JPS6381229A - 分光分析装置及び分光分析法 - Google Patents

分光分析装置及び分光分析法

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JPS6381229A
JPS6381229A JP22477786A JP22477786A JPS6381229A JP S6381229 A JPS6381229 A JP S6381229A JP 22477786 A JP22477786 A JP 22477786A JP 22477786 A JP22477786 A JP 22477786A JP S6381229 A JPS6381229 A JP S6381229A
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JP
Japan
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sample
light
incident
incident light
reflected light
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Application number
JP22477786A
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English (en)
Inventor
Hirofumi Omori
大森 廣文
Hideyuki Sasaki
秀幸 佐々木
Hideki Shimada
秀樹 島田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、例えばSiウェハー分析に用いられる分光分
析装置及び分光分析法に関するものである。
(従来の技術) 従来、赤外線やX線などの光を用いて試料の透過スペク
トルや反射スペクトルを観測する際に、用いる光の波長
と試料厚さとが特定の条件を満たした場合、入射光と反
射光とが干渉を起こし干渉縞の妨害で正常なスペクトル
を観測できないことがあった。
第4図は、厚さ630μmの8iウエーハを試料に用い
、1l106C付近の酸素による赤外光の吸収ピークを
観測した例である。このように、およそ2.3ctn”
間隔の干渉縞の妨害で、吸収ピークを確認することが難
しい。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的は、入射光と反射光との干渉による干渉縞
の妨害を回避或いは低減し、正常或いは正常に近い透過
或いは反射スペクトルを得ることのできる分光分析装置
及び分光分析法を提供することにある。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 前項の問題点を解決するために、入射光を試料表面の法
線に対し、角度を持たせて斜めに入射させる。
(作用) 第1図は、試料表面に対し入射角θで入射光を入射させ
、試料の透過スペクトルを観測する例である。このよう
に入射光を斜めに入射させることによって、入射光1の
出射位置3と反射光2の出射位置4とが異なるために、
試料裏面から出射した入射光5と試料裏面から出射した
2回の反射光6とが干渉を起こし難くなり、検出器7で
測定されるスペクトルは干渉効果の少ないものとなる。
第2図は、試料の反射スペクトルを観測する例であるが
、この場合にも透過スペクトルを観測する場合と同様に
、試料裏面から出射した入射光8と反射光9とが干渉を
起こし難くなり、検出器10で測定されるスペクトルは
干渉効果の少ないものとなる。尚、試料の厚さが厚い場
合は光源の径も大きくないが、うすい場合は径を細くす
る事が望ましい。
(実施例) 第3図は本発明の実施例の一つで、赤外分光分析装置の
光学系の概略を示す。第4図の様に従来の装置を用いて
は、干渉縞に妨害されて確認することの困難であった厚
さ630μmの8iウエーハ中の酸素による吸収ピーク
を観測した。第3図で1は赤外光の光源、2はQ、 5
111幅のスリット、3は試料(Stウェーハ)、4は
入射光、5は反射光、6は検出器を示す。
この図の様に、入射光を試料表面上の0.5tjl@の
スリットで絞り、かつ約50’の入射角を持たせて試料
に入射させる。1100cm付近において、室温での8
iの屈折率は3.418であるから、入射光4と反射光
5とは試料の裏面から出射する際には約0.28111
1の距離を生じており、干渉を起こし難い。第5図は、
第3図を実施することによって得られたスペクトルであ
るが、酸素による吸収ビー ′りが明瞭に確認できる。
〔発明の効果〕
本発明によって、試料への入射光と試料裏面からの反射
光との干渉の影響を受けない或いは殆んど受けない透過
スペクトル及び反射スペクトルを測定することができる
【図面の簡単な説明】
第1図は、試料表面に対し斜めに光を入射させ、透過ス
ペクトルを測定する例を示す側面図、@2図は、試料表
面に対し斜めに光を入射させ、反射スペクトルを測定す
る例を示す側面図、第3図は、試料に斜めに光を照射し
て試料の透過スペクトル630μmのSiウェーハのl
Q5Qcm〜llQQcmでの赤外吸収スペクトルを示
す特性図である・1・・・入射光、    2・・・反
射光、3・・・入射光の出射位置、 4・・・反射光の出射位置、 5・・・入射光の出射後の光路、 6・・・反射光の出射後の光路、 7・・・検出器、    8・・・入射光、9・・・試
料表面での反射光、 10・・・試料裏面での反射光、 11・・・検出路、     12・・・試料。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同    竹 花 喜久男

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源、試料室、検出器を備えた分光分析装置にお
    いて、光を試料表面の法線に対し、少なくとも所定の角
    度を持って入射させこの入射した光の透過光或いはその
    反射光を検出する検出手段を具備したことを特徴とする
    分光分析装置。
  2. (2)入射光を試料表面の法線に対し斜めに入射させ、
    この入射した入射光の透過光或いは反射光を検出して前
    記試料の分析を行なうことを特徴とする分光分析法。
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