JPS6340487B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6340487B2 JPS6340487B2 JP8866282A JP8866282A JPS6340487B2 JP S6340487 B2 JPS6340487 B2 JP S6340487B2 JP 8866282 A JP8866282 A JP 8866282A JP 8866282 A JP8866282 A JP 8866282A JP S6340487 B2 JPS6340487 B2 JP S6340487B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- polarization
- waves
- wave
- frequency bands
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 22
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2138—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using hollow waveguide filters
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、多周波数帯の電磁波を円偏波で導
入する一次放射器の改良に関するものである。
入する一次放射器の改良に関するものである。
ここでは、２つの周波数帯に限定し、この２つ
の周波数帯の低い周波数帯の電磁波をL、高い周
波数帯の電磁波をHとして、また低い方の周波数
帯Lを２つの帯域に分けた時の低い周波数帯を
LL、高い周波数帯をLHとして説明する。
の周波数帯の低い周波数帯の電磁波をL、高い周
波数帯の電磁波をHとして、また低い方の周波数
帯Lを２つの帯域に分けた時の低い周波数帯を
LL、高い周波数帯をLHとして説明する。
従来、この種の一次放射器に、第１図に示すも
のがあつた。図において１はLを導入する方形導
波管、２は偏分波器、３は主導波管、６は偏波変
換器、７は電磁ホーン、１１は主流波管３の広い
面に設けられた結合孔、１２は共振素子、１３は
分岐導波管、１４は分岐導波管に設けられた電波
吸収体である。
のがあつた。図において１はLを導入する方形導
波管、２は偏分波器、３は主導波管、６は偏波変
換器、７は電磁ホーン、１１は主流波管３の広い
面に設けられた結合孔、１２は共振素子、１３は
分岐導波管、１４は分岐導波管に設けられた電波
吸収体である。
いま、Lを送信波８ａ、Hを受信波８ｂとして
偏分波器２に導入された場合、Lの電磁波は偏波
変換器６により円偏波に変換され、電磁ホーン７
からアンテナに放射される。ところで、この電磁
ホーン７の開口部の寸法は、Lの周波数帯の波長
に比べ大きくとれない場合が通常であるため開口
部において反射波を生じる。開口部におけるLの
反射波は逆の円偏波となつて反射され、偏波変換
器により直線偏波に変換され、Hと同じ偏波とな
つて主導波管３を伝搬する。いま、主導波管３に
Hと電磁ホーン７で反射されたLの波が同時に伝
搬している。この時、結合孔１１に取り付けられ
た共振素子１２はLの波に対してはほとんど影響
されないが、Hの波に対しては、直列共振状態に
なる様な寸法になつている。
偏分波器２に導入された場合、Lの電磁波は偏波
変換器６により円偏波に変換され、電磁ホーン７
からアンテナに放射される。ところで、この電磁
ホーン７の開口部の寸法は、Lの周波数帯の波長
に比べ大きくとれない場合が通常であるため開口
部において反射波を生じる。開口部におけるLの
反射波は逆の円偏波となつて反射され、偏波変換
器により直線偏波に変換され、Hと同じ偏波とな
つて主導波管３を伝搬する。いま、主導波管３に
Hと電磁ホーン７で反射されたLの波が同時に伝
搬している。この時、結合孔１１に取り付けられ
た共振素子１２はLの波に対してはほとんど影響
されないが、Hの波に対しては、直列共振状態に
なる様な寸法になつている。
一方、高域通過導波管４は広い面の横断寸法９
がLの周波数帯で遮断域となるように選定されて
おり、高域通過導波管４の等価的な反射面は結合
孔からの位置がLの波に対してほぼ近以的に λgL／４（１＋2N） ただし、 λgL：Lの周波数帯の中心周波数での管内波長 Ｎ：０または任意の整数 なる寸法だけ離して配置している。
がLの周波数帯で遮断域となるように選定されて
おり、高域通過導波管４の等価的な反射面は結合
孔からの位置がLの波に対してほぼ近以的に λgL／４（１＋2N） ただし、 λgL：Lの周波数帯の中心周波数での管内波長 Ｎ：０または任意の整数 なる寸法だけ離して配置している。
しかし、一般に主導波管３の方形導波管部の広
い面の横断寸法は、Hの波に対し、高次モードが
発生しないような寸法を選んであり、Lの帯域が
広くなると管内波長が伸びておりLの全帯域に対
して、ほぼλgL／４（2N＋１）の関係が成立しな
くなり、Lの波が結合孔１１に吸収されないで、
そのまま反射され、偏波変換器に至る。したがつ
て偏波変換器６には偏波の異なる２個の電磁波が
導入されるために、楕円偏波率の劣化する原因と
なる欠点があつた。
い面の横断寸法は、Hの波に対し、高次モードが
