JPS633231A - 放射温度計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産−ｔ−７７）ｌ［＋ＪＬ 本発明は、測定対象の温度をその放射エネルギーに基づ
いて測定する放射温度計に関する。

米の技術・　明が解　しようとする間　点従来、このよ
うな放射温度計は種々知られている。放射温度計におい
ては、そのコストダウンを計るためには、部品コストや
組立コストと同等もしくはそれ以上にその校正に要する
コストが大きな問題となる。測定対象からの放射エネル
ギーを受ける検知器や参照温度測定素子などにばらつき
があるので正確な測定には校正が不可欠である。

そこで、従来は、放射温度計を組み立ててから、校正用
の可変抵抗を調整したり、校正用データをデイツプスイ
ッチにセットしたり、校正用データが記録されたＦＲＯ
Ｍを本体に装着したりする校正作業が必要である。

しかし、通常は複数校正用の可変抵抗を調整する方法で
は面倒で熟練を要し、それに代えてコンピュータの助け
をかりて求められた校正用テ゛−タを複数のデイツプス
イッチに七２トしたり校正用データが記録されたＦＲＯ
Ｍを装着したりする方法では治具として計器やコンビエ
ータなどを放射温度計にａ続する必要がある。従って、
いずれの方法でも煩雑な校正作業が必要であり、カバー
を外したり、組み立て途中での作業が必要になる。

更に、アフターサービスとして放射温度計再校正するこ
ともあり、そうするとまた上述のような複数の可変抵抗
の調整や、カバーを取り外してのデイツプスイッチの操
作、ＦＲＯＭのつけかえなどを行わねばならない。

本発明の目的はこのような装置組み立て時やアフターサ
ービスにおける校正作業をごく簡単にすることができる
放射温度計を提供することにある。

問題点を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明にかかる放射温度計
は、温度測定動作を行う温度測定手段と、温度測定手段
の校正動作を行う校正手段と、手動操作に応じて温度測
定手段もしくは校正手段のいずれかを選択的に動作させ
る選択手段と、校正手段によって得られた校正用データ
を記憶する記憶手段とを有し、温度測定手段は記憶手段
に記憶された校正データに基づいて校正されて温度測定
動作を実行することを特徴とする。

艷叫 従って、本発明によれば、選択手段によって校正手段を
動作させれば放射温度計が自己校正を行って校正用デー
タを記憶手段に記憶し、しかる後、選択手段によって温
度測定手段を動作させれば、この記憶された校正用デー
タに基づいて温度測定動作を実行する。

采」１倒− 以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する
。

まず、第１図は本発明実施例の放射温度計の構成を示す
ブロック図である。第１図において、測定対象から放射
された放射線は、集光レンズ（２）によって集光されて
検知器（４）の受光面に入射させられるが、この集光レ
ンズ（２）から検知器（４）に至る光路上にチョッパ（
６）が配置されて検知器（４）への入射光を断続的に遮
断している。すなわち、チョッパ（６）は上記光路に進
退自在であり、上記光路上に位Ｈして検知器（４）への
入射光を遮断する状！！（以下、閉状態という）と上記
光路外に退避して検知器（４）への入射光を遮断しない
状態（以下、開状態という）とを予め定められた一定の
周期によって繰り返すように構成されている。そして、
このチョッパ（６）の検知器（４）に対向する面は反射
面となっており、チョッパ（６）が開状態のときにはチ
ョッパ（６）によって反射された検知器（４）の周辺か
らの光が検知Ｗ（４）に入射させられる９更に、このチ
ョッパ（６）の開田動作は７オトリ７レクタからなるモ
ニタ回路（８）によってモニタされ、このチョッパ（６
）の開田に応じたチョッパ同期信号は後述するマイクロ
コンピュータ（２４）に入力される。

（１０）は検知器（４）周辺の参照温度を測定する温度
センサであり、この温度センサ（１０）の出力は自己温
度測定回路（１２）を介して後述するＡ／Ｄ変換回路（
２２）に入力されてディノタル信号に変換され、マイク
ロフンピユータ（２４）に入力される。

