JPS63316824A - 透明なレーザ・アドレス指定式の液晶光変調セル - Google Patents
透明なレーザ・アドレス指定式の液晶光変調セルInfo
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- JPS63316824A JPS63316824A JP63123721A JP12372188A JPS63316824A JP S63316824 A JPS63316824 A JP S63316824A JP 63123721 A JP63123721 A JP 63123721A JP 12372188 A JP12372188 A JP 12372188A JP S63316824 A JPS63316824 A JP S63316824A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一般に、像の投射用の光変調器として用いら
れる液晶デバイスに関する。より詳細には、本発明は、
引き続く投射のために、レーザ光線によって情報を１き
込むことができる液晶セルに関する。該セルは透過モー
ドにおいて作用し、従って直接セルを通して投射を行う
ことができる。
れる液晶デバイスに関する。より詳細には、本発明は、
引き続く投射のために、レーザ光線によって情報を１き
込むことができる液晶セルに関する。該セルは透過モー
ドにおいて作用し、従って直接セルを通して投射を行う
ことができる。
豆産区九
液晶物質を用いるデバイスは、過去数十年間にわたって
可成りの関心を集めている。これらの液晶デバイスの大
部分は、ネマチック型の液晶を利用している。そのよう
なデバイスは、データを記憶することができず、絶えず
アドレス指定するか又はリフレッシュしなければならな
い。しかし、所望の表示が動的なものであって、本質的
に連続的な更新を受ける場合には、このことは欠点では
ない。
可成りの関心を集めている。これらの液晶デバイスの大
部分は、ネマチック型の液晶を利用している。そのよう
なデバイスは、データを記憶することができず、絶えず
アドレス指定するか又はリフレッシュしなければならな
い。しかし、所望の表示が動的なものであって、本質的
に連続的な更新を受ける場合には、このことは欠点では
ない。
スメクチック液晶と呼ぶ他の種類の液晶物質は、像情報
を、一度だけ液晶に書き込みさえすればよいという点で
、記憶能力を有している。この書き込まれた情報は、以
後消去されるまで本質的に永久的である。
を、一度だけ液晶に書き込みさえすればよいという点で
、記憶能力を有している。この書き込まれた情報は、以
後消去されるまで本質的に永久的である。
高解像力の投射表示デバイスとして、これらのスメクチ
ック物質を利用するレーザ・アドレス指定式の液晶光変
調器が開発されている。これらのデバイスに１き込む機
構は、主として熱式である。
ック物質を利用するレーザ・アドレス指定式の液晶光変
調器が開発されている。これらのデバイスに１き込む機
構は、主として熱式である。
集光した赤外レーザ光線を用いて、スメクチック液晶物
質を加熱して等方性状態にする。次に、該液晶を冷却し
て、スメクチック状態に戻し、光散乱領域を形成する。
質を加熱して等方性状態にする。次に、該液晶を冷却し
て、スメクチック状態に戻し、光散乱領域を形成する。
この書き込まれた散乱領域は、その特定の液晶物質のス
メクチック温度範囲内では安定であり、従って書き込ま
れた情報を保存することができる。このセルは、１０ボ
ルト／センチのオーダの電界、又は加熱並びに印加電界
の複合効果によって消去することができる。
メクチック温度範囲内では安定であり、従って書き込ま
れた情報を保存することができる。このセルは、１０ボ
ルト／センチのオーダの電界、又は加熱並びに印加電界
の複合効果によって消去することができる。
セルの書き込みに続いて可視光線をセルを通して投射す
ることによって、書き込まれた任意の像を、さらに、表
示スクリーン、感光性物質等に投射することができる。
ることによって、書き込まれた任意の像を、さらに、表
示スクリーン、感光性物質等に投射することができる。
種々のそのような表示デバイスがＤｅｗｅｙ著ｒ Ｌａ
ｍｅｒ −Ａｄｄｒｅｓａｅｄ ＬｉｑＬ＆１ｄＣｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ Ｊ ０ｐｔｉｃａｌ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ 。
ｍｅｒ −Ａｄｄｒｅｓａｅｄ ＬｉｑＬ＆１ｄＣｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ Ｊ ０ｐｔｉｃａｌ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ 。
第２３巻第５号２３０−２４０頁（１９８４年５−６月
）に論じられている。
）に論じられている。
赤外ダイオードレーザと組合わせて用いるために、２つ
のタイプのレーザ・アドレス指定式の液晶光変調装置が
開発されている。両者ともＤｅｗｅｙの上記の出版物中
に論じられている。反射性デバイスとして知られている
１つのそのようなデバイスは、液晶セル中の１つの基質
上につくられた薄膜赤外線吸収体を利用している。赤外
光線をその吸収体層を横切って走査させると、その放射
線は熱に転化してセル内部に散乱領域をつくり出す。
のタイプのレーザ・アドレス指定式の液晶光変調装置が
