JPS63318128A - 半導体単結晶インゴツトの角度調整法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （７）技術分野 この発明は、半導体単結晶インゴットを、特定の結晶方
位に切断する際、結晶方位を正しく定める方法と装置に
関する。

半導体単結晶というのはＧａＡｓ　、　　ＩｎＰ　、　
Ｓｉなどの半導体のことである。チョクラルスキー法で
作られるものもあるが、水平ブリッジマン法で作られる
ものもある。

Ｓｉはチョクラルスキー法（ＣＺ）で引上げる事が多い
。（１００）方向、　＜１１１＞方向に引上げる。

円柱形のインゴットが得られる。

ＧａＰ％ＧａＡｓもチョクラルスキー（引上げ）法で成
長させる事がある。液体カプセルＢ２Ｏ３を使って液面
に高圧を掛けるので液体封止チョクラルスキー法（ＬＥ
Ｃ）という。

チョクラルスキー法でやはり＜１００＞方向、＜１１１
＞方向の単結晶インゴットを得ることができる。

インゴットを薄くスライスしたものをウェハーという。

これの面方位は（１００）、（１１１）などであるが、
（１００）ウェハーが特に多い。

ＣＺ法、ＬＥＣ法で成長したインゴットは円形断面を呈
している。（ｉｏｏ）ウェハーを得たい場合は、゛〈１
００〉方向に成長させたインゴットを成長方向と直角に
スライスすればよい。

ＧａＡｓ単結晶など■−Ｖ族の場合、水平ブリッジマン
法（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ　Ｂｒｉｄｇｍａｎ）もよく
利用される。これは半円筒状のポートの中へ原料を入れ
、石英管に封入し、温度分布のある炉の中を水平に移動
させて、ボート内の原料を徐々に固化させる方法である
。熱応力が発生しにくい方法である。このため転位の少
い、品質のよい単結晶が得られる。

ところが、水平ブリッジマン法は、任意の方向に成長す
る、というわけにいかない。（１１１）方向にしか成長
できない。しかも、成長したインゴットは、円柱断面で
ない。半円柱断面である。

そこで（１００）ウェハーを得たいという場合、インゴ
ットの長手方向に直角に切ってはならない。インゴット
の長手方向と５４．７°の角度をなす方向に切る事にな
る。

５４．７°といっても、どの方向であってもよいという
事ではない。（１００）と等価な面は８方向にしかない
。材料の損失を少なくするため、実際には、このうちひ
とつの方向だけが有効である。

この方向はおおざっばにいえば、切断面とインゴットの
自由表面（半円柱断面の弦にあたる部分）の交線が、長
手方向と直交する方向である。

このような方向に切断できるためには、成長方向から、
斜上５４．７°又は斜下５４．７°の方向に［：１００
］方向が存在するように、成長させなければならない。

つまり成長方向のまわりの方位も規定されていなければ
ならないのである。

一例を述べる。成長方向を（１１１）とし、この方向を
含む鉛直面内に於て、〈１１１〉と５４．７°をなす方
向に（１００）が斜下向きにある。すると＜００１＞、
＜０１０＞が斜上向きに前記鉛直面に対して対称に位置
する。第４図に示す。

すると、結晶の自由表面にたてた法線の方向が（２１１
）という事になる。

これは理想的な場合の一例である。

このように、ＨＢ法で成長させた単結晶インゴットには
困難な問題がある。

この発明はＣＺ法、ＬＥＣ法で作った単結晶にも、もち
ろん適用できる。しかし、ＨＢ法のインゴットが困難な
問題を含んでいるので、以後、主にＨＢ法で作ったイン
ゴットについて説明する。

（イ）従来技術 成長方向が（１１１）方向である、といっても、この方
向からのズレがある。また、成長方向のまわりの回転も
ある。前記の例でいえば、自由表面が常に（百ｏ）面で
あるというわけにはゆかない。

