JPS6333570A - ダイヤモンド被覆切削工具 - Google Patents
ダイヤモンド被覆切削工具Info
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 SiC Chemical class 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropane Chemical compound CCCOCC NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical group CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical group C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N methoxypropane Chemical compound CCCOC VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N valeric aldehyde Natural products CCCCC=O HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZXIZRZFGJZWBF-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethyl-2-(2,4,6-trimethylphenoxy)benzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1OC1=C(C)C=C(C)C=C1C OZXIZRZFGJZWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical group CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001307 laser spectroscopy Methods 0.000 description 1
- SHOJXDKTYKFBRD-UHFFFAOYSA-N mesityl oxide Natural products CC(C)=CC(C)=O SHOJXDKTYKFBRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001294 propane Chemical group 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Chemical group 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイヤモンド被覆切削工具に関し、より詳細に
は、精密加工用、または仕上げ加工用として用いられる
切削工具に関する。
は、精密加工用、または仕上げ加工用として用いられる
切削工具に関する。
従来から、切削工具としては超硬合金、AhOi等の酸
化物、SiC,5iJ4等の炭化物、窒化物が、あるい
は超硬合金に炭化物、窒化物を被覆したものが、強度お
よび耐摩耗性にすぐれることから一般的に使用されてい
る。
化物、SiC,5iJ4等の炭化物、窒化物が、あるい
は超硬合金に炭化物、窒化物を被覆したものが、強度お
よび耐摩耗性にすぐれることから一般的に使用されてい
る。
近年に至っては、さらに耐摩耗性を有する材料として、
ダイヤモンドが注目され、薄膜技術の発展に伴い所定の
母材表面にダイヤモンド膜を気相成長法等により設けて
成る耐摩耗性に優れた切削工具が提案されている。そこ
で、ダイヤモンド膜の生成にあたっては低圧気相合成技
術が特に研究されており、例えばプラズマCVD法等に
よるダイヤモンド膜の生成が提案されている。
ダイヤモンドが注目され、薄膜技術の発展に伴い所定の
母材表面にダイヤモンド膜を気相成長法等により設けて
成る耐摩耗性に優れた切削工具が提案されている。そこ
で、ダイヤモンド膜の生成にあたっては低圧気相合成技
術が特に研究されており、例えばプラズマCVD法等に
よるダイヤモンド膜の生成が提案されている。
しかし乍ら、このような従来のCVD法によって生成さ
れるダイヤモンド膜中には、非晶質炭素が含まれている
ことにより純度が低く、そのためにダイヤモンド自体の
優れた耐摩耗性が十分に発揮されていない。特に精密加
工あるいは仕上げ加工用の切削工具においてその寿命を
決定する要因として耐摩耗性は極めて重要であることか
ら優れた耐摩耗性を有する切削工具が切望されている。
れるダイヤモンド膜中には、非晶質炭素が含まれている
ことにより純度が低く、そのためにダイヤモンド自体の
優れた耐摩耗性が十分に発揮されていない。特に精密加
工あるいは仕上げ加工用の切削工具においてその寿命を
決定する要因として耐摩耗性は極めて重要であることか
ら優れた耐摩耗性を有する切削工具が切望されている。
本発明によれば、CVD法においてダイヤモンド生成用
ガス中に酸素を含有させて成膜したダイヤモンド膜が高
純度であり、これを工具母材表面に被覆したダイヤモン
ド被覆切削工具が耐摩耗性に優れ、長寿命であることを
見い出し、本発明に至った。
ガス中に酸素を含有させて成膜したダイヤモンド膜が高
純度であり、これを工具母材表面に被覆したダイヤモン
ド被覆切削工具が耐摩耗性に優れ、長寿命であることを
