム1が矢
印で示すように回転すると、バイアスマグネツト
を有するコイル5,6はマグネツト2およびヨー
ク3が通過する際の磁束の変化によつてパルスを
生ずる。したがつて、コイル5によつて第2図A
に示すようにドラム1が1回転する間に6個のパ
ルス7が得られる。同様に、コイル6によつて第
2図Bに示すようなパルス8が得られる。これに
対して、バイアスマグネツトを有していないコイ
ル4はヨーク3が通過しても何ら磁束が生じない
ためにパルスを発生せず、マグネツト2が通過し
たときにのみ磁束の変化によつてパルスを生じる
から、第2図Cのようにドラム1の1回転につき
1個のパルス9を発生する。
そして第2図Aに示すパルス7と第2図Bに示
すパルス8とは時間tだけずれており、この時間
tはドラム1の回転速度に比例する。また第2図
Cに示すパルス9はドラム1の回転位相を代表し
ている。従つてこれら3つのパルス信号7,8,
9によつてドラムの速度および位相サーボを行う
ことが可能になる。
このような構成は、単一の回転軌跡上に被検出
子2,3と検出子4,5,6とを配することを可
能とするために、ドラム1の下端面および対向す
る固定側の部分のパルスジエネレータの占めるス
ペースを小さくすることができ、好ましいものと
なる。ところが、このような構成において、バイ
アスマグネツトを有するコイル5,6は互いに近
接しているために、上記コイル5,6のバイアス
マグネツトの相互の磁気的干渉が起こる。すなわ
ち第3図Aに示すように、一対のコイル5,6を
互いに近接して配した場合には、これらのコイル
5,6にそれぞれ設けられているバイアスマグネ
ツト10,11の磁束が互いに干渉し合う。一対
のコイル5,6のバイアスマグネツト10,11
の着磁が同方向の場合には、第3図Bに示すよう
に磁束分布の中心が互いにΔθ1およびΔθ2だけ外
側にずれて離間するようになり、また着磁が逆方
向の場合には、互いに近接するようになる。従つ
て第3図Cに示すように、ヨーク3の通過時にコ
イル5,6が発生するパルス7,8のゼロクロス
点は、コイル5,6のバイアスマグネツト10,
11および鉄心5b,6bの中心線と対応する位
置よりもそれぞれ、Δt1およびΔt2だけ時間的に
ずれることになる。これに対して、マグネツト2
の通過時には、マグネツト2の起磁力によつてヨ
ーク3の場合よりもバイアスマグネツト10,1
1による影響が少なくなるために、パルス7,8
のゼロクロス点は第3図Dに示すように、コイル
5,6のバイアスマグネツト10,11および鉄
心5b,6bの中心線と対応する位置とほぼ一致
することになる。すなわちコイル5,6の発生す
るパルス7,8は、ヨーク3の通過時とマグネツ
ト2の通過時とで、Δt=Δt1+Δt2だけ異なつて
くることになる。このように誤差を含むパルス信
号によつてヘツドドラム1のサーボ制御を行うよ
うにすれば、当然のことながらヘツドドラム1の
回転精度は低下することになる。
本考案はこのような問題点に鑑みてなされたも
ので、ヨーク又はマグネツトから成る被検出子を
回転体に取付けるとともに、コイルから成る少な
くとも2個の検出子を前記被検出子の回転軌跡に
対向して固定配置し、これらの被検出子と検出子
とによつて前記回転体の回転を検出するようにし
た装置において、前記2個の検出子の出力パルス
から得られる時間差に基づいて前記回転体の速度
を検出するように構成するとともに、これら2個
の検出子の内の少なくとも一方の検出子において
巻線の内部に存在する鉄心をこの巻線に対して軸
線方向に移動調整可能に取付け、この移動調整に
より前記検出子から得られるパルスの波形を変え
ることによつて、前記2個の検出子の出力パルス
から得られる時間差を所望の値に調整し得るよう
に構成し、前記2個の検出子のそれぞれの外周囲
を磁性材料から成るケースで包囲して、前記被検
出子が前記コイルの上方を通過する毎にこのケー
スが前記被検出子及び前記鉄心とともに所定の磁
路を形成するように構成したことを特徴とする回
転検出装置に係るものである。従つて、本考案に
よれば、前記検出子相互の磁気的干渉を低減する
とともに検出回路等へのノイズパルスの影響を抑
制した状態において、前記パルスによつてスイツ
チング動作するスイツチング素子のスレツシユホ
ールドレベルを利用して所定の回転速度における
