JPS63310964A - プラズマ被覆装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、一般に物体の被覆に関するものであり、特に
物理的または化学的蒸着法（“ＰＶＤ”または“ＣＶＤ
”）によって、耐食性または耐摩性保護有色膜をもって
、コイン、玉軸受、キーなどの多量の量産金属物体を被
覆する方法に関するものである。

（従来技術とその問題点） 各種のＰＶＤ法またはＣＶＤ法によって金属面上に高度
の耐食性および耐摩性の膜を蒸着できる事は以前から公
知である。その共通の用途は、宇宙工学材料、原子核産
業材料および工具材料である。実際に、工業および消費
者に提供される金色のプレミアムコストの工具は、ＰＶ
Ｄ法によってその表面に被着された窒化チタン（Ｔ　ｉ
　Ｎ）の薄層である。ＴｉＮ層は、被覆されない類似の
工具と比較して、掘削工具および切削工具の寿命を確か
に数倍延長させた。

ＴｉＮ、Ｔｉｃ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ。

Ｔ　ｉＡ　Ｉ　Ｎ、　Ｔ　ｉＯＺ　ｒ　Ｏ２、Ｈｆ　Ｏ
２。

２゜ Ｔａ２０５などの種々の物質が、蒸着法によって被覆材
料として組合わされている。これらの材料は多くの特性
を有する。

工具または大型部品は専らバッチ方式のＰＶＤ法により
て被覆されている。これらの部品は反応器の中において
、テーブル状固定台の上に配置され、つぎに被覆される
。場合によっては、これらの部品は、回転式テーブル上
に取り付けられたクリスマスツリー状固定台の中に配置
される。故に、これらの部品の取り付けと取りはずしに
多大の労力を必要とする。従ってテーブル状固定装置は
比較的高価な部品の被覆に使用される事が好ましい。

これらの部品のテーブル式固定被覆工程のコストの絶対
額は高いが、部品の価格と比較すれば余り高くない。例
えば定価＄１０の部品１個あたり０．５０セントの被覆
コストは許容できる出費である。しかし低価格の部品に
ついては、このコストは許されない。

この故に、蒸着法はもっばらマイクロエレクトロニクス
および各種の比較的高価な消費財に応用され、大量の安
価な物体の被覆の際には、この技術は使用されていない
。このような分野は、コイン、コインブランク、ディス
ク、メダル、トークン、玉軸受等の製造である。例えば
コインは、その流通する長期間に亙って魅力的な外観を
保持しなければならない。従って、その被覆は高度の耐
食性と耐摩性とを示す必要である。

最近、金色コインの製造と利用に向かって決定的進歩が
行われた。例えばカナダ特許第１．２０３，７２３号参
照。また最近の金色カナダドルコインの導入が注目され
る。また最近、英国ボンド貨、オーストラリアドル貨、
フランス１０フラン貨、およびスペイン１００ペセタ貨
が各種の青銅貨として発行されている。

出願人は、ミネソタ、セントボールのマルチ−アーク　
バキュウム　システム社によって開発された反応性プラ
ズマ噴霧システムを使用して各種コインに対する窒化チ
タン蒸着テストを実施した。

コイン上に約１ミクロン厚、さのＴｉＮ層を蒸着する事
によって、少なくとも２０年の流通期間中、その魅力的
な金色外観を保持するコインを製造できる事が発見され
た。

簡単に述べれば、テストに使用したＰＶＤシステムは、
接地された閉鎖チャンバ（反応器）を含み、この反応器
は一対の負電荷電源（−１７，５ボルト）を有し、これ
らの電源が反応器中に配置された対応の一対の金属蒸発
器（カソード）に接続される。これらの蒸発器（この場
合はチタン蒸発器）は、エネルギーを受けると、正電荷
のチタンイオンのプラズマ流を発生した。外部バイアス
電源（−１５０〜−４００℃）によって負に荷電された
固定台を被覆される材料の支持のために使用し、これを
反応器内部に設置し、チタンイオンによって爆撃される
ように配置した。さらに、真空ポンプと、反応器に反応
性ガス（窒素など）を供給する手段を備えた。