開発されている。両者ともＤｅｗｅｙの上記の出版物中
に論じられている。反射性デバイスとして知られている
１つのそのようなデバイスは、液晶セル中の１つの基質
上につくられた薄膜赤外線吸収体を利用している。赤外
光線をその吸収体層を横切って走査させると、その放射
線は熱に転化してセル内部に散乱領域をつくり出す。
しかし、薄膜赤外線吸収体は、赤外線に対してのみなら
ず、最終の像を投射するのに用いられる可視光線に対し
ても不透過性である。従って、液晶セ化に書き込まれた
像は、可視光線をセルから反射させることによって投射
しなければならない。
ず、最終の像を投射するのに用いられる可視光線に対し
ても不透過性である。従って、液晶セ化に書き込まれた
像は、可視光線をセルから反射させることによって投射
しなければならない。
このことは、同時に、比較的複雑な反射型光学システム
の使用を必要とするものである。
の使用を必要とするものである。
もう１つのタイプのデバイスは、通常、透過性デバイス
と呼ばれている。典型的には、レーザの波長にピーク吸
収を有する赤外線吸収染料を、液晶物質中にドーピング
しである。書き込み光線をセルを横切って走査させると
、その染料はレーザ光線を吸収して、それを熱に変える
。該染料は可視波長の光線にはほとんど影響を与えない
か又は全く影響を及ぼさない。従って、このようなデバ
イスに書き込まれた像は、通常のスライド映写機の場合
に用いられるのと同様に単に投射光線をデバイスを通過
させることによって投射することができる。従って、必
要な投射システムは、反射性デバイスの場合よりも簡単
であり、かつ廉価である。しかしながら、該デバイスに
用いる赤外線吸収染料は、反復使用後漂白されることが
あるので、多くの用途には不適当である。
と呼ばれている。典型的には、レーザの波長にピーク吸
収を有する赤外線吸収染料を、液晶物質中にドーピング
しである。書き込み光線をセルを横切って走査させると
、その染料はレーザ光線を吸収して、それを熱に変える
。該染料は可視波長の光線にはほとんど影響を与えない
か又は全く影響を及ぼさない。従って、このようなデバ
イスに書き込まれた像は、通常のスライド映写機の場合
に用いられるのと同様に単に投射光線をデバイスを通過
させることによって投射することができる。従って、必
要な投射システムは、反射性デバイスの場合よりも簡単
であり、かつ廉価である。しかしながら、該デバイスに
用いる赤外線吸収染料は、反復使用後漂白されることが
あるので、多くの用途には不適当である。
従って、必要とされるものは、上記透過性デバイス及び
反射性デバイスの両者の欠点を克服した、レーザ・アド
レス指定式液晶光変調器である。詳しくは、そのような
デバイスは透過性デバイスの比較的単純な光学システム
を用いることが可能であるべきである。しかし、そのデ
バイスは性能の低下を示すことなく長期の有効寿命をも
つべきである。
反射性デバイスの両者の欠点を克服した、レーザ・アド
レス指定式液晶光変調器である。詳しくは、そのような
デバイスは透過性デバイスの比較的単純な光学システム
を用いることが可能であるべきである。しかし、そのデ
バイスは性能の低下を示すことなく長期の有効寿命をも
つべきである。
ｊＬｕと１１
前記の要望を満足させるために、本発明は、レーザ・ア
ドレス指定式液晶セルを提供する。該セルは、セルの外
表面を形成する第１及び第２の透明基質層を含んでいる
。第１及び第２の電極層が、それぞれ、透明な導電性物
質から形成される。第１電極層は第１基質層に隣接して
設けられ、第２電極層は第２基質層に隣接して設けられ
る。スメクチック液晶層がそれら電極層の間に配置され
る。
ドレス指定式液晶セルを提供する。該セルは、セルの外
表面を形成する第１及び第２の透明基質層を含んでいる
。第１及び第２の電極層が、それぞれ、透明な導電性物
質から形成される。第１電極層は第１基質層に隣接して
設けられ、第２電極層は第２基質層に隣接して設けられ
る。スメクチック液晶層がそれら電極層の間に配置され
る。
液晶層と第２電極層の間に、赤外線は吸収するが、可視
光線は通過させる手段が設けられる。
光線は通過させる手段が設けられる。
この赤外線吸収手段は三部分構造体である。この構造体
は、放射線吸収物質層、選択的に赤外線を反射し、かつ
可視光線を透過させる層、及びこの両者の間に設けられ
る誘電体物質のスペーサ層を含んでいる。
は、放射線吸収物質層、選択的に赤外線を反射し、かつ
可視光線を透過させる層、及びこの両者の間に設けられ
る誘電体物質のスペーサ層を含んでいる。
液晶セルは、第１基質層を通してレーザでアドレス指定
することができる。もしくは、該セルは、第２基質層を
通してレーザでアドレス指定することができる。
することができる。もしくは、該セルは、第２基質層を
通してレーザでアドレス指定することができる。
放射線吸収物質層は、金属物質から形成することができ
る。この放射線吸収物質層は、ニッケルから形成するの
が好適である。スペーサ層は二酸化ケイ素であることが
できる。
る。この放射線吸収物質層は、ニッケルから形成するの
が好適である。スペーサ層は二酸化ケイ素であることが
できる。
上記の選択反射層は、複数の、第１誘電体物質及び第２
誘電体物質の交互層よシなり、第１物質は第２物質に対
して比較的高い屈折率を有している。交互層の総数は偶
数で、各交互層は、赤外線の波長の１７４ の光学的厚
さを有している。第１物質が二酸化チタンで、かつ第２
物質が二酸化ケイ素であるのが好適である。
誘電体物質の交互層よシなり、第１物質は第２物質に対