前記スイツチング素子のスイツチング時間差を所
望の値に容易に調整でき、このために、簡単な調
整操作で以つて回転体の正確なサーボ制御を行う
ことができる。
以下本考案をVTRにおけるヘツドドラムの回
転検出装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。第4図に示すようにVTRの回転ヘツ
ドドラム16の下端面には、1個のマグネツト1
7と5個のヨーク18とが円周方向に60゜間隔で
配されており、これらのマグネツト17とヨーク
18とが被検出子を構成している。これに対し
て、第5図に示すように、上記ヘツドドラム16
の下側に配されている固定ガイドドラム19の上
端面には、バイアスマグネツトを有していない1
個のコイル20と、バイアスマグネツトを有する
一対のコイル21,22が固定配置されている。
20a,21a,22aはそれぞれコイル20,
21,22の巻線であり、また20b,21b,
22bはそれぞれコイル20,21,22の鉄心
である。これらのコイル20,21,22は上記
回転側のマグネツト17とヨーク18との回転軌
跡に対向して配されており、これによつて検出子
を構成している。なおバイアスマグネツトを有す
る一対のコイル21,22のドラム19の中心に
対してなす角度は、上記マグネツト17とヨーク
18との円周方向における配置角度、すなわち
60゜よりも小さく、例えば30゜に構成されており、
また一方のコイル22はドラム19の中心に対し
てマグネツトを具備していないコイル20と対称
な位置に配されている。
上記バイアスマグネツトを有する一対のコイル
21,22はほぼ同様の構成を有している。コイ
ル21について説明すると、第6図及び第7図に
示すように、合成樹脂製のボビン23には巻線2
1aが巻回されている。ボビン23の中心部には
貫通孔24が形成されており、この貫通孔24に
はピン状の鉄心21bが貫通している。そしてこ
の鉄心21bの外周面には雄ねじ28が形成され
ており、この雄ねじ28がボビン23の貫通孔2
4に形成された雌ねじと螺合している。鉄心21
bの下端部付近には半径方向に延びるようにバイ
アスマグネツト26が配されている。さらにコイ
ル21においては、上述のように巻線21aが巻
回されたボビン23を囲むようにして磁性材料か
ら成る円筒状のケース27が取付けられている。
このケース27には、その円周方向の特定の位置
に、下方に延出された突片29が形成されてい
る。ケース27は、この突片29を有することに
より、ヨーク18又はマグネツト17がコイル2
1の上方を通過する毎に、鉄心21b及びバイア
スマグネツト26とともに所定の磁路を形成する
ようになつている。すなわち、前記突片29は前
記バイアスマグネツト26の一端面と当接してお
り、またマグネツト26の他端面は鉄心21bと
当接している。このために、前記被検出子17又
は18がコイル21の上方を通過する際には、前
記被検出子17又は18、鉄心21b、バイアス
マグネツト26及びケース27によつて磁路が形
成される。またボビン23の下端部は細くなつて
おり、第7図に示すように、固定ガイドドラム1
9に形成された孔30に挿入されて、このドラム
19に取付けられている。そしてボビン23の下
部に突出して形成された一対のリード端子31
は、このガイドドラム19の下端に固着されたプ
リント基板32の導電性パターンと半田によつて
接続されている。
このような構成において、固定ガイドドラム1
9に対して回転ヘツドドラム16が回転すると、
バイアスマグネツト26,36を有する一対のコ
イル21,22はそれぞれドラム16の一回転に
つき6個のパルスを発生する。しかも上記コイル
21,22の円周方向における位置ずれに応じ
て、これら2つのコイル21,22の出すパルス
の間には時間的な差を生じ(第2図A,B参照)、
しかもこの時間的な差は回転ヘツドドラム16の
回転速度に比例するために、これら2つのコイル
21,22が出すパルスによつて回転ヘツドドラ
ム16の速度サーボを行うことができる。またコ
イル20はバイアスマグネツトを有していないた
めに、ヨーク18の通過を検出することがなく、
マグネツト17の通過のみを検出してドラム16
の一回転につき1個のパルスを発生する(第2図
