JPS6331182A - ガスレ−ザ−装置 - Google Patents

ガスレ−ザ−装置

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JPS6331182A
JPS6331182A JP62169588A JP16958887A JPS6331182A JP S6331182 A JPS6331182 A JP S6331182A JP 62169588 A JP62169588 A JP 62169588A JP 16958887 A JP16958887 A JP 16958887A JP S6331182 A JPS6331182 A JP S6331182A
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JP
Japan
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laser device
gas
disk
gas laser
laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP62169588A
Other languages
English (en)
Inventor
ヒンリッヒ・マルティネン
サムエル・ジモンソン
ペーター・ビルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rofin Sinar Laser GmbH
Original Assignee
Rofin Sinar Laser GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Rofin Sinar Laser GmbH filed Critical Rofin Sinar Laser GmbH
Publication of JPS6331182A publication Critical patent/JPS6331182A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0975Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
    • HELECTRICITY
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    • H01S3/036Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/07Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
    • H01S3/073Gas lasers comprising separate discharge sections in one cavity, e.g. hybrid lasers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は少なくとも1つのレーザー管を有し、該レーザ
ー管に少なくとも1対の高周波励起用電極が外部から装
着され、少なくとも1つのガス流入接続部および少なく
とも1つのガス排出接続部を有する高周波励起によるガ
スレーザー装置に関する。
(従来技術および解決しようとする問題点)上述したよ
うなガスレーザー装置において、高周波によって励起さ
れたガスまたはプラズマはレーザー管を流通する。この
過程において、高周波励起は適当なミラー間でレーザー
作用を行える状態にガスを転位させる。また、この過程
において、ガスは高周波励起によって強力に加熱される
ので、例えば熱交換器を有する所定の回路を介して冷却
しなければならない。
ガスの供給位置および排出位置に金属製ブロック部材が
配置され、該ブロック部材にレーザー管本体が挿入され
る。該レーザー管は、通常、石英ガラスから成る。電極
対とブロック部材間の距離をできる限り小さくすること
によってレーザー装置の外観寸法を小型にすることがで
きる。さらに、この場合、該レーザー装置は少なくとも
排出接続部において電極および排出接続部間の熱ガス通
路:    をできる限り小さくすることができるとい
う効果を奏する。熱ガスまたはプラズマがこの領域にお
いては高周波によってもはや励起されないばかりか高温
度のためもはや適切なレーザー活動を行えず、電極およ
び排出接続部間の温ガス通路をできる限り小さくするこ
とは絶対必要である。この領域における温度が非常に高
い、すなわち約500K(226,85°C)以上であ
る場合、この領域でレーザー出力を吸収することができ
ろ。
上記2つの理由のため、本質的に望ましいことであるが
、各電極と通常金属から成る排出ブロック部材間の距離
が非常に小さくされると、ガスまたはプラズマを介して
電極とブロック部材間に寄生放電が生起する。しかしな
がら、いずれにしても制御が困難であるこれらの寄生放
電を回避することが望まれる。従来、単に電極対と排出
ブロック部材間の距離を大きくすることが知られている
しかしながら、これは上述したような長い熱ガス通路の
不都合を旧来する。他方、排出ブロック部材がセラミッ
クまたは類似材料から形成される場合、装置全体が非常
に高価になる。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、少なくとも1つのレーザー管を有し、該レー
ザー管に少なくとも1対の高周波励起用電極が外部から
装着され、少なくとも1つのガス流入接続部および少な
くとも1つのガス排出接続部を有する高周波励起による
ガスレーザー装置において、当該装置がさらに高価なも
のにはならずまた寄生放電を発生することなく電極対と
排出接続部間の距離がより小さく形成されるレーザー装
置の提供を目的とするものセある。
本発明の目的は、高誘電率を有するディスクを電極対と
排出接続部間のレーザー管に設置し、該ディスクをレー
ザー管の軸とほぼ垂直な方向に延ばすことによって達成
される。
上記ディスクは、漂遊電界が排出ブロック部材に向けて
指向させられた電極の一端部に集中されるかまたは短絡
されるようにし、よって該漂遊電界が排出ブロック部材
まで伝搬されないかまたは障害にならない程度に伝搬さ
れるだけであるという驚くべき効果を及ぼす。この場合
、電極対と排出ブロック部材間の距離をより小さくする
ことができ、しから上記寄生放電を発生することらない
上述したように、これは、主に熱プラズマ通路または熱
ガス通路がより短くなるだけでなくレーザー装置をより
小型にする。
したがって、誘電性ディスクを用いた結果、電極端部の
漂遊電界は電極端部付近の領域に集中される。この場合
、ディスク材料の誘電率は好ましくは約2〜4とされる
ディスク材料が低誘電損失を有する場合、レーザー装置
の操作時にディスクが高周波出力によって加熱されると
いう危険が回避される。誘電損失係数tanσは好まし
くは10−3以下である。
、さらにディスクの電極対からの離間距離は好ましくは
少なくともレーザー管の直径の約1/3である。
ディスクを付加するにもかかわらず、レーザー装置がレ
ーザー管の軸に対して垂直方向に不要に大きくならない
ようにするには、ディスクの端部に凹所を設け、該凹所
に電極の固定部材を支持するようにする。この場合、レ
ーザー管付近の比較的広範囲が上述したような材料特性
を宵しまたは有するようにすべき固定部材がディスクの
凹所と係合するように補償される限り、誘電材料は欠い
てもよくかつもはや本発明の作用を利用しなくてもよい
本発明に係るディスクはレーザー装置の余剰出力パルス
発生、いわゆる超パルス発生において特に好ましく作用
する。
(実施例) 以下、本発明を好ましい実施例を示す添付図面とともに
説明する。
第1図はガスレーザー装置を示す。このガスレーザー装
置のレーザー管1はいくつかの部分から成っており、該
各部分はガス流入ブロック部材2およびガス排出ブロッ
ク部材3に装着される。レーザーミラー4aおよび4b
はレーザー管lの両末端部に設置される。電極対5.6
は高周波源7からの高周波によって作動し、例えば石英
ガラスから形成されたレーザー管1に直接装着される。
ガスは矢印8の方向に流入ブロック部材2に導入され、
該流入ブロック部材2からレーザー管lの所定部分を介
して排出ブロック部材3に流通し、矢印9の方向に排出
される。次いで、ガスは熱交換器で冷却され、ポンプを
介して矢印8の方向にレーザー装置に再度導入される。
電極Sおよび6の領域における放電通路を通過する時、
ガスは非常に激しく加熱される。したがって、両電極5
.6と排出ブロック3間の距離はできる限り小さくする
必要がある。
第1図に示すレーザー装置は、単に原理的な構造の1実
施例を示すに過ぎない。この場合、レーザー管にさらに
多くの放電通路および電極を設けてもよい。このような
状況において、ブロック部材2.3の数は所望に応じて
大きくすることができる。また、公知の折り重ねレーザ
ー装置のように複数のレーザー管を並列に設けてもよい
本発明のレーザー装置の構成を第2図に示す。
第2図の左側部において、レーザー管lが流入ブロック
部材2および排出ブロック部材3間Iこ配置される。各
電極5はレーザー管Iを部分的に包囲するとともにホル
ダーIOを介して保持される。
各ボルダ−IOはブロック部材2.3に固定されており
、それらの断面形状はほぼ方形である。これらのホルダ
ー10は符号11で示された固定手段、例えばスクリュ
ーを介して各ブロック部材2.3に固定される。それら
は好ましくは高誘電率でありしかも誘電損失係数が小さ
い材料から形成される。本発明に係る高誘電率を有する
ディスク12は電極5と排出ブロック部材3間のレーザ
ー管lに締め付けられる。ディスク材料が高誘電率であ
るため、該ディスクは電極5の端部の漂遊電界に対しい
わゆる短絡回路を提供する。
第3図および第4図は、ディスクの2種類の形態、すな
わち、角を丸くしたほぼ方形のディスクおよび比較的円
形のディスクを示す。この場合、ディスクI2には中央
穴I3が設けられ、該穴I3の直径はレーザー管lの外
径に対応する。さらに該ディスクI2には2つのスリッ
ト状凹所14が設けられ、該凹所14に電極5.6用ホ
ルダー10を支持する。
第2図に示すとおり、単に1つのディスク+2が設けら
れるだけではなく、右側部にさらにもう1つのディスク
が排出ブロック部材3と次の電極対6間に設けられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は高周波励起によるガスレーザー装置の原理を示
す図であり、 第2図は本発明のレーザー装置の平面図であり、第3図
および第4図はそれぞれ本発明に適用できるディスクの
平面図である。 ■・・・レーザー管、2・・・ガス流入ブロック部材、
3・・・ガス排出ブロック部材、 4aおよび4b・・・レーザーミラー、5および6・・
・電極、7・・・高周波源、IO・・・ホルダー、12
・・・ディスク、14・・・凹所。 特許出願人 ロフィンーノナール・レーザー・ゲゼルシ
ャフト・ミツト・ ベシュレンクテル・ハフラング