このシステムの運転に際して、チタンイオンがテーブル
とその上の物体に引き付けられ、結合した。チャンバ中
に反応ガスを導入する事により、窒素とチタンが基板上
で化合して、ＴｉＮの固い、耐食性の金色被覆を形成し
た。

しかし、コインの操作と固定に関する製造上の問題が見
られる。固定テーブルの使用による低生産性がこの工程
の採算上の厳しい制約となった。

被覆されるコインをテーブル上に単一層として配置しな
ければならなかった。蒸着工程に際して、コインの上側
面（Ｔｉカソードに対向する面）のみが被覆された。従
って、露出されたコイン側面の被覆の後に、反応器を開
き、コインを清浄化し、反対側面を上にして再びコイン
をテーブル上に配置して被覆工程を繰り返さなければな
らなかった。

このように、この方法は遅く、労力を必要とし、その結
果、小型物体の処理には経済的でない事が理解されよう
。このシステムそのままでは、小型部品の経済的被覆は
困難である。

〔発明の概要〕

故に、本発明によれば、物体被覆用の経済的技術が提供
される。反応器の中において物体を運動させ配置するた
めのラックなどの貯蔵手段が相互に対向する２個の蒸発
器の間に配置される。

このラックは多数の物体を保持する事ができ、物体の複
数の側面を蒸発器に対して露出する。ラックを運動させ
る事により（１つの実施態様においてはラックを円弧に
沿って傾斜させる事により）、物体が回転させられて、
蒸発器から出るプラズマ流に対して完全露出される。

（実施例） 以下、本発明を図面に示す実施例について詳細に説明す
る。

第１図と第２図について述べれば、被覆反応器１０と物
体ラック１２が図示されている。

反応器１０は密封チャンバ１４を含む。少なくとも２個
の蒸発器１６がチャンバ１４の内部に向かって対向配置
され、荷電イオンプラズマ流１８を発生し、これらのプ
ラズマ流はラック１２（第１図に端面を示す）に向かっ
て加速される。ラック１２上に配置された物体の両側面
をプラズマ流１８の中に同時に、完全均一に浸漬するた
めには、少なくとも２個の蒸発器１６をチャンバ１４の
両側に対向平行関係に配置する事が好ましい。必要に応
じて、追加蒸発器１６（図示されず）を配置する事がで
きる。

蒸発器１６は通常の電源２０とその付属制御装置に接続
されている。ラック１２は通常の電源−制御装置２２に
接続されている。

真空ポンプ２４がチャンバ１４の中に真空を成す。反応
ガス源２６が、窒素、炭素、酸素などの′適当なガスを
チャンバ１４の中に供給する。

第２図は物体ラック１２を示す。図示の実施態様におい
て、ラック１２は、複数の平行に配置された棚板３０と
支持側板３２とを有する開放形フレーム構造から成る。

フレーム２８の一方の側面２８Ａが開放されて、物体３
４を導入−導出する事ができる。この場合、物体はコイ
ンである。側面３２Ａを成すロック式着脱自在スライダ
、ヒンジ部材または類似の部材によって、コインを導入
または導出する事ができる。物体とは、コイン、コイン
ブランク、ディスク、トークン、メダル、キー、ボール
ベアリングおよびその他の類似寸法の量産製品を意味す
る。

フレーム２８は、ピン３６によって支持構造４２上に枢
着される。フレーム２８が円弧４ｏに沿って枢転する際
に、ストッパ３８がリミッタとして作用する。支持構造
４２は電源−制御装置２２と接続される。