して比較的高い屈折率を有している。交互層の総数は偶
数で、各交互層は、赤外線の波長の１７４ の光学的厚
さを有している。第１物質が二酸化チタンで、かつ第２
物質が二酸化ケイ素であるのが好適である。
実施例
本発明は、セル上にデータを記録するために、赤外レー
ザ光線によってアドレス指定される液晶光変調セルを提
供するものである。この記録に引き続いて、可視光線を
透過モードにあるセルを通過させて、適当な表示装置又
は感光性媒体上に像を投射する。
ザ光線によってアドレス指定される液晶光変調セルを提
供するものである。この記録に引き続いて、可視光線を
透過モードにあるセルを通過させて、適当な表示装置又
は感光性媒体上に像を投射する。
セルをアドレス指定するのに用いられる赤外レーザは、
８３０ ｎｍ の波長を有するビームを生じるダイオ
ードレーザが好適である。適当な走査手段によってビー
ムをセル全体を横切って走査させて、セル上にイメージ
・データを書き込む。セルをレーザによってアドレス指
定する特定の手段、及び投射光線をセルを通して指向す
る特定の手段は、ここに述べる発明にとっては重要では
ない。
８３０ ｎｍ の波長を有するビームを生じるダイオ
ードレーザが好適である。適当な走査手段によってビー
ムをセル全体を横切って走査させて、セル上にイメージ
・データを書き込む。セルをレーザによってアドレス指
定する特定の手段、及び投射光線をセルを通して指向す
る特定の手段は、ここに述べる発明にとっては重要では
ない。
しかし、これら手段の一例は米国特許４５６４８５３を
見れば知ることができる。
見れば知ることができる。
さて、第１図を参照すると、本発明によってつくられた
液晶光変調セルの断面図が示されている。
液晶光変調セルの断面図が示されている。
セル１０は液晶層１２を含んでいる。任意の適当なスメ
クチックＡ型の液晶物質を用いることができ、好適な１
例はＣＢＯＡである。
クチックＡ型の液晶物質を用いることができ、好適な１
例はＣＢＯＡである。
セル１０は１対の透明な基質層１４及び１６によって支
持されている。これらの層はガラスからつくられるのが
好ましい。基質層１４と液晶物質１２の間には、透明な
導電性物質の層１８が配置されている。もう１つのその
ような物質の層２０が基質層１６に隣接して設けられて
いる。これらの透明な導電層は、インジウム−スズ酸化
物から形成されるのが望ましい。層１８と層２０は共に
、液晶セルを消去するのに用いるための導体として働く
。従って、層１８と層２０の間に電界を生しさせて、液
晶を完全無散乱状態に再整列することができる。
持されている。これらの層はガラスからつくられるのが
好ましい。基質層１４と液晶物質１２の間には、透明な
導電性物質の層１８が配置されている。もう１つのその
ような物質の層２０が基質層１６に隣接して設けられて
いる。これらの透明な導電層は、インジウム−スズ酸化
物から形成されるのが望ましい。層１８と層２０は共に
、液晶セルを消去するのに用いるための導体として働く
。従って、層１８と層２０の間に電界を生しさせて、液
晶を完全無散乱状態に再整列することができる。
レーザダイオードのような適当な源（図示せず）からの
赤外レーザ光線は、一般に、第１図の矢印２２によって
示す方向からセルに向けられる。投射光線は、何れの方
向からでもセルに向けることができる。
赤外レーザ光線は、一般に、第１図の矢印２２によって
示す方向からセルに向けられる。投射光線は、何れの方
向からでもセルに向けることができる。
液晶物質１２と導体層２０との間に、可視（光線）透過
性の赤外線吸収体２４が配置されている。
性の赤外線吸収体２４が配置されている。
この吸収体はレーザダイオードの波長で強い吸収を示し
、好適な実施例に従ってつくられた場合には、８３０
ｎｍ において９０％を超える吸収を達成することが
できる。また、この吸収体は可視スペクトルにおいて高
透過性をも与える。好適な実施例によってつくられた場
合、セルは可視範囲にわたシ約４０乃至５０壬の透過率
を達成することができる。
、好適な実施例に従ってつくられた場合には、８３０
ｎｍ において９０％を超える吸収を達成することが
できる。また、この吸収体は可視スペクトルにおいて高
透過性をも与える。好適な実施例によってつくられた場
合、セルは可視範囲にわたシ約４０乃至５０壬の透過率
を達成することができる。
レーザ光線を吸収すると、吸収体２４の中に熱が発生す
る。次に、この熱は、層１２の内部の液晶物質に作用し
て、記録すべき像情報に対応する散乱領域をつくり出す
。
る。次に、この熱は、層１２の内部の液晶物質に作用し
て、記録すべき像情報に対応する散乱領域をつくり出す
。
この透明な赤外線吸収体は、誘電体薄膜及び金属薄膜の
三層堆積よシなっている。第１図に示すように、吸収体
は誘電体レーザ・ミラー２６、吸収層２８、及び両者の
間に配置されたスペーサ層３０を含んでいる。これらの
６層は共に、適当に調節される場合に、入射レーザ光に
対して著しく吸収性になることができる干渉キャビティ
を形成する。
三層堆積よシなっている。第１図に示すように、吸収体
は誘電体レーザ・ミラー２６、吸収層２８、及び両者の
間に配置されたスペーサ層３０を含んでいる。これらの
６層は共に、適当に調節される場合に、入射レーザ光に
対して著しく吸収性になることができる干渉キャビティ
を形成する。
三層の赤外線吸収体２４の中で、吸収層２８はスペーサ
５０と協同して、入射赤外線を受は入れる。吸収層２８
と液晶物質１２との界面で、若干の光線を反射すること