一方、検知器（４）の出力信号はプリアンプ（１４）に
よって増幅され、チョッパ（６）の開閉周波数と同じ周
波数の信号のみを通過させるバンドパスフィルタ（１６
）によってチ３ンバの開閉周波数と同じ周波数の信号の
みが選別され、この選別された信号のみがメインアンプ
（１８）に入力されて更に増幅される。

更にメインアンプ（１８）の出力信号は、整流回路（２
０）によって整流されてＡ／Ｄ変換回路（２２）に入力
される。ここで、整流回路（２０）は前記チョッパ同期
信号を元にマイクロコンピュータ（２４）が作った。同
期信号によって入力信号を同期整流する。Ａ／Ｄ変換回
路（２２）には、自己温度測定回路（１２）から出力さ
れる検知器（４）周辺の温度に関するアナログ信号と、
整流回路（２０）から出力される検知器（４）の出力信
号に応じたアナログ信号とが入力される。そして、Ａ／
Ｄ変換回路（２２）はこの入力されるアナログ信号を順
次ディノタル信号に変換してマイクロコンピュータ（２
４）に向けて出力する。

マイクロフンピユータ（２４）は、Ａ／Ｄ変換回路（２
２）を介して入力される信号に応じて測定対象の温度を
演算するとともに予め格納された校正用プログラムに基
づいて装置の自己校正を行う。

（２６）は、メインアンプ（１８）の出力信号が入力さ
れるゼロクロス検出用フンパレータであり、その入力信
号の符号が正のときはＨｉｇｈ″′の信号を出力し、負
のときは”Ｌｏｗ″の信号を出力するものである。この
ゼロクロス検出用コンパレータ（２６）の出力信号をゼ
ロクロス同期信号とする。

（２８）は不揮発性ＲＡＭであり、マイクロコンピュー
タ（２４）が後述する校正用プログラムを実行して得ら
れた校正用データを記憶するとともに、この記憶された
校正用データを温度測定時の装置の校正に用いるために
マイクロコンピュータ（２４）に出力する。（３０）は
マイクロコンピュータ（２４）によって演算された測定
対象の温度に関するデータをディノタル信号として出力
するディジタル出力回路、（３２）は液晶表示装置であ
り、同様にして演算された測定対象の温度に関する表示
を行う。

（３４）〜（４０）はそれぞれ手動操作可能なスイッチ
であり、各スイッチの作用については第２図に基づいて
説明する。

第２図は本実施例の放射温度計の拙作部及び表示部を示
す正面図であり、同図において、液晶表示装置（３２）
は測定された温度及び設定された放射率を表示するもの
である。（３４）はサンプル／ホールド・スイッチ、（
３６）及び（３８）は放射率設定スイッチである。この
スイッチ（３６）（３８）は、液晶表示装ｆｉ（３２）
に表示される放射率をスイッチ（３６）を押すことによ
って増加させ、スイッチ（３８）を押すことによって減
少させる。

（４０）は装置全体に電力を供給するための電源スィッ
チ、（４２）はモード切り換えスイッチであり、このモ
ード切り換えスイッチ （４２）が指標″ＣＡＬ”に合わせられているときには
装置が自己校正動作を行う校正モードとなり、指標″Ｍ
ＥＡ″に合わせられているときには装置は測定対象の温
度を測定する測定モードとなる。

（４４）は第１図のディジタル出力回路（３０）に該当
するディジタル出力用外部端子である。

以下、本実施例の動作について説明する。まず、測定対
策の温度を測定するときには、モード切り換えスイッチ
（４２）を指標″ＭＥＡ”に合わせた後に電源スィッチ
（４０）をＯＮにすると測定が繰り返され、液晶表示装
ｆ！ｔ（３２）には測定温度と設定された放射率が表示
される。この状態でサンプル／ホールド・スイッチ（３
４）がＯＮされるとその時点の測定温度がホールドされ
て液晶表示装置（３２）に表示される。ここで、スイッ
チ（３６）（３８）を操作５して設定された放射率を変
更することができ、ホールドされた温度も変更された新
しい放射率に基づいて演算しなおされて表示される。

