JPS6339666B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6339666B2 JPS6339666B2 JP21699483A JP21699483A JPS6339666B2 JP S6339666 B2 JPS6339666 B2 JP S6339666B2 JP 21699483 A JP21699483 A JP 21699483A JP 21699483 A JP21699483 A JP 21699483A JP S6339666 B2 JPS6339666 B2 JP S6339666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- steel ball
- receiving jig
- ion plating
- jig
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 59
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 30
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 30
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 30
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は球表面へのイオンプレーテイング方法
に関するものである。 従来の技術 一般にイオンプレーテイング方法によつて被処
理金属体の表面にイオンプレーテイング膜を形成
するには、第１図に示す如く、不活性ガスが注入
される真空槽１内に被処理金属体ａ及び蒸発源２
を収納し、被処理金属体ａを加速用直流電源３の
陰極に、又蒸発源２を加速用直流電源３の陽極に
接続し、更に蒸発源２を蒸発源加熱用の蒸発電源
４に接続する。 被処理金属体ａの表面にイオンプレーテイング
膜を形成するには、先ず蒸発源２にAg、Pb、
Cu、Au等の蒸発物ｂを載置する。次に真空ポン
プ（図示せず）を用いて真空槽１内を５×
10-5torr以下の真空とした後、真空槽１にアルゴ
ンガス等の不活性ガスを導入し、真空槽１内を
10-2torr前後の真空度に維持する。次に加速用直
流電源３をONし、被処理金属体ａと蒸発源２と
の間に2.0〜4.0KVの電圧を印加し、グロー放電
を発生させ、不活性ガスをイオン化する。この状
態で蒸発用電源４をONし、蒸発源２に載置した
蒸発物ｂを加熱し、蒸発物ｂを蒸発イオン化させ
て被処理金属体１の表面にイオンプレーテイング
膜を形成する。 ところで、上記したイオンプレーテイング方法
により軸受けに組み込む鋼球の表面にイオンプレ
ーテイング膜を形成するには、下記するような方
法が用いられる。 即ち第２図に示す如く、被処理金属体となる鋼
球ｃに直接加速用直流電源３の陰極を接続するの
ではなく、網状をした受け治具５に加速用直流電
源３の陰極を接続し、当該受け治具５上に鋼球ｃ
を載置する。後は上述したのと同様にして、蒸発
源２上に載置した蒸発物ｂを蒸発イオン化させ、
鋼球ｃの表面にイオンプレーテイング膜を形成す
る。 又は、第３図に示す如く、メツシユ製のバレル
６をモータ７によつて回転駆動するようにして真
空槽１内に設置し、当該バレル６に加速用直流電
源３の陰極を接続する。そして、バレル６内に鋼
球ｃを収納し、バレル６を回転させた状態で前述
したのと同様にして蒸発源２上に載置した蒸発物
ｂを蒸発イオン化させ、鋼球ｃの表面にイオンプ
レーテイング膜を形成する。 発明が解決しようとする課題 ところが、第２図に示した方法によつて鋼球ｃ
の表面にイオンプレーテイング膜を形成すると、
鋼球ｃはイオンプレーテイング膜形成時、受け治
具５の上部に固定ないし静止した状態にあるた
め、鋼球ｃの、受け治具５の網目と接触している
部分に形成されるイオンプレーテイング膜が、他
の部分に形成されるイオンプレーテイング膜に比
べて薄くなり、鋼球ｃの表面全体にイオンプレー
テイング膜を均一に形成させることができないと
いつた欠点があつた。 又第３図に示した方法の場合には、鋼球ｃを収
納したメツシユ製のバレル６を回転させるため、
鋼球ｃの表面に形成されるイオンプレーテイング
膜の皮膜厚さは比較的均一になるが、バレル６の