見い出し、本発明に至った。
即ち、本発明によれば、工具母材表面にレーザーラマン
分光分析によるダイヤモンドのスペクトル面積に対する
ダイヤモンド以外の炭素のスペクトル面積比が10以下
の高純度ダイヤモンド膜を被覆した切削工具が提供され
る。
分光分析によるダイヤモンドのスペクトル面積に対する
ダイヤモンド以外の炭素のスペクトル面積比が10以下
の高純度ダイヤモンド膜を被覆した切削工具が提供され
る。
以下、本発明を詳述する。
本発明において工具母材上に形成されるダイヤモンド膜
のレーザーラマン分光分析によるスペクトルを第1図に
示す。第1図に示すようにこのスペクトルによれば、1
330cm−’にダイヤモンドの吸収が見られるととも
にその周辺1001000=1800’の波数間に細か
い吸収が見られる。この微少の吸収はダイヤモンド膜中
の非晶質炭素あるいは黒鉛に起因するものである。これ
ら非晶質炭素または黒鉛はダイヤモンド膜のダイヤモン
ド結晶粒子の粒界および表面に存在するものであって、
これらが粒界に存在することによりダイヤモンド結晶粒
子間の結合強度は低下する。また、非晶質炭素又は黒鉛
等は耐摩耗性においてダイヤモンドと比較してはるかに
劣るために粒界および粒界近傍のダイヤモンドは摩耗し
易くなる。しかし粒界にそれらがない場合にはダイヤモ
ンド結晶粒子間の結合強度も強く、粒子の微少欠損が起
こりにくくなり、耐摩耗性は向上する。
のレーザーラマン分光分析によるスペクトルを第1図に
示す。第1図に示すようにこのスペクトルによれば、1
330cm−’にダイヤモンドの吸収が見られるととも
にその周辺1001000=1800’の波数間に細か
い吸収が見られる。この微少の吸収はダイヤモンド膜中
の非晶質炭素あるいは黒鉛に起因するものである。これ
ら非晶質炭素または黒鉛はダイヤモンド膜のダイヤモン
ド結晶粒子の粒界および表面に存在するものであって、
これらが粒界に存在することによりダイヤモンド結晶粒
子間の結合強度は低下する。また、非晶質炭素又は黒鉛
等は耐摩耗性においてダイヤモンドと比較してはるかに
劣るために粒界および粒界近傍のダイヤモンドは摩耗し
易くなる。しかし粒界にそれらがない場合にはダイヤモ
ンド結晶粒子間の結合強度も強く、粒子の微少欠損が起
こりにくくなり、耐摩耗性は向上する。
本発明によれば、1330cm−’のダイヤモンドのス
ペクトル面積に対するダイヤモンド以外のスペクトル面
積、即ち周辺の微少な吸収の面積比が10以下、特に5
以下であることが大きな特徴である。
ペクトル面積に対するダイヤモンド以外のスペクトル面
積、即ち周辺の微少な吸収の面積比が10以下、特に5
以下であることが大きな特徴である。
この面積比が10以下であることは純度の高い良質のダ
イヤモンド膜であることを意味するもので、ダイヤモン
ド本来の耐摩耗性を発揮することができる。面積比が1
0を越えると非晶質炭素および黒鉛成分等の不純物が粒
界に含まれることにより耐摩耗性は低下し寿命が短くな
る。
イヤモンド膜であることを意味するもので、ダイヤモン
ド本来の耐摩耗性を発揮することができる。面積比が1
0を越えると非晶質炭素および黒鉛成分等の不純物が粒
界に含まれることにより耐摩耗性は低下し寿命が短くな
る。
このような高純度のダイヤモンド膜を生成させる際、用
いる工具母材の材質としては、ダイヤモンド膜生成時の
熱膨張差による膜のハクリを防止することが重要である
。そのため、用いる工具母材の室温から800℃におけ
る熱膨張係数が2.8×10−6乃至6.0 乃至6×
10−’/ ”C1特に3.5 乃至6×10−’乃至
5.0XIO−’/ ’Cのものを使用することが重要
である。
いる工具母材の材質としては、ダイヤモンド膜生成時の
熱膨張差による膜のハクリを防止することが重要である
。そのため、用いる工具母材の室温から800℃におけ
る熱膨張係数が2.8×10−6乃至6.0 乃至6×
10−’/ ”C1特に3.5 乃至6×10−’乃至
5.0XIO−’/ ’Cのものを使用することが重要
である。
また、生成されたダイヤモンド膜と基体との熱膨張差が
2.O乃至6×10−6/ ’C以下であることが望ま
しい。
2.O乃至6×10−6/ ’C以下であることが望ま
しい。
この構成によれば、ダイヤモンド膜の残留応力の蓄積を
低減させることができることから、膜厚が厚い場合でも
、チッピングや剥離等の生じない膜を生成することが可
能となる。しかも、成膜が安定することから極めて均一
な膜が生成され、膜自体の強度も向上させることができ
る。
低減させることができることから、膜厚が厚い場合でも
、チッピングや剥離等の生じない膜を生成することが可
能となる。しかも、成膜が安定することから極めて均一
な膜が生成され、膜自体の強度も向上させることができ
る。
好適に用いられる工具母材としては、超硬、サーメット
、ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素等を主成分とする焼
結体が挙げられるが密着性を考慮すれば窒化珪素質焼結
体が好ましい。
、ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素等を主成分とする焼
結体が挙げられるが密着性を考慮すれば窒化珪素質焼結
体が好ましい。
なお熱膨張係数の調製に際しては、これら焼結体を複合
するかまたは焼結助剤等の添加によって任意に制御する