C参照)。従つてこのパルスを用いてドラム16
の回転位相のサーボを行うことができる。
さらに上記一対のコイル21,22は、それぞ
れケース27,37を具備しており、これによつ
て上記一対のコイル21,22間の磁気的な干渉
を小さくしている。またケース27,37によつ
てこれらのコイル21,22のそれぞれの発生す
るパルスによるノイズが他に影響を及ぼさないよ
うにしている。さらに上記ケース27,37は、
マグネツト17がコイル21,22の上を通過す
るときに発生するノイズパルスが検出回路に感知
されないようにできるだけ高くして、磁気的シー
ルド効果を高めるようにしている。またコイル2
1,22のいずれの場合も同様であるが、コイル
21について言えば、バイアスマグネツト26の
両端面がケース27の突片29と鉄心21bとに
それぞれ当接しているので、ヨーク18がこのコ
イル21上を通過する際に形成される磁気回路を
安定化することができる。
このようにコイル21,22にそれぞれケース
27,37を設けることによつて、一対のコイル
21,22間の磁気的な干渉を低減させることが
可能になるが、十分にこれを除くことはできな
い。そこでこの回転検出装置においては、一方の
コイル、例えばコイル22の鉄心22bの高さを
基準に設定しておき、回転ヘツドドラム16およ
び固定ガイドドラム19を組立てた後に、もう1
つのコイル21の鉄心21bを軸線方向に移動調
整するようにしている。
このようにコイル21の鉄心21bの位置を移
動調整するようにすると、これに応じて第8図B
に示すように、ヨーク18が通過したときのコイ
ル21のパルスの波形も鉄心21bの移動調整具
合に応じて変化する。そしてこのパルスのゼロク
ロス点よりも微小電位ΔVだけずれた位置で検出
回路のスイツチング素子はスイツチング動作を行
うために、波形を変化させて2つのコイル21,
22のスイツチングの時間差を所望の値tにする
ことができる。
すなわち一方のコイル22の鉄心22bの位置
を固定し、他方のコイル21の鉄心21bをコイ
ル21に挿入する方向に移動すると、ヨーク18
が通過するときのコイル21の出力は大きくなる
から、上記スイツチングの時間差はt+Δt1とな
つて大きくなる。また鉄心21bをコイル21か
ら取出す方向に移動すると、コイル21の出力が
小さくなりから、スイツチングの時間差もt−
Δt2となつて小さくなる。従つてこの鉄心21b
の位置を正しく調整することにより、上記スイツ
チングの時間差を所望の値tとすることができ
る。なお、マグネツト17の通過の際に得られる
パルス電圧はマグネツト17の起磁力を利用する
ものであるために、鉄心21b,22bとマグネ
ツト17との間のギヤツプはその出力レベルが適
当な値となるように大きく設定されている。従つ
て、一方のコイル21又は22が他方のコイル2
2又は21の磁気的な干渉による影響を受けるこ
とがなく、またギヤツプの変化に対するそれぞれ
のコイル21,22の出力の変動も少ない。従つ
て第8図Cに示すように、マグネツト17の通過
時に2つのコイル21,22から得られるパルス
のスイツチングの時間差は、コイル21の鉄心2
1bの移動量に関係なく、ほぼtとなつている。
よつてヨーク18が通過するときとマグネツト1
7が通過する時とでスイツチングの時間差が等し
くなるから、正しい検出が行われることになる。
なお上記鉄心21bの移動調整を行うために、
鉄心21bには上述の如く雄ねじ28が設けられ
るとともに、下端面には6角形の穴33が設けら
れている(第6図および第7図参照)。このため、
組立て後にレンチをこの穴33に挿入して、オシ
ロスコープで波形を観測しながら鉄心21bの移
動調整を行うことができる。従つて、この移動調
整によつては、上記コイル21,22間の磁気的
干渉の補正のみならず、各構成部品の特性のバラ
ツキ等に起因して生じる検出誤差を補正すること
ができる。
なお上記実施例においては、一対のコイル2
1,22の鉄心21b,22bをともに移動調整
可能にし、一方のコイル22の鉄心22bを基準
位置に調整して他方のコイル21の鉄心21bを
移動調整するようにしているが、基準側のコイル
22の鉄心22bについては、雄ねじを設けるこ
となく圧入することによつて取付けてもよい。ま