回転によつて生じるバレル６と鋼球ｃとの接触、
非接触により両者間にスパークが頻発し、良好な
付着性を得ることが難しいといつた欠点があつ
た。 本発明の目的は、イオンプレーテイング方法に
よつて鋼球の表面にイオンプレーテイング膜を形
成するにあたり、鋼球の表面にイオンプレーテイ
ング膜を均一に付着させると同時に、付着性も良
好なイオンプレーテイング膜を得られるようにす
ることである。 課題を解決するための手段 本発明は、不活性ガス雰囲気を形成する蒸発室
内に、表面に鋼球を支持するための断面円弧状を
した周溝を有する受け治具を、加速用直流電源の
陰極に接続した状態で収納し、受け治具の上方
に、蒸発物を収納した蒸発源を、加速用直流電源
の陽極に接続した状態で収納し、更に加速用直流
電源の陽極と接続した薄板製の振動調節用開閉器
を、受け治具と蒸発源との間に水平方向に揺動自
在に配置し、受け治具上に鋼球を載置した後、受
け治具と蒸発源との間に加速用直流電源により直
流の高圧電圧を印加して鋼球にイオンプレーテイ
ングを行うに際し、鋼球を支持している受け治具
に振動を与えると同時に振動調節用開閉器を揺動
させるようにした。 作 用 受け治具を振動させることにより、鋼球は受け
治具に対して接触・非接触を繰り返す。この結
果、鋼球と受け治具との間で電荷の不均衝が生
じ、鋼球を自転せしめる力が作用する。また、振
動調節用開閉器を揺動させることにより、受け治
具上の鋼球のうち、蒸発源との間に振動調節用開
閉器が介在するものとそれ以外とでは電荷の不均
衡が生じ、この結果鋼球同士が反発しあう。 斯くして鋼球は、受け治具の周溝に沿つて、自
転しながら公転する。鋼球のこのような状態を創
出して維持しつつイオンプレーテイングを行うこ
とにより、鋼球表面に均一な、それゆえに付着性
の良好な皮膜が形成される。 実施例 第４図は本発明を実施するために使用するイオ
ンプレーテイング装置を示し、同図中、１０は直
径300mm、高さ350mmの有底筒状をしたベルジヤ
ー、１１はベルジヤー１０の開口部を閉塞する上
蓋であり、ベルジヤー１０と上蓋１１とで蒸発室
を構成している。１２は上蓋１１に設けた不活性
ガスの導入口、１３はベルジヤー１０の下部に設
けたベルシヤー１０内のガスを排気するための吸
引口である。１４ａ，１４ｂは絶縁体１５ａ，１
５ｂを介してベルジヤー１０を気密に貫通する支
柱兼用の導電体、１６は導電体１４ａ，１４ｂに
よつてベルジヤー１０内に支持される蒸発源であ
つて、実施例ではバスケツトタイプのタングステ
ンフイラメントを使用している。１７は絶縁体１
８を介して上蓋１１を気密に貫通する電極、１９
は電極１７に固着した支持金具、２０は支持金具
１９によつて蒸発源１６の下方50mmの位置に支持
された外径50mm、厚さ５mmの受け治具である。こ
の受け治具２０の表面には、第５図に示すよう
に、被処理金属体となる鋼球ｃを支持するための
断面円弧状をした深さ１mmの周溝２０ａを凹設し
てある。尚、受け治具２０は、第６図に示す如
く、押え板２１及びボルト２２、ナツト２３を用
いて支持金具１９に固定する。２４は支持棒２５
によつて受け治具２０上部に受け治具２０から10
mm離して、水平方向に揺動自在に支持された薄板
製の振動調節用開閉器である。この振動調節用開
閉器２４は、第７図に示すような形状で、実施例
の場合、幅40mm、長さ60mmである。支持棒２５の
上端は上蓋１１を貫通して外部に突出しており、
その上端に固着したレバー２６を操作することに
より第８図に示すように、振動調節用開閉器２４
を受け治具２０上で揺動させるようにしてある。
尚、振動調節用開閉器２４の揺動角αは30゜程度
に設定しておく。２７は電極１７に形成した内部
空間１７ａ内に冷却用の油を供給するための送入
管、２８は電極１７の内部空間１７ａ内に流入し
た油を排出するための排出管である。送入管２７
と排出管２８とは油循環冷却器（図示せず）に接
続してあり、電極１７の内部空間１７ａ内に冷却
油を循環させることにより、電極１７を冷却する
と同時に、電極１７と支持金具１９を介して接続
された受け治具２０に、油循環によつて生じる微
小振動を与えるようにしてある。加速用直流電源
２９の陰極は電極１７に、陽極は支持棒２５及び
導電体１４ａ，１４ｂに接続してある。蒸発源１
６加熱用の蒸発用電源３０は導電体１４ａ，１４