ことができる。例えば、窒化珪素質焼結体においてはT
iN、 TiC+ ZrN、 SiC,Zr0z+ A
lzO:+等の添加によって調製することができる。
するかまたは焼結助剤等の添加によって任意に制御する
ことができる。例えば、窒化珪素質焼結体においてはT
iN、 TiC+ ZrN、 SiC,Zr0z+ A
lzO:+等の添加によって調製することができる。
なお前述の母材表面のダイヤモンド膜の膜厚は1〜20
0 μm 、特に30乃至150 μmが望ましく、1
μ糟を下回わるとダイヤモンド被覆の効果がなく、剥離
が生じ易い。また、200μIを越えるとチッピングが
生じ易くなる。
0 μm 、特に30乃至150 μmが望ましく、1
μ糟を下回わるとダイヤモンド被覆の効果がなく、剥離
が生じ易い。また、200μIを越えるとチッピングが
生じ易くなる。
本発明における高純度のダイヤモンド膜の成膜に当たっ
ては、特願昭59−278645号にて本発明者が提案
しているようにダイヤモンド生成用ガス中に酸素を単独
あるいは化合物の形で含有させ、該ガスの分解により生
成することができる。このダイヤモンド生成用ガスの酸
素源としては酸素含有ガスあるいは酸素含有有機化合物
を用い、これと水素とを組み合わせて用いるか、所望に
より炭化水素を混合して用いる。
ては、特願昭59−278645号にて本発明者が提案
しているようにダイヤモンド生成用ガス中に酸素を単独
あるいは化合物の形で含有させ、該ガスの分解により生
成することができる。このダイヤモンド生成用ガスの酸
素源としては酸素含有ガスあるいは酸素含有有機化合物
を用い、これと水素とを組み合わせて用いるか、所望に
より炭化水素を混合して用いる。
用いられる酸素含有ガスとしては0□の他、C01CO
2等の炭化物、NO,NOZ、N20等の窒化物、また
H2O,H2O□等の水素化物など二原子分子、三原子
分子あるいは四層子分子などの酸素化合物を用いること
ができる。
2等の炭化物、NO,NOZ、N20等の窒化物、また
H2O,H2O□等の水素化物など二原子分子、三原子
分子あるいは四層子分子などの酸素化合物を用いること
ができる。
また、酸素含有有機化合物としてはメタノール、エタノ
ール、プロパツール、ブタノール等のアルコール類、メ
チルエーテル、エチルエーテル、エチルメチルエーテル
、メチルプロピルエーテル、エチルプロピルエーテル、
フェノールエーテル、アセタール、環式エーテル(エチ
レンオキシド、ジオキサンなど)のエーテル類、アセト
ン、ビナコリン、メシチルオキシド、芳香族ケトン(ア
セトフェノン、ベンゾフェノンなど)、ジケトン、環式
ケトン等のケトン類、ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、ブチルアルデヒド、芳香族アルデビド(ペンズア
ルデビドなど)等のアルデヒド類、蟻酸、酢酸、プロピ
オン酸、コハク酸、酪酸、しゅう酸、酒石酸、ステアリ
ン酸等の有機酸類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル等の酸エステル類、エチレングリコー
ル、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール等
の二価アルコール類等が挙げられ、これらの中でも炭化
水素と同様常温で気体であるメチルエーテル、エチレン
オキシドもしくは蒸気圧の高いメタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール、メチルアルコール、エチ
ルエーテル、エチルメチルエーテル、メチルプロピルエ
ーテル、エチルプロピルエーテル、アセトン、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアルデヒド、蟻酸
、酢酸、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸
ブチル等が望ましい。
ール、プロパツール、ブタノール等のアルコール類、メ
チルエーテル、エチルエーテル、エチルメチルエーテル
、メチルプロピルエーテル、エチルプロピルエーテル、
フェノールエーテル、アセタール、環式エーテル(エチ
レンオキシド、ジオキサンなど)のエーテル類、アセト
ン、ビナコリン、メシチルオキシド、芳香族ケトン(ア
セトフェノン、ベンゾフェノンなど)、ジケトン、環式
ケトン等のケトン類、ホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒド、ブチルアルデヒド、芳香族アルデビド(ペンズア
ルデビドなど)等のアルデヒド類、蟻酸、酢酸、プロピ
オン酸、コハク酸、酪酸、しゅう酸、酒石酸、ステアリ
ン酸等の有機酸類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸ブチル等の酸エステル類、エチレングリコー
ル、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール等
の二価アルコール類等が挙げられ、これらの中でも炭化
水素と同様常温で気体であるメチルエーテル、エチレン
オキシドもしくは蒸気圧の高いメタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール、メチルアルコール、エチ
ルエーテル、エチルメチルエーテル、メチルプロピルエ