本実施例では種々の校正モードを有しており、以下その
各校正モードにおける動作について詳細に説明する。

まず、モード切り換えスイッチ（４２）を指標”ＣＡＬ
”に合わせた状態で電源スイッチ（４０）をＯＮにする
と、校正モード■の動作が開始される。

この校正モードＩについて説明する。本実施例において
、検知器（４）は、チ３ツバ（６）が開状態にあるとき
には測定対象から放射される放射エネルギーを受けると
ともにチョッパ（６）が閉状態にあるときにはチ３ツバ
（６）の反射面によって検知器周辺からの放射エネルギ
ーを受け、この両状態が交互に繰り返される。従って、
検知器（４）の出力は交流となり、この交流出力は測定
対象と検知器周辺との放射エネルギーの差になる。よっ
て、測定対象の温度を得るためには検知器（４）周辺の
参照温度を知る必要がある。

本実施例の放射温度計においては、温度センサ（１０）
によってこの参照温度を測定しているけれども、この温
度センサ（１０）は温度に応じて抵抗値が変化する感温
抵抗を用いており、感温抵抗やその他の回路素子には製
造時の個体差があるので、製造された装置１つ１つにつ
いてこの個体差が測定精度に影響を及ぼすことがないよ
うに校正する必要がある。この校正を行うために校正モ
ードＩがある。

本実施例において、温度センサ（１０）に用１．′−ら
れる感温抵抗のＯ′Ｃにおける抵抗値をＲ，とじ、この
校正のために用いられる２つの固定抵抗Ｒ１゜、Ｒ４０
の抵抗値のＡ／Ｄ変換回路（２２）によるＡ／Ｄ変換値
をそれぞれＲ１、Ｒ２とする。そして、感温抵抗のＡ／
Ｄ変換値をＲａとするとき、この値Ｒａと温度Ｔとの関
係を次のように定義する。

Ｔ＝ａ−Ｒａ十ｂ　　　　　　　　・・・・・・（１）
ここで、ａ、ｂは定数であり、個体差がある。そして、
感温抵抗の温度係数（９７°Ｃ）をαとし、ＴＩＯ″Ｃ
における感温抵抗の抵抗値をＲ１゜とし、′「、。°Ｃ
における感温抵抗の抵抗値をＲ１゜とすると、次の関係
が成立する。

Ｒ，ｏ＝Ｒ，十α・Ｔ、。　　　　、、、　、、・（２
）Ｒ４０＝　Ｒｏ十〇−Ｔ　、。　　　　　、、、　、
、−（３）。

更に、（１）式からＴ　ＩＱとＴ　ｔｏとはそれぞれ次
のように表現される。

Ｔ　、、＝ａ−Ｒ、、＋ｂ　　　　　　　９．４６．（
４）Ｔ４ｏ＝ａ−Ｒ４０十ｂ　　　　　　・・・・・・
（５）ユニで、（２）〜（５）式からＴ　ｔｏとＴ、。

とを７肖去すれば、各感温抵抗１こ固有の自己温度定数
ａ、ｂを求めることができる。この自己温度定数ａ、ｂ
を求めるのが校正モードＩの動作である。

次に、この校正モードＩにおけるマイクロコンピュータ
（２４）の動作を第３図のフローチャートに基づいて説
明する。！：ｔＳ３図において、前述のようにして校正
モードＩが開始されると、まず、ステップ＃１で１ＭＡ
度センサ（１０）の０゛Ｃでの抵抗値Ｒ０初期値を液晶
表示装置（３２）に表示する。

次にステップ＃２、＃３ではスイッチ（３６）もしくは
（３８）がＯＮされているか否かが判定され、スイッチ
（３６）がＯＮされていればステップ＃４にすすんで液
晶表示装置（３２）の表示値を０．１％”だけ増加させ
、スイッチ（３８）がＯＮされていればステップ＃５に
すすんで表示値が０．１％”だけ減少させられる。そし
て、ステップ＃６ではサンプル／ホールド・スイッチ（
３４）がＯＮされているか否かが↑ｑ定され、このスイ
ッチ（３４）がＯＮされればステップ＃７にすすんで液
晶表示装置（３２）に表示された表示値をＲＯとしてセ
ーブするゆここで、サンプル／ホールド・スイッチ（３
４）がＯＮされるまではスイ・ンチ（３６）及び（３８
）によって表示値を自由に変更することができる。