がある。残余の光線は吸収層２８を通過して、スペーサ
層３０に入る。この光線はさらにレーザ嗜ミラー２６で
反射し、その後吸収層／液晶界面に戻って、この界面で
反射される光と干渉する。スペーサ層３０の光学的厚さ
を調節することによって、反射光の正味の量を最小にす
ることができる。このようにして、入射赤外線の９０壬
以上を吸収することができる。
５０と協同して、入射赤外線を受は入れる。吸収層２８
と液晶物質１２との界面で、若干の光線を反射すること
がある。残余の光線は吸収層２８を通過して、スペーサ
層３０に入る。この光線はさらにレーザ嗜ミラー２６で
反射し、その後吸収層／液晶界面に戻って、この界面で
反射される光と干渉する。スペーサ層３０の光学的厚さ
を調節することによって、反射光の正味の量を最小にす
ることができる。このようにして、入射赤外線の９０壬
以上を吸収することができる。
吸収層は非常に薄い金属層から形成するのが好適である
。この層の薄さは、単一パスの光学的透過率を高くする
ために必要である。これは、投射ビームをセルを通過さ
せようとする場合に必要である。この層の好適な厚さは
５乃至１０ ｎｍの範囲にあり、最も望ましくは７．５
層ｍである。１つの好適な実施例においては、吸収層は
ニッケルから形成されるが、クロム又はマンガンを含む
多くの他の適当な金属を用いることができる。
。この層の薄さは、単一パスの光学的透過率を高くする
ために必要である。これは、投射ビームをセルを通過さ
せようとする場合に必要である。この層の好適な厚さは
５乃至１０ ｎｍの範囲にあり、最も望ましくは７．５
層ｍである。１つの好適な実施例においては、吸収層は
ニッケルから形成されるが、クロム又はマンガンを含む
多くの他の適当な金属を用いることができる。
スペーサ層３０は透明な誘電体層である。さきに言及し
たように、この層の厚さは赤外レーザ光線の反射を最小
に、すなわち、吸収を最大にするように選ばれる。この
層の好適な厚さは１８０乃至２２０ｎｍ の範囲にあシ
、最も望ましくは２００ｎｍである。１つの好適な実施
例においては、この層は二酸化ケイ素から形成すること
ができ、またフッ化マグネシウムも使用することができ
る。
たように、この層の厚さは赤外レーザ光線の反射を最小
に、すなわち、吸収を最大にするように選ばれる。この
層の好適な厚さは１８０乃至２２０ｎｍ の範囲にあシ
、最も望ましくは２００ｎｍである。１つの好適な実施
例においては、この層は二酸化ケイ素から形成すること
ができ、またフッ化マグネシウムも使用することができ
る。
三層吸収構造体に関する更に詳細は、Ｂｅ１ｌ 及びＳ
Ｐｏｎｇ共著の「Ａｎｔｉ −ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＳ
ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃ
ｏｒｄｉｎｇ Ｊｌ、 Ｅ、 Ｅ、 Ｅ、 Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
。
Ｐｏｎｇ共著の「Ａｎｔｉ −ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＳ
ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｆｏｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃ
ｏｒｄｉｎｇ Ｊｌ、 Ｅ、 Ｅ、 Ｅ、 Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
。
ＱＥ −１４（７）、４８７−４９５頁（１９７８年７
月）を見れば知ることができる。ここに記載されたデバ
イスにおいては、反射層は、スペーサ層／反射層界面に
おいて赤外線を完全に反射させる透明な、典型的には金
属層である。いうまでもなく、このような方法は、透過
型液晶光変調器においては、そのような層が完成像を投
射するのに必要な可視光線の通過を妨げるので、使用す
ることができない。
月）を見れば知ることができる。ここに記載されたデバ
イスにおいては、反射層は、スペーサ層／反射層界面に
おいて赤外線を完全に反射させる透明な、典型的には金
属層である。いうまでもなく、このような方法は、透過
型液晶光変調器においては、そのような層が完成像を投
射するのに必要な可視光線の通過を妨げるので、使用す
ることができない。
本発明においては、レーザ・ミラー２６は誘電体層の堆
積を有する多層構造として形成されている。このような
ミラーは、赤外線に対して９５乃至？？憾の高い反射率
を与えるが、可視光線に対しては本質的に透過性である
。該ミラーのそれら層は、２つの異なる物質から形成さ
れ、交互状態で堆積される。好適な実施例においては、
高屈折率を有する物質から堆積中の奇数番目の層が形成
される。１つの例においては、これらの層の適当な物質
はＸＯ，であり、ただしＸはＴｉ、Ｈｆ、又はＺｒを含
む群から選ばれ、Ｔｉが好適である。
積を有する多層構造として形成されている。このような
ミラーは、赤外線に対して９５乃至？？憾の高い反射率
を与えるが、可視光線に対しては本質的に透過性である
。該ミラーのそれら層は、２つの異なる物質から形成さ
れ、交互状態で堆積される。好適な実施例においては、
高屈折率を有する物質から堆積中の奇数番目の層が形成
される。１つの例においては、これらの層の適当な物質
はＸＯ，であり、ただしＸはＴｉ、Ｈｆ、又はＺｒを含
む群から選ばれ、Ｔｉが好適である。