ｂに接続してある。 鋼球ｃの表面にイオンプレーテイング膜を形成
するにあたつては、蒸発源１６にAg、Pb、Cu、
Au等の蒸発物ｂ（実施例の場合Ag）を載置し、
受け治具２０の周溝２０ａに鋼球ｃを所定個数載
置する。次に上蓋１１を閉じ、密閉状態にあるベ
ルジヤー１０内を真空ポンプ（図示せず）を用い
て真空とした後、導入口１２からベルジヤー１０
内にアルゴンガス等の不活性ガスを導入し、ベル
ジヤー１０内を0.02torr前後の真空度に維持す
る。次に加速用直流電源２９をONし、受け治具
２０と蒸発源１６との間に2.0〜2.5KVの電圧を
印加すると同時に、電極１７の内部空間１７ａ内
に冷却油を循環させて受け治具２０に微小振動を
与え、更にこれと併行して振動調節開閉器２４を
揺動させる。すると受け治具２０上に載置した鋼
球ｃは、受け治具２０上で微小な上下及び横振動
を起こし、鋼球ｃと受け治具２０とは接触、非接
触を繰り返す。すなわち、このとき鋼球ｃ及び受
け治具２０には、ベルジヤー１０内でイオン化さ
れたArイオンが衝突しているが、鋼球ｃは上述
の如く受け治具２０と常に接触してはいないの
で、鋼球ｃ表面では、Arイオンの鋼球表面での
電子の授受による正電荷の滞溜が起こり、これが
蓄積される。このため鋼球ｃと受け治具２０との
間に電荷の不均衡が生じ、この不均衝によつて鋼
球ｃは受け治具２０上で自転する。また、蒸発源
１６と受け治具２０との間で振動調節用開閉器２
４を水平方向に揺動させると、受け治具２０上の
鋼球ｃのうち、蒸発源１６との間を振動調節用開
閉器２４に遮られたものはあたかも電極間距離が
接近したのと同等になりArイオンの衝突が活発
になるため、鋼球ｃ表面への上記正電荷の蓄積が
一層促進され、振動調節用開閉器２４によつて遮
られていない鋼球ｃとでは電荷の蓄積度合いが異
なる。このため、鋼球ｃ相互間にも電荷の不均衡
が生じ、鋼球ｃ同士の反発が起こり、鋼球ｃは受
け治具２０の周溝２０ａに沿つて移動つまり公転
する。このように、受け治具２０と鋼球ｃとの
間、及び鋼球ｃ相互間に生じる電荷の不均衡によ
り、鋼球ｃは受け治具２０の周溝２０ａ上を、自
転しながら公転する。この状態を維持しつつ蒸発
電源３０をONし、蒸発物ｂを蒸発イオン化さ
せ、鋼球ｃの表面にイオンプレーテイング膜を形
成する。なお、上に述べた実施例におけるイオン
プレーテイングの条件をまとめると表１のとおり
である。
に関するものである。 従来の技術 一般にイオンプレーテイング方法によつて被処
理金属体の表面にイオンプレーテイング膜を形成
するには、第１図に示す如く、不活性ガスが注入
される真空槽１内に被処理金属体ａ及び蒸発源２
を収納し、被処理金属体ａを加速用直流電源３の
陰極に、又蒸発源２を加速用直流電源３の陽極に
接続し、更に蒸発源２を蒸発源加熱用の蒸発電源
４に接続する。 被処理金属体ａの表面にイオンプレーテイング
膜を形成するには、先ず蒸発源２にAg、Pb、
Cu、Au等の蒸発物ｂを載置する。次に真空ポン
プ（図示せず）を用いて真空槽１内を５×
10-5torr以下の真空とした後、真空槽１にアルゴ
ンガス等の不活性ガスを導入し、真空槽１内を
10-2torr前後の真空度に維持する。次に加速用直
流電源３をONし、被処理金属体ａと蒸発源２と
の間に2.0〜4.0KVの電圧を印加し、グロー放電
を発生させ、不活性ガスをイオン化する。この状
態で蒸発用電源４をONし、蒸発源２に載置した
蒸発物ｂを加熱し、蒸発物ｂを蒸発イオン化させ
て被処理金属体１の表面にイオンプレーテイング
膜を形成する。 ところで、上記したイオンプレーテイング方法
により軸受けに組み込む鋼球の表面にイオンプレ
ーテイング膜を形成するには、下記するような方
法が用いられる。 即ち第２図に示す如く、被処理金属体となる鋼
球ｃに直接加速用直流電源３の陰極を接続するの
ではなく、網状をした受け治具５に加速用直流電
源３の陰極を接続し、当該受け治具５上に鋼球ｃ
を載置する。後は上述したのと同様にして、蒸発
源２上に載置した蒸発物ｂを蒸発イオン化させ、
鋼球ｃの表面にイオンプレーテイング膜を形成す
る。 又は、第３図に示す如く、メツシユ製のバレル
６をモータ７によつて回転駆動するようにして真
空槽１内に設置し、当該バレル６に加速用直流電
源３の陰極を接続する。そして、バレル６内に鋼
球ｃを収納し、バレル６を回転させた状態で前述
したのと同様にして蒸発源２上に載置した蒸発物