コインの被覆を経済的に可能にするには、コインの両側
面を同時に被覆しなければならない事が発見された。従
って第２図に図示のようなラック１２が開発された。例
えばコイン３４を装入されたラック１２が第１図に図示
のように蒸発器１６の間に配置される。棚板３０の間隔
は、コイン３４が自由に移動できるがフレーム２８から
の脱落を防止するように決定される。被覆作業中に、ラ
ック１２は約５〜１０度の円弧４０に沿って揺動させら
れ、コイン３４を一方の側面から他方の側面に転勤させ
る。棚板３０の長さはその中のコイン３４の全長より長
いので、第２図に図示のスペースＡがコイン３４と側面
３２（または３２Ａ）との間に残される。このスペース
への長さは、ラック１２の枢転中にコイン３４が１／４
同転単位で回転するように、すなわち約１／４回転また
は３／４回転、または１−１／４回転を成すように決定
される。これによって、コイン３４の全面を被覆する事
が容易になる。フィン３４が棚板３０の中を揺動しなけ
れば、棚板３０によって遮蔽されたコイン部分が被覆さ
れないであろう。フレーム２８の揺動は、任意適当な駆
動装置、例えばフレーム２８の接触する偏心カム、交番
磁石接点、複動プランジャなどによって生じる事ができ
る。

本発明とその実施態様は、下記の基本原理の説明からさ
らに明らかとなろう。

第１図と第２図に示した装置を使用して本発明の技術の
有効性を確認するために多数回のテストを実施した。こ
れより大規模の操作のために、第３図と第４図に図示の
反応システム４４を使用する事ができる。

第３図と第４図について、反応器システム４４はバッフ
ル５０によって相互に区分され相互に接続された２容器
４６．４８から成る。

第１容器４６はラック１２の貯蔵のために使用され、第
２容器４８は被覆のために使用される。

前記のように単一のラック１２が同時に少なくとも両側
から被覆される。被覆工程が終了した後、ラック１２は
被覆反応器４８から貯蔵容器４６に移動させられ、次の
ラック１２が貯蔵容器４６から反応容器４８に送られる
。所望数のラック１２が被覆されるまで、この工程が繰
り返される。全工程中、反応レステム４４は密封され、
また高真空下にある。この反応器システム４４は３ｏま
たはこれ以上のラック１２を収容する事ができる。

ラック１２のサイズは、使用される反応器のサイズおよ
び被覆される物体のサイズに依存する。

約１０００コインの容量のラック１２が扱いやすいと思
われる。従って３０個のラック１２がそれぞれ１０００
コインを有するとすれば、３０．０００のコインを反応
器中に装入する事ができる。これにより、コイン１個あ
たりの被覆コストが許容レベルまで低下されるように生
産性が高められる。

反応器システム４４内部のラック１２の操作は、通常の
駆動機構と、プログラム可能な制御器とを使用して時間
プリセットベースで自動的に実施する事ができる。駆動
機構はラック１２を容器４６と４８の中において割り出
し、また容器間を転送する。ラック１２を反応容器４８
の中に導入した時、このラックは円弧４０に沿って揺動
させられて、両側の蒸発器１６から出るプラズマ流１８
によって全面被覆される。

ラック１２は反応器システム４４の外部においてコイン
を装入される。装入されたラック１２は清浄化ライン（
図示されず）を通過して、コインが清浄化され乾燥され
る。複数のラック１２がカセット５８の中に装入され、
ドア５２から貯蔵容器４６の中に装入される。各カセッ
ト５８は割り出しラック６０を有する。この割り出しラ
ック６０は対応のピニオン６２に対して整列させられる
。このラック／ピニオン組立体６０．６２がカセット５
８を案内部材６１に沿って貯蔵容器４６に出入させ、さ
らに貯蔵容器４６内部において各ラック１２を適当位置
に選択的に配置する事によって、各ラック１２が反応容
器４８の中に導入される。

各ラック１２は下方有歯延長部６６を有し、この延長部
が第２ピニオン６８と接触するサイズを有する。カセッ
ト５８が割り出されてラック１２が対象軸線６４と一致
した後、第２ピニオン６８がラック１２をカセット５８
から引き出し、第３ビニオン７０の上に送る。案内部材
７２と７４がラック１２の転落を防止する。