偶数番目の層はそれぞれ比較的低屈折率を有する物質か
ら形成される。そのような物質の１つの好適な例は二酸
化ケイ素（Ｓｉｎ、）であり、かつ７フ化マグネシウム
（ＭｇＦｔ） も使用することができる。この堆積の
各層は、レーザ光線の１／４波長に等しい光学的厚さを
有するように形成されている。このようにして、レーザ
・ミラーは入射放射線に対して特別に調整される。
ら形成される。そのような物質の１つの好適な例は二酸
化ケイ素（Ｓｉｎ、）であり、かつ７フ化マグネシウム
（ＭｇＦｔ） も使用することができる。この堆積の
各層は、レーザ光線の１／４波長に等しい光学的厚さを
有するように形成されている。このようにして、レーザ
・ミラーは入射放射線に対して特別に調整される。
好適には、し〜ザ・ミラー内の誘電体層の総数は少くと
も７である。１つの例においては、１１層を使用し、得
られたミラーは、８３０ ｎｍにおいて略９９壬の反射
率、及び可視スペクトル全体について９５係を上回る平
均透過率を示した。
も７である。１つの例においては、１１層を使用し、得
られたミラーは、８３０ ｎｍにおいて略９９壬の反射
率、及び可視スペクトル全体について９５係を上回る平
均透過率を示した。
このようなレーザ・ミラーをつくる方法は技術的に公知
である。このようなデバイスの理論に関する更に詳細は
、Ｂａｕｍｅｉｓｔｅｒ著の「Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃ
ｅ 、 ａｎｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅ
ｎｃｅＣｏａｔｉｎｇｓ ｊ Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔ
ｉｃｓ ａｎｄ ＯｐｔｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎ
、 ２８５−３２３頁（Ｋｉｎｇｓｌａｋｅ編、１９
６５年）を見れば知ることができる。
である。このようなデバイスの理論に関する更に詳細は
、Ｂａｕｍｅｉｓｔｅｒ著の「Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃ
ｅ 、 ａｎｄ ０ｐｔｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅ
ｎｃｅＣｏａｔｉｎｇｓ ｊ Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔ
ｉｃｓ ａｎｄ ＯｐｔｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎ
、 ２８５−３２３頁（Ｋｉｎｇｓｌａｋｅ編、１９
６５年）を見れば知ることができる。
第１図に示すセルの実施例の変形は、第２図によって知
ることができる。さらに、第２図のセルは、レーザ・ミ
ラー２６の個々の層を見ることができるように、さらに
詳細に示されている。この実施例においては、液晶セル
１２と吸収層２８の間に、付加的な絶縁層６２が設けら
れる。この絶縁層６２は、液晶分子を整列させるための
一酸化ケイ素物質から形成された１つの層３４、並びに
二酸化ケイ素物質から形成されたもう１つの部分３６、
の２つの部分を含んでいる。層３２は、直流電流阻止の
ために設けられ、そして吸収構造体の光学的性質に著し
く影響を及ぼさないような厚さを有するように選ばれて
いる。好適な実施例においては、この厚さは１１５ｎｍ
の厚さを有することができる。
ることができる。さらに、第２図のセルは、レーザ・ミ
ラー２６の個々の層を見ることができるように、さらに
詳細に示されている。この実施例においては、液晶セル
１２と吸収層２８の間に、付加的な絶縁層６２が設けら
れる。この絶縁層６２は、液晶分子を整列させるための
一酸化ケイ素物質から形成された１つの層３４、並びに
二酸化ケイ素物質から形成されたもう１つの部分３６、
の２つの部分を含んでいる。層３２は、直流電流阻止の
ために設けられ、そして吸収構造体の光学的性質に著し
く影響を及ぼさないような厚さを有するように選ばれて
いる。好適な実施例においては、この厚さは１１５ｎｍ
の厚さを有することができる。
さらに別の実施例が第３図に示されている。ここに示さ
れたセル４０には、上部ガラス基質層４４の下に透明な
電極層４２が配置されている。
れたセル４０には、上部ガラス基質層４４の下に透明な
電極層４２が配置されている。
赤外線吸収体４６は、電極４２に隣接して位置し、そし
て同じく吸収層４８、スペーサ層５０、及びレーザ・ミ
ラー５２を含んでいる。液晶物質５４はレーザ・ミラー
５２の下に位置し、さらに第２電極層５６及び下部基質
５８が続いている。赤外レーザの書き込みビームは、矢
印６０によって示された方向からセルに向けられる。可
視投射光線は、何れの方向からもセルに指し向けること
ができる。この実施例においては、電極層４２及び吸収
層４８の両者の中での赤外線の吸収によって十分な熱が
発生して、液晶物質５４の内部に散乱領域をつくり出す
。
て同じく吸収層４８、スペーサ層５０、及びレーザ・ミ
ラー５２を含んでいる。液晶物質５４はレーザ・ミラー
５２の下に位置し、さらに第２電極層５６及び下部基質
５８が続いている。赤外レーザの書き込みビームは、矢
印６０によって示された方向からセルに向けられる。可
視投射光線は、何れの方向からもセルに指し向けること
ができる。この実施例においては、電極層４２及び吸収
