JPS6336514A - 半導体単結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体単結晶薄膜の製造方法Info
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- JPS6336514A JPS6336514A JP17937886A JP17937886A JPS6336514A JP S6336514 A JPS6336514 A JP S6336514A JP 17937886 A JP17937886 A JP 17937886A JP 17937886 A JP17937886 A JP 17937886A JP S6336514 A JPS6336514 A JP S6336514A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、溶融再結晶化法（ｌａｔｅｒａｌｌｙ ５ｅ
ｅｄ１！ｄｅｐｉｔａｘｌａｌ ｇｒｏｗｔｈ） 、特
に再結晶化にエネルギービームを使用した半導体単結晶
薄膜の製造方法に関する。
ｅｄ１！ｄｅｐｉｔａｘｌａｌ ｇｒｏｗｔｈ） 、特
に再結晶化にエネルギービームを使用した半導体単結晶
薄膜の製造方法に関する。
本発明は、再結晶化にエネルギービームを使用した半導
体単結晶薄膜の製造方法であり、種部近傍に半導体非単
結晶薄膜の主成分原子と同族で、この主成分原子とは異
る原子を含有させることにより、種部と絶縁層上の非単
結晶薄膜との溶融を同程度に生じさせて良好に再結晶化
を行うことができるようにしたものである。
体単結晶薄膜の製造方法であり、種部近傍に半導体非単
結晶薄膜の主成分原子と同族で、この主成分原子とは異
る原子を含有させることにより、種部と絶縁層上の非単
結晶薄膜との溶融を同程度に生じさせて良好に再結晶化
を行うことができるようにしたものである。
従来、絶縁層上の半導体非単結晶薄膜にエネルギービー
ム、例えば電子線を照射して溶融再結晶化させ、半導体
単結晶薄膜を作製する技術（所謂。
ム、例えば電子線を照射して溶融再結晶化させ、半導体
単結晶薄膜を作製する技術（所謂。
Ｓ■０単結晶作製技術）が提案されている。この再結晶
化のために、例えば第３図に示すＬＯＣＯ８型構造の試
料（１へ第４図に示すメサ型構造の試料（１）が用いら
れている。（２）は単結晶ｓｌ基板、（３）は５ｌｏ２
（又は５ＩＮ）ｊ脅、（４）は多結晶８１薄膜である。
化のために、例えば第３図に示すＬＯＣＯ８型構造の試
料（１へ第４図に示すメサ型構造の試料（１）が用いら
れている。（２）は単結晶ｓｌ基板、（３）は５ｌｏ２
（又は５ＩＮ）ｊ脅、（４）は多結晶８１薄膜である。
この試料（υに対して上から線状電子線を照射して多結
晶Ｓｉと種部を溶融し、橿（シード）部（５）から順洸
単結晶Ｓｔに再結晶化させる。従ってこの再結晶化を順
調に行って良質の単結晶Ｓｌ薄膜を得る九めには、電子
線による加熱時、種部（５）とその近傍の多結晶ｓｉ及
びＳｔＯ□層（３）上の多結晶Ｓｔが同程度に溶融して
いることが必要である。
晶Ｓｉと種部を溶融し、橿（シード）部（５）から順洸
単結晶Ｓｔに再結晶化させる。従ってこの再結晶化を順
調に行って良質の単結晶Ｓｌ薄膜を得る九めには、電子
線による加熱時、種部（５）とその近傍の多結晶ｓｉ及
びＳｔＯ□層（３）上の多結晶Ｓｔが同程度に溶融して
いることが必要である。
エネルギービーム、特に電子線を照射した場合、種部を
構成する単結晶ｓｉの熱伝導率が絶縁層を構成する５１
０２又はＳｉＮより大きいため、種部の温度（到達温度