ーテル、エチルプロピルエーテル、アセトン、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアルデヒド、蟻酸
、酢酸、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸
ブチル等が望ましい。
さらに炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、
ブタン等の飽和鎖状炭化水素、エチレン、プロピレン、
アセチレン、アレン等の不ml 和tJf 状炭化水素
、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン等の
脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素等が挙げられる。これらの中でも特に常温
で気体である炭化水素が取り扱いの点で望ましい。
ブタン等の飽和鎖状炭化水素、エチレン、プロピレン、
アセチレン、アレン等の不ml 和tJf 状炭化水素
、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン等の
脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素等が挙げられる。これらの中でも特に常温
で気体である炭化水素が取り扱いの点で望ましい。
また、水素はその一部をアルゴンやヘリウムなどの不活
性ガスで置換することも可能である。
性ガスで置換することも可能である。
これらのダイヤモンド生成用ガスは、ガス成分の比率お
よび流量を所定の範囲に設定することが望ましい。即ち
、単位時間当りにダイヤモンド生成用ガスとして系内に
導入される全水素原子数を(H)、全炭素原子数を(C
)、全酸素原子数を(0)としたとき、次式 %式%() を満足するようにガス成分およびその流量を設定するこ
とによりダイヤモンド膜の成膜速度および切削性能にお
ける耐摩耗性を向上させることができる。
よび流量を所定の範囲に設定することが望ましい。即ち
、単位時間当りにダイヤモンド生成用ガスとして系内に
導入される全水素原子数を(H)、全炭素原子数を(C
)、全酸素原子数を(0)としたとき、次式 %式%() を満足するようにガス成分およびその流量を設定するこ
とによりダイヤモンド膜の成膜速度および切削性能にお
ける耐摩耗性を向上させることができる。
更に、ダイヤモンド膜が生成される工具母材の温度及び
成膜中のガス圧を所定の範囲に設定するのがよい。
成膜中のガス圧を所定の範囲に設定するのがよい。
本発明者の実験によれば、工具母材の温度を400〜1
400℃の範囲に、またガス圧を10−5〜100To
rrの範囲に設定することにより本発明の目的が達成で
きることをTJI!認した。
400℃の範囲に、またガス圧を10−5〜100To
rrの範囲に設定することにより本発明の目的が達成で
きることをTJI!認した。
ダイヤモンド膜形成手段としては前述したプラズマCV
D法として高周波加熱プラズマCVD法、マイクロ波プ
ラズマCVD法、ECRプラズマCVD法の他、電子線
照射によるCVD法等が採用される。
D法として高周波加熱プラズマCVD法、マイクロ波プ
ラズマCVD法、ECRプラズマCVD法の他、電子線
照射によるCVD法等が採用される。
以下、本発明を次の例で説明する。
石英製反応室内に第2表に示す工具母材を配置し、第2
表組成のダイヤモンド生成用ガスを導入して下記の成膜
手段によって第1表の条件下でダイヤモンド膜を生成し
た。
表組成のダイヤモンド生成用ガスを導入して下記の成膜
手段によって第1表の条件下でダイヤモンド膜を生成し
た。
なお、工具母材としては窒化珪素質焼結体として熱膨膨
張数(XIO−6/ ”C)が2.4.3.6,3.7
.4.2゜4.3.6.8のもの、超硬質合金6.O1
炭化珪素質焼結体4.5、アルミナ質焼結体4.51
(513N4 +5iC)質焼結体4.0、タングステ
ン3.7のものを用いた。
張数(XIO−6/ ”C)が2.4.3.6,3.7
.4.2゜4.3.6.8のもの、超硬質合金6.O1
炭化珪素質焼結体4.5、アルミナ質焼結体4.51
(513N4 +5iC)質焼結体4.0、タングステ
ン3.7のものを用いた。
得られた切削工具試料に対し、ダイヤモンド膜のレーザ
ーラマン分光分析によるスペクトルを取り、そのスペク
トルが工具母材によるスペクトルを差し引いた状態での
1330eIll−’付近のダイヤモンドのスペクトル
面積とダイヤモンド以外のスペクトルの面積を測定し、
ダイヤモンドのスペクトル面積比に対するダイヤモンド
以外の炭素のスペクトル面積比を算出した。
ーラマン分光分析によるスペクトルを取り、そのスペク
トルが工具母材によるスペクトルを差し引いた状態での
1330eIll−’付近のダイヤモンドのスペクトル
面積とダイヤモンド以外のスペクトルの面積を測定し、
ダイヤモンドのスペクトル面積比に対するダイヤモンド
以外の炭素のスペクトル面積比を算出した。
また、切削テストとして、阻1乃至23の試料に対して
は切削テスト1の条件でまた階24乃至26の試料に対
しては切削テスト2の条件でテストを行い、テスト終了
後のダイヤモンド膜の刃先の摩耗幅を測定した。
は切削テスト1の条件でまた階24乃至26の試料に対
しては切削テスト2の条件でテストを行い、テスト終了
後のダイヤモンド膜の刃先の摩耗幅を測定した。
切削テスト1 切削テスト2