そこで、結晶方位を決めるには、次のようにする。

インゴットを支持して、内周刃スライサーで厚さ０．３
〜１．０ｍｍのウェハーに切断する装置をスライサーと
いう事もある。

スライサーには、インゴットを支持するマウンティング
ブロックがある。マウンティングブロックにインゴット
を、スペーサを介して取付ける。

スペーサはカーボン、石こうなどの単純な円板である。

インゴットはスペーサに、エポキシ系の接着剤で固定さ
れる。マウンティングブロックは、鉛直軸のまわりに回
転できるし、水平軸のまわ９に回転できる。

しかし、鉛直軸のまわりの回転範囲が限られている。こ
れが問題である。

第５図は従来のスライサー装置の略構成図である。これ
は、運動の自由度を説明するための図に過ぎない。実際
のスライサーの形状に対応しているわけではない。

マウンティングブロック１０は、その後端が水平軸１１
により、回転基台１２に枢結されている。回転基台１２
は鉛直軸１３によって固定基台１４に結合されている。

マウンティングブロック１０は、水平軸１１のまわりを
回転できる。ただし、下方にしか回転できない。水平線
ｌと、マウンティングブロック１０の軸線りとのなす角
をＹとする。Ｙは０−６０’の範囲で任意に設定できる
。

ここでは図示を略しているが、傾角Ｙを任意に設定する
装置がある。これは円弧溝と、ボルトにより簡単に構成
できる。

傾角Ｙの範囲がＯ〜６０°と広いのは、ＨＢ法によるイ
ンゴットもスライスできるためである。

（１１１）方向に成長させたＨＢ法インゴットから（１
００）ウェハーを切出すには、５４．７°の傾角を必要
とするからである。

回転基台１２は鉛直軸１３のまわりを回る事ができる。

水平方向の回転である。この回転をＸ回転といい、回転
角をＸで表わす。これが慣習である。

水平回転の中心はＯｏで、前後に±に回転できる。−Ｘ
ｍ〜＋ｘｍである。最大回転角駈が大きければ、どのよ
うなインゴットに対しても任意の方向を与えうる。

しかし、Ｘｍを大きくするのは機構的に難しい。

そこで、従来Ｘｍは７°程度の狭い角になっている。水
平回転の範囲が１４°である。鉛直方向の傾角範囲が６
０°に比べて狭い。

Ｘｍが小さいのは、機構上の問題もあるが、水平方向の
調整は、鉛直方向はど大きく必要とされないという事が
ある。

インゴット１の端を切ってスペーサに固着する。この際
、切断面を適切に選び、マウンティングブロック軸線り
のまわりの回転角を適切に選ぶ。もしも、これらの選択
が適切であれば、水平方向の角度調整が殆んど不要であ
る。このためｘｍが小さい。

とはいうものの、Ｘ線回折で調べる前のインゴットであ
るから結晶方位の詳細が分らない。

インゴット端部の切断が適切であるとは限らない。スペ
ーサに固着する時、軸線りのまわりの回転も適切である
とは限らない。

それゆえ、従来のスライサー装置のように、水平回転角
範囲が、±７°というのは、狭すぎることがある。

スライサー装置は、インゴットを支持するインゴット支
持機構の他に、内周刃ブレードを回転する機構がある。

内周刃ブレードのブレード面Σは一定している。これを
切断面Σという事にする。ブレード面は、Ｙ＝＝０．　
Ｘ、＝Ｑの時に、マウンティングブロック軸線りと直交
する面である。

Ｙ−０、ｘｍ０の時の軸線りの方向を基準水平線ｌとい
う。

切断面Σと基準水平線ｌは直角である。この関係は不変
である。

インゴットの先端を内周刃ブレードの内周に入れて、ブ
レードを切断面Σで平行移動し、インゴットから、薄片
を切り取る。これがアズカットウェハーである。

ついで、インゴット支持機構の全体を一定距離送って、
再び内周刃ブレードでインゴット先端を切断する。

スライシングの準備段階として、インゴットの方位を決
定しなければならない。（１００）ウェハーが必要であ
れば、切断面Σと（１００）面とが平行になるように、
水平回転角Ｘ１傾角Ｙを調整する。第６図にこれを示す
。

インゴット１をスペーサ２に固着し、おおざっばに角度
調整する。たとえばＸ＝０、Ｙ＝Ｙ。

とする。ＨＢ法によるインゴットの場合Ｙ０は５５゜程
度である。この場合も、イ、ンゴットの（１００”ｌ方
向が、鉛直面Ｙに含まれ、Ｙ’＋５４．７°程度の角度
にあるように固定する必要がある。ここで鉛直面Ｙとい
うのは、傾角Ｙの方向にインゴットを上下動させる時に
、インゴット軸線ｈ（マウンテイングブ胃ツク軸線でも
ある）が含まれる鉛直面である。Ｙが正という事は斜下
方を向いているという事である。