）は、絶縁層上の多結晶８１の温度（到達温度）よシ低
くなる。これにより、５１０２層上の多結晶Ｓｔが溶融
する温度に加熱条件を設定した場合には、種部への到達
温度が不足して充分溶融しないため、種部からの単結晶
Ｓｔの再結晶化が起きない。また、種部が充分解融する
温度に加熱条件を設定した場合には、種部近傍の多結晶
８１には再結晶化が起きているが、８１０２層上の多結
晶Ｓ１の加熱温度が高くなりすぎて多結晶Ｓｔが蒸発し
て消失するか、剥離するという問題が生じていた。
構成する単結晶ｓｉの熱伝導率が絶縁層を構成する５１
０２又はＳｉＮより大きいため、種部の温度（到達温度
）は、絶縁層上の多結晶８１の温度（到達温度）よシ低
くなる。これにより、５１０２層上の多結晶Ｓｔが溶融
する温度に加熱条件を設定した場合には、種部への到達
温度が不足して充分溶融しないため、種部からの単結晶
Ｓｔの再結晶化が起きない。また、種部が充分解融する
温度に加熱条件を設定した場合には、種部近傍の多結晶
８１には再結晶化が起きているが、８１０２層上の多結
晶Ｓ１の加熱温度が高くなりすぎて多結晶Ｓｔが蒸発し
て消失するか、剥離するという問題が生じていた。
このような問題点を解決するために、従来例えばマスク
を用いたり電子線の走査速度を調整したｐして、照射さ
れる領域の放熱特性に対応して電子線の照射強度を変化
させて種部では強く、絶縁層上の多結晶Ｓ１では弱くす
る方法が提案されている（特開昭５７−４５９２０参照
）。しかし、この方法によｎば電子線を幅１００５ｍ以
下の細い線状に絞り、且つ多結晶８１を溶融させるのに
必要なエネルギー密度を持たせることは困難である。ま
た、第５図に示すように、マスク（６）を使用して種部
（５）上の多結晶Ｓｌ薄膜（４）のみに８１＋イオン注
入し、その領域の８１を非晶質（アモルファス）化する
ことによシ融点を下げた後、再結晶化させる方法も提案
されている（％開昭５８−２１２１２３参照）。しかし
、この方法によれば、非晶質化するために多量のイオン
を注入しなければならず（例えばＳｌを１０ ” ａｂ
ｎ／ｃｍ”注入する必要がある、その融点降下温度ΔＴ
は１００〜２００℃以下でおυ、また時間と経費の点で
実用化に問題がある。
を用いたり電子線の走査速度を調整したｐして、照射さ
れる領域の放熱特性に対応して電子線の照射強度を変化
させて種部では強く、絶縁層上の多結晶Ｓ１では弱くす
る方法が提案されている（特開昭５７−４５９２０参照
）。しかし、この方法によｎば電子線を幅１００５ｍ以
下の細い線状に絞り、且つ多結晶８１を溶融させるのに
必要なエネルギー密度を持たせることは困難である。ま
た、第５図に示すように、マスク（６）を使用して種部
（５）上の多結晶Ｓｌ薄膜（４）のみに８１＋イオン注
入し、その領域の８１を非晶質（アモルファス）化する
ことによシ融点を下げた後、再結晶化させる方法も提案
されている（％開昭５８−２１２１２３参照）。しかし
、この方法によれば、非晶質化するために多量のイオン
を注入しなければならず（例えばＳｌを１０ ” ａｂ
ｎ／ｃｍ”注入する必要がある、その融点降下温度ΔＴ
は１００〜２００℃以下でおυ、また時間と経費の点で
実用化に問題がある。
なお、非晶質又は多結晶の８１薄膜に添加する不純物の
濃度を変化させることによって、Ｓｌ薄膜の融解温度又
は結晶化温度を制御する方法（特開昭５６−９３３１２
及び特開昭５８−３７９１７参照）も提案されているが
、これらはいずれも種無しの再結晶化法に関し、種を選
択的に発生させたシ、結晶化温度を場所毎に変えて、結
晶化の方向（結晶成長方向）を制御することを目的とし
ている。