層４８の両者の中での赤外線の吸収によって十分な熱が
発生して、液晶物質５４の内部に散乱領域をつくり出す
。
セル４０は、第１図のセル１０中の対応する層と同じ物
質並びに類似の厚さを有する層から形成されることが望
ましい。
質並びに類似の厚さを有する層から形成されることが望
ましい。
第１図は本発明による液晶セルの一部の断面図である。
第２図は本発明の別の実施例を示す液晶セルの一部の断
面図である。 第５図は本発明のさらに他の実施例を示す液晶セルの一
部の断面図である。 （符号説明） １０：液晶光変調セル、１２：液晶層、１４゜１６：基
質層、１８：透明導電性層、２ｏ：透明導電性層、２４
：可視透過性赤外線吸収体、２６：レーザ・ミラー、２
８：吸収層、６ｏニスペ一サ層、６２：絶縁層、４ｏ：
セル、４２：透明電極層、４４：基質層、４６：赤外線
吸収体。 ４８：吸収層、５０ニスペ一サ層、５２：レーザ・ミラ
ー、５４：液晶層、５６：電極層、５８：基質層。
面図である。 第５図は本発明のさらに他の実施例を示す液晶セルの一
部の断面図である。 （符号説明） １０：液晶光変調セル、１２：液晶層、１４゜１６：基
質層、１８：透明導電性層、２ｏ：透明導電性層、２４
：可視透過性赤外線吸収体、２６：レーザ・ミラー、２
８：吸収層、６ｏニスペ一サ層、６２：絶縁層、４ｏ：
セル、４２：透明電極層、４４：基質層、４６：赤外線
吸収体。 ４８：吸収層、５０ニスペ一サ層、５２：レーザ・ミラ
ー、５４：液晶層、５６：電極層、５８：基質層。
Claims (14)
- （１）レーザでアドレス指定可能な液晶セルの外表面を
定めるための第１及び第２の透明な基質層、それぞれ透
明な導電性物質から形成される第１及び第２の電極層で
、該第１電極層は前記第１基質層に隣接して設けられ、
かつ該第２電極層は前記第２基質層に隣接して設けられ
た、第１及び第２の電極層、 前記第１及び第２の電極層の間に設けられたスメクチッ
ク液晶層、及び 前記液晶層と前記第２電極層との間に設けられた、赤外
線を吸収するが、可視光線を通過させるための手段、 を含むレーザでアドレス指定可能な液晶セルにおいて、 前記赤外線吸収手段が、放射線吸収物質の層、選択的に
赤外線を反射し、かつ可視光線を透過させる層、及び両
者の間に設けられた誘電体物質のスペーサ層を含むこと
、 を特徴とするレーザでアドレス指定可能な液晶セル。 - （２）前記セルが前記第１基質層を通してレーザでアド
レス指定される請求項第１項に記載の液晶セル。 - （３）前記セルが前記第２基質層を通してレーザでアド
レス指定される請求項第１項に記載の液晶セル。 - （４）前記放射線吸収物質の層が金属物質から形成され
る請求項第１項、第２項、又は第３項に記載の液晶セル
。 - （５）前記放射線吸収物質の層がニッケルから形成され
る請求項第４項に記載の液晶セル。 - （６）前記スペーサ層が二酸化ケイ素物質から形成され
る請求項第１項、第２項、又は第３項に記載の液晶セル
。 - （７）前記スペーサ層がフッ化マグネシウム物質から形
成される請求項第１項、第２項、又は第３項に記載の液
晶セル。 - （８）前記選択的反射層が誘電性のミラーである請求項
第１項、第２項、又は第３項に記載の液晶セル。 - （９）前記選択的反射層が複数の第１及び第２誘電物質
の交互層よりなり、該第１物質は該第２物質に対して比
較的高い屈折率を有する、請求項第１項、第２項、又は
第３項に記載の液晶セル。 - （１０）前記交互層のおのおのが、前記赤外線の波長の
１／４の光学的厚さを有する請求項第９項に記載の液晶
セル。 - （１１）前記第１物質がＸＯ＿２であり、ただしＸはＴ
ｉ、Ｈｆ、及びＺｒよりなる群から選ばれる請求項第９
項に記載の液晶セル。 - （１２）前記第２物質が二酸化ケイ素である請求項第９
項に記載の液晶セル。 - （１３）前記第２物質がフッ化マグネシウムである請求
項第９項に記載の液晶セル。 - （１４）前記第１及び第２の電極層がインジウム−スズ
酸化物物質から形成される請求項第１項に記載の液晶セ
ル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US53216 | 1987-05-22 | ||
| US06/053,216 US4787713A (en) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Transparent laser-addressed liquid crystal light modulator cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63316824A true JPS63316824A (ja) | 1988-12-26 |
| JP2544779B2 JP2544779B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=21982697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123721A Expired - Lifetime JP2544779B2 (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 透明なレ―ザ・アドレス指定式の液晶光変調セル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4787713A (ja) |
| EP (1) | EP0292330B1 (ja) |