Ｘ＝０、Ｙ　＝　Ｙｏに於て、内周刃ブレードで、イン
ゴットを１枚分だけスライスする。これは方位決定のた
めのウェハーである。

このウェハーを襞間にそって割る。璧開面（０１１）、
（０１１）が現われる。

第７図、第８図に示す。ウェハー面が、もしも（１００
）であれば、この面と璧開面に立てた法線（０１１）と
は平行である。ところが、ウェハーの面は（１００）か
らずれているので、そうはならない。（０１１）方向と
ウェハー面のなす角をＡとする。

同様に璧開面（０１１）に立てた法線とウェハー面との
なす角をＢとする。ウェハー面６ｚ（ｉｏｏ）であれば
、Ａ％Ｂともに０であるが、そうでないから、Ａ、Ｂが
０でない。

そうすると、水平角度、傾角を調整して、Ａ。

Ｂが０になるようにすればよい。水平角度、傾角の調整
角をΔＸ１ΔＹとする。これと、Ａ、　Ｂの関係を求め
る。

第３図に示すように、方位決定ウェハーを切りとったイ
ンゴットの面に原点０を有し、この面ΣがＸＹ面になり
、Ｘが鉛直下方を向く座標系を考える。

インゴット軸線りは、ＸＺ平面内にあり、Ｘ軸となす角
がＹ。である。

（１００）方向はＸ軸方向に近い。しかし、同一でない
。Ｘ軸のまわりにΔＸだけ異なり、Ｙ軸のまわりにΔＹ
だけ異なるとする。

＜Ｏａｔ＞方向はＹ軸方向に近い。しかし一致しない。

Σ面すなわちＸＹ面に＜ｏＴｌ＞を投影したものをＯＲ
とする。ＯＲと（０１１）のなす角がＢである。ＯＲと
ＯＹのなす角をθとする。

＜ｏｎ＞方向はＸ軸方向に近い。しかし一致しない。＜
ｏＴ’Ｔ＞をｘＹ平面に投影したものをＯＱとする。Ｏ
Ｑと＜ｏｎ＞のなす角がＡである。ＯＱとＯｘのなす角
はθである。

ΔＹは主に＜ｏＴＴ＞のＸ軸からのずれＡによって生ず
る。これがｃｏｓθの重みで、ΔＹに寄与する。

＜ＯＴＩ＞のＹ軸からのズレＢも、ΔＹに含まれる。正
射影ＯＲがＹ軸とθをなす分だけΔＹに影響するからで
ある。

Ｂが正であると、ΔＹを負にする方向に影響する。

結局 ΔＹ　”’　ＡＣＯ３θ−Ｂｓｉｎθ　　　　　　　　
（１）という事になる。これは傾角である。水平回転角
も同様であるが、インゴットがＹ。たけ傾いているので
１　／ｃｏｓＹＯという係数が入る。

ΔＸ　＝　（Ｂｃｏｓθ＋Ａｓ１ｎθ）　／　ｃｏｓ　
Ｙｏ　　　　　（２）である。これが（１００）方向と
Ｘ軸方向のずれの角度である。そうすると、Ｘ軸まわり
に、−ΔＸ１Ｙ軸のまわりに−ΔＹだけインゴット方位
を微調整すれば、Ｚ軸と（１００）方向とを一致させる
事ができる。つまり、〈１００〉方向と切断面Σを直交
させる事ができる。この状態で２枚目以後のウェハーを
内周刃ブレードで切断すればよい。

切断面Σが（ｉｏｏ）面であるウェハーを得ることがで
きる。

（つ）従来技術の問題点 ところが、そのように単純にゆかない場合がある。Ｘ方
向の回転角範囲が限られているからである。

たとえば、試験用のウェハーを切り出して、角度を測定
し、 ９＝５°　Ａ＝２°　θ＝３°　ＹＯ＝５５゜であった
とする。これを（２）式に代入すると、ΔＸ＝８．９°
　　　　　　　　　　　（３）となる。Ｘの調整範囲が
±７°であるからこれは調整範囲の外にある。

つまり、従来のｘ、Ｙ方向調整機構では、調整できない
という事である。

このような場合、インゴットをスペーサから取外し、ｈ
軸のまわりにインゴットを回転して、再びスペーサに接
着していた。

このように取付は直す手間が必要であった。

煩瑣であった。

に）構　成 本発明では、このような難点を解決するため、インゴッ
トをインゴット軸（マウンティングブロック軸）線りの
まわりに回転できるようにした。

すなわち、スペーサが従来はマウンティングブロックへ
直接についていた。これをやめて、本発明では、スペー
サとマウンティングブロックが軸まわりに相対回転でき
るよう、中間に取付治具を入れる事にする。