濃度を変化させることによって、Ｓｌ薄膜の融解温度又
は結晶化温度を制御する方法（特開昭５６−９３３１２
及び特開昭５８−３７９１７参照）も提案されているが
、これらはいずれも種無しの再結晶化法に関し、種を選
択的に発生させたシ、結晶化温度を場所毎に変えて、結
晶化の方向（結晶成長方向）を制御することを目的とし
ている。
本発明は、上記問題点を解決することができる半導体単
結晶薄膜の製造方法を提供するものである。
結晶薄膜の製造方法を提供するものである。
本発明は、絶縁層（６）上に形成された半導体非単結晶
薄膜（６）と、この半導体非単結晶薄膜α２に接して配
され穴椎部である半導体単結晶部仕りと金有し。
薄膜（６）と、この半導体非単結晶薄膜α２に接して配
され穴椎部である半導体単結晶部仕りと金有し。
エネルギービームを照射して半導体単結晶部αりと半導
体単結晶薄膜圓を加熱浴融した後、再結晶化させる半導
体単結晶薄膜の製造方法において、種部となる上記半導
体単結晶部（至）近傍に半導体非単結晶薄膜μｓの主成
分原子と同族で、この主成分原子とは異る原子を含有さ
せる。
体単結晶薄膜圓を加熱浴融した後、再結晶化させる半導
体単結晶薄膜の製造方法において、種部となる上記半導
体単結晶部（至）近傍に半導体非単結晶薄膜μｓの主成
分原子と同族で、この主成分原子とは異る原子を含有さ
せる。
上記条件に合う元素とは、半導体非単結晶を多結晶Ｓ１
又は非晶質Ｓｔとした場合、例えばＧｏ。
又は非晶質Ｓｔとした場合、例えばＧｏ。
Ｓｎである。またこれらは単結晶薄膜の電気的特性に悪
い影響を与えないことが必要である。
い影響を与えないことが必要である。
上記原子の含有のさせ方としては、種部（至）近傍に上
記原子を含む層αＱを形成する方法、種部（１５近傍に
上記原子を拡散する方法などがおる。
記原子を含む層αＱを形成する方法、種部（１５近傍に
上記原子を拡散する方法などがおる。
エネルギービームとしては、粒子＃（電子線等）、熱線
（レーデ、赤外線など）等を使用することができる。
（レーデ、赤外線など）等を使用することができる。
〔作用〕
本発明により、種部四近傍の融点が低下するため、種部
（９）と絶縁層■上の半導体非単結晶の融解が同程度に
生じる。このような融点降下現象は、稀薄溶液の凝固点
降下現象と同様であるため、次にこの稀薄溶液の凝固点
降下と併せて理論的に説明する。
（９）と絶縁層■上の半導体非単結晶の融解が同程度に
生じる。このような融点降下現象は、稀薄溶液の凝固点
降下現象と同様であるため、次にこの稀薄溶液の凝固点
降下と併せて理論的に説明する。
先ず、稀薄溶液の凝固点降下の大きさΔＴ、 ｋ計算す
る。
る。
純粋な溶媒の凝固点をで、とすると稀薄溶液の凝固点は
、Ｔｆ−ΔＴｆとなり、ΔＴ、は一般には、次式％式％ ｍ：重量モル濃度 Δ“ｆ＝Ｋｆ”・ Ｋ２．凝固点の分子降下Ｋｆにつ
いては、溶媒ＩＩの融解潜熱ｔ、と溶媒の凝固温度Ｔｆ
との間に次の関係がある。
、Ｔｆ−ΔＴｆとなり、ΔＴ、は一般には、次式％式％ ｍ：重量モル濃度 Δ“ｆ＝Ｋｆ”・ Ｋ２．凝固点の分子降下Ｋｆにつ
いては、溶媒ＩＩの融解潜熱ｔ、と溶媒の凝固温度Ｔｆ
との間に次の関係がある。
ｍは、１０００．９の溶媒に溶けている溶質のモル数で
あるから、溶媒（Ｓｔ）Ｗ、、９中に溶質（不純物）Ｗ
２１が溶けている場合には次式で表わされる。
あるから、溶媒（Ｓｔ）Ｗ、、９中に溶質（不純物）Ｗ
２１が溶けている場合には次式で表わされる。
それゆえ、凝固点降下の大きさΔＴ、は、次式で表わさ
れる。
れる。
欠にＳｔの凝固点の分子降下係数に、を計算する。