ｂを蒸発イオン化させ、鋼球ｃの表面にイオンプ
レーテイング膜を形成する。 発明が解決しようとする課題 ところが、第２図に示した方法によつて鋼球ｃ
の表面にイオンプレーテイング膜を形成すると、
鋼球ｃはイオンプレーテイング膜形成時、受け治
具５の上部に固定ないし静止した状態にあるた
め、鋼球ｃの、受け治具５の網目と接触している
部分に形成されるイオンプレーテイング膜が、他
の部分に形成されるイオンプレーテイング膜に比
べて薄くなり、鋼球ｃの表面全体にイオンプレー
テイング膜を均一に形成させることができないと
いつた欠点があつた。 又第３図に示した方法の場合には、鋼球ｃを収
納したメツシユ製のバレル６を回転させるため、
鋼球ｃの表面に形成されるイオンプレーテイング
膜の皮膜厚さは比較的均一になるが、バレル６の
回転によつて生じるバレル６と鋼球ｃとの接触、
非接触により両者間にスパークが頻発し、良好な
付着性を得ることが難しいといつた欠点があつ
た。 本発明の目的は、イオンプレーテイング方法に
よつて鋼球の表面にイオンプレーテイング膜を形
成するにあたり、鋼球の表面にイオンプレーテイ
ング膜を均一に付着させると同時に、付着性も良
好なイオンプレーテイング膜を得られるようにす
ることである。 課題を解決するための手段 本発明は、不活性ガス雰囲気を形成する蒸発室
内に、表面に鋼球を支持するための断面円弧状を
した周溝を有する受け治具を、加速用直流電源の
陰極に接続した状態で収納し、受け治具の上方
に、蒸発物を収納した蒸発源を、加速用直流電源
の陽極に接続した状態で収納し、更に加速用直流
電源の陽極と接続した薄板製の振動調節用開閉器
を、受け治具と蒸発源との間に水平方向に揺動自
在に配置し、受け治具上に鋼球を載置した後、受
け治具と蒸発源との間に加速用直流電源により直
流の高圧電圧を印加して鋼球にイオンプレーテイ
ングを行うに際し、鋼球を支持している受け治具
に振動を与えると同時に振動調節用開閉器を揺動
させるようにした。 作 用 受け治具を振動させることにより、鋼球は受け
治具に対して接触・非接触を繰り返す。この結
果、鋼球と受け治具との間で電荷の不均衝が生
じ、鋼球を自転せしめる力が作用する。また、振
動調節用開閉器を揺動させることにより、受け治
具上の鋼球のうち、蒸発源との間に振動調節用開
閉器が介在するものとそれ以外とでは電荷の不均
衡が生じ、この結果鋼球同士が反発しあう。 斯くして鋼球は、受け治具の周溝に沿つて、自
転しながら公転する。鋼球のこのような状態を創
出して維持しつつイオンプレーテイングを行うこ
とにより、鋼球表面に均一な、それゆえに付着性
の良好な皮膜が形成される。 実施例 第４図は本発明を実施するために使用するイオ
ンプレーテイング装置を示し、同図中、１０は直
径300mm、高さ350mmの有底筒状をしたベルジヤ
ー、１１はベルジヤー１０の開口部を閉塞する上
蓋であり、ベルジヤー１０と上蓋１１とで蒸発室
を構成している。１２は上蓋１１に設けた不活性
ガスの導入口、１３はベルジヤー１０の下部に設
けたベルシヤー１０内のガスを排気するための吸
引口である。１４ａ，１４ｂは絶縁体１５ａ，１
５ｂを介してベルジヤー１０を気密に貫通する支
柱兼用の導電体、１６は導電体１４ａ，１４ｂに
よつてベルジヤー１０内に支持される蒸発源であ
つて、実施例ではバスケツトタイプのタングステ
ンフイラメントを使用している。１７は絶縁体１
８を介して上蓋１１を気密に貫通する電極、１９
は電極１７に固着した支持金具、２０は支持金具
１９によつて蒸発源１６の下方50mmの位置に支持
された外径50mm、厚さ５mmの受け治具である。こ
の受け治具２０の表面には、第５図に示すよう
に、被処理金属体となる鋼球ｃを支持するための
断面円弧状をした深さ１mmの周溝２０ａを凹設し
てある。尚、受け治具２０は、第６図に示す如
く、押え板２１及びボルト２２、ナツト２３を用
いて支持金具１９に固定する。２４は支持棒２５
によつて受け治具２０上部に受け治具２０から10
mm離して、水平方向に揺動自在に支持された薄板
製の振動調節用開閉器である。この振動調節用開
閉器２４は、第７図に示すような形状で、実施例
の場合、幅40mm、長さ60mmである。支持棒２５の
上端は上蓋１１を貫通して外部に突出しており、
その上端に固着したレバー２６を操作することに
より第８図に示すように、振動調節用開閉器２４
