JPS6333990B2 - - Google Patents
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- JPS6333990B2 JPS6333990B2 JP6478580A JP6478580A JPS6333990B2 JP S6333990 B2 JPS6333990 B2 JP S6333990B2 JP 6478580 A JP6478580 A JP 6478580A JP 6478580 A JP6478580 A JP 6478580A JP S6333990 B2 JPS6333990 B2 JP S6333990B2
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- plating
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- abrasive
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Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化学めつきによつて金属マトリツクス
と微小砥粒を共析することにより、薄く、かつ均
一な砥石を形成することを目的とする。
と微小砥粒を共析することにより、薄く、かつ均
一な砥石を形成することを目的とする。
従来のダイヤモンド砥石の製法としては、焼結
砥石、レジノイド砥石、電流砥石等の工法がある
が、いづれも薄刃を狙つたものではなかつた。上
記の中で最も薄刃可能なものとして電着砥石が考
えられるが、電着砥石の従来からの沈積法ではそ
の工法上から、めつき厚を均一にすることは困難
であり、相当厚さのものしか製作できないという
欠点を有していた。具体的に言うとめつき厚さ
50μ要求されるもので厚さのばらつきは±10μと
いう結果であつた。
砥石、レジノイド砥石、電流砥石等の工法がある
が、いづれも薄刃を狙つたものではなかつた。上
記の中で最も薄刃可能なものとして電着砥石が考
えられるが、電着砥石の従来からの沈積法ではそ
の工法上から、めつき厚を均一にすることは困難
であり、相当厚さのものしか製作できないという
欠点を有していた。具体的に言うとめつき厚さ
50μ要求されるもので厚さのばらつきは±10μと
いう結果であつた。
比較的めつき厚の薄い例えば10〜50μ程度のめ
つきにおいて均一なめつきを得るのには、一般に
化学めつきを使用するが、ダイヤモンド等の微小
砥粒を共析させる場合には、砥粒の沈降速度がめ
つき速度に比べて速く、例えば粒径10μｍの砥粒
を１ｇ／懸濁しためつき液の場合約５分間で全
て沈降してしまい、充分な共析が得られないため
砥石の製造には使用することが出来なかつた。
つきにおいて均一なめつきを得るのには、一般に
化学めつきを使用するが、ダイヤモンド等の微小
砥粒を共析させる場合には、砥粒の沈降速度がめ
つき速度に比べて速く、例えば粒径10μｍの砥粒
を１ｇ／懸濁しためつき液の場合約５分間で全
て沈降してしまい、充分な共析が得られないため
砥石の製造には使用することが出来なかつた。
本発明は、上記従来の問題点を解消し、砥粒を
めつき浴中に均一に分散させて沈降速度を遅くす
るため、先ずダイヤモンド等の微粒子をカチオン
系界面活性剤中に懸濁させ数時間良く撹拌し、砥
粒表面に親水基を付加して、めつき浴中に一定量
添加するようにし、めつき速度と沈降速度とを調
整してこれにより化学めつきを用いて均一な砥粒
と金属との共析層を基台上に得ることを可能にし
たものである。
めつき浴中に均一に分散させて沈降速度を遅くす
るため、先ずダイヤモンド等の微粒子をカチオン
系界面活性剤中に懸濁させ数時間良く撹拌し、砥
粒表面に親水基を付加して、めつき浴中に一定量
添加するようにし、めつき速度と沈降速度とを調
整してこれにより化学めつきを用いて均一な砥粒
と金属との共析層を基台上に得ることを可能にし
たものである。
微粒子の沈降速度を遅くするために用いるカチ
オン系界面活性剤として、以下に述べる各実施例
において、第一級アミン誘導体や第四級アンモニ
ウム塩等を使用し、いずれも所期の効果を得るこ
とができた。即ち、いずれのカチオン系界面活性
剤を用いた場合でも、粒径10μｍの砥粒を１ｇ／
添加しためつき液で、約24時間懸濁状態を保持
することができ、その結果、以下の各実施例に示
す効加が得られたものである。
オン系界面活性剤として、以下に述べる各実施例
において、第一級アミン誘導体や第四級アンモニ
ウム塩等を使用し、いずれも所期の効果を得るこ
とができた。即ち、いずれのカチオン系界面活性
剤を用いた場合でも、粒径10μｍの砥粒を１ｇ／
添加しためつき液で、約24時間懸濁状態を保持
することができ、その結果、以下の各実施例に示
す効加が得られたものである。
以下本実施例について説明する。
実施例 １
先ずステンレスの基台を通常の前処理法で脱
脂、酸洗いを行い、下記の条件で化学ニツケルと
ダイヤモンドとの複合めつき砥石を製作した。
脂、酸洗いを行い、下記の条件で化学ニツケルと
ダイヤモンドとの複合めつき砥石を製作した。
浴組成塩化ニツケル
次亜リン酸ソーダ
酢酸ソーダ
ダイヤモンド砥粒液30ｇ／
10ｇ／
10ｇ／
10〜50c.c.／
条件 PH ４〜６
温度 70〜95℃
ダイヤモンド砥粒液の添加量を増すことによつ
てニツケルマトリツクスに対するダイヤモンドの
共析量が増加し、温度を上げることによつて単位
時間当りの析出量が増加する傾向を示した。
てニツケルマトリツクスに対するダイヤモンドの
共析量が増加し、温度を上げることによつて単位
時間当りの析出量が増加する傾向を示した。
実施例 ２
実施例１では、化学ニツケルめつきの酸性浴を
示したが、アルカリ性浴においても同様のめつき
が可能である。下記にその条件を示す。
示したが、アルカリ性浴においても同様のめつき
が可能である。下記にその条件を示す。
浴組成塩化ニツケル
次亜リン酸ソーダ
クエン酸ソーダ
塩化アンモン
ダイヤモンド砥粒液30ｇ／
10ｇ／