回転フリッパ７６がラックの延長部６６に係合して、ラ
ック１２を保持部材８６の中に転送する。

この保持部材８６がラック１２を収容する。またこの保
持部材８６の下方アームから突出した突起部７８が支持
体４２Ａの中に枢着され、支持部材８６とラック１２を
一定限度内で円弧４０に沿って揺動させる。偏動カム８
０が部材８６を駆動する。

被覆工程が終了した時、割り出し工程を逆転して、ラッ
ク１２が再びカセット５８の中に導入される。カム８０
が回転を停止した後、フリッパ７６が逆方向に（第３図
において逆時計方向に）回転して、ラック１２を第３ピ
ニオン７ｏに転送し、次にラックは第２ピニオン６８に
戻され、最後にカセット５８に入る。

ラック１２がカセット５８の巾に安全に配置された後に
、第１ピニオン６２が所定間隔回転して、カセット５８
とその中の処理されたフレーム１２を前方に押すと同時
に、新しいラック１２を配置する。カセット５８の中の
全てのラック１２が処理されてしまうまで、前記のよう
な割り出し一転送一戻りサイクルが繰り返される。

最初に、カセット５８が貯蔵容器４６の中に配置された
後、反応器システム４４が密封され、所望の圧（すなわ
ち真空度）まで排気される。次に前記のように割り出し
／転送機構がラック１２を貯蔵容器４６の中心に送り、
次に被覆反応器４８の中に送る。この装置の動作を監視
し作動するために、マイクロプロセッサとセンサ装置を
使用する事ができる。

貯蔵容器４６と被覆反応容器４８との中間に循環水冷バ
ッフル５０が配置されて閉鎖される。このバッフル５０
の目的は反応工程中に、冷却コイル５４によって比較的
低温に保持されている貯蔵容器４６の中にイオンが入る
事を防止するにある。

貯蔵容器４６の中に貯蔵された要素に対して迷走プラズ
マ流が接触する事は望ましくない。

ラック１２を正しく配置した後、揺動機構８０を生かし
、また適当に窩い負電位をラック１２に対して加える。

蒸発器１６に対して高電流（３０〜１５０アンペア）が
加えられる。きまった手順によってプラズマ１８が開始
される。ラック１２に対して負電位が加えられ、また反
応ガスが存在しないので、コインはチタンまたはその他
の金属イオンによってスパッタリング（爆撃）される。

約１分〜５分の所望のスパッタリング時間の後、ラック
１２の電位を低下させ、反応ガス（ＴｉＮ被覆の場合に
は窒素）を反応器４８の中に導入する事ができる。これ
はコイン上においてＴｉＮ反応を生じ、この反応は約５
〜６０分間実施される。

この反応時間は、所望の膜厚さ、カソードまたは蒸発器
の電流、ラック（基板）電位、窒素分圧、およびカソー
ド−基板間隔に依存する。スパッタリング期間中および
反応期間中に、物体３４はイオンの爆撃とガス分子の反
応によって加熱される。

物体温度がその軟化点に達しない範囲内に被覆変数を選
択する事が重要である。さもなければ、披覆された物体
３４の耐摩性が低下するであろう。

被覆反応器４８はフレーム１２の両側に少なくとも一対
の対向平行蒸発器１６を有する。これらの蒸発器の相互
間隔はきわめて重要であって・均一厚さの被覆を生じる
ように設定されなければならない。

ニッケルコインについては十分と思われる厚さ１ミクロ
ンのＴｉＮ被覆の場合、好ましい被覆条件は下記の通り
である。

蒸発器電流　　　　二３０〜１５０アンペア基板（ラッ
ク）電位＝１００〜４００ボルト（負） カソード−基板間隔：０．１５〜０．　３メートル カソード−カソード間隔＝０．３〜０．６メートル 生産率を増大するためには、被覆時間を低下させる必要
がある。コイン製造のための最適被覆時間は約１０分と
計算された。

所定の被覆時間の後、反応ガス、蒸発器電流、ラック電
位および揺動機構８０を遮断する。ラック１２を被覆反
応器４８から引き出し、前記のようにバッフル５０を開
いた後に貯蔵容器４６の中に導入する。