たコイル22側を基準としているが、逆にコイル
21側を基準にしてコイル22側を調整するよう
にしてもよい。なおバイアスマグネツトを有して
いないコイル20については、第6図および第7
図に示すコイル21,22と同じ構造とし、バイ
アスマグネツト26,36のみをなくすればよ
く、これによつて部品の共通化が可能となる。
以上に述べたように、本考案は、2個の検出子
の出力パルスから得られる時間差に基づいて回転
体の速度を検出するように構成するとともに、こ
れら2個の検出子の内の少くとも一方の検出子に
おいて巻線の内部に存在する鉄心をこの巻線に対
して軸線方向に移動調整可能に取付け、この移動
調整により前記検出子から得られるパルスの波形
を変えることによつて、前記2個の検出子の出力
パルスから得られる時間差を所望の値に調整し得
るように構成し、前記2個の検出子のそれぞれの
外周囲を磁性材料から成るケースで包囲して、前
記被検出子が前記コイルの上方を通過する毎にこ
のケースが前記被検出子及び前記鉄心とともに所
定の磁路を形成するように構成したものである。
従つて、前記2個の検出子相互の磁気的干渉を低
減するとともに検出回路等へのノイズパルスの影
響を抑制した状態において、検出回路のスイツチ
ング素子のスレツシユホールドを利用して所定の
回転速度における上記スイツチング素子のスイツ
チング時間差を所望の値に容易に調整することが
できる。即ち、各構成部品の特性のバラツキ、取
付け誤差、磁気的干渉及びノイズパルスの影響等
により、所定の回転速度における2個の検出子の
出力パルスから得られる時間差の検出値が所定の
値からずれようとしても、上記磁気的シールド及
び移動調整により上記検出値を常に所定の値に保
つことができるから、簡単な調整操作で以つて回
転体の正確なサーボ制御を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の回転検出装置の要部平面図、第
2図A,B,Cはこの回転検出装置によつて得ら
れるパルスの波形図、第3図A,B,C,Dはこ
の検出装置の一対のコイルの磁気的干渉を示す正
面図および波形図、第4図は本考案の一実施例に
係る回転検出装置の回転側の要部平面図、第5図
は同固定側の要部平面図、第6図はこの装置の検
出コイルの分解斜視図、第7図は同縦断面図、第
8図A,B,Cはこの装置による一対のコイルの
磁気的干渉を補正する状態を示す正面図および波
形図である。 なお図面に用いた符号において、16……回転
ヘツドドラム、17……マグネツト、18……ヨ
ーク、21,22……バイアスマグネツト付きコ
イル、21a,22a……巻線、21b,22b
……鉄心、27,37……ケース、28……雄ね
じ、である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ヨーク又はマグネツトから成る被検出子を回転
    体に取付けるとともに、コイルから成る少なくと
    も2個の検出子を前記被検出子の回転軌跡に対向
    して固定配置し、これらの被検出子と検出子とに
    よつて前記回転体の回転を検出するようにした装
    置において、 前記2個の検出子の出力パルスから得られる時
    間差に基づいて前記回転体の速度を検出するよう
    に構成するとともに、 これら2個の検出子の内の少なくとも一方の検
    出子において巻線の内部に存在する鉄心をこの巻
    線に対して軸線方向に移動調整可能に取付け、こ
    の移動調整により前記検出子から得られるパルス
    の波形を変えることによつて、前記2個の検出子
    の出力パルスから得られる時間差を所望の値に調
    整し得るように構成し、 前記2個の検出子のそれぞれの外周囲を磁性材
    料から成るケースで包囲して、前記被検出子が前
    記コイルの上方を通過する毎にこのケースが前記
    被検出子及び前記鉄心とともに所定の磁路を形成
    するように構成したことを特徴とする回転検出装
    置。
JP10005581U 1981-07-04 1981-07-04 回転検出装置 Granted JPS586213U (ja)

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