JPS6342500A - 単分散性輝尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性及ゾ感度共に
実用的水準の高ｂ１放射ｍ画像を与える放射線画像変換
パネルに関するものである。

【発明の背景】

Ｘｍ画像のような放射ｌＩ！圃像は病気診断用などに多
（用いられている。このＸ線画像を得るために、被写体
を透過したＸ＃ｉを蛍光体！（蛍光スクリーン）に照射
し、これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の
写真をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに
照射しで現像した、いわゆる放射線写真が利用されてい
る。しかし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しない
で蛍光体層から直接画像を取り出す方法が案出されてい
る。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光）とし
て放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法であ
る。具体的には、例、ｔ　Ｉｆ　米国特許３，８５９，
５２７号及ヒｖＰ開昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍
光体をｍい可視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射
線Ｉ像変換方法が示されでいる。この方法は支持体上に
輝尽性蛍光体層を形成した放射＃ｌｌ像変換パネルを使
用するもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部の蓄積された放射線エネ
ルギーを放射させてこれを光に変換し、この光の強弱に
よる光信号により画像を得るものである。この最終的な
画像はハードコピーとして再生しても良いし、ＣＲＴ上
に再生しても良い。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射＃ａ１ｉ像変換パネルは、前述の蛍光
スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線
！吸収率および光変換率（両者を含めて以下「放射線感
度」という）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が
良く、しかも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒子径１〜３０μ（曹程度の粒状のＲ尽性蛍
尤体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保ｗ
ＩＮ上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体
の充−１１！密度が低く（充填率５０９６）、放射線感
度を充分高くするには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする
必要があった。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法に於ける画像
の鮮鋭性は、放射＃１ｆｆＩ像変換パネルの輝尽性蛍光
体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上の
ためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子上トル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の摺逍的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放
射ａＸ子敗が減少して量子モトルが増加したり、構造釣
札れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低
下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには
輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射Ｍｉｎ偉変挨パネルは
放射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭
性とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向