発生しないような寸法を選んであり、Lの帯域が
広くなると管内波長が伸びておりLの全帯域に対
して、ほぼλgL／４（2N＋１）の関係が成立しな
くなり、Lの波が結合孔１１に吸収されないで、
そのまま反射され、偏波変換器に至る。したがつ
て偏波変換器６には偏波の異なる２個の電磁波が
導入されるために、楕円偏波率の劣化する原因と
なる欠点があつた。
この発明は、この欠点を解決するためになされ
たものでLの周波数帯域が広くても所望の楕円偏
波率を得ることができる一次放射器を提供するも
のである。
たものでLの周波数帯域が広くても所望の楕円偏
波率を得ることができる一次放射器を提供するも
のである。
以下、第２図に示すこの発明の一実施例につい
て説明する。第２図において、１はLLとLHを導
入する方形導波管、２は偏分波器、３は主導波
管、４は高域通過導波管、５はHを導入する方形
導波管、６は偏波変換器、７は電磁ホーン、１１
ａ，１１ｂは主導波管３の広い面に設けられた結
合孔、１２ａ，１２ｂは共振素子、３ａ，１３ｂ
は分岐導波管、１４ａ，１４ｂは分岐導波管に設
けられた電波吸収体である。
て説明する。第２図において、１はLLとLHを導
入する方形導波管、２は偏分波器、３は主導波
管、４は高域通過導波管、５はHを導入する方形
導波管、６は偏波変換器、７は電磁ホーン、１１
ａ，１１ｂは主導波管３の広い面に設けられた結
合孔、１２ａ，１２ｂは共振素子、３ａ，１３ｂ
は分岐導波管、１４ａ，１４ｂは分岐導波管に設
けられた電波吸収体である。
いま主導波管３にHと電磁ホーン７で反射され
たLLとLHの波が伝搬している場合、結合孔１１
ａ，１１ｂに取付けられた共振素子１２ａ，１２
ｂはLLとLHの波に対してはほとんど影響しない
が、Hの波に対しては直列共振状態になるような
寸法になつている。一方高域通過導波管４は広い
面の横断寸法９がLLとLHの周波数で遮断域とな
るように選定されており、さらに結合孔１１ａ，
１１ｂは高域通過導波管４の等価的な反射面から
の位置がLL，LHの波に対してそれぞれほぼ近以
的に λgLL／４（１＋2N） λgLH／４（１＋2N） ただし、 λgLL：Lの周波数帯の低域側（LL）の中心周波
数 λgLH：Lの周波数帯の高域側（LH）の中心周波
数 Ｎ：０または、任意の正の整数 なる寸法１０ａ，１０ｂだけ配置している。
たLLとLHの波が伝搬している場合、結合孔１１
ａ，１１ｂに取付けられた共振素子１２ａ，１２
ｂはLLとLHの波に対してはほとんど影響しない
が、Hの波に対しては直列共振状態になるような
寸法になつている。一方高域通過導波管４は広い
面の横断寸法９がLLとLHの周波数で遮断域とな
るように選定されており、さらに結合孔１１ａ，
１１ｂは高域通過導波管４の等価的な反射面から
の位置がLL，LHの波に対してそれぞれほぼ近以
的に λgLL／４（１＋2N） λgLH／４（１＋2N） ただし、 λgLL：Lの周波数帯の低域側（LL）の中心周波
数 λgLH：Lの周波数帯の高域側（LH）の中心周波
数 Ｎ：０または、任意の正の整数 なる寸法１０ａ，１０ｂだけ配置している。
したがつて、主導波管３に導入されたLの波の
うちLLは高域通過導波管４の等価的な反射面で
反射され結合孔１１ｂを介して、分岐導波管１３
ｂに入る。またLのうちLHは高域通過導波管４
の等価的な反射面で反射され結合孔１１ａを介し
て、分岐導波管１１ａに入る。さらに分岐導波管
１３ａ，１３ｂには電波吸収体１４ａ，１４ｂを
設けているので分岐導波管に入つたLL，LHの波
は吸収される。一方、主導波管３に導入されたH
の波に対しては結合孔１１ａ，１１ｂの共振素子
１２ａ，１２ｂの位置で電気的に短絡された状態
になり、Hの波は結合孔１１ａ，１１ｂの影響を
ほとんど受けないで高域通過導波管４に至り、方
形導波管５に導入される。
うちLLは高域通過導波管４の等価的な反射面で
反射され結合孔１１ｂを介して、分岐導波管１３
ｂに入る。またLのうちLHは高域通過導波管４
の等価的な反射面で反射され結合孔１１ａを介し
て、分岐導波管１１ａに入る。さらに分岐導波管
１３ａ，１３ｂには電波吸収体１４ａ，１４ｂを
設けているので分岐導波管に入つたLL，LHの波
は吸収される。一方、主導波管３に導入されたH
の波に対しては結合孔１１ａ，１１ｂの共振素子
１２ａ，１２ｂの位置で電気的に短絡された状態
になり、Hの波は結合孔１１ａ，１１ｂの影響を
ほとんど受けないで高域通過導波管４に至り、方
形導波管５に導入される。
この発明によると、このような動作をするの
で、Lの周波数帯域が広くなり、電磁ホーン７で
反射波を生じても楕円偏波率を劣化することなく
所望の楕円偏波率を得る一次放射器を実現でき
る。
で、Lの周波数帯域が広くなり、電磁ホーン７で
反射波を生じても楕円偏波率を劣化することなく
所望の楕円偏波率を得る一次放射器を実現でき
る。
第３図はこの発明の他の実施例を示すもので、
第２図に示した結合孔１１ａ，１１ｂを主導波管
３の広い面に設けるかわりに、主導波管３の狭い
面に設けたものであり、同様な効果を有してい
る。
第２図に示した結合孔１１ａ，１１ｂを主導波管
３の広い面に設けるかわりに、主導波管３の狭い
面に設けたものであり、同様な効果を有してい
る。
なお、以上は主導波管３と高域通過導波管４を
方形導波管の場合について説明しているが、円形