次に第２ラツク１２を貯蔵容器４６から取り出し、被覆
容器４８の巾に配置し、前記のサイクルを繰り返す。

全部のラック１２が被覆された後、反応器システム４４
を通気して開く。カセット５８をドア５６から出し、反
応器システム４４のＴｉとＴｉＮとダストを清掃する。

次に物体を装入されたラック１２の新しいセットを貯蔵
容器４６の中に装入し、前記の工程を繰り返す。

第１図と第２図について説明した装置を使用して多数の
テストを実施し、この技術の有効性を確認した。ラック
１２を手で揺動させた。

実施例１ カナダボ１ブランクにニッケル）を装入したラック１２
を下記の条件で被覆した。

蒸発器電流　　　　　　　　：９０アンペア蒸発器一基
板（コイン）間隔：０．３０５メートル 基板電位　　　　　　　　　ニー１００ボルト被覆時間
　　　　　　　　　：３０分 蒸発器数／基板面積ｆｔ２　（０，１ゴ）：各側に１ 最大被覆温度　　　　　　　二８００下（４２７℃） 約１ミクロンの厚さのＴｉＮ層を蒸着した。これは非常
に魅力的な金色の外観を示した。

タンプリングテスターを使用してコインの摩耗テストを
実施した。約１８年の通常の流通摩耗に相当する１４日
の連続摩耗テストの後に、このコインは魅力ある金色の
外観を保持していた。

実施例２ 下記の条件でラック１２を使用して他の種々のコインを
被覆した。

蒸発器電流　　　　　　　　：２０−１５０アンペア 蒸発器一基板（コイン）間隔：０．１５−０．３９５メ
ート ル 基板電位　　　　　　　　　ニー１００〜−４００ボル
ト 被覆時間　　　　　　　　　：１０−１２０分Ｎ２分圧
　　　　　　　　　：１−１ＯＮ／耐結論的に、ニッケ
ルの全てのコインまたはブランクはＴｉＮ被覆の後に非
常に魅力のある金色を呈し、被覆されないコインまたは
ブランクよりは優れた耐゛摩性を示した。

前記の実施例と付図はニッケルコインに関するものであ
るが、本発明は特定の物体または材料に限定されない。

玉軸受、キーその他の小部品など種々の量産物体を本発
明の方法によって被覆する事ができる。当然に、被覆さ
れるそれぞれの物体に対応するようにラックを変更しな
ければならない。例えば玉軸受の被覆のためには、ラッ
クの形状を変更し、螺旋形に構成する事ができる０これ
によって玉軸受が完全に回転させられる。キーの被覆の
ためにラックは吊り下げピンを備える事ができる。また
他の方法として、物体を上方位置の容器の中に配置し、
垂直方向の捩じれたまた／あるいは螺旋形の案内路に沿
って下方の容器の中に送る事ができる。このような重力
を利用した構造は物体の表面をプラズマ流１８に対して
均一に露出する事ができる。

さらに本発明はＴｉＮ被覆に限定されるものでなく、他
の被覆部材にも使用できる。例えば、ＴｉＣ，ＺｒＮ、
ＨｆＮ５ＴａＮＳＴｉＡＩＮなど、反応性プラズマ被覆
に適した他の金属被覆を使用する事ができる。

さらに本発明は反応性ガスを使用する事なく、物体上に
元素被覆を蒸着させるために使用する事ができる。例え
ばＴ　１ＳＺｒＳＴａ、Ａｌｓ　Ｃｒなどをラック上に
配置された物体に対して蒸着させる事ができる。

反応容器の中にラックを転送し割出すため、前記以外の
手段を使用する事ができる。例えば中間に弁を配置した
２チヤンバ装置を使用する事ができる。この構造におい
ては第１チヤンバが真空ロックとして作用し、第２チヤ
ンバが反応器として作用し、装置中には同時に２ラツク
のみが存在する。またラック１２を容器内部で割り出し
配置するために、頭上走行フック、ピストン作動把持ア
ーム、ネジ駆動引っ張り装置などを使用する事ができる
。本発明は前記の特定の配置、割出し機構および揺動機
構に限定されるものではない。