を示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対す
る感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によっ
て作成されてきた。 即ち従来の放射線画像変換パネルでは、輝尽性蛍光体粒
子による輝８ｒａ起尤の散乱、拡散が大きいため輝尽性
蛍光体層厚の増大と共に急激に画像の鮮鋭性が低下し、
感度、鮮鋭性が共に悪い条件はあっても、共に良好な条
件は求め難い。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述のｔＩＩＩ尽性蛍光性蛍光体した放
射線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射＃ａｓ像
変換パネル中の輝尽性蛍光体の輝光発光の広がりによっ
て決定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけ
るように蛍光体の発光の広がりによって決定されるので
はなく、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して
決まる。なぜならばこの放射線画（を変換方法に於ては
、放射線画像変換パネルに蓄積された放射線写真法？１
１は時系列化されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ
）に照射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは
全て採光されてその時間に輝尽励起光が照射されていた
該パネル上にある画素（ｘｉ＋ｙ＋）からの出力として
記録されるが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等に
より広がり、照射ｉＩｉ索（ｘ＋＋ｙＩ）の外側に存在
する輝尽性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘＬｙ
ｉ）なる画素から出力としてその画像よりも広い領域か
らの出力が記録されてしまうからである。従って、ある
時間（Ｌｉ）に照射されたｌＩＩ尽励起尤による輝尽発
光が、その時間（Ｌｉ）に輝尽励起光が真に照射されて
いた該パネル上の画素（ｘｉ、ｙｉ）からの発光のみで
あれば、その発光がいがなる広がりを持つものであろう
と得られる画像の鮮鋭性には影響がないのである。 上述の放射Ｍｉｉｌ像変換方法に用いられる放射線画像
変換パネルは、少なくとら輝尽性蛍光体からなるｌｌＩ
尽性蛍尤体層を有するものである。輝尽性蛍光体層は一
般には適当な支持体上に設けられるが、輝尽性蛍光体層
が自己形！！保持性がある場合は輝尽性蛍光体層自体が
放射線画像変換パネルとなり得る。さらに通常は輝尽性
蛍光体層が支持体と接面する面とは反対側の輝尽性蛍光
体層表面に、ｇｉｌｌ尽性蛍光性蛍光体層的あるいは化
学的に保護するための保護層が設けられる。このような
従来の放射線画像変換パネル於ては、ｔｒｏ＋尽励起尤
の散乱等に上り輝尽性蛍光体層中での輝尽励起光の平均
自由行程は長くなり、このため輝尽性蛍光体層中で輝尽
励起光が比較的大きく広がってしまい、鮮鋭性が着しく
劣化する欠点を有しており、その改良が強く望まれてい
る。 放射線画像変換パネルの鮮鋭性を改良する方法としては
、特開昭５５−１４６４４７号記載の放射線画像変換パ
ネルのＸｌ′ｌＩＥ、性蛍光体屑中に白色粉体を；１Ｌ
入ｔ’７＋７７法、！　ｌ１ｌｆ　ｔｌｆｆ　５５−１
６３５００号記載の放射、１４画像変換パネルをＩＩＩ
Ｉ尽性蛍光性蛍光体励起波艮領域における平均反射率が
前記ＩＩ［尽性蛍光体の輝尽発光波長領域における平均
反射率よりも小さくなるように着色する方法等が知られ
ている。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良すると必
然的に感度が苦しく低下してしまい、好ましい方法とは
言えな【発明の目的］ 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線側（↑変換パネル
に於ける上述のような欠点に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は感度を低下させることなく、鮮鋭性の
高い放射ａ画像を４える放射線画像変換パネルを提供す
ることにある。 【発明の枯ｌ及１ 前記本発明の目的は、輝尽性蛍光体を結着剤に分散して
成る輝尽性蛍光体層を有する放射１線画像変換パネルに