導波管の場合でも高域通過導波管の内径寸法がL
の周波数に対して遮断域となるように選択されて
いれば同様の効果が得られる。
方形導波管の場合について説明しているが、円形
導波管の場合でも高域通過導波管の内径寸法がL
の周波数に対して遮断域となるように選択されて
いれば同様の効果が得られる。
また、共振素子１２ａ，１２ｂの代わりに通過
帯域がL、阻止帯域がHとなるように選定された
ワツフル形波器を用いても同じような効果が得
られる。
帯域がL、阻止帯域がHとなるように選定された
ワツフル形波器を用いても同じような効果が得
られる。
さらに、以上は電磁ホーンが１個の場合につい
て説明しているが、複数の電磁ホーンを用いた構
成の場合にも同様な効果が得られる。
て説明しているが、複数の電磁ホーンを用いた構
成の場合にも同様な効果が得られる。
第１図は従来の一次放射器の一実施例を示す
図、第２図、第３図はこの発明による実施例を示
す図である。 図中、１，５は方形導波管、２は偏分波器、３
は主導波管、４は高域通過導波管、６は偏波変換
器、７は電磁ホーン、１１ａ，１１ｂは結合孔、
１２ａ，１２ｂは共振素子、１３ａ，１３ｂは分
岐導波管、１４ａ，１４ｂは電波吸収体である。
なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号
を付して示してある。
図、第２図、第３図はこの発明による実施例を示
す図である。 図中、１，５は方形導波管、２は偏分波器、３
は主導波管、４は高域通過導波管、６は偏波変換
器、７は電磁ホーン、１１ａ，１１ｂは結合孔、
１２ａ，１２ｂは共振素子、１３ａ，１３ｂは分
岐導波管、１４ａ，１４ｂは電波吸収体である。
なお、図中、同一あるいは相当部分には同一符号
を付して示してある。
Claims (1)
- １ 多周波数帯の電磁波を導入する分波部と、上
記分波部に接続された直線偏波と円偏波との偏波
を変換する偏波変換器と、上記偏波変換器に接続
された電磁ホーンとから構成される一次放射器に
おいて、上記分波部の主導波管を伝搬する多周波
数帯の同じ偏波の電磁波から低い周波数帯の電磁
波を分波し、かつ吸収するように、上記導波管に
複数個の結合孔を設け、上記複数個の結合孔から
低い周波数帯の電磁波に対して遮断域となる高域
通過導波管までの距離を上記主導波管を伝搬する
低い周波数帯における複数の各周波数帯のそれぞ
れの中心周波数における管内波長の約４分の１ま
たはその奇数倍に近い長さだけ離して設けて広帯
域化を図るとともに、上記複数個の結合孔を介し
て接続された分岐導波管部に波器と電波吸収体
を設けたことを特徴とする一次放射器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8866282A JPS58205302A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 一次放射器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8866282A JPS58205302A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 一次放射器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205302A JPS58205302A (ja) | 1983-11-30 |
| JPS6340487B2 true JPS6340487B2 (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=13949027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8866282A Granted JPS58205302A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 一次放射器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58205302A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464401A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Axial ratio compensator |
| JP6278907B2 (ja) * | 2015-01-15 | 2018-02-14 | 三菱電機株式会社 | 偏波分離回路 |
| JP7088995B2 (ja) * | 2020-08-28 | 2022-06-21 | アンリツ株式会社 | アンテナデバイス、それを備えたアンテナ装置、及びそれの製造方法 |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP8866282A patent/JPS58205302A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58205302A (ja) | 1983-11-30 |
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