を受け治具２０上で揺動させるようにしてある。
尚、振動調節用開閉器２４の揺動角αは30゜程度
に設定しておく。２７は電極１７に形成した内部
空間１７ａ内に冷却用の油を供給するための送入
管、２８は電極１７の内部空間１７ａ内に流入し
た油を排出するための排出管である。送入管２７
と排出管２８とは油循環冷却器（図示せず）に接
続してあり、電極１７の内部空間１７ａ内に冷却
油を循環させることにより、電極１７を冷却する
と同時に、電極１７と支持金具１９を介して接続
された受け治具２０に、油循環によつて生じる微
小振動を与えるようにしてある。加速用直流電源
２９の陰極は電極１７に、陽極は支持棒２５及び
導電体１４ａ，１４ｂに接続してある。蒸発源１
６加熱用の蒸発用電源３０は導電体１４ａ，１４
ｂに接続してある。 鋼球ｃの表面にイオンプレーテイング膜を形成
するにあたつては、蒸発源１６にAg、Pb、Cu、
Au等の蒸発物ｂ（実施例の場合Ag）を載置し、
受け治具２０の周溝２０ａに鋼球ｃを所定個数載
置する。次に上蓋１１を閉じ、密閉状態にあるベ
ルジヤー１０内を真空ポンプ（図示せず）を用い
て真空とした後、導入口１２からベルジヤー１０
内にアルゴンガス等の不活性ガスを導入し、ベル
ジヤー１０内を0.02torr前後の真空度に維持す
る。次に加速用直流電源２９をONし、受け治具
２０と蒸発源１６との間に2.0〜2.5KVの電圧を
印加すると同時に、電極１７の内部空間１７ａ内
に冷却油を循環させて受け治具２０に微小振動を
与え、更にこれと併行して振動調節開閉器２４を
揺動させる。すると受け治具２０上に載置した鋼
球ｃは、受け治具２０上で微小な上下及び横振動
を起こし、鋼球ｃと受け治具２０とは接触、非接
触を繰り返す。すなわち、このとき鋼球ｃ及び受
け治具２０には、ベルジヤー１０内でイオン化さ
れたArイオンが衝突しているが、鋼球ｃは上述
の如く受け治具２０と常に接触してはいないの
で、鋼球ｃ表面では、Arイオンの鋼球表面での
電子の授受による正電荷の滞溜が起こり、これが
蓄積される。このため鋼球ｃと受け治具２０との
間に電荷の不均衡が生じ、この不均衝によつて鋼
球ｃは受け治具２０上で自転する。また、蒸発源
１６と受け治具２０との間で振動調節用開閉器２
４を水平方向に揺動させると、受け治具２０上の
鋼球ｃのうち、蒸発源１６との間を振動調節用開
閉器２４に遮られたものはあたかも電極間距離が
接近したのと同等になりArイオンの衝突が活発
になるため、鋼球ｃ表面への上記正電荷の蓄積が
一層促進され、振動調節用開閉器２４によつて遮
られていない鋼球ｃとでは電荷の蓄積度合いが異
なる。このため、鋼球ｃ相互間にも電荷の不均衡
が生じ、鋼球ｃ同士の反発が起こり、鋼球ｃは受
け治具２０の周溝２０ａに沿つて移動つまり公転
する。このように、受け治具２０と鋼球ｃとの
間、及び鋼球ｃ相互間に生じる電荷の不均衡によ
り、鋼球ｃは受け治具２０の周溝２０ａ上を、自
転しながら公転する。この状態を維持しつつ蒸発
電源３０をONし、蒸発物ｂを蒸発イオン化さ
せ、鋼球ｃの表面にイオンプレーテイング膜を形
成する。なお、上に述べた実施例におけるイオン
プレーテイングの条件をまとめると表１のとおり
である。
【表】
上記した如く、本発明によれば、鋼球の表面に
電荷の不均衡を発生させ、受け治具上で鋼球を自
転させると同時に公転させながら鋼球の表面にイ
オンプレーテイングを行なえるので、鋼球の表面
に、均一な表面厚さを有し、且つ付着性も良好な
イオンプレーテイング膜を生成させることができ
る。比較のため、本発明によつて上の表１に示す
条件で銀をイオンプレーテイングした鋼球を組み
込んだ軸受けと、下の表２に示す条件に従つて銀
を電気メツキした鋼球を組み込んだ軸受けとにつ
いて、表３に示す条件で高速回転試験を行つたと
ころ、表４に示すような結果が得られた。電気メ
ツキによる場合に比べて本発明によるものは３倍
以上の寿命を有することが了解されよう。ちなみ
に、第２図の従来例により同じ条件（表１）で銀
をイオンプレーテイングした鋼球を組み込んだ軸
受けの場合、同じ試験条件（表３）の下、寿命
は、10分乃至20分の範囲であつた。なお、ここに
寿命は２個の試験軸受けの回転トルクの和が100
ｇ-cmに達した時点を基準とする。
電荷の不均衡を発生させ、受け治具上で鋼球を自
転させると同時に公転させながら鋼球の表面にイ