於て、萌記１１Ｉ尽性蛍光体の粒子径分布が１１１分散
であることを特徴とする放射線画像変換パネルによって
達成されろ。 以下、本発明の詳細な説明する。 本発明に於て使丁する輝尽性蛍光体の平均粒子径及び粒
子径分布（いずれもＴＩＬＨ”ｌＬ均によるもの）は、
放射線変換パネルの感度とＵ脱性を考慮して適宜選択さ
れる。該平均粒子径は０．１〜１００μｌの範囲にすｊ
いて選択され、さらに好ましくは０．５〜４０μｌであ
る。 更に本発明に於ては前記平均粒径を有するＸｉ！Ｉ尽性
蛍光性蛍光体散性粒子径分布を有する。本発明に於て単
分散とは、輝尽性蛍光体の平均粒子径をｒ（μｌ）とす
ると、ｒ±１７２ｒ（μりの範囲の粒径をもつ粒子が全
体の５０ｗＬ％以上、より好ましくは６５−Ｌ％以上、
さらに好ましくは８０ｗｔ％以上を占める場合をいう、
ｒ±１７２ｒ（μｌ）の範囲に含まれる粒子が５（ｈｔ
％未満であれば平均粒子径に対しての粒子径分布のバラ
ツキ幅が大きく、そのため小粒子によるＩＩＩ尽励起尤
の平均自由行程は短く故ＳＬが抑制されるが、同時に大
粒子による輝尽励起光の散６Ｌも大さくなり結果として
鮮鋭性に対する効果は発生しない。ｆＩＩＩ尽性蛍尤体
が本発明に定める単分散性粒子径分布を有すれば、同じ
平均粒子径を有し非単分散性の輝尽性蛍光体から成る輝
尽性蛍光体層に比較して輝尽性蛍光体層中での１ｆＩ尽
励起尤の散乱が抑えられ感度の低下を招かずに鮮鋭性が
向上する。ｒ＋１／２ｒ（μｌ）の範囲に含まれる粒子
の割合が粒子全体に対して多ければ多いほど本発明によ
る効果は大きい。 第１図（、）に輝尽性蛍光体の各種粒子径分布を示した
１分布曲ＭＡ−Ｅが本発明に適合した単分散性分布を与
える。 本発明に係る粒子径分布をもつ１７ｆｌ尽性蛍尤体を製
造するには下記に示すような方法があるが本発明はこれ
に限定されるものではない。 本発明に於て単分散性粒子径分布を有する輝尽性蛍光体
の製造方法の工程は、原料の調製焼成→粉砕（必要に応
じて洗浄、乾燥、分級等）と大きく分けられる。 ｔ５１の方法として、焼成した輝尽性蛍光体に適当な条
件での粉砕や分級を施す方法がある。第２の方法として
は焼成直に原料の平均粒子径、粒子径分布を原料の合成
条件や粉砕、分級によって調節しておき、この原料を焼
成しその後必要に応じて第１の方法を施すことにより製
造する方法である。この製造方法の利、αは焼成後の粉
砕などの処理による感度の低下を抑えられる点である。 尚、Ｘ’ｌｌ尽性蛍光性蛍光体カリハライドを母体とし
て構成する場合には、アルカリハライドの水に対する溶
解度が高いという性質を利用してより簡便に粒子径分布
のすぐれた輝尽性蛍光体を得ることができる。 即ち、輝尽性蛍光体原料を水に溶Ｍまたは懸濁させ充分
に混合した後、加熱、減圧乾燥、真空乾燥、噴ｎ乾燥に
よって水分を蒸尭させる。この際、水分の蒸発速度によ
って平均粒子径、粒子径分布をコントロールすることが
できる。また他の方法としては輝尽性蛍光体原料を水に
溶解しこの水溶液を輝尽性蛍光体が不溶の溶媒或は水に
比較して溶解度の小さい溶媒中に添加することに上り輝
尽性蛍光体原料を析出させる方法が探られる。この際、
溶媒のＰＩＭ及び／または添加条ｒトによって平均粒子
径、粒子径分布をコントロールできる。さらにｉｉｆ記
力法に於てｔｉｌｌＪ？−性蛍光体原料と同時に水に対
して溶解度の高い付活剤原料も水に溶解させ前記処理を
施せば焼成−粉砕工程を経ないで所定の輝尽性蛍光体が
合成できる。しかも焼成による輝尽性蛍光体原料の焼結
がないので粒子径分布の乱れを起こさない。また、焼成
以降の工程が省けるので製造コスト上からも好ましいも
のとなる。 尚こうして得られた輝尽性蛍光体を焼成すれば輝尽発光
ｊｌＩＩＩ度を一層高めることがでさる。 本発明の放射線画像変換パネルにすｊいて用いられるｔ
ｌｌｌ、＠性蛍光体は、最初の尤もしくは高エネルギー
放射線が照射された後に、光力、熱的、機械的、化学的
または電気的等の刺激（輝尽励起）により、最初の光も
しくは高エネルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光
を示す蛍光体を言うが、実用的な而から好ましくは５０
０ｎｗ以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体
である。本発明に係る輝尽性蛍光体としては、例えば特
開昭４８−８０４８７号に記載されているｌ１ａＳＯ１
：＾Ｘ（但し＾はＯｙ＋Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも
１種であり、Ｘはｏ、ｏｏｔ≦Ｘく］モル％である。）
で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭ
ビＳＯ１：ΔＸ（但しΔは！１０或いはり、のうちいづ
れかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で及さ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されてい
る５ｒＳＯ，：＾Ｘ（但し＾はＤｙ＋Ｔｂ及びＴｍのう
ち少なくとも１種であり、×は０．００１≦ｘ＜１モル
％である。）で表されている蛍光体、特開昭５１−２９
８８９号に記載されているＮａｚＳＯ４，Ｃａ５Ｏ１及
び８ａＳＯ，笠にｔ４ｎ＋Ｄ、及びＴｂのうち少なくと
も１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に
記載されているＤｅｏｌｉＦｌＭｇＳＯ，及びＣＱＦ、
等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されてい
るＬｉ２Ｄ＝Ｏ−：Ｃｕ、＾ｇ等の蛍光体、特開昭５４
−４７８８３号に記載されているＬｉｚＯ’　（ＬＬ）
ｘ：Ｃｕ（但しＸは２＜ｘ≦３）、及びＬ＋　２０　・
（ＢｚＯｚ）ｘ’、Ｃｕ、八ｇ（但し×は２く×≦３）
等の蛍光体、米国特許３，８５９，５２７号に記載され
ているＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｎ、ＳｒＳ：Ｅｕ、Ｓｍ、　Ｌ
１１２０゜Ｓ：Ｅｕ、Ｓ＋ｏ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｍ
ｏ＋Ｘ（但しＸはハＯデン）で表される蛍光体が挙げら
れる。また、特開昭５５−１２１４２号に記載されてい
るＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｌ＋蛍光体、一般式が口ａｏ　・ｘ
Ａ１２（ｈ：Ｅｌｌ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表され
るアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭＩＴＯ＊
　ｘＳｉｏ２：＾（但しＭ［ｌはＭｇ、Ｃｕ、Ｓｒ＋Ｚ
ｎ、Ｃｄ又は口ａであり八はＣｃ、丁ＩＩ、Ｅｕ、ＴＩ
ｊ、Ｐｂ、ＴＩ’、Ｄｉ及びＮｏのうち少なくと６１袖
であり、×は０．５≦に＜２．５である。）で表される
アルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、
特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が （口ａ、−ｘ　−ｙＭｇｘｃａｙ）ＦＸ：ｅＥｕ”（但
しＸはＢｒ及びＣＩの中の少なくとも１つであり、に。 ｙ及Ｃ／ｅはそれぞ＃′ｔ、０＜ｘ＋ｙ≦０．６、×ｙ
≠０及び１０−＠≦ｅ≦５Ｘ　１０−２なる条件を１ぺ
だす敗である。）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン
化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されてい
る一般式がＬｎＯＸ：ｘ＾ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、ｆｌ：ｄ及びＬｕの少なくとも
１つを、ＸはＣＩ及び／又は口「を、＾はＣｅ及び／又
はＴｂを、×は０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）
で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式が（口ａｔ　−ｘＭ　ＩＩ　　ｘ）ＦＸ
：ｙ＾（但しＨ■は、ＨＨ＋Ｃａ＋Ｓｒ＋Ｚｎ及びＣｄ
のうちの少なくとも１つを、ＸはＣ１，Ｂ「及びＩのう
ちの少なくと６１つを、＾はＥｕ＋Ｔｂ、Ｃｅ＋Ｔ＋ａ
、Ｄｙ＋Ｐｒ１ｌｏ＋Ｎｄ、Ｙｂ及びＥ「のうちの少な
くとも１つを、Ｘ及びｙは０≦Ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦
０．２なる条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体
、特開昭５５−８・１３８９号に記載されている一般式
が ［１ａＦＸ：ｘｃｅ＋ｙΔ （但し、ＸはＣＮ、Ｏｒ及びＩのうちの少なくとも１つ
、＾はｌ　＋＋　、Ｔ　１　、　Ｇ　ｄ　、　Ｓ　１１
及びＺｒのうちの少なくと６１つであり、Ｘ及びｙはそ
れぞれ０く×≦２Ｘ　１０−’及びｏ＜ｙ≦５Ｘ　１０
−２である。）で表される蛍光体、ＶＦＩｙ７１昭５５