被削材 A1合金(18χSi含有) 純銅切
削速度 700n+/min 1000m
/min切込み 0−2mn+
0.5ncn+送り 0.1mm/rev
O,25n+m/rev切削時間
20分間 120分間なお、本発明にお
けるダイヤモンド膜のラマンレーザー分光分析によるス
ペクトルとして隘6、阻19のダイヤモンド膜のものを
第1図、第2図に示し、比較例として1Ih9のものを
第3図に示した。
削速度 700n+/min 1000m
/min切込み 0−2mn+
0.5ncn+送り 0.1mm/rev
O,25n+m/rev切削時間
20分間 120分間なお、本発明にお
けるダイヤモンド膜のラマンレーザー分光分析によるス
ペクトルとして隘6、阻19のダイヤモンド膜のものを
第1図、第2図に示し、比較例として1Ih9のものを
第3図に示した。
第2表から明らかなように、ダイヤモンド膜におけるダ
イヤモンドのスペクトル面積に対するダイヤモンド以外
の炭素のスペクトルの面積比が10を越える試料(FJ
a9.18,23.25)はいずれも切削テストにおけ
る摩耗幅の大きいものであった。これらの比較例に対し
、本発明の試料はいずれも優れた切削性能をしめし、切
削テスト1.2の双方において、0.08mm以下の摩
耗幅を示した。なお、面積比が10以下の本発明の試料
においてその摩耗幅がほとんど大差ないのは、ダイヤモ
ンド膜の表面層に切削性能に影響しない程度の極薄のダ
イヤモンド以外の炭素膜が形成されており、この炭素膜
が分光分析により検出されることによって、面積比に数
値的バラツキが生じているためと考えられる。
イヤモンドのスペクトル面積に対するダイヤモンド以外
の炭素のスペクトルの面積比が10を越える試料(FJ
a9.18,23.25)はいずれも切削テストにおけ
る摩耗幅の大きいものであった。これらの比較例に対し
、本発明の試料はいずれも優れた切削性能をしめし、切
削テスト1.2の双方において、0.08mm以下の摩
耗幅を示した。なお、面積比が10以下の本発明の試料
においてその摩耗幅がほとんど大差ないのは、ダイヤモ
ンド膜の表面層に切削性能に影響しない程度の極薄のダ
イヤモンド以外の炭素膜が形成されており、この炭素膜
が分光分析により検出されることによって、面積比に数
値的バラツキが生じているためと考えられる。
また、工具母材の熱膨張係数が2.8 乃至6×10−
b/ ’l:を下回る試料(隘21) 、6.OxlO
−’/ ℃を越える試料(N122 ’)はいずれも成
膜時に膜にクラックが発生し、剥離が生じた。
b/ ’l:を下回る試料(隘21) 、6.OxlO
−’/ ℃を越える試料(N122 ’)はいずれも成
膜時に膜にクラックが発生し、剥離が生じた。
以上、詳述した通り、本発明によれば、工具母材上に設
ける多結晶ダイヤモンド膜としてレーザーラマン分光分
析によるダイヤモンドのスペクトル面積に対するダイヤ
モンド以外のスペクトル面積比が10以下の非晶質炭素
および黒鉛の少ない高品質のものを用いることにより、
ダイヤモンド膜自体の強度を高め、それにより工具とし
ての耐摩耗性を顕著に向上させることができ、それに伴
い、工具の長寿命化を計ることができる。本発明の切削
工具は特に精密加工あるいは仕上げ加工用として用いる
と特にその効果を発揮することができる。
ける多結晶ダイヤモンド膜としてレーザーラマン分光分
析によるダイヤモンドのスペクトル面積に対するダイヤ
モンド以外のスペクトル面積比が10以下の非晶質炭素
および黒鉛の少ない高品質のものを用いることにより、
ダイヤモンド膜自体の強度を高め、それにより工具とし
ての耐摩耗性を顕著に向上させることができ、それに伴
い、工具の長寿命化を計ることができる。本発明の切削
工具は特に精密加工あるいは仕上げ加工用として用いる
と特にその効果を発揮することができる。
Claims (1)
- (1)室温から800℃における熱膨張係数が2.8×
10^−^6乃至6×10^−^6/℃である工具母材
表面にレーザーラマン分光分析によるダイヤモンドのス
ペクトルの面積に対するダイヤモンド以外の炭素のスペ
クトルの面積比が10以下のダイヤモンド多結晶膜を被
覆したことを特徴とするダイヤモンド被覆切削工具。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17447086A JPS6333570A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | ダイヤモンド被覆切削工具 |
US07/460,765 US5225275A (en) | 1986-07-11 | 1990-01-04 | Method of producing diamond films |
