JPS63317A - 芳香族ポリ(チオ)エ−テルケトンの製造法 - Google Patents

芳香族ポリ(チオ)エ−テルケトンの製造法

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JPS63317A
JPS63317A JP61143439A JP14343986A JPS63317A JP S63317 A JPS63317 A JP S63317A JP 61143439 A JP61143439 A JP 61143439A JP 14343986 A JP14343986 A JP 14343986A JP S63317 A JPS63317 A JP S63317A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は結晶性熱可塑性芳香族ポリ(チオ)エーテルケ
トンに関する。
〔従来の技術〕
一般式〔■〕 ・・・・・・(1) (〔13式中、R1〜R2Gは水素原子、ハロゲン原子
、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Xは直接結合
、酸素又は硫黄原子を示し、tはθ〜−の整数を示し1
mはO〜3の整数を示し、nは0又はlである)の構造
を持つ芳香族ポリ(チオ)エーテルケトン、特に構造式
(IV)及び〔■〕 の構造を持つ芳香族ポリ←す≠4エーテルケトンは高融
点(〔■〕、Tmm、? b r℃; [V]、 Tl
111−.7.7グC)且つ高ガラス転移点([IV]
、Tぎ=15q℃: 〔V’:l 、 Tg −/≠v
℃)を有し。
耐熱性1機誠的性質、電気的性實及び寸法安定性に優れ
、且つ吸水率が低く、′$lJ埋的に非常に優れたポリ
マーである事が知られている。又、濃硫酸以外の溶剤に
は不溶であり、耐薬品性も非常に優れたポリマーである
一方その反面、これらのポリマーの製造方法としては、
り、ψ′−ジフルオロベンゾフェノンとu、z’−ジヒ
ドロキシベンゾフェノン又はジヒドロキノンのアルカリ
金属塩をジフェニルスルホン中で反応1させる方法が知
られているが、反応温度を300℃以上にする必要があ
る@(やり(41−ジフルオロベンゾフェノンが高価な
事等、その製造方法には欠点が多い。
本発明者等は上記の点を鑑み、鋭意検討を行ない下式〔
■〕にみられるポリ(チオ)エーテルケトンを芳香族エ
ーテルまたはチオエーテルと一゛−−− 芳香族カルボン酸シバライドとの反応により合成出来る
こと チルケトン〔■〕 HHH を芳香族(チオ)エーテルとホスゲンとの反応により、
ルイス酸存在下、非プロトン性有機溶媒中で室温付近の
温和な条件下で、しかも、著しく安価に製造する方法を
見出した。
しかしこのような方法で製造した芳香族ポリ(チオ)エ
ーテルケトンの触媒を失活させ、さらに除去するために
洗滌を行なった後乾燥したポリマーを溶融加熱すると、
ゲル化してしまうような熱的に不安定な欠点を有してい
た。
〔発明の目的〕
本発明者等は上記の点を改良すべく、さらに鋭意検討を
重ねた結果、重合後の後処理工程においてギ酸とアルカ
リ性化合物の混合物の存在下で処理することによシ、熱
安定性が著しく改良されることを見出し本発明に到った
すなわち1本発明の要旨は一般式(11%式%[1) (〔■〕式中 R1−12Gは水素原子、ハロゲン原子
、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Xは直接結合
、酸素、又は硫黄原子を示し、tはO−一の整数を示し
、mはθ〜3の整数を示し。
nは0又はlである。) の芳香族ポリ(チオ)エーテルケトンを製造するに際し
重合後の後処理工程においてギ酸とアルカリ性化合物の
混合物の存在下で処理することKよる重合物の熱安定性
の改良に存する。
〔発明の構成〕
本発明の詳細な説明するに、この様な芳香族ポリ(チオ
)エーテルケトンの重合は、一般式(〔13式中 R1
〜RI2は水素原子、ノ・ロゲン原子、炭化水素基、又
はアルコキシ基を示し、Xは直接結合、酸素原子又は硫
黄原子を示し、tはO−一の整数である。) で表わされる芳香族(チオ)エーテルと、一般式(I]
) (〔03式中、RIM〜Rooは水素原子、ノ・ロゲン
原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Xは直接
結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、Yはハロゲン原子
を示し1mは0− jの整数である。) で表わされる芳香族ジカルボン酸ジノ・ライドまたはホ
スゲンとを、ルイス酸の存在下、非プロトン性有機溶媒
中で重合反応させた後の後処理工程においてギ酸とアル