−１６００７８号に記載されている一般式がＭＩ［ＦＸ
−ｘ＾：ｙＬｎ （但しＨ■はＭＨ，Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ＋Ｚｎ及ＶＣｃｌ
のうちの少なくとも１種、＾は［ｌｅＯ，ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ＋＾１２０３ｔＹ１０３１
ＬａｚＯ＝　、Ｉｎ□Ｏｚ　、Ｓ　ｉｏ２＋Ｔ　ｉＯｚ
　１ＺｒＬ　、Ｇ（！０２．５１１０２　ｒ　Ｎｂ！０
５ＩＴａ２０５及びＴ　＋＋　０２のうちの少なくとも
１種、ＬｎはＥｌ、Ｉ＋’ｌ＋Ｃｅ＋Ｔ＋ａ＋Ｄｙ＋ｌ
’ｒ、ｌｌｏ、Ｎｄ＋Ｙｂ＋Ｅｒ＋Ｓ＋ａ及びＧｄのう
ちの少なくとも１種であり、Ｘｌ、ｔｅｌ、［ｌｒ及び
Ｉのうらの少なくとも１睡であり、×及びｙはそれぞれ
５×１０−５≦Ｘ≦０．５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条ｒ
トを満たす数である。）ｒｈ表される希土類元素付活２
価金ｙＩフルオａハライド蛍光体、一般式がＺｎＳ：＾
、ＣｄＳ：＾、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：＾、ＺｎＳ：＾、Ｘ
及びＣｄＳ：＾、（但し＾はＣｕ、＾ｇ、＾Ｕ。 又はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表される蛍
光体、待［ｊＩ昭５７−１４８２８５号に記載されてい
る下記いづれかの一般式 ％式％： ）： （式中、Ｈ及びＮはそれぞれＨｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ、Ｉｌａ
＋Ｚｎ及びｃｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ、ＣＮ、
［ｌｒ及びＩのうち少なくとも１種、＾はＥｕ、Ｔｂ、
Ｃｅ、Ｔｎ、Ｄｙ、Ｉ’ｒ、ｌｌｏ、Ｎｄ＋ＹＩ＋＋Ｅ
ｒ１ＳＩＪ、Ｔｌ１Ｍ１１及びＳｎのうち少なくとも１
種を表す。 また、Ｘ及びｙは０〈×≦６．０≦ｙ≦１なる条ビトを
満たす数である。）で表される蛍光体、下記いづれかの
一般式 ％式％： く式中、ＲｅはＬａ、にｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも
ＩＦＩＩ、アルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち
少なくとも１種、Ｘ及びＸ゛はＦ、Ｃｉ’、Ｏｒのうち
少なくとも１袖を表す。また、Ｘ及びｙは、ｌＸ　１０
−’＜　ｘ＜　３Ｘ　１０−’、ＩＸ　１０−’＜　ｙ
＜　ｔｘ　ｉｏ−’なる条件を満たす数であり、＋＋　
／　ｎはＩＸ　１０−″＜　ｎ７ｍ＜　７Ｘ　１０−’
なる条件をｌｒ心たす、）で表される蛍光体、及び下記
一般式 ％式％： （但し、ｓｒはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ及びＣｓがら選ば
れる少なくとも１種のアルカリ金属であり、８■は口Ｅ
＋ＮｆｆｔＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮ
ｉがら選ばれる少なくとも１種の二価金属である。　Ｍ
ｌ［［はＳｃ＋Ｙ、Ｌａ＋Ｃｅ＋Ｐｒ＋Ｎｄ＋Ｐｍ＋ｓ
ｍ＋Ｅｔ＋、Ｇｄ＋Ｔｂ＋Ｄｙ＋Ｉｌｏ＋ＥｒｌＴｍ＋
ＹＩ＋、Ｌｕ、＾１．Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なく
とも１種の二価金属である。 Ｘ、Ｘ’及びＸ″はＦ、Ｃ１，Ｂｒ及びＩがら選ばれる
少なくとも１種の７Ｎ　Ｏデンである。＾はＥｕ１Ｔｂ
＋Ｃｅ＋Ｔｍ＋Ｄｙ＋１’ｒ＋ｌｔｏ、Ｎｄ、ＹＪＥｒ
＋Ｇｄ、Ｌｕ＊Ｓｍ、Ｙ、ＴＩ、Ｎａ、八ｇ、Ｃｕ及び
Ｈｇから選ばれる少なくとも１種の′２ｔＩｆＧである
。 まｒこａは、Ｏ≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは
０≦１１＜０．５の範囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０
．２の範囲の数値である。）で表されるアルカリハライ
ド蛍光体等が挙げられる。 しかし、本発明の放射Ｍ画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に哩尽発
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。 犬に本発明に係る単分散性Ｒ８性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルの製造方法について説明する。 本発明に於て、Ｒ尽性蛍光体層は、前記単分散性輝尽性