| JP (1) | JP2544779B2 (ja) |
| KR (1) | KR0128728B1 (ja) |
| CN (1) | CN1011832B (ja) |
| DE (1) | DE3888232T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4917472A (en) * | 1988-03-14 | 1990-04-17 | Hughes Aircraft Company | Light valves with positive dielectric anisotropy liquid crystal and highly tilted off-perpendicular surface alignment, and associated operating method |
| JPH0317630A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 画像情報変換素子 |
| US5177628A (en) * | 1990-04-24 | 1993-01-05 | The University Of Colorado Foundation, Inc. | Self-powered optically addressed spatial light modulator |
| JPH06222336A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-08-12 | Chisso Corp | 新規な光学素子 |
| US7872728B1 (en) | 1996-10-22 | 2011-01-18 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same |
| US6831623B2 (en) | 1996-10-22 | 2004-12-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same |
| CN1244837C (zh) * | 1996-10-22 | 2006-03-08 | 精工爱普生株式会社 | 液晶面板用基板和液晶面板 |
| CN101421664B (zh) * | 2006-03-02 | 2011-08-31 | 化合物光子学公司 | 光寻址空间光调制器以及方法 |
| KR101135537B1 (ko) * | 2010-07-16 | 2012-04-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 장치 |
| US20120188474A1 (en) * | 2010-09-01 | 2012-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Thermal imager |
| US9835885B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-12-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems, methods, and apparatus for sensitive thermal imaging |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3824002A (en) * | 1972-12-04 | 1974-07-16 | Hughes Aircraft Co | Alternating current liquid crystal light value |
| GB1430611A (en) * | 1973-01-11 | 1976-03-31 | Marconi Co Ltd | Liquid crystal display devices |
| US3999838A (en) * | 1975-06-05 | 1976-12-28 | International Business Machines Corporation | Beam addressed liquid crystal cells |
| US4012119A (en) * | 1975-12-12 | 1977-03-15 | Xerox Corporation | Direct current liquid crystal display with highly reflecting dielectric mirror |
| US4114991A (en) * | 1976-12-22 | 1978-09-19 | Hughes Aircraft Company | Visible-to-infrared converter light valve |
| US4185894A (en) * | 1978-03-13 | 1980-01-29 | Hughes Aircraft Company | Dielectric reflector for selective wavelength reflection |
| JPS57104115A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Nec Corp | Liquid crystal light valve |