次に操作者は上述した固定抵抗Ｒ４゜を温度センサ（１
０）の感温抵抗に代えて結線する。−方、マイクロコン
ピュータ（２４）はステップ＃８でサンプル／ホールド
・スイッチ（３４）がＯＮされるのを待っている。すな
わち、操作者はサンプル／ホールド・スイッチ（３４）
を押す前に固定抵抗Ｒ１゜を感温抵抗に代えて結線し、
この結線が完了すればサンプル／ホールド・スイッチ（
３４）を押圧する。すると、プログラムはステップ＃９
１こすすんで固定抵抗Ｒ３゜のＡ／Ｄ変換回路（２２）
によるＡ／Ｄ変換値Ｒ２がマイクロフンピユータ（２４
）に入力される。

同様にして、今度は操作者が感温抵抗に代えて固定抵抗
Ｒ４０を結線し、この結線が完了してからスイッチ（３
６）を押圧する。すると、スイッチ（３６）の抑圧によ
ってプログラムはステップ＃１０からステップ＃１１に
すすみ、固定抵抗Ｒ４０のＡ／Ｄ変換回路（２２）によ
るＡ／Ｄ変換値Ｒ２がマイクロコンピュータ（２４）に
よって求められる。

次にマイクロコンビ１−タ（２４）のプログラムはステ
ップ＃１２にすすみ、２つの固定抵抗Ｒ１ｏ、Ｒ１゜結
＃ｉ時のＡ／Ｄ変換値Ｒ，、Ｒ２とステップ＃７におい
て設定された温度データとから、温度センサ（１０）に
用いられる感温抵抗の自己温度を演算するための校正定
数ａ、ｂを求め、ステップ＃１３でこの自己温度定数ａ
、ｂを不揮発性ＲＡＭ（２８）にセーブする。これによ
って、個体差のある感温抵抗固有の定数ａ、ｂが不揮発
性ＲＡＭ（２８）に記憶される。そして、プログラムは
校正モードＨにすすむ。

この校正モードＨについて説明する。本実施例において
、第１図図示のように検知器（４）からのエネルギー信
号はマイクロコンピュータ（２４）からの整流同期信号
に応じて整流回路（２０）によって整流される。ここで
、この整流同期信号はモニ夕回路（８）からのチョッパ
同期信号をマイクロコンピュータ（２４）内で遅延させ
て作られるように構成されている。そして、各装置ごと
にこのチョッパ同期信号と整流同期信号との遅延時間に
ばらつきがあるので、これを校正する必要がある。この
校正を行うのが、校正モード■である。いま、第４図に
、検知器（４）からのエネルギー信号をＡ、マイクロコ
ンピュータ（２４）からの整流同期信号をＢ、整流回路
（２０）の出力信号をＣ、モニタ回路（８）からのチョ
ッパ同期信号をＤ、ゼロクロス検出用コンパレータ（２
６）からのゼロクロス同期信号をＥとして、各信号の時
間的変化を示す。第４図において、チョッパ同期信号り
と整流同期信号Ｂと間には信号遅れ時間ｔがあり、この
時間に個体差がある。そこで、この個体差を校正するの
が校正モードＨの動作である。本実施例においては、整
流回路（２０）に入力されるメインアンプ（１８）の出
力信号はゼロクロス検出用コンパレータ（２６）にも入
力されており、このゼロクロス検出用コンパレータ（２
６）はメインアンプ（１８）の出力信号が０点を横切る
たびに出力を反転させる。

従って、マイクロフンピユータ（２４）からの整流同期
信号Ｂとゼロクロス同期信号Ｅとは常に一致している。

校正モード■におけるマイクロコンピュータ（２４）の
動作をｆ５５図の７０−チャートに示す。

この校正モード■において校正に必要なデータは、測定
レンジの高温域（本実施例では２５０°Ｃ付近）の黒体
炉の温度、黒体炉から放射されるエネルギーを受ける検
知器（４）の出力のＡ／Ｄ変換値、及びそのときの参照
温度である。