蛍光体粒子及びその他の構成素材を結着剤溶液中に分散
、溶解しでなる蛍光体塗料を塗布、乾燥して形成される
。 該蛍光体塗料の形成する被膜の造膜性が良好で且つ充分
な強度を有するとさは支持体を不要とすることがあるが
、一般には支持体上に該蛍光体塗料は塗布される。もし
保護層が設けられる場合には別途に形成、準備された保
１漫屑膜に塗布されてもよい。 また本発明に於ては前記支持体または保ｙ１層膜にｍ設
された乾燥輝尽性蛍光体層面に保護層膜または支持体を
接着して本発明のパネルを形成してもよい、更に支持体
にＰ！１設された輝尽性蛍光体層に対しては保３１層塗
料を調合し、これを前記輝尽性蛍光体層に塗布する形態
を探ってもよい。 輝尽性蛍光体は適当な結着剤とともに適当な溶剤中に加
え、ボールミル、サンドミル、アトライタ、二本ロール
ミル、高速インペラ分散（幾、Ｋａｃｉｙミル、および
超ｒｆ波分散磯などの分散装置を用いて混合分散して塗
料を調整し、該塗料をドクターブレード、ロールコータ
、ナイ７フータなどの塗工機を用いて支持体或は保、［
上に塗布する。 本発明の放射線画像変換パネルは萌述の輝尽性蛍光体の
少なくとも１種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよい。そ
れぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体は同一
であってもよいし異なっていてもよい。 まｒこ萌記輝尽性蛍尤体層は、平均粒子径の異なる少な
くとも二つ以上の輝尽性蛍光体各々を適当な蛍光体粒子
の所定の粒子大きさ分布配列となるよ）に塗布して作成
してらよい。 尚、萌記蛍光体粒子の粒子大きさ分布配列は、輝尽励起
光入射ｔ＋ｔｑに大粒子が配列された分布配列の方が感
度の面から好ましい。 本発明に用いられる結着剤としては、例えばゼラチンの
如きタンパク質、デキストランの如きポリサッカライド
またはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸
ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビ
ニリデン−塩化ヒニルコボリマ、ポリメチルメタクリレ
ート、塩化ビニル−ｆｆ（酸ヒニルコボリマ、ポリウレ
タン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルア
ルコール等のような通常層ｖＩ戊に用いられる結着剤が
使用される。一般に結着剤は輝尽性蛍光体１重量部に対
して０．０１乃至１重量部の範囲で使用される。 しかしながら得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮
鋭性の点では結着剤は少ない方が好ましく、塗布の容易
さとの兼合いから０．０３乃至０．２重量部の範囲がよ
り好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚
は目的とする放射線画像変換パネルのネテ性、輝尽性蛍
光体の種類、結着剤と輝尽性蛍光体との混合比等によっ
て異なるが、１０μｇ　−１０００μｚの範囲から選ば
れるのが好ましく、１０μｌ〜５００μｌの範囲から選
ばれるのがより好ましい。 尚、本発明の放射＃１０１像変換パネルの鮮鋭性向上を
目的として、Ｖｆ閏昭５５−１４８４４７号に開示され
ているように放射Ｒｉｉ！ｉＩ像変換パネルのｆ１１！
尽性蛍光体層中に白色粉末を分散させてもよいし、また
、特開昭５５−１６３５００号に開示されているように
放射損画像変換パネルの輝尽性蛍光体層もしきは入射す
る輝尽励起光に対して蛍光体Ｍ底面にある支持体もしく
は保護層に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色し
てもよい。 本発明の放射線画像変換パネルに於ては、輝尽性蛍光体
層に自己支持能がない場合には該輝尽性蛍光体／ｆＮを
支持［るための支持体が設けられる。 ｌ前記支持体としては各種高分子材料、グラス、金属等
が用いられ、セルロースアセテートフィルム、ポリエス
テル７（ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテ
ートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラスチ
ックフィルム、アルミニ・ンムンート、鉄シート、銅シ
ート等の金属シート或は該金属酸化物の彼覆層を有する