本発明は前記の説明のみに限定されるものでなく、その
主旨の範囲内において任意に変更実施できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法の原理図、第２図は本発明の装置
において使用されるラックの平面図、第３図は本発明の
実施態様の横断面図、第４図は第３図の４−４線に沿っ
た平面図である。 １０・・・反応器、１２・・・ラック、１６・・・蒸発
器、２４・・・真空ポンプ、２６・・・反応ガス源、２
８・・・フレーム、３２・・・側板、３４・・・コイン
、３０・・・棚板、４０・・・揺動円弧、４２・・・支
持体、４４・・・反応システム、４６・・・ラック貯蔵
チャンバ、４８・・・反応チャンバ、５０−・・バッフ
ァ、５８・・・ラックカセット、６０・・・案内ラック
、６２，６８．７０・・・ピニオン、８０・・・カム。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、 （ａ）物体を貯蔵手段中に導入する段階と、 （ｂ）前記貯蔵手段を反応区域中において、少なくとも
   ２個のイオンプラズマ蒸発器の前に配置する段階と、 （ｃ）前記貯蔵手段内部において物体を回転移動させる
   手段と、 （ｄ）移動する物体に対して、イオンプラズマ蒸発器に
   よって発生されたイオンプラズマ流束を加える段階と、 （ｅ）物体を前記貯蔵手段から取り出す段階とを含むプ
   ラズマ被覆法。 ２、物体の表面に被着されたイオンとガスを反応させて
   、被覆を形成することを特徴とする請求項１に記載の方
   法。 ３、少なくとも２個の対向イオンプラズマ蒸発器から放
   射されるイオンプラズマ流を物体に対して加えることを
   特徴とする請求項１に記載の方法。 ４、各物体の表面を、少なくとも２対向方向から同時に
   プラズマ流によって爆撃することを特徴とする請求項３
   に記載の方法。 ５、前記貯蔵手段が電源と接続されていることを特徴と
   する請求項１に記載の方法。 ６、物体の表面をプラズマ流に対して露出するため、前
   記貯蔵手段が物体を回転させることを特徴とする請求項
   １に記載の方法。 ７、物体を１／４回転ずつ回転させることを特徴とする
   請求項１に記載の方法。 ８、物体を移動させるために円弧に沿って貯蔵手段が揺
   動されることを特徴とする請求項１に記載の方法。 ９、貯蔵手段はフレームと、内部に配置された物体を移
   動させるように前記フレームに取り付けられた少なくと
   も１個の棚板と、前記棚板に近接する手段とを含むこと
   を特徴とする請求項１に記載の方法。 １０、フレームが複数の棚板を含むことを特徴とする請
   求項９に記載の方法。 １１、（ａ）物体を貯蔵手段の中に装入しその少なくと
   も１筒所を被覆するように準備する段階と、 （ｂ）反応区域に転送する段階と、 （ｃ）反応区域内において物体にイオンプラズマ流を加
   えると同時に物体を回転させる段階と、 （ｄ）物体を反応区域と貯蔵手段から除去する段階とを
   含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 １２、物体に対して反応ガスを加えることを特徴とする
   請求項１１に記載の方法。 １３、金属物体を被覆することを特徴とする請求項１に
   記載の方法。 １４、金属物体は小型の量産製品であることを特徴とす
   る請求項１に記載の方法。 １５、物体はコイン、ブランク、トークン、ディスク、
   メダル、および玉軸受から成るグループから選定される
   ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。 １６、イオンプラズマ流束はチタンを含むことを特徴と
   する請求項１に記載の方法。 １７、プラズマ流束はジルコニウム、タンタル、アルミ
   ニウムおよびクロムから成るグループから選定されるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の方法。 １８、反応ガスは窒素を含むことを特徴とする請求項２