ステップ＃２１では液晶表示装置（３２）に黒体炉の温
度の初期設定値として”２５０°Ｃ”を表示する。そし
て、ステップ＃２２、＃２３ではスイッチ（３Ｇ）（３
８）が操作されたか否かを判別し、スイッチ（３６）が
操作されればステップ＃２４にすすんで表示される黒体
炉温度を ”０．１°Ｃ”だけ増加させ、逆にスイッチ（３８）が
操作されればステップ＃２５にすすんで表示される黒体
炉温度を”０．１’　Ｃ”だけ減少させる。

すなわち、操作者は予め知られている黒体炉の温度をス
イッチ（３６）（３８）を操作して液晶表示装置（３２
）に設定するのである。そして、この設定が完了すれば
、操作者はサンプル／ホールド・スイッチ（３４）を押
圧する。このサンプル／ホールド・スイッチ（３４）が
押圧されるまではスイッチ（３６）もしくは（３８）の
操作によって表示値を変更することが可能である。この
ようにして、予め知られている黒体炉の温度が液晶表示
装ｒ！１（３２）に設定されてサンプル／ホールド・ス
イッチ（３４）が押圧されると、プログラムはステップ
井２６からステップ＃２７にすすんで、液晶表示装置（
３２）に表示された黒体炉の温度を不揮発性ＲＡＭ（２
８）にセーブする。

次に、ステップ＃２８ではモニタ回路（８）からのチョ
ッパ同期信号（第４図のＤ）が”Ｈｉｇｈ”か否かを判
別し、”Ｈｉｇｈ″になればステップ＃２９にすすんで
信号遅れ時間りのカウントを開始し、ステップ＃３０で
ゼロクロス検出用コンパレータ（２６）のゼロクロス同
期信号（第４図のＥ）が”Ｈｉｇｈ”になったことが判
別されるとこのカフントを終了する。これによって、チ
ョッパ同期信号りが”Ｈｉｇｈ”になってからゼロクロ
ス同期信号Ｅが”Ｈｉｇｈ″になるまでの信号遅れ時間
とが測定される。そして、ステップ＃３１ではこのカフ
ントされた信号遅れ時間ｔを不揮発性ＲＡＭ＜２８）に
セーブする。

更に、ステップ＃３２では、温度センサ（１０）の出力
信号をＡ／Ｄ変換回路（２２）によってディジタル信号
に変換し、校正モード■において演算された自己温度定
数ａ、ｂを用いて検知器（４）の自己温度を計算する。

次にステップ＃３３では、黒体炉測定時の検知ｉ！Ｓ（
４）の出力に応じた整流回路（２０）の出力信号をＡ／
Ｄ変換回路（２２）によってディジタル信号に変換し、
ステップ＃３４で検知器（４）の自己温度とこの黒体炉
の放射工禾ルギーのＡ／Ｄ変換値とが不揮発性ＲＡ　Ｍ
（２８）にセーブされる。そして、プログラムは校正モ
ード■にすすむ。

この校正モード■は、測定対象からの放射エネルギーの
Ａ／Ｄ変換値と参照温度とから測定対象の温度を計算す
るための校正定数を求めるためのものである。

ここで、測定対象の温度をＴｔ、その放射率をＥｔ、そ
の分光放射エネルギーをＥｔ、参照温度をＴｄ、その分
光放射エネルギーをＥ（Ｔｄ、λ）、検知器（４９）の
分光感度をＳ（λ）とすると、チａ　’７パ（６）の開
状態における検知器（４）に入射するエネルギーＥ０は
、 Ｑ。

Ｅ、＝　　ｉＡ・εｔ−Ｅ（Ｔｔ、λ）＋Ｂ　−Ｅ（Ｔ
ｄ、λ））・Ｓ（λ）・ｄλ　　　　　　・・・・・・
（６）となり、−方、チョッパ（６）の閉状態における
検知器（４）に入射するエネルギーＥｃは、Ｅｃ＝Ｃ−
Ｅ（Ｔｄ、λ）−８（λ）−ｄλ・（７）となる。ここ
で、Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ定数である。