ｌｋ属レシート好ましい。 これら支持体の表面は滑面であってらよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマント面としても
よい。 さらにこれら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい、また、これら支持体の層厚は用いる支
持体の材質等に上って異なるが、一般的には５０μｌ〜
２０００μｌであり、取扱い」二の点からさらに好まし
くは８０μｚ−１０００＃ｚである。 本発明の放射線画像変換パネルに於ては、一般的に前記
輝尽性蛍光体層の支持体が設けられる面とは反対側の面
に、輝尽性蛍光体層を物Ｐ目的にあるいは化学的に保護
するための保護〕ｆりが設けることが好ましい。 保：１Ｍの材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロ
ース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリクーボネート、ポリエ
ステル、ポリエチレンテン７タレート、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四７ツ化エチレン
、ポリ三７ノ化−塩化エチレン、四７ノ化エチレンー六
７ソ化フロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニ
ル共重合体、塩化ビニリデン−アクロニトリル共重合体
等の通学の保護）Ｖｌ用材料が用いられる。また、この
保、ＪＲりは蒸着法、スパッタリング法等により、Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＯ□、Ｓｉｎ、八１２０３などの無機物質を積
層して形成してもよい。これらの保’！ＩＭの層厚は一
般には０．１μｍ〜１００μｌ程度が好ましい。 尚本発明に於て輝尽性蛍光体塗料が造膜性を蔵しており
、且つ該造膜されたｍ膜が充分に剛性を有する場合には
、前記した支持体及び／または保護層は必要でない場合
がある。 本発明の放射線画像変換パネルはｔｊＳ２図に概略的に
示された放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性と感度を与える。すなわち、第２図にＪｊいて、
２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発明の
放射線画像変換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該
放射線Ｉ画像変換パネルより放射されたＲ尽発光を検出
する充電変換装置、２６は２５で検出されたイボ号を画
像として再生する装置ｎ、２７は再生された画像を表示
する装置、２８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、師
尽発尤のみを透過させるフィルターである。尚２５以降
は２３からの光情報を何らかの形で画像として再生でさ
るものであればよく、上記に限定されるものではない。 第２図に示されるように、放射線発生装置２１Ｊ・らの
放射線は被写体２２を通して本発明の放射線画像変換パ
ネル２３に入射する。この入射した放射線は放射線画像
変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネ
ルギーが蓄積され、放射線透過像のＭ積層が形成される
。次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光
で励起して輝尽発光として放出せしめる。 放射される輝尽発光の強弱は？ｆｆ積された放射線エネ
ルギー量に比例するので、この光（ｉ号を例えば光電子
増倍管等の光′Ｋｉ変換装置２５で充電変換し、画像再
生表示装置２６によって画像として再生し画像表示装ｆ
ｉ２７によって表示することにより、被写体の放射線透
過像を観察することができる。 【実施例］ 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。 実施例１ 第１表及［７第１図（ａ）に本発明の放射線画像変換パ
ネルのＩＭ遣あるいは比較の放射線画像変換パネルの製
造に用いられた種々の輝尽性蛍光体の粒子径分布を表す
。 なおいずれのＲ８性蛍光体らｍ成はＩｌｂ［ｌｒ；Ｔｌ
！である。ｆｊＳ１図（ａ）及Ｃ／Ｊｉｍに於て、輝尽
性蛍光体Ａ、［３，Ｃ，Ｄは以下のようにして９１造し
た。 旧Ｊｒを水に溶解し水溶液とする。この水溶液をＩｔ　
ｂ　［１ｒが不溶性のｉｆｆ媒中に添加し溶媒の種類、
