JPS6332355A - 光吸収率測定方法 - Google Patents

光吸収率測定方法

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JPS6332355A
JPS6332355A JP17588486A JP17588486A JPS6332355A JP S6332355 A JPS6332355 A JP S6332355A JP 17588486 A JP17588486 A JP 17588486A JP 17588486 A JP17588486 A JP 17588486A JP S6332355 A JPS6332355 A JP S6332355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
slit
transmitted
absorption rate
incident
Prior art date
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Pending
Application number
JP17588486A
Other languages
English (en)
Inventor
Youhei Otogi
洋平 乙木
Shoji Kuma
隈 彰二
Ryuichi Nakazono
中園 隆一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPS6332355A publication Critical patent/JPS6332355A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光吸収率測定方法に関するものである。
[従来の技術] 従来の光吸収率測定方法では、第2図に示すように、被
検物体1に光源2より光3を垂直方向に入射し、被検物
体1を透過した光の強度を検出器4で検出して測定する
方法が用いられていた。
[発明が解決しようとする問題点] 被検物体に吸収される光の母は上述のように被検物体を
透過した光の強度を測定することにより求められる。
いま、透過率を王、被検物体の厚さをt、吸収率をα、
反射率をRとすると、透過率Tは、で表わされる。また
反射率Rは回折率をn、減衰係数をkとすると、真空中
(または空気中)で、(n+1)2+に で表わされる。
吸収率αは(1)式の示すように反射率Rが与えられれ
ば求められ、反射’iZ= Ri;t (2+式の示す
ように屈折率nによって定まるので、吸収率αを求める
には屈折率nを求める必要がある。しかしこの屈折率n
は化合物半導体のようにキャリヤ濃度や不純物の大小に
よって異なる場合があり、従来の測定法では正確に求め
ることができないので反)1率Rもまた正確に求められ
ず、したがって吸収率も正確に求められなかった。
本発明の目的は、吸収率、および屈折率を同時に求める
ことのできる完成収率測定方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、被検物体に光を入射し、透過する光を検出し
て前記被検物体を構成する物質による光吸収率を測定す
る光吸収率澗定方法において、前記光の入射側と出射側
にスリットを設け、前記入射側スリットに斜め方向より
光を入射し、前記被検物体を屈折して透過した光を前記
出射側スリットを移動して選択し、この出射側スリット
により選択された光の強度を測定して前記物質による光
吸収率および屈折率を同時に求めることを特徴とし、光
吸収率が容易に求められるようにして目的の達成を計っ
たものである。
[実 施 例〕 以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図(a)〜(C)は本発明の光吸収1m11定法を
実施する一実施例を示す説明図で、第2図と同一部分に
は同一符号が付されている。
各図において、5は入射光側のスリット、6は出射光側
のスリットを示す。7は屈折した透過光、8は2次透過
光を表わす。
この実施例において同図(a>は被検物体1をセットし
ていない場合の入射光3と支リット5および6の関係を
示すものである。
入射光3は強度を高くするためスリット5によってでき
るだけ細く絞られる。検出器4はスリット6の移動と共
に移動するようになっている。
同図(a)よりスリット5を通る入射光3はスリット6
を通過して検出器4に直接入射し、入射光強度工。が測
定されることになる。
同5(b)は被検物体1をセットしたときの状態を示す
ものである。
被検物体1は両面がミラー状に作られており表面と裏面
は平行になっている。
第1図(b)は被検物体1による屈折率が1より大きい
場合を示し、光は図の透過光1に示すように屈折するの
で、スリット6を移動し、透過−光7を検出するように
している。同図に示す透過光7は高次の透過光を含む複
数の透過光の中で最も強度が大きいので、容易に検出す
ることができる。
スリット6が第1図(a)に示す位置から移動した距離
をd、被検物体1の厚さをt1光の入射角をθとすると
、屈折率nは、 sinθ n−□         ・・・ (3)sinθ′ θ’ =tan−1(d−t  tanθ)  ・(4
)で表わされる。また透過光7の強度をIlとすると・
                 を−α COSθ
′ 11=I6  (1R)2 ・e ・・・ (5) で表わされる。したがってこの■1を検出器4で測定す
ることにより、先に測定した入射光強度■。どの関係よ
り、(3)弐〜(5)式から吸収率α、屈折率nを求め
ることができる。
次に第1図(C)は第1次の透過光8を検出する場合を
示すものである。
1次の透過光強度をI、とすると、 1、=I  (1−R2)・R2(i−1)・e−(2
i−1)(xcosθ′   ・・・ (6)で表わさ
れる。
このように吸収率α、屈折率nは(6)式を用いても求
められるので、第1次のみでなく第1次の透過光強度を
用いてこれらの値を求めることにより、データの信頼性
を高めることができる。
以上、本実施例の完成収率測定方法を用いることにより
次のような効果が得られる。
(1)  光吸収率の測定において必要な屈折率の測定
を従来は別途に測定しなければならなかつたが、本実施
例の方法では吸収率と同時に求めることができる。
(′2J  複数の透過光を取出して測定することがで
きるので測定値の信頼性が高く、渭1定精度を向上する
ことができる。
また本実施例の方法を用いれば、FTIRを用いたGa
AsのC,Si、Oの吸収率測定、近赤外光による深層
部測定および高分子物質の各種赤外分光分析等を行なう
ことができる。
[発明の効果] 本発明によれば、吸収率及び屈折率が同時に求められる
光吸収率測定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光吸収率測定方法を実現する一実施例
の説明図、第2図は従来の測定方法を示す説明図である
。 1:被検物体、 2:光  源、 3:入射光、 11:検出器、 5.6:スリット。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検物体に光を入射し、透過する光を検出して前
    記被検物体を構成する物質による光吸収率を測定する光
    吸収率測定方法において、前記光の入射側と出射側にス
    リットを設け、前記入射側スリットに斜め方向より光を
    入射し、前記被検物体を屈折して透過した光を前記出射
    側スリットを移動して選択し、該出射側スリットにより
    選択された光の強度を測定して前記物質による光吸収率
    および屈折率を同時に求めることを特徴とする光吸収率
    測定方法。
JP17588486A 1986-07-25 1986-07-25 光吸収率測定方法 Pending JPS6332355A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000322850A (ja) * 1999-04-21 2000-11-24 Guzik Technical Enterp Inc 熱ドリフトを補正する閉ループ位置付けシステムを持った磁器ヘッド/ディスクテスター
JP2014202565A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 セイコーNpc株式会社 赤外線吸収率の測定における被測定物に対する赤外線光の入射方法

Cited By (3)

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JP2000322850A (ja) * 1999-04-21 2000-11-24 Guzik Technical Enterp Inc 熱ドリフトを補正する閉ループ位置付けシステムを持った磁器ヘッド/ディスクテスター
JP2010267376A (ja) * 1999-04-21 2010-11-25 Guzik Technical Enterp Inc 熱ドリフトを補正する閉ループ位置付けシステムを持った磁器ヘッド/ディスクテスター
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