スライサー装置は、既に一説明したように、インゴット
支持機構と、ブレード回転機構がある。

インゴット支持機構が、従来、Ｙ方向、Ｘ方向の回転の
みを許したが、本発明ではインゴット軸りのまわりの回
転も許す。

第１図は本発明のインゴットスライサー装置の概略斜視
図を示す。

インゴット１は、スペーサ２に接着されている。スペー
サ２は、第１取付治具３に固着されている。

第２取付治具４がマウンティングブロック１０に取付け
られている。

第１取付治具３は、第２取付治具４に対して軸方向回転
が可能なように組合わされる。

すなわち、取付治具３．４は止めねじ５によって固定さ
れるが、止めねじ５を緩めると、取外す事ができる。

第２図は取付治具の部分の分解斜視図を示している。

第１取付治具３の後端は円錐凸部６になり最端部が頭部
７となっている。

これに対応して、第２取付治具４の前部には、円錐四部
８が形成されている。またねじ穴９が半径方向に穿設さ
れている。

第１取付治具３の円錐凸部６、頭部７を、第２取付治具
４の円錐凹部８に嵌込む。止めねじ５をねじ穴９へ螺入
する。止めねじ５で頭部７を押える。こうして第１、第
２取付治具３．４が互に固定される。

反対に、止めねじ５を緩めると、第２取付治具４に対し
て、第１取付治具３を、軸線りのまわりに回転すること
ができる。

その他の点は、従来のものと同じである。

マウンティングブロック１０は、水平軸１１のまわりに
鉛直方向に回転できる。回転角Ｙは、例えば０〜６０°
である。

回転基台１２は、鉛直軸１３のまわりに水平方向に回転
できる。回転角Ｘは−Ｘｍ〜＋Ｘｍ　であるが、Ｘｍは
７°程度である。

Ｘｍ０．　Ｙ　＝０の時のマウンティングブロックイン
ゴット軸線りを基準水平線ｌとする。基準水平線ｌに直
角になるよう内周刃ブレードの切断面Σが設定される。

（３）作　用 インゴット軸線りのまわりに、インゴットを回転させる
事ができる。このため、Ｘ方向、Ｙ方向の角度調整の他
にＨ方向の角度調整が可能だという事になる。

第３図の配置から明らかであるが、＜１００＞のＺ軸か
らのずれの角度Δｘ１ΔＹと、Ｈ方向の回転には相関が
ある。ｈ軸がｘＺ面にある限り、Ｈ方向の微小回転ΔＨ
は、ＪＹには二次の効果しかない。しかし、ΔＨはＪＸ
に対して ｓｉｎ　ＹＯΔＨ＝−ΔＸ’　　　　　　　　　　　（
４）の効果がある。第３図から、これは明らかである。

すなわちＪＸの範囲が不足する時は、ΔＨによって、必
要な回転を得る事ができる。

例えば、ＪＸの調整可能範囲が７°であって、必要なＪ
Ｘが８°であるとする。１°不足する。不足の１°の分
をΔＨの回転で補うことができる。つまりｈ軸のまわり
に１　／　ｓｉｎ　Ｙｏ度だけ回転すればよいのである
。

単に不足分を補うというのではない。逆の考え方もあり
うる。

ΔＨの回転によって、ウェハー面（１００）をＺ軸に直
角な方向に近づけ、不足のΔｘ１ΔＹをΔｘ１ΔＹの再
度の調整で修正する、という事である。

より進んで、ＪＸの調整を省き、ΔＨとＪＹの調整だけ
にする事もできる。

（イ）実施例 水平ブリッジマン法により（１１１）方向にＧａＡｓ単
結晶を成長させた。このインゴットを本発明のスライサ
ーに取付けた。取付治具３．４を介して取付けている。

ｈ軸のまわりの回転が可能である。。

このインゴットを水平回転角Ｘ＝Ｑ°、傾角Ｙ＝５５°
という角度に設定した。これは（１１１）から（１００
）ウェハーを取るためには５４．７°で切断しなければ
ならないことからきている。これを内周刃ブレードによ
り切断した。切断面Σに平行な面を持つ試験用ウェハー
が得られた。