添加条件を変えることにより種々の粒径のＲｂＢｒを得
た。 これに所定量の付活剤を加え焼成し、その後粉砕分級な
どを必要に応じて行い輝尽性蛍光体Ａ、Ｉ３゜Ｃ及びＤ
を得た。輝尽性蛍光体Ｅ、Ｆについては焼成の荷扱にお
いて必要に応じて粉砕・分級を行うことによって得られ
たものである。 次に前記輝尽性蛍光体を用いて以下のようにして放射線
画像変換パネルを製造した。 まず輝尽性蛍光体１３重量部をポリビニルブチラール（
結着剤）１重量部に酢酸ブチルとブタ７−ルを３＝１の
重量比で混合した溶剤を用いて分散させ、これを水平に
置いたポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）
上にワイヤーバーを用いて均一に塗布し自然乾燥させる
ことによってｖ、Ｆｌが約３００μ屑の放射ｙａｍ像変
換パネルを作成する。このようにして第１表中の１！Ｉ
ｆ！、性蛍光体Ａ　、Ｂ　、Ｃ、Ｄ及びＥに対応した本
発明の放射線画像変換パネルＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ及びＥを作
成した。また輝尽性蛍光体Ｆに対応した比較の放射線画
像変換パネルＦも同様の方法で作成された。 このようにして得られた各放射＃１画像変換パネルに管
電圧８０　Ｋ　Ｖ　ｐのＸ線を１０　＋ａ　Ｒ照射した
後、半導体レーザ光（７８０ｎｗ）で輝尽励起し、輝尽
性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器（光電子
増倍？？）で充電変換し、このイボ号を画像再生装置に
よって画像として再生し銀塩フィルム上に記録した。（
−３号の大きさより、放射線画像変換パネルのＸ線に対
する感度を調べ、また得られた画像より画像の変調ｆ云
達関敗（ＭＴＩ’）を調べ、これを第２表に示す６第２
表において、Ｘ　＋１ｌｉｌ　ｌ：対する感度は比較の
放射線画像変換パネルＦを１００として相対値で示し、
また変調伝達関数（１４ＴＦ）は空間周波数が・〈ノ・
′ 第２表より、本発明の放射線画像変換パネルＡ。 Ｂ、Ｅは比較の放射線画像変換パネルＦに比べて同等の
感度ながら鮮鋭性が極めて高い画像を与えた。また、本
発明の放射線画像変換パネルＤは本発明の他のパネルＡ
　、Ｂ　、Ｅに比べて平均粒径が大きいために感度は優
れている分鮮鋭性は劣る。しかしながら比較のパネルＦ
に対しては感度、釘硯性共優れたパネルとなった。尚、
本発明の放射線画像変換パネルＣは比較のパネルＦに対
してＶ均粒径が小さいために感度はやや劣る。しかしな
がら鮮鋭性は甑めて優れたものとなった。 実施例２ 粒子径分布の異なるＤａＦＢｒ：Ｅｕ１Ｑｉ尽性蛍尤体
Ｐ、ｑを、適当な粉砕・分級を施す二とにより製造し、
第１図（ｂ）及び第３表に粒子径分布を表す、この輝尽
性蛍光体ＰＩＱを用いて実施例１と同様にして本発明の
放射ａＩＩ像変換パネルＰ及び比較の放射線画像変換パ
ネルｑを作成し実施例１と同様にしてＸ線に対する感度
比較のパネルｑを１００とした相対値及び鮮鋭性を調べ
、これを第４表に示す。 第３表及び第４表より、輝ぶ性蛍光体としてＲｂＤｒ：
ＴＶを坩いたｊ、る介と同様本発明の放射線画像変換パ
ネルＰは比較の放射線画像変換パネルＱに対してＸ線に
対する感度は同等ながら鮮鋭性が極めて高い画像をりえ
た。 【２明の効果Ｉ 輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体粒子の粒子径分布が単分
散であるために、同じ平均粒子径を有するが粒子ａ！分
布は本発明に属さない輝尽性蛍光体から成る輝尽性蛍光
体層に比較して、Ｒ尽性蛍光体層中での輝尽励起光の散
６Ｌが抑えられるために感度の低下を招かずに鮮鋭性の
向上が可能である。 また、粒子径分布が単分散であることにより、輝尽性蛍
光体層表面の平滑性が増し輝尽励起光の散乱が抑えられ
より一層鮮鋭性の向上が可能となる。 以上本発明はその効果が極めて大きく工業的に有用であ
る。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の放射線ｔａ像変換パネルに於けるＸ１
ｌｌ尽性蛍尤体粒子の粒子径分布を示す図である。 第２図は本発明の放射線ｉ［ｉ像変換パネルを使用する
放射ａｉｉｌＩ像変換方法を説明するＷ要図である。 出願人　　小四六写真工業株式会社 第 ２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 輝尽性蛍光体を結着剤に分散して成る輝尽性蛍光体層を
   有する放射線画像変換パネルに於て、前記輝尽性蛍光体
   の粒子径分布が単分散であることを特徴とする放射線画
   像変換パネル。