カリ性化合物の混合物を用いて還元処理をすることによ
り達成される。
上述したギ酸中でのアルカリ処理はギ酸をポリマー中に
含まれるエーテル結合単位1モルに対して1モル多以上
、好ましくは10モル多以上使用し、特に溶媒として使
用するような大過剰のギ酸の存在下で反応させることが
好ましい。
この場合ギ酸の他に他の溶媒を共存させておいても勿論
かまわない。
また使用するアルカリ性化合物としてはアルカリ金属、
アルカリ土類金属、それらの水酸化物、酸化物および重
炭酸塩、炭酸塩、リン酸塩のような弱酸塩、等一般に水
溶液中でアルカリ性を示す化合物の場合はいずれも使用
出来る。
具体的な例としてはカリウム、ナトリウム、リチウム、
カルシウム、マグネ/ラム、ストロンチウム、バリウム
、等の金属、炭酸カリウム。
炭酸ナトリウム、炭酸マグネ/ラム、炭酸ストロンチウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグ
ネシウム、水酸化バリウム、リン酸カルシウム、リン酸
ナトリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸マグ
ネシウム、酢ffストロンチウム、等が挙げられるが。
これらに限定されるものではない。またこれらのアルカ
リ性化合物の使用量はポリマー中のエーテル結合のモル
数に対して1モル秀以上、好ましくはioモル予以上使
用される。
後飽埋の反応温度は室温以上好ましくはll00以上、
さらに好捷しくけ60℃以上で行なわれ、加圧下で反応
を行なってもよい。反応時間は反え条件により異なるが
一般に5分以上で行なわれる。
また本発明に用いられる前記一般式〔I〕で表わされる
芳香族(チオ)エーテルとしては、ジフェニルエーテル
、/、4’−ジフェノキシベンゼン、ビフェニル、ビス
(ターフエノキシフェニル)エーテル、 <z、lI’
−ビス(lI−フェノキシフェニル)ジフェニルエーテ
ル、J、3′−ジメチルフェニルエーテル、 /、弘−
ビス(3−メチルフェノキシ)ベンゼン%J、J’−ジ
メトキシフェニルエーテル、 /、4cmビス(3−メ
トキシフェノキシ)ベンゼン、/、4(−ビス(−一ク
ロロフエノキシ)ベンゼン、ジフェニルサルファイド、
≠−フェノキシジフェニルサルファイド、i、tl−ビ
ス−(フェニルメルカプト)ベンゼン、ターフェニル、
リーフエノキシビフェニル、p、p’−ジフェノキシビ
フェニルなどが挙げられるが。
一般式〔I〕で表わされるものはいずれも使用可能であ
り、必ずしもこれらに限定されるものではない。又、こ
れらの芳香族(チオ)エーテルは単独もしくは混合して
使用してもよい。
又1本発明に用いられる前記一般式〔■〕で表わされる
芳香族ジカルボン酸シバライドとしては、テレフタル酸
ジクロライド、イソフタル酸シクロライト、シフェニル
エーテルークJ′−ジカルボン酸ジクロライド、/、4
(−ビス(tI−クロロホルミルフェニル)ベンゼン、
λ15−ジメチルテレフタル酸ジクロライド、ジフェニ
ルサルファイド−41、p’−ジカルボン酸ジクロライ
ド、<z、p’−ジフェン酸ジクロライド、2.6−ナ
フタレンジカルボン酸ジクロライドなどが挙げられるが
一般式〔]〕で示されるものはいずれも使用可能であり
、必ずしもこれらに限定されるものではない。又、これ
らの芳香族ジカルボン酸シバライドは単独もしくは混合
して使用してもよい。又、これらの芳香族ジカルボン酸
シバライドはホスゲンとも混合して使用してもよい。
本発明で用いられる非プロトン性有機溶媒としては、塩
化メチレン、塩化エチレン、/、−一ジクロルエタン、
  1,1.ユ、2−テトラクロルエタン、クロロホル
ム、四基化炭1ニトロベンゼン、ニトロメタン、二硫化
炭素、エチルエーテル、ジブチルエーテル、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オルトジクロルベンゼンなどが用
いられるが必ずしもこれらに限定されるものではない。
溶媒の使用量は、用いられるジフェニルエーテルの/−
300倍量(重量比)、好ましくは5〜100倍i(重
量比)である。
本発明に用いられるルイス酸としては、無水三塩化アル
ミニウム、無水三臭化アルミニウム、無水三塩化力゛リ
ウム、三沸化硼累、エチルエーテルコンプレックス、塩
化第二スズ、塩化第一スズ、塩化第二鉄、四塩化チタン
、三塩化硼素、五塩化アンチモン、三塩化リン、五塩化
リン、五塩化テルル、五塩化ニオブ、六塩化タングステ
ンなどが挙げられるが、必ずしもこれらに眼圧 定されるものではないが周期律第を族ハロゲン化物、特
に塩化アルミニウムが好ましい。これらのルイス酸の使
用量は芳香族(チオ)エーテルに対して、モル比で0.