100ｇ／
50ｇ／
10〜50c.c.／
条件 PH ８〜10
温度 70〜95℃
実施例１と同様にダイヤモンド砥粒液の添加量
を増すことによつてダイヤモンドの析出量が増大
し、又めつき浴の温度を上げることによつてめつ
きの析出速度が増す傾向を示した。
を増すことによつてダイヤモンドの析出量が増大
し、又めつき浴の温度を上げることによつてめつ
きの析出速度が増す傾向を示した。
実施例 ３
化学ニツケルめつき以外の化学銅めつきに関し
ての実施例を下記に示す。
ての実施例を下記に示す。
浴組成硝酸銅
重炭酸ナトリウム
ロツセル塩
水酸化ナトリウム
ホルムアルデヒド（37％液）15ｇ／
10ｇ／
30ｇ／
20ｇ／
100ml／
ダイヤモンド砥粒液 10〜50c.c.／
条件 温度 20〜25℃
本めつき浴においてもダイヤモンド砥粒液の添
加量を増すことによつて銅マトリツクス中のダイ
ヤモンド共析量を増すことは可能であるが、温度
を25℃以上に高めると還元剤の反応性が急激に高
まつて分解を起すので温度は一定にする必要があ
る。従つてめつき速度は化学ニツケルめつきの約
１／１０程度しか得られなかつた。以上実施例に記述
しなかつたが砥粒としてダイヤモンド以外の立方
晶窒化ホウ素、炭化ケイ素等についても応用可能
である。
加量を増すことによつて銅マトリツクス中のダイ
ヤモンド共析量を増すことは可能であるが、温度
を25℃以上に高めると還元剤の反応性が急激に高
まつて分解を起すので温度は一定にする必要があ
る。従つてめつき速度は化学ニツケルめつきの約
１／１０程度しか得られなかつた。以上実施例に記述
しなかつたが砥粒としてダイヤモンド以外の立方
晶窒化ホウ素、炭化ケイ素等についても応用可能
である。
上記各実施例から明らかなように、めつき厚が
10μ〜50μの間で厚さのばらつきが1/10に減少し、
均一な砥粒層が得られ、かつめつき浴に砥粒が均
一に分散させられているため、砥粒と金属との良
好な共析が得られた。
10μ〜50μの間で厚さのばらつきが1/10に減少し、
均一な砥粒層が得られ、かつめつき浴に砥粒が均
一に分散させられているため、砥粒と金属との良
好な共析が得られた。
このように本発明によれば、化学めつきが使用
可能になつたため、基台に金属以外のものも使用
可能で、 電着法では密着性が悪く下地めつきの必要な
ステンレス等の材料の場合にも下地めつきなし
に直接化学めつきが可能である。
可能になつたため、基台に金属以外のものも使用
可能で、 電着法では密着性が悪く下地めつきの必要な
ステンレス等の材料の場合にも下地めつきなし
に直接化学めつきが可能である。
基台上におけるめつき厚さが均一である。例
えばめつき層10μ〜50μの間ではめつき厚さの
ばらつきが電着法の約1/10に減少した。
えばめつき層10μ〜50μの間ではめつき厚さの
ばらつきが電着法の約1/10に減少した。
Claims (1)
- １ ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素等の微小砥
粒をカチオン系界面活性剤により親水性を帯びさ
せ、ニツケル、銅等の化学めつき浴に分散させ、
基台上に金属と砥粒を同時に還元析出させて製作
することを特徴とする化学めつき砥石の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6478580A JPS56163881A (en) | 1980-05-15 | 1980-05-15 | Production of chemically plated grind stone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6478580A JPS56163881A (en) | 1980-05-15 | 1980-05-15 | Production of chemically plated grind stone |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56163881A JPS56163881A (en) | 1981-12-16 |
| JPS6333990B2 true JPS6333990B2 (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=13268221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6478580A Granted JPS56163881A (en) | 1980-05-15 | 1980-05-15 | Production of chemically plated grind stone |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56163881A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124574A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Daiyamondo Giken Kk | 切断刃の製造方法 |
| JP2691884B2 (ja) * | 1995-07-10 | 1997-12-17 | 株式会社石塚研究所 | 親水性ダイヤモンド微細粒子及びその製造方法 |
| JP2013241649A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Kanto Gakuin | 複合めっき液、複合めっき液の製造方法、及び積層体 |
-
1980
- 1980-05-15 JP JP6478580A patent/JPS56163881A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56163881A (en) | 1981-12-16 |
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