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも1つのレーザー管を有し、該レーザー
    管に少なくとも1対の高周波励起用電極が外部から装着
    され、少なくとも1つのガス流入接続部および少なくと
    も1つのガス排出接続部を有する高周波励起によるガス
    レーザー装置において、高誘電率を有するディスクが上
    記電極対と排出接続部間で上記レーザー管に設けられ、
    該ディスクがレーザー管の軸とほぼ垂直に延びているこ
    とを特徴とするガスレーザー装置。
  2. (2)ディスク材料の誘電率が約2〜4である特許請求
    の範囲第1項記載のガスレーザー装置。
  3. (3)ディスク材料が低誘電損失を有する特許請求の範
    囲第1項または第2項記載のガスレーザー装置。
  4. (4)誘電損失係数tanσが10^−^3以下である
    特許請求の範囲第3項記載のガスレーザー装置。
  5. (5)ディスクの電極対からの離間距離が少なくとらレ
    ーザー管の直径の約1/3である特許請求の範囲第1項
    〜第4項のいずれかに記載のガスレーザー装置。
  6. (6)ディスクの端部に凹所が設けられ、該凹所に電極
    対の固定部材を支持する特許請求の範囲第1項〜第5項
    のいずれかに記載のガスレーザー装置。
JP62169588A 1986-07-16 1987-07-06 ガスレ−ザ−装置 Pending JPS6331182A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8619083U DE8619083U1 (de) 1986-07-16 1986-07-16 Gaslaser mit Hochfrequenzanregung
DE8619083.0 1986-07-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6331182A true JPS6331182A (ja) 1988-02-09

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ID=6796544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62169588A Pending JPS6331182A (ja) 1986-07-16 1987-07-06 ガスレ−ザ−装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4807236A (ja)
EP (1) EP0254045B1 (ja)
JP (1) JPS6331182A (ja)
DE (2) DE8619083U1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0254045B1 (de) 1990-12-12
EP0254045A1 (de) 1988-01-27
DE3766666D1 (de) 1991-01-24
DE8619083U1 (de) 1987-11-12
US4807236A (en) 1989-02-21

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