８１については、Ｔ、 ＝ １６８５°に、 Ｌｔ＝
４３ｏ、６ｍ／Ｆが得られており、また気体定数Ｒとし
てＲ＝１・９８７ｍ／ ｔｉ＠ｇ−ｍｏＬ を用いると
に、が計算でき、Ｋ、 ＝１３．１０ｄ＠ｇ／ｍｏ１７
’ｌｉを得る。この数字は、例えば溶質（不純物）とし
て、Ｇｅ（分子−１ｉ７２．５９）およびＳｎ （分子
−３１１１８，６９）を選ぶと、１００ＯＪ中の８１中
にＧｅあるいはＳｎが７２５９１／あるいは１１８．６
９，９浴けているときに１３．１００にの凝固点降下が
生じることを意味している。なお、このように■族の同
族元素を選ぶことにより、Ｓｌの結晶性が良好になる。
４３ｏ、６ｍ／Ｆが得られており、また気体定数Ｒとし
てＲ＝１・９８７ｍ／ ｔｉ＠ｇ−ｍｏＬ を用いると
に、が計算でき、Ｋ、 ＝１３．１０ｄ＠ｇ／ｍｏ１７
’ｌｉを得る。この数字は、例えば溶質（不純物）とし
て、Ｇｅ（分子−１ｉ７２．５９）およびＳｎ （分子
−３１１１８，６９）を選ぶと、１００ＯＪ中の８１中
にＧｅあるいはＳｎが７２５９１／あるいは１１８．６
９，９浴けているときに１３．１００にの凝固点降下が
生じることを意味している。なお、このように■族の同
族元素を選ぶことにより、Ｓｌの結晶性が良好になる。
次に具体例で凝固点降下ΔＴｆヲ計算してみよう。
多結晶Ｓｔ薄膜の厚さを０．５μｍ、多結晶ＳＩ″４膜
に浴かすＧｏ又はＳｎ膜の厚さを０．１μｍとする。８
１゜Ｇ・及び８ｎの１４００℃近傍での密度をそれぞれ
２．５３１ Ａｍ” 、 ５．２５１７ｃｍ”及び６．
６４＆／ｃｍ”とすると、Ｇｏ及びＳｎの分子量及びア
メガドロ数Ｎはそｎ−’ｅれ、７２５９ 、１１８．６
９及び６．０２３ Ｘ １０２３ｍｏＬ−’であるから
、ＳｌとＧ・またＳｌとＳｎが均一に混υ合ったとする
と、５ｉ−ａ・系及び８１− Ｓｎ系における重量モル
濃度ヲｍ０゜及びｍ、。として、 ｍｃｏ ＝５．７２ ｍｏＬ／Ｉ ＊ ｍＢ。＝ ４．
４２ ｍｏＬ／１を得る。従ってこれらの系における凝
固点降下の大きさくΔＴｔ）ａ＊ ＃ （ΔＴｆ）８ｍ
は（ΔＴｆ）。、＝に、・”Ｇｅ ＝ ７４．９３°Ｋ
（ΔＴｆ）ｓＩｌ＝ Ｋ４−ｍＢ、、＝ ５７．９０
’にとなる。このように小さな凝固点降下（融点降下）
の現象を種部に用いることによって再結晶化を起きやす
くできる。
に浴かすＧｏ又はＳｎ膜の厚さを０．１μｍとする。８
１゜Ｇ・及び８ｎの１４００℃近傍での密度をそれぞれ
２．５３１ Ａｍ” 、 ５．２５１７ｃｍ”及び６．
６４＆／ｃｍ”とすると、Ｇｏ及びＳｎの分子量及びア
メガドロ数Ｎはそｎ−’ｅれ、７２５９ 、１１８．６
９及び６．０２３ Ｘ １０２３ｍｏＬ−’であるから
、ＳｌとＧ・またＳｌとＳｎが均一に混υ合ったとする
と、５ｉ−ａ・系及び８１− Ｓｎ系における重量モル
濃度ヲｍ０゜及びｍ、。として、 ｍｃｏ ＝５．７２ ｍｏＬ／Ｉ ＊ ｍＢ。＝ ４．
４２ ｍｏＬ／１を得る。従ってこれらの系における凝
固点降下の大きさくΔＴｔ）ａ＊ ＃ （ΔＴｆ）８ｍ
は（ΔＴｆ）。、＝に、・”Ｇｅ ＝ ７４．９３°Ｋ
（ΔＴｆ）ｓＩｌ＝ Ｋ４−ｍＢ、、＝ ５７．９０
’にとなる。このように小さな凝固点降下（融点降下）
の現象を種部に用いることによって再結晶化を起きやす
くできる。
仄にその具体例について述べる。Ｓｌの分子降下係数に
、 ＝ １３．１０ ｄｅｇ／ｍｏＡ／Ｊｉ’について
、Ｋ、は物質の凝固点（融点）Ｔｆとその物質の融解潜
熱ｔにのみ依存する物質固有の定数である。Ｓｔについ
て言うと、１０００．９の８１中に１ｍｏｔの不純物が
浴けているとき、不純物の種類に依らす、１３．１０℃
の凝固点の降下がるることを意味している。