従って、この開状態における入射エネルギー差ΔＥは、 ΔＥ＝Ｅ、−Ｅｃ ＝Ａ・　Ｅｔ　　Ｅ（Ｔｔ、λ）・Ｓ（λ）・ｄλ−Ｄ
−Ｅ（Ｔｄ、λ）・　Ｓ（λ）・ｄλ・・・・・・（８
） となる。但し、Ｄ＝Ｂ−Ｃである。（８）式より測定対
象の放射エネルギーＥｔは、 Ｅｔ＝εｔ　　Ｅ（Ｔｔ、λ）・Ｓ（λ）・８人Ｏ ＝ｃ・ΔＥ＋ｄ　　Ｅ（Ｔｃｌ、λ）−８（λ）−ｄＬ
・・・・・・（９） となる。但し、ここで、ｃ、ｄは定数であり、ｃ＝　１
／Ａ、ｄ＝Ｄ／Ａである。ここで、（９）式をＥｔ＝ε
ｔ−ｆ（Ｔｔ）　　　　　　　　　・・・・・・（１０
）とあられせば、測定対象の温度ＴＬは、Ｔｔ＝ｆ　’
（Ｅｔ／εｔ）　　　　　　　・・・・・・（１１）と
なる。

本実施例においては、この定数ｃ、ｄを校正モード■に
おいて求める。すなわち、まず、校正モード■で測定さ
れた高温域（２５０”Ｃ付近）状態における黒体炉の温
度、参照及び放射エネルギーのＡ／Ｄ変換値とは別に、
校正モード■において低温（３０’Ｃ付近域）状態のこ
れらの数値を測定する。以下、この校正モード瓜におけ
るマイクロコンピュータ（２４）の動作を第６図の７０
−チャートに示し、それについて説明する。

ステップ＃４２からステップ＃４８までにおいて、ｆ１
５図のステップ＃２１からステップ＃２７までと同様に
、黒体炉の温度を不揮発性ＲＡＭ（２８）にセーブする
。但し、ここで、ステップ＃４２においては黒体炉の温
度は”３０．０”と初期設定される。

更に、ステップ＃４９では、温度センサ（１０）の出力
信号をＡ／Ｄ変換回路（２２）によってＡ／Ｄ変換し、
校正モードＩにおいて求められた定数ａ、ｂを用いて検
知器（４）の参照温度を計算する。

次に、ステップ＃５０で黒体炉からの放射エネルギーを
受けている検知器（４）の出力信号をＡ／Ｄ変換回路（
２２）によってＡ／Ｄ変換する。続いて、ステップ＃５
１で校正モード■で求められ不揮発性ＲＡＭ（２８）に
セーブされている黒体炉の放射率及び温度、参照温度、
及び黒体炉からの放射エネルギーを受けている検知器（
４）の出力信号のＡ／Ｄ変換値を、それぞれ、不揮発性
ＲＡＭ（２８）からマイクロコンピュータ（２４）にロ
ードする。

そして、ステップ＃５２では、これらのステップ＃４１
、＃４８及ｖ＃４９から＃５１までにおいて入力された
データに基づいて、検知器（４）の出力信号からそれに
対応する温度に変換する際に必要な校正定数ｃ、ｄを計
算する。この計算された温度校正定数ｃ、ｄはステップ
＃５３において不揮発性ＲＡＭ（２８）にセーブされ、
校正モード■の動作が完了する。

更に、本実施例の放射温度計は、校正モード■に続いて
別に２つの校正モードを有する。まず、校正モード■は
、液晶表示装置（３２）に表示される温度を摂氏単位系
（°Ｃ）で表示するか華氏］１位系（Ｆ）で表示するか
を切り換えることができるように設けられている。更に
、校正モード■は、メインアンプ（１８）のゲインを微
調整するため（こ設けられている。

はじめに、校正モード■の動作について、第７図の７０
−チャートを用いで説明する。まず、この校正モード■
のプログラムが開始させられると、ステップ＃５４で液
晶表示装置（３２）に摂氏表示を示す温度単位′Ｃ”が
初期表示される。そして、ステップ＃５５、＃５６でス
イッチ（３６）（３８）がＯＮされているか否かを判定
し、スイッチ（３６）がＯＮされればステップ＃５７に
すすんでそのまま温度単位”Ｃ”が液晶表示装置（３２
）に表示され、スイッチ（３８）がＯＮされればステッ
プ＃５８にすすんで華氏表示を示す温度単位”Ｆ”が表
示される。この温度単位系の切り換えは、サンプル／ホ
ールド・スイッチ（３４）がＯＮされるまで可能であり
、ステップ＃５９でこのサンプル／ホールド・スイッチ
（３４）のＯＮが判別されるとステップ＃６０にすすん
で、そのときに表示されている温度単位系を不揮発性Ｒ
ＡＭ（２８）にセーブする。そして、校正モード■にす
すむ。