07〜100.好ましくは0.1−70.0である。ま
た必要ににじてLICL 等の無機塩基、アミド、アミ
ン、エーテル化合物のような有機塩基等の一般にルイス
酸とコンプレックスを作るもの(但しモノマーは除く)
を反応系に添加してもよい。
尚、重合温度は特に制限はないが−tic以上(通常i
oo℃以下)という温和な条件下で行なわれる。また加
圧下で反応を行なってもよい。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
尚、溶融加熱後の熱安定性の評価は島津製作所展高化式
フローテスターCFT−!00kを用いて、ttooc
に於て所定時間放置後押し出されたストランドの押し出
し性、押出し物の外観。
の測定等より判断した。
実施例−1 JOOmlの反応器にジフェニルエーテルt、/ 44
 ? f (0,OIIコmole ) sテレフタル
酸りロリド&、ffコ/ y−(0,OJ 、7 & 
mole)およびインフタル酸クロリドハフ 0 j 
f (0,0g *mole)を入れ、さらに予め、モ
レキュラーシープ3人で乾燥したジクロルエタンiso
mtを加えた後反応器を氷冷する。次に塩化アルミニウ
ムt tl、& & 7 y−(0,1/ mole)
を加え、攪拌下、水冷下で1時間さらに室温でv時間反
応後、メタノールl!O−を加え、触媒を失活させ、濾
過を行なう。次に1ro−のメタノールを加え、30分
間還流して洗滌しその後、5%−塩酸水溶液1so−で
30分間goc、攪拌下で一回洗滌を繰り返す。さらに
脱塩水で30分間tθ℃、攪拌下で一回洗滌を行ない、
110℃で/昼夜乾燥する。得られたポリマーの収率は
ほぼt oo%であシ、9s%H,SO4硫酸中で/ 
P/nh dtの濃度で、yocで測定したη−は0.tldl/
iであった。
次にこのポリマー3?と90%ギ酸60−炭酸ナトリウ
ムハユ21との混合物を還流下で1時間加熱する。冷却
後、ポリマーを濾過し中性になるまで水洗をくりかえす
。その後/20℃であった。
このようKして後処理を行なったポリマーについて高化
式のフローテスター(島津製作所製。
CFT−roop−)を用いてttoocで5分間熔融
加熱を行なった。後押出したストランドは黄色であり、
押出しは容易であった。さらに押出さnll /?であ、す、ηiはほとんど変化しなかった。
比較例−7 実施例−lと同様に重合し、後処理を行なわなかったサ
ンプルを実施例−7と同様に高化式フローテスターを用
い、ダQO℃でj分間熔Fl!X加熱を行なったところ
、押出し物は褐色に変色していて、押出し性も悪く、さ
らに押出されたサンプルを9t%硫酸にty−7tit
の濃度で溶解したところほとんど溶解しなかった。即ち
ポリマーがゲル化してしまったと判断される。
〔発明の効果〕
以上のように本発明てよると生成物の熱安定性が改良さ
れ、ポリマーを溶融加熱してもゲル化がおこるような不
都合がない。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
    〕 (〔 I 〕式中、R^1〜R^2は水素原子、ハロゲン
    原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Xは直接
    結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、lは0〜2の整数
    である。) で表わされる芳香族(チオ)エーテルと、一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔II〕 (〔II〕式中、R^1^3〜R^2^0は水素原子、ハ
    ロゲン原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、X
    は直接結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、Yはハロゲ
    ン原子を示し、mは0〜3の整数である。) で表わされる芳香族ジカルボン酸ジハライド、又は、ホ
    スゲンとを、ルイス酸の存在下、非プロトン性有機溶媒
    中で反応させて、一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔III
    〕 (〔III〕式中、R^1〜R^2^0は水素原子、ハロ
    ゲン原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を示し、Xは
    直接結合、酸素原子又は硫黄原子を示し、をは0〜2の
    整数を示し、mは0〜3の整数を示し、nは0又は1で
    ある。) の繰り返し単位を有する芳香族ポリ(チオ)エーテルケ
    トンを製造する方法に於て重合反応後に芳香族ポリ(チ
    オ)エーテルケトンをギ酸とアルカリ性化合物の混合物
    の存在下で後処理することを特徴とする芳香族ポリ(チ
    オ)エーテルケトンの製造法。
  2. (2)ルイス酸として固体の周期律表第1族ハロゲン化
    物を用いる特許請求の範囲第1項記載の製造法。
  3. (3)ルイス酸として、無水ハロゲン化アルミニウム又
    は無水ハロゲン化ガリウムを用いる特許請求の範囲第1
    項記載の製造法。
  4. (4)ギ酸をポリマー中のエーテル結合のモル数に対し
    て1モル%以上使用することを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の製造法。
  5. (5)アルカリ性化合物をポリマー中のエーテル結合の
    モル数に対して1モル%以上使用することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の製造法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175451A (ja) * 2003-11-20 2005-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置並びに半導体装置の作製方法
GB2449750A (en) * 2007-05-22 2008-12-03 Cytec Tech Corp Thioacetalisation of poly (aryl ether ketones)

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GB2449750B (en) * 2007-05-22 2012-02-01 Cytec Tech Corp Reversible derivatization of poly (aryl ether ketones)

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