US07/969,504 US5275798A (en) | 1986-07-11 | 1992-10-29 | Method for producing diamond films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17447086A JPS6333570A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | ダイヤモンド被覆切削工具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6333570A true JPS6333570A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=15979042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17447086A Pending JPS6333570A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-23 | ダイヤモンド被覆切削工具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6333570A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232106A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 工具用多結晶ダイヤモンド |
WO1990015787A1 (en) * | 1989-06-15 | 1990-12-27 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Diamond-coated member |
US5334453A (en) * | 1989-12-28 | 1994-08-02 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated bodies and process for preparation thereof |
EP0713747A1 (de) * | 1994-11-23 | 1996-05-29 | August Beck GmbH & Co. | Verfahren zur Herstellung von Rohlingen für Führungsleisten für Einschneiden-Reibahlen und zum Finishen von Einschneiden-Reibahlen |
WO2015046573A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 切削工具および切削加工物の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123203A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-07-01 | Mitsubishi Metal Corp | 切削工具および耐摩耗工具用表面被覆超硬合金部材 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17447086A patent/JPS6333570A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123203A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-07-01 | Mitsubishi Metal Corp | 切削工具および耐摩耗工具用表面被覆超硬合金部材 |
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US5318836A (en) * | 1989-06-15 | 1994-06-07 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated body |
US5334453A (en) * | 1989-12-28 | 1994-08-02 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated bodies and process for preparation thereof |
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WO2015046573A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 切削工具および切削加工物の製造方法 |
CN105555447A (zh) * | 2013-09-30 | 2016-05-04 | 京瓷株式会社 | 切削工具以及切削加工物的制造方法 |
JPWO2015046573A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 切削工具および切削加工物の製造方法 |
JP2018027616A (ja) * | 2013-09-30 | 2018-02-22 | 京セラ株式会社 | 切削工具および切削加工物の製造方法 |
US10081065B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-09-25 | Kyocera Corporation | Cutting tool and method for manufacturing cut product using same |
KR20180122754A (ko) * | 2013-09-30 | 2018-11-13 | 쿄세라 코포레이션 | 절삭 공구 및 절삭 가공물의 제조 방법 |
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