校正モードＶにおけるマイクロコンピュータ（２４）の
動作を第８図に示し、これについて説明する。まず、ス
テップ＃６１では測定対象の温度を測定して表示し、ス
テップ＃６２でサンプル／ホールド・スイッチ（３４）
がＯＮされるのを待つ。

そして、ステップ＃６２でサンプル／ホールド・スイッ
チ（３４）のＯＮが？！り別されると、ステップ＃６３
にすすんで液晶表示装置（３２）に表示されている温度
をホールドするとともに、メインアンプ（１８）のゲイ
ンとして１．０００″を表示する。

このゲインはスイッチ（３６）（３８）の操作によって
変更可能であり、ステップ＃６４でスイッチ（３６）の
ＯＮが↑１別されればステップ＃６６にすすんでこのゲ
インが０，００１″だけ増加させられ、逆にステップ＃
６５でスイッチ（３８）のＯＮが判別されればステップ
＃６７にすすんでこのデインがＯ’、００１”だけ減少
させられる。このメインアンプ（１８）のゲイン設定は
、サンプル／ホールド・スイッチ（３４）がＯＮされる
まで可能であり、ステップ＃６８でこのサンプル／ホー
ルド・スイッチ（３４）のＯＮが判別されるとステップ
＃６９にすすんで液晶表示装置（３２）に表示されてい
る設定されたゲインを不揮発性ＲＡＭ（２８）にセーブ
する。

発明の効果 以上詳述したように、本発明にかがる放射温度計４よ、
温度測定動作を行う温度測定手段と、温度測定手段の校
正動作を行う校正手段と、手動操作に応じて温度測定手
段もしくは校正手段のいずれかを選択的に動作させる選
択手段と、校正手段によって得られた校正データを記憶
する記憶手段とを有し、温度測定手段は記憶手段に記憶
された校正データに基づいて校正されて温度測定動作を
実行することを特徴とするものであり、このように構成
することによって、装置組み立て時及びアフターサービ
スにおいて行う校正作業を極めて簡単に行うことができ
る。また、ステップ１の参照温度の校正を除けばケース
をあけることも黒体炉以外の装置を用いることも不要で
ある。ケースをあけずに測定時と全く同じ状態で校正を
竹うことは光学系などが変化することなく、正確な校正
を可能とする。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例にがかる放射温度計の構成を示す
ブロック図、第２図はその表示部及び操作部を示す正面
図、第３図、第５図、第６図、第７図、第８図はそれぞ
れ本実施例のマイクロコンピュータの校正モードにおけ
る動作を示す７０−チャート、第４図は本実施例の各回
路の出力信号の変化を示すタイムチャート、第９図は本
実施例のマイクロコンピュータの測定モードにおける動
作を示す７０−チャートである。 （２４）；温度測定手段、校正手段、 （２８）；記憶手段、 （４０）；選択手段。 以上 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第Ｓ図 第Ｓ図 １１％６　図 第７図。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、温度測定動作を行う温度測定手段と、 温度測定手段の校正動作を行う校正手段と、手動操作に
   応じて温度測定手段もしくは校正手段のいずれかを選択
   的に動作させる選択手段と、校正手段によって得られた
   校正データを記憶する記憶手段とを有し、 温度測定手段は記憶手段に記憶された校正データに基づ
   いて校正されて温度測定動作を実行することを特徴とす
   る放射温度計。 ２、温度測定手段と校正手段とは、温度測定用のプログ
   ラムと校正用のプログラムとが選択的に実行可能である
   単一の演算制御部からなるとともに、記憶手段はこの演
   算制御部の一部であるメモリからなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の放射温度計。