これを襞間しく１００）と直角な法線を持つ（ｏＴｌ）
（ｏＴＴ）面を出した。ウェハー面Σと、これらの面の
法線のなす角Ｂ％Ａを測定した。また＜Ｏａｌ＞方向の
Ｙ軸からのずれ角θも測定した。この結果 ９＝５°　　Ａ＝２°　　θ＝３°　　　　　　（５）
であった。これらのズレを打消すためのＪＸ。

ＪＹの角度を（１）、（２）から計算すると、ＪＸ　＝
　８．８°　　　　　　　　　　　（６）ＪＹ　＝　　
１．７３°　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（
力となる。ＪＸの設定可能な範囲が７°であるので、こ
の調整ができない。

そこで、本発明の方法にもとづいて、第１、第２取付治
具３．４の止めねじ５を緩め、インゴット１をｈ軸のま
わりに回転した。止めねじ５を再び締めた。Ｘ方向、Ｙ
方向の調整を行わすＨ方向だけにした。そして、再び、
試験用のウェハーを切取った。２回目のウェハーも襞間
させて、ずれ角を測定した。この結果 Ｂ＝２°　Ａ＝２°　θ＝１°　　　　（８）であった
。

ＪＸ　＝　３，６°　　　ＪＹ　＝　１．９６°　　　
（９）と計算される。３．６°であれば７°以下であり
、調整できる。そこで、このような回転を行い、ウェハ
ーをみたび切断した。その結果（１００）方位のウェハ
ーが得られた。

これは、Ｈ方向、Ｘ、Ｙ方向の調整を行なっている。２
度の調整である。ｈ軸まりりの角度ΔＨ＝　３．６°で
ある。

さらに、より簡単に、（５）の値が分った時にΔＨ＝　
６．０８°の回転を行なうと、Ｂ　＝　０．０１７１°
　Ａ＝２°　θ＝−０，４８９°　　ＱＯ）となる。す
るとΔ）（＝０となり、Δｙ＝２°　となる。従って、
１枚目の試験用ウェハーから（５）の値が分った後、Δ
Ｈ＝６．０８°、Δｙ＝２°の回転を行えば、ただちに
（１００）ウェハーを切り出すことができる。

このような事はｈ軸まわりの回転ΔＨが％Ｂ％θに及ぼ
す作用を考えればすぐに分ることである。第３図を見て
明らかなように、 ΔＢ’　＝　−ｓｉ口Ｙ。　ΔＨ旧） Δ０　’　＝　−ｃｏｓ　ＹｏΔＨ（１のである。ＪＸ
をＯにするには、 Ｂｏ＋ΔＢ’　−１−Ａ（θ。＋Δθ’　）　ｉ＝　Ｏ
（１３）であればよい。Ｂｏは１枚目の試験ウニ／％−
のＢである。Ａもそうであるが、Ａは不変であるのでサ
フィックス″０″を省いた。

Ｑｌ）〜（１３１より となる。Ｂ０＝５°、Ａ＝２°、θｏ＝３°、Ｙｏ　＝
５５゜であるので、ΔＨ＝　６．０８３となる。

（１）効　果 半導体インゴットを、スライサーのマウンティングブロ
ックに取付けて内周刃ブレードでウェハーにスライスす
る際に、角度調整が容易シｚなる。

水平方向の回転角Ｘの範囲が狭く限定されている時であ
っても、取付治具の間で相対回転させ、インゴットを軸
まわりに回転させるだけて所望の方位のウェハーを切り
出す事ができる。