| EP0078604A3 (en) * | 1981-10-30 | 1984-09-05 | Hughes Aircraft Company | Single layer absorptive anti-reflection coating for a laser-addressed liquid crystal light valve |
| US4595260A (en) * | 1982-05-28 | 1986-06-17 | Nec Corporation | Liquid crystal projection display with even temperature elevation |
| US4585310A (en) * | 1983-12-12 | 1986-04-29 | International Business Machines Corporation | Alignment layer orientation in raster scan thermally addressed smectic liquid crystal displays |
| JPS6113224A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Nec Corp | 熱書込み液晶ライトバルブ |
| US4564853A (en) * | 1985-02-08 | 1986-01-14 | Polaroid Corporation | Electronic image sensing and printing apparatus |
| US4679910A (en) * | 1985-03-20 | 1987-07-14 | Hughes Aircraft Company | Dual liquid-crystal cell-based visible-to-infrared dynamic image converter |
| US4828366A (en) * | 1987-12-07 | 1989-05-09 | The Mead Corporation | Laser-addressable liquid crystal cell having mark positioning layer |
-
1987
- 1987-05-22 US US06/053,216 patent/US4787713A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123721A patent/JP2544779B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-21 KR KR1019880006016A patent/KR0128728B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-05-21 CN CN88103010A patent/CN1011832B/zh not_active Expired
- 1988-05-23 EP EP88304651A patent/EP0292330B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-23 DE DE3888232T patent/DE3888232T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1031431A (zh) | 1989-03-01 |
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| EP0292330A2 (en) | 1988-11-23 |
| KR0128728B1 (ko) | 1998-04-04 |
| DE3888232D1 (de) | 1994-04-14 |
| US4787713A (en) | 1988-11-29 |
| DE3888232T2 (de) | 1994-09-01 |
| CN1011832B (zh) | 1991-02-27 |
| KR880014409A (ko) | 1988-12-23 |
| JP2544779B2 (ja) | 1996-10-16 |
| EP0292330A3 (en) | 1990-04-04 |
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| Williamson | Patent Reviews: 3,586,423; 3,588,224; 3,592,527; 3,592,528; 3,593,029; 3,594,060; 3,598,471; 3,598,475; 3,602,590; 3,606,516; 3,609,010; 3,610,722; 3,610,723; 3,610,729; 3,610,735; 3,610,757; 3,612,652; 3,612,655; 3,614,188; 3,614,208; 3,614,209; 3,614,243; 3,614,652; 3,614,657; 3,614,659; 3,615,125; 3,617,112; 3,617,927; 3,617,938; 3,619,024; 3,619,036; 3,619,041; 3,620,591; 3,622,225; 3,624,272; 3,625,583; 3,627,400; 3,627,401; 3,637,293; 3,638,059; 3,639,765; 3,641,454; 3,644,770 |