、 ＝ １３．１０ ｄｅｇ／ｍｏＡ／Ｊｉ’について
、Ｋ、は物質の凝固点（融点）Ｔｆとその物質の融解潜
熱ｔにのみ依存する物質固有の定数である。Ｓｔについ
て言うと、１０００．９の８１中に１ｍｏｔの不純物が
浴けているとき、不純物の種類に依らす、１３．１０℃
の凝固点の降下がるることを意味している。
４１図を参照して本発明の１実施例を説明する。
本実施例においては、単結晶Ｓｌ、４板圓の一生面上に
各種部（至）となる領域を除いて８１０□層（至）が形
成され、５ｔＯ２層（至）及び種部に）上に多結晶Ｓｔ
薄膜（ロ）が形成され、この多結晶Ｓｔ薄膜（６）が５
１０２層（至）の側壁部（至）によって分離されて島領
域とされた構造のＬＯＣＯ８型試料α４を使用し、種部
α９となる単結晶Ｓ１上にＧｃを堆積してＧｅ層Ｈを形
成する。この０６層α０の厚さは、所望の融点降下の値
に応じて決める。そして、この試料α４を使用してその
表面に加速電圧１０ｋＶ、電子密度約５０ Ａ／ ｃｍ
” 、 ａ １０ ｐｍ以上（通常５０〜２０００μｍ
）の線状電子線を走査する。この照射によって、先ずＳ
ｔより融点の低いＧｏ層αＱが融解し、このＧｏの融液
に８１が溶は込む。なお、Ｇ・の沸点は２８２７℃であ
るから、この溶融時にＧｅが沸騰することはない。そし
て、３１の融解領域は種部（イ）上からＳｉＯ□層αＪ
上の８１へと順次波がり、最終的に多結晶Ｓｌ薄膜（６
）の全部が溶融する。熱の大部分は、種部（ハ）から基
板αυの方向に流れる。従って、融点降下の影響は多少
残っているが、再結晶化は基板圓から棟部（６）、種部
（１５近傍の多結晶８１ 、８１０□層（至）上の多結
晶Ｓ１へと進行し、Ｉ＠調に単結晶化が行なわれる。
各種部（至）となる領域を除いて８１０□層（至）が形
成され、５ｔＯ２層（至）及び種部に）上に多結晶Ｓｔ
薄膜（ロ）が形成され、この多結晶Ｓｔ薄膜（６）が５
１０２層（至）の側壁部（至）によって分離されて島領
域とされた構造のＬＯＣＯ８型試料α４を使用し、種部
α９となる単結晶Ｓ１上にＧｃを堆積してＧｅ層Ｈを形
成する。この０６層α０の厚さは、所望の融点降下の値
に応じて決める。そして、この試料α４を使用してその
表面に加速電圧１０ｋＶ、電子密度約５０ Ａ／ ｃｍ
” 、 ａ １０ ｐｍ以上（通常５０〜２０００μｍ
）の線状電子線を走査する。この照射によって、先ずＳ
ｔより融点の低いＧｏ層αＱが融解し、このＧｏの融液
に８１が溶は込む。なお、Ｇ・の沸点は２８２７℃であ
るから、この溶融時にＧｅが沸騰することはない。そし
て、３１の融解領域は種部（イ）上からＳｉＯ□層αＪ
上の８１へと順次波がり、最終的に多結晶Ｓｌ薄膜（６
）の全部が溶融する。熱の大部分は、種部（ハ）から基
板αυの方向に流れる。従って、融点降下の影響は多少
残っているが、再結晶化は基板圓から棟部（６）、種部
（１５近傍の多結晶８１ 、８１０□層（至）上の多結
晶Ｓ１へと進行し、Ｉ＠調に単結晶化が行なわれる。
また、他の実施例として、第２図に示すように、種部α
り上にＧｏ層αＱを形成した後、真空中又は不活性ガス
（Ａｒ ｔ Ｎ２等）雰囲気中で高温の熱処理を施して
Ｇｏを多結晶ｓｉ薄膜（６）と基板（１１）中に拡散さ
せることにより、試料α４を構成し、上記融点降下（凝
固点降下）を更に効果的に利用することができる。Ｇｏ
が拡散した領域α力をＸ印で示す。Ｇ＠の波数係数は、
多結晶Ｓｔの方が単結晶Ｓｔよシ大きいので、Ｇ＠の大
部分は種部（至）上の多結晶Ｓｌ中に１６〜１７ 拡散する。その濃度は例えば１０ ａ 嘱６”であ
るが、所望の融点降下温度ΔＴに応じて調整することが