いったん、インゴットをスペーサから取り列し、再び接
着する、というような手数が不要である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体インゴットスライサー装置の略
構成図。 第２図はインゴットと第１、第２取付治具の部分のみの
分解斜視図。 第３図はインゴット軸りのまわりの回転ΔＨが、Δｘ１
　ΔＢ１　Δθに及ぼす作用を示す説明図。 第４図はＨＢ法で（Ｈｌ）方向へ成長させたインゴット
の方位の理想的な例を説明する図。 第５図は従来例のインゴットスライサー装置の略構成図
。 第６図は（１１１）方向へ成長させたＨＢ法のＧａＡｓ
インゴットを５５°傾けてウェハーを切り出す場合の説
明図。 第７図は切り出したウェハーの襞間面の法線（０１１）
とウェハー面との傾き角Ａの定義を示す図。 第８図は切り出したウェハーの臂開面の法線＜Ｏａｔ＞
とウェハー面の傾き角Ｂの定義を示す図。 １・・・・・・・・・インゴット ２・・・・・・・・・スペーサ ３・・・・・・・・・第１取付治具 ４・・・・・・・・・第２取付治具 ５・・・・・・・・・止めねじ ６・・・・・・・・・円錐凸部 ７・・・・・・・・・頭部 ８・・・・・・・・・円錐凹部 ９・・・・・・・・・ねじ穴 １０・・・・・・・・・マウンティングブロック１１・
・・・・・・・・水平軸 １２・・・・・・・・・回転基台 １３・・・・・・・・・鉛直軸 １４・・・・・・・・・固定基台 ｌ・・・・・・・・・基準水平線 Σ・・・・・・・・・切断面 ｈ　・・・・・・・・・インゴットマウンティングブロ
ック軸線Ｘ・・・・・・・・・水平回転角 Ｙ・・・・・・・・・傾角 Ｈ・・・・・・・・・ｈ軸まわりの回転角０・・・・・
・・・・座標の原点 ○Ｘ・・・・・・・・・水平回転の中心線ＯＹ・・・・
・・・・・傾角の中心線 ＯＺ・・・・・・・・・４に平行でΣに垂直な半直線Ｏ
Ｒ・・・・・・・・・（０１１）の２面への投影ＯＱ・
・・・・・・・・＜ｏｔＴ＞の２面への投影θ・・・・
・・・・・ＯＲとＯＹのなす角Ｂ・・・・・・・・・（
Ｏａｔ）とＯＲのなす角Ａ・・・・・・・・・（Ｏａｔ
）とＯＱのなす角発　明　者　　大　　　山　　佳　　
伸特許出願人　　住友電気工業株式会社 第　　　３　　　図 Ｘ 第　　　４　　　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）水平軸Ｙのまわりに回転し傾くことができ、鉛直
   軸Ｘのまわりに水平回転することができ、ある範囲の任
   意の傾角Ｙ＿０及びある範囲の任意の水平回転角Ｘ＿０
   に固定できるマウンティングブロック１０を有するイン
   ゴット支持機構と、マウンティングブロック１０に対向
   して内周刃ブレードを一定方位を有する切断面Σ内に保
   持し回転駆動させるブレード回転機構とよりなる半導体
   単結晶インゴットのスライサー装置に於て、マウンティ
   ングブロック１０に、相互に軸まわり回転可能な第２取
   付治具４、第１取付治具３を取りつけ、スペーサ２によ
   り半導体単結晶インゴットを第１取付治具３の端面に固
   定し、適当な水平回転角Ｘ＿０と傾角Ｙ＿０を設定し、
   この角度にインゴットを回転した位置で、内周刃ブレー
   ドによつてインゴットを切断し試験用ウェハーを得、劈
   開方向とウェハー面のなす角Ａ、Ｂ及び劈開方向とＹ軸
   又はＸ軸とのなす角θとを測定し、Ｂ、Ａを０にするよ
   う、インゴット軸ｈまわりの回転角Ｈ、傾角Ｙの微小回
   転角ΔＹ及び水平方向の微小回転角ΔＸを調整するか、
   或はインゴット軸ｈまわりの回転角Ｈと傾角Ｙの微小回
   転角ΔＹとを調整するかによつて、所望のウェハー面方
   位とブレード切断面Σとを平行にする事を特徴とする半
   導体単結晶インゴットの角度調整法。
2. （２）固定基台１４と、固定基台１４の上に鉛直軸１３
   を介して設けられ水平方向に回転可能であり限られた範
   囲の任意の水平回転角Ｘ＿０で固定できる回転基台１２
   と、回転基台１２の上に水平軸１１を介して設けられ上
   下方向に傾くことができ限られた範囲の任意の傾角Ｙ＿
   ０で固定できるマウンティングブロック１０と、該マウ
   ンティングブロックに固定された第２取付治具４と、第
   ２取付治具４に対して直列に連結されインゴット軸ｈの
   まわりに相対回転させる事ができ任意の回転角Ｈで固定
   できる第１取付治具３と、第１取付治具３の端面にイン
   ゴット１を固着するためのスペーサ２とよりなるインゴ
   ット支持機構と、マウンティングブロック１０に対向し
   て設けられインゴットを切断するため一定方位の切断面
   Σに保持される内周刃ブレードと、該内周刃ブレードを
   支持し回転駆動するブレード回転機構とよりなる事を特
   徴とする半導体単結晶インゴットの角度調整装置。