   に記載の方法。 １９、得られた被覆はＴｉＮであることを特徴とする請
   求項２に記載の方法。 ２０、反応ガスは炭素と酸素から成るグループより選定
   されることを特徴とする請求項２に記載の方法。 ２１、得られた被覆はＴｉＣ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ
   、ＴＩＡＩＮ、ＴｉＯ＿２、ＺｒＯ＿２、ＨｆＯ＿２お
   よびＴａ＿２Ｏ＿５から成るグループから選定されるこ
   とを特徴とする請求項２に記載の方法。 ２２、被覆が金様外観を呈することを特徴とする請求項
   １に記載の方法。 ２３、密封可能の反応チャンバと、前記反応チャンバ中
   に少なくとも１つのイオンプラズマ流を導入する手段と
   、反応チャンバ中に配置されイオンプラズマ流の巾にお
   いて物体を回転させる物体貯蔵手段と、プラズマ流を制
   御する手段とを含むプラズマ被覆装置。 ２４、反応ガスを反応チャンバ中に導入する手段を含む
   ことを特徴とする請求項２３に記載の装置。 ２５、反応チャンバ中において物体貯蔵手段を所定の円
   弧に沿って揺動させる手段を含むことを特徴とする請求
   項２３に記載の装置。 ２６、イオンプラズマ流を導入する手段は蒸発器を含む
   ことを特徴とする請求項２３に記載の装置。 ２７、反応チャンバ中に少なくとも２つの対向イオンプ
   ラズマ流を供給する手段を含むことを特徴とする請求項
   ２３に記載の装置。 ２８、貯蔵手段が反応チャンバ中において、物体を対向
   イオンプラズマ流に露出するように配置されることを特
   徴とする請求項２７に記載の装置。 ２９、少なくとも１つの棚板を有しこの棚板中において
   物体を運動させるようにしたフレームと、前記棚板に近
   接する手段とを含むことを特徴とする請求項２３に記載
   の装置。 ３０、反応チャンバと連通した貯蔵容器と、貯蔵手段を
   前記貯蔵容器から反応チャンバに転送しまた逆転送する
   手段と、貯蔵手段内において物体を移動させる手段とを
   含むことを特徴とする請求項２３に記載の装置。 ３１、貯蔵容器を反応チャンバから分離する手段を含む
   ことを特徴とする請求項３０に記載の装置。 ３２、貯蔵容器と反応チャンバとの間に、温度調節され
   たバッフルが配置されていることを特徴とする請求項３
   ０に記載の装置。 ３３、貯蔵容器中において貯蔵手段を移動させ配置する
   手段を含むことを特徴とする請求項３０に記載の装置。 ３４、貯蔵容器と反応チャンバとの間において、またそ
   の中において、貯蔵手段を搬送し配置する手段を含むこ
   とを特徴とする請求項３０に記載の装置。 ３５、貯蔵手段を反応チャンバ中において移動させ配置
   する手段を含むことを特徴とする請求項３０に記載の装
   置。 ３６、カセットを含むことを特徴とする請求項３０に記
   載の装置。 ３７、カセット中に配置される貯蔵手段と、貯蔵手段を
   選択的にカセットの中に係合させまたカセットから除去
   する手段を含むことを特徴とする請求項３６に記載の装
   置。 ３８、金属物体は小型の量産製品であることを特徴とす
   る請求項３０に記載の装置。 ３９、物体はコイン、ブランク、トークン、ディスク、
   メダル、および玉軸受から成るグループから選定される
   ことを特徴とする請求項３０に記載の装置。 ４０、フレームと、物体を回転運動させるようにフレー
   ム中に配置された少なくとも１つの物体棚板と、物体を
   前記棚板中に導入しまた除去するための手段とを含み、
   少なくとも１つのイオンプラズマ流の中に配置されるよ
   うに成された気相蒸着法によって内部の物体を被覆する
   導電性ラック。 ４１、内部の物体を回転させる手段を含むことを特徴と
   する請求項４０に記載の導電性ラック。