できる。そして、この試料Ｃ１４を使用してその表面に
上記と同様の条件で線状電子線を照射する。
り上にＧｏ層αＱを形成した後、真空中又は不活性ガス
（Ａｒ ｔ Ｎ２等）雰囲気中で高温の熱処理を施して
Ｇｏを多結晶ｓｉ薄膜（６）と基板（１１）中に拡散さ
せることにより、試料α４を構成し、上記融点降下（凝
固点降下）を更に効果的に利用することができる。Ｇｏ
が拡散した領域α力をＸ印で示す。Ｇ＠の波数係数は、
多結晶Ｓｔの方が単結晶Ｓｔよシ大きいので、Ｇ＠の大
部分は種部（至）上の多結晶Ｓｌ中に１６〜１７ 拡散する。その濃度は例えば１０ ａ 嘱６”であ
るが、所望の融点降下温度ΔＴに応じて調整することが
できる。そして、この試料Ｃ１４を使用してその表面に
上記と同様の条件で線状電子線を照射する。
多結晶Ｓ１薄膜（６）は、融点降下現象によってＧ・の
拡散領域ＣＩ？）の中、特に濃度の濃い部分から融解が
始まり、融解領域は、順次５ＩＯ２層（資）上の多結晶
Ｓｔに及ぶ。こ汎によυ、種部（９）から５ｔＯ２層（
６）上のｓｉへと再結晶化が順調に進行して良好な単結
晶薄膜が得られる。なお、Ｇｅの拡散領域αηの形成は
、Ｇ・を選択的にイオン注入することによっても可能で
ある。
拡散領域ＣＩ？）の中、特に濃度の濃い部分から融解が
始まり、融解領域は、順次５ＩＯ２層（資）上の多結晶
Ｓｔに及ぶ。こ汎によυ、種部（９）から５ｔＯ２層（
６）上のｓｉへと再結晶化が順調に進行して良好な単結
晶薄膜が得られる。なお、Ｇｅの拡散領域αηの形成は
、Ｇ・を選択的にイオン注入することによっても可能で
ある。
上述したように、本発明において融点降下現象を利用す
るための物質は、多結晶Ｓ１薄ＭＯ２のＳｔと同族であ
り、ＳＲの融点より低い融点を持ち、且つ８１より高い
沸点を持つ物質が望ましい。また、ｓｉ結晶の電気的特
性に、特に悪い影７！１を与えないことも必要である。
るための物質は、多結晶Ｓ１薄ＭＯ２のＳｔと同族であ
り、ＳＲの融点より低い融点を持ち、且つ８１より高い
沸点を持つ物質が望ましい。また、ｓｉ結晶の電気的特
性に、特に悪い影７！１を与えないことも必要である。
このような物質として、上記Ｇ・の他Ｋ例えばＳｎ （
沸点は２５０７℃）を使用することができる。なお、拡
散領域αで形成の場合には、拡散物質がＳｔよシ低い融
点を持つ必要はない。
沸点は２５０７℃）を使用することができる。なお、拡
散領域αで形成の場合には、拡散物質がＳｔよシ低い融
点を持つ必要はない。
本発明によれば、種部又はその近傍の半導体非単結晶も
含めて融点が下がるため、種部とその近傍の半導体非単
結晶及び絶ｌｉｋ層上の半導体非単結晶の融解を同程度
に生じさせることができる。これにより、種部としての
機能が有効に働いて、絶縁層上への単結晶化が順調に進
行する。従って、良質、且つ均質な半導体単結晶薄膜が
得られる。
含めて融点が下がるため、種部とその近傍の半導体非単
結晶及び絶ｌｉｋ層上の半導体非単結晶の融解を同程度
に生じさせることができる。これにより、種部としての
機能が有効に働いて、絶縁層上への単結晶化が順調に進
行する。従って、良質、且つ均質な半導体単結晶薄膜が
得られる。
マタ、エネルギービーム等についての作製条件の適切な
範囲が拡大するため、製造が容易になる。
範囲が拡大するため、製造が容易になる。
これらの結果として歩留シが向上し、コストが低下する
という効果も得られる。
という効果も得られる。
第１図及び第２図は実施例の断面図、第３図〜第５図は
従来例の断面図である。 ■は多結晶Ｓｔ薄膜、（６）は８１０□層、（ト）は種
部、ａｏはＧｅＮ、αηはＧｏの拡散領域である。