オンプレーテイングを行なえるので、鋼球の表面
に、均一な表面厚さを有し、且つ付着性も良好な
イオンプレーテイング膜を生成させることができ
る。比較のため、本発明によつて上の表１に示す
条件で銀をイオンプレーテイングした鋼球を組み
込んだ軸受けと、下の表２に示す条件に従つて銀
を電気メツキした鋼球を組み込んだ軸受けとにつ
いて、表３に示す条件で高速回転試験を行つたと
ころ、表４に示すような結果が得られた。電気メ
ツキによる場合に比べて本発明によるものは３倍
以上の寿命を有することが了解されよう。ちなみ
に、第２図の従来例により同じ条件（表１）で銀
をイオンプレーテイングした鋼球を組み込んだ軸
受けの場合、同じ試験条件（表３）の下、寿命
は、10分乃至20分の範囲であつた。なお、ここに
寿命は２個の試験軸受けの回転トルクの和が100
ｇ-cmに達した時点を基準とする。
【表】
【表】
【表】
第１図乃至第３図は従来のイオンプレーテイン
グ方法を説明するための説明図、第４図は本発明
の実施をするために用いるイオンプレーテイング
装置の模式縦断面図、第５図は受け治具の斜視
図、第６図は受け治具の支持金具への取付状態を
示す側面図、第７図は振動調節用開閉器の形状を
示す斜視図、第８図は振動調節開閉器の作動状態
を示す平面図である。 １０……ベルジヤー、１１……上蓋、１４ａ，
１４ｂ……導電体、１６……蒸発源、１７……電
極、２０……受け治具、２０ａ……周溝、２４…
…振動調節用開閉器、２７……送入管、２８……
排出管、２９……加速用直流電源、３０……蒸発
電源。
グ方法を説明するための説明図、第４図は本発明
の実施をするために用いるイオンプレーテイング
装置の模式縦断面図、第５図は受け治具の斜視
図、第６図は受け治具の支持金具への取付状態を
示す側面図、第７図は振動調節用開閉器の形状を
示す斜視図、第８図は振動調節開閉器の作動状態
を示す平面図である。 １０……ベルジヤー、１１……上蓋、１４ａ，
１４ｂ……導電体、１６……蒸発源、１７……電
極、２０……受け治具、２０ａ……周溝、２４…
…振動調節用開閉器、２７……送入管、２８……
排出管、２９……加速用直流電源、３０……蒸発
電源。
Claims (1)
- １ 不活性ガス雰囲気を形成する蒸発室内に、表
面に鋼球を支持するための断面円弧状をした周溝
を有する受け治具を、加速用直流電源の陰極に接
続した状態で収納し、受け治具の上方に、蒸発物
を収納した蒸発源を、加速用直流電源の陽極に接
続した状態で収納し、更に加速用直流電源の陽極
と接続した薄板製の振動調節用開閉器を、受け治
具と蒸発源との間に水平方向に揺動自在に配置
し、受け治具上に鋼球を載置した後、受け治具と
蒸発源との間に加速用直流電源により直流の高電
圧を印加して鋼球にイオンプレーテイングを行う
に際し、鋼球を支持している受け治具に振動を与
えると同時に振動調節用開閉器を揺動させること
を特徴とする球表面へのイオンプレーテイング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21699483A JPS60110870A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 球表面へのイオンプレ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21699483A JPS60110870A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 球表面へのイオンプレ−テイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110870A JPS60110870A (ja) | 1985-06-17 |
| JPS6339666B2 true JPS6339666B2 (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=16697142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21699483A Granted JPS60110870A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 球表面へのイオンプレ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110870A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4403363B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 導電性触媒粒子の製造装置及び振動装置 |
| JP6106266B2 (ja) * | 2012-04-16 | 2017-03-29 | ザ・ティムケン・カンパニーＴｈｅ Ｔｉｍｋｅｎ Ｃｏｍｐａｎｙ | 球形部品にコーティングを施すための方法およびテーブルアセンブリ |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP21699483A patent/JPS60110870A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60110870A (ja) | 1985-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4547279A (en) | Sputtering apparatus | |
| US4478703A (en) | Sputtering system | |
| US3926147A (en) | Glow discharge-tumbling vapor deposition apparatus | |
| RU2625698C1 (ru) | Способ нанесения защитных покрытий и устройство для его осуществления | |
| US5126029A (en) | Apparatus and method for achieving via step coverage symmetry | |
| JP2004514785A (ja) | コンフィギュラブル真空システムおよび方法 | |
| JPS6339666B2 (ja) | ||
| JPS59197570A (ja) | スパツタリング装置の電極部構造 | |
| EP0488311B1 (en) | Method of manufacturing a rotary anode type X-ray tube and apparatus for manufacturing the same | |
| US3514388A (en) | Ion metal plating of multiple parts | |
| US4096055A (en) | Electron microscopy coating apparatus and methods | |
| JP2935697B1 (ja) | 基体の被覆方法 | |
| JPH09228027A (ja) | 硬質カーボン膜の球体被覆方法 | |
| CN114622180A (zh) | 一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法 | |
| US4938859A (en) | Ion bombardment device with high frequency | |
| JP4005687B2 (ja) | マグネトロン装置及びスパッタリング装置 | |
| CN108330468B (zh) | 一种化学气相沉积炉的基体支撑装置及基体旋转驱动装置 | |
| JPH0565634A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH06240444A (ja) | バレル式アークイオンプレーティング装置 | |
| KR0123917Y1 (ko) | 진공증착 및 이온플레이팅용 시편 공,자전장치 | |
| JPS5925030B2 (ja) | イオン窒化用装置 | |
| JPH1192924A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH06314549A (ja) | 回転陽極型ｘ線管 | |
| JPH02221367A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH05311432A (ja) | マグネトロンスパッタ方法 |