従来例の断面図である。 ■は多結晶Ｓｔ薄膜、（６）は８１０□層、（ト）は種
部、ａｏはＧｅＮ、αηはＧｏの拡散領域である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁層上に形成された半導体非単結晶薄膜と、該半導体
非単結晶薄膜に接して配された半導体単結晶部とを有し
、エネルギービームを照射して該半導体単結晶部と上記
半導体非単結晶薄膜を加熱溶融した後、再結晶化させる
半導体単結晶薄膜の製造方法において、 種部となる上記半導体単結晶部近傍に上記半導体非単結
晶薄膜の主成分原子と同族で、該主成分原子とは異る原
子を含有させることを特徴とする半導体単結晶薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179378A JP2748358B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179378A JP2748358B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336514A true JPS6336514A (ja) | 1988-02-17 |
| JP2748358B2 JP2748358B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16064811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179378A Expired - Fee Related JP2748358B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748358B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163018A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-01 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｓｉ薄膜結晶層の製造方法 |
| JPS61201414A (ja) * | 1985-03-02 | 1986-09-06 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン単結晶層の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61179378A patent/JP2748358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163018A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-01 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｓｉ薄膜結晶層の製造方法 |
| JPS61201414A (ja) * | 1985-03-02 | 1986-09-06 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン単結晶層の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748358B2 (ja) | 1998-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |