JPS63310776A - 高密度焼結体の製造法 - Google Patents
高密度焼結体の製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/638—Removal thereof
-
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- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、金属またはセラミック粉から高密度焼結体
を得ろ方法に関する。
を得ろ方法に関する。
セラミック粉を水に分散させてスラリーとし、ここに解
膠剤等を添加してスラリー性状を調整した後、このスラ
リーを石膏型に鋳込み、水の一部を石膏型に吸収させる
ことによってスラリーを固化して成形体とし、この成形
体に自然乾燥、調)♀加熱等による乾燥を施して焼結工
程に供しうろ成形体とする方法は、もっとも一段的な鋳
込み成形法として良く知られている。
膠剤等を添加してスラリー性状を調整した後、このスラ
リーを石膏型に鋳込み、水の一部を石膏型に吸収させる
ことによってスラリーを固化して成形体とし、この成形
体に自然乾燥、調)♀加熱等による乾燥を施して焼結工
程に供しうろ成形体とする方法は、もっとも一段的な鋳
込み成形法として良く知られている。
これとは別に本出願人は、金属粉またはセラミック粉を
各種アルコールに分散させてスラリーとし、このスラリ
ーを石膏型に鋳込んで、分散媒の一部を石膏型に吸収さ
せることによりスラリーを固化させて成形体とし、この
成形体に含まれる分散媒を超臨界の二酸化炭素によって
抽出除去する方法を出願(特願昭60−100433号
)した。
各種アルコールに分散させてスラリーとし、このスラリ
ーを石膏型に鋳込んで、分散媒の一部を石膏型に吸収さ
せることによりスラリーを固化させて成形体とし、この
成形体に含まれる分散媒を超臨界の二酸化炭素によって
抽出除去する方法を出願(特願昭60−100433号
)した。
この成形方法で(よ、複雑形状の成形が容易でかつ分散
媒の除去がきオ)めで短時間にできる長所を持っている
。
媒の除去がきオ)めで短時間にできる長所を持っている
。
またさらに、分散媒として超臨界の二酸化炭素によって
抽出可能であって、かつ融点が0〜100℃の物質を選
んでスラリーをつくり、このスラリーを非吸収性の型に
鋳込むと共に冷却して凍結固化することによって成形体
とし、この成形体にhまれる分散媒を超臨界の二酸化炭
素で抽、出除去する方法(特願昭61−32863号)
をも出願している。
抽出可能であって、かつ融点が0〜100℃の物質を選
んでスラリーをつくり、このスラリーを非吸収性の型に
鋳込むと共に冷却して凍結固化することによって成形体
とし、この成形体にhまれる分散媒を超臨界の二酸化炭
素で抽、出除去する方法(特願昭61−32863号)
をも出願している。
分散の除去手段としては、一般的には加熱蒸発が採用さ
れ、また、パラフィンの場合には、加熱熱分解によって
いるが、いずれも長時間を要するという点に難点がある
。
れ、また、パラフィンの場合には、加熱熱分解によって
いるが、いずれも長時間を要するという点に難点がある
。
一方、鋳込み成形、可塑成形あるいは、加圧成形などの
各種成形法によって得た多孔質成形体を高密度焼結体に
する有力な方法としては、熱間等方圧縮処理が知られて
いる。
各種成形法によって得た多孔質成形体を高密度焼結体に
する有力な方法としては、熱間等方圧縮処理が知られて
いる。
この方法は、−S的には約500〜2200℃、約10
0〜3000kg/cd・Gの条件下にあるガスによっ
て成形体を等方圧槽しながら焼結を進行させろものであ
る。
0〜3000kg/cd・Gの条件下にあるガスによっ
て成形体を等方圧槽しながら焼結を進行させろものであ
る。
この焼結を実施するにあたっては、ガスが成形体の空孔
に侵入することなく、ガス圧が成形体の表面に及ぶよう
に、予め成形体に封孔処理をする必要がある。
に侵入することなく、ガス圧が成形体の表面に及ぶよう
に、予め成形体に封孔処理をする必要がある。
その効果的な方法としては、特開昭59−35870号
あるいは西独特許DE3403917C1に記載されて
いる方法がある。
あるいは西独特許DE3403917C1に記載されて
いる方法がある。
このうち、前者に記載されている技術(よ、窒化ケイ素
の多孔質成形体上に、窒化ケイ素の焼結温度以下の温度
(1300〜1600℃)で高圧ガスに対する不透過膜
に転化しうろ高融点ガラス、高融点ガラス形成物質また
は高融点金属物質からなる第1物質の内側多孔質層、お
よび前記内側多孔質層における温度よりも低い温度(6
00〜1100℃)で高圧ガスに対する不透過膜に転化
しうる低融点ガラスまたは低融点ガラス形成物質からな
る第2物質の外側多孔質層を施こした後、まず該多孔質
成形体に脱気処理を施こし、次に前記外側多孔質層の高
圧ガラスに対する不透過膜の形成に必要な温度ではある
が、内側多孔質層が多孔質を維持する温度で加熱処理に
供し、次いで、内側多孔質層の高圧ガラスに対する不透
過膜の形成に必要な温度まで、これらの層の外側のガス
圧を層の内側ガス圧よりも大きく維持しながら加熱した
後、前記多孔質成形体に温度1700〜1800℃、圧
力2000〜3000気圧の熱間等方加圧操作を施す、
という技術を開示している。
の多孔質成形体上に、窒化ケイ素の焼結温度以下の温度
(1300〜1600℃)で高圧ガスに対する不透過膜
に転化しうろ高融点ガラス、高融点ガラス形成物質また
は高融点金属物質からなる第1物質の内側多孔質層、お
よび前記内側多孔質層における温度よりも低い温度(6
00〜1100℃)で高圧ガスに対する不透過膜に転化
しうる低融点ガラスまたは低融点ガラス形成物質からな
る第2物質の外側多孔質層を施こした後、まず該多孔質
成形体に脱気処理を施こし、次に前記外側多孔質層の高
圧ガラスに対する不透過膜の形成に必要な温度ではある
が、内側多孔質層が多孔質を維持する温度で加熱処理に
供し、次いで、内側多孔質層の高圧ガラスに対する不透
過膜の形成に必要な温度まで、これらの層の外側のガス
圧を層の内側ガス圧よりも大きく維持しながら加熱した
後、前記多孔質成形体に温度1700〜1800℃、圧
力2000〜3000気圧の熱間等方加圧操作を施す、
という技術を開示している。
ここで、多孔質成形体表面に多孔質層を形成させるにあ
たっては、まず、粉末を水に分散させてスラリーをつく
り、これに多孔質成形体を浸漬し、次いでこれを乾燥す
るのであるが、内側と外側の2層の多孔質部分を形成さ
せるために時間のかかろ乾燥操作を2度繰り返す必要が
ある。
たっては、まず、粉末を水に分散させてスラリーをつく
り、これに多孔質成形体を浸漬し、次いでこれを乾燥す
るのであるが、内側と外側の2層の多孔質部分を形成さ
せるために時間のかかろ乾燥操作を2度繰り返す必要が
ある。
一方の西独特許DE3403917C1は、複雑形状の
多孔質セラミックスの高密度化の方法として次の7エ程
からなる方法を開示している。
多孔質セラミックスの高密度化の方法として次の7エ程
からなる方法を開示している。
すなわち、
a、予備成形した多孔質セラミックス成形体を、焼結助
剤を含まない物質を溶剤に分散させた懸濁液に、浸漬し
て第1のカプセル層を形成する、b、溶剤を蒸発させろ
、 C0このようにして得た成形体を、焼結可能な1ないし
複数の焼結助剤を含む物質を溶剤に分散させた第2の懸
濁液に浸漬して第2のカプセル層を形成する、 d、溶剤を蒸発させる、 e、このようにして得た成形体を、高温、保護ガス雰囲
気で十分焼結する、 f、lIa密に焼結された表面を有する成形体を公知の
方法によって熱間等方加熱処理をする、g0両カプセル
層を機械的に除去する、というものである。
剤を含まない物質を溶剤に分散させた懸濁液に、浸漬し
て第1のカプセル層を形成する、b、溶剤を蒸発させろ
、 C0このようにして得た成形体を、焼結可能な1ないし
複数の焼結助剤を含む物質を溶剤に分散させた第2の懸
濁液に浸漬して第2のカプセル層を形成する、 d、溶剤を蒸発させる、 e、このようにして得た成形体を、高温、保護ガス雰囲
気で十分焼結する、 f、lIa密に焼結された表面を有する成形体を公知の
方法によって熱間等方加熱処理をする、g0両カプセル
層を機械的に除去する、というものである。
この場合においても、多孔質成形体表面に多孔質層を2
層形成させるために、溶剤を蒸発除去する操作を2度繰
り返している。
層形成させるために、溶剤を蒸発除去する操作を2度繰
り返している。
当然のことながら、多孔質層を形成する場合には、形成
する層の数だけ蒸発操作を繰り返す必要がある。
する層の数だけ蒸発操作を繰り返す必要がある。
−m的に知られている鋳込み成形法のうち、水を分散媒
として使用し、石膏型を使う鋳込み成形法としては、成
形体表面にガス不透過膜を形成させた後、熱間等方加圧
処理をする方法がある。
として使用し、石膏型を使う鋳込み成形法としては、成
形体表面にガス不透過膜を形成させた後、熱間等方加圧
処理をする方法がある。
例えば、前述の特公昭59−35870号公報あるいは
西独特許DE3403917C1に開示された高密度焼
結体製造方法とこの熱間等方加圧処理をする方法とを組
み合わせることによって、金属粉またはセラミックス粉
から高密度焼結体を製造することもできる。
西独特許DE3403917C1に開示された高密度焼
結体製造方法とこの熱間等方加圧処理をする方法とを組
み合わせることによって、金属粉またはセラミックス粉
から高密度焼結体を製造することもできる。
前述の特願昭60−10’0433号および特願昭61
−32863号に開示されている鋳込み成形方法と、例
えば上述の特公昭59−35870号公報あるいは西独
特許DE3403917D1に開示された高密度焼結体
製造方法とを適用して、金属粉またはセラミックス粉か
ら高密度焼結体を製造することもできる。
−32863号に開示されている鋳込み成形方法と、例
えば上述の特公昭59−35870号公報あるいは西独
特許DE3403917D1に開示された高密度焼結体
製造方法とを適用して、金属粉またはセラミックス粉か
ら高密度焼結体を製造することもできる。
ところがこれらの場合、次のような類似の操作を4回繰
り返す必要があるという不都合がある。
り返す必要があるという不都合がある。
すなわち、鋳込み成形体から分散媒を蒸発または超臨界
抽出する工程、第1層形成のために成形体をスラリーに
浸漬し、ついで乾燥するという操作を所定の厚みに達す
るまで繰り返す工程、第2層形成のために形成体をスラ
リーに浸漬し、ついて乾燥する操作を所定の厚みに達す
るまで繰り返す工程、および熱間等方圧縮工程である。
抽出する工程、第1層形成のために成形体をスラリーに
浸漬し、ついで乾燥するという操作を所定の厚みに達す
るまで繰り返す工程、第2層形成のために形成体をスラ
リーに浸漬し、ついて乾燥する操作を所定の厚みに達す
るまで繰り返す工程、および熱間等方圧縮工程である。
上に述べたように、これら従来の技術において1よ、一
連の工程の中で類似の操作の繰り返しが多すぎろことか
ら、このような従来の技術では操作自体が繁雑となる可
能性があるのみならず、時間を要するという欠点があっ
た。
連の工程の中で類似の操作の繰り返しが多すぎろことか
ら、このような従来の技術では操作自体が繁雑となる可
能性があるのみならず、時間を要するという欠点があっ
た。
〔問題点を解決するための手段・作用〕この究明は、以
上のような従来技術における問題点の解決を図るべくな
されたものであって、従来個別の工程に分れていた工程
、すなわち鋳込み成形体からの分散媒の蒸発または超臨
界抽出、成形体表面の膜の乾燥の諸工程を、超臨界抽出
法の適用によって1工程で完了させることすることを可
能にしているものである。
上のような従来技術における問題点の解決を図るべくな
されたものであって、従来個別の工程に分れていた工程
、すなわち鋳込み成形体からの分散媒の蒸発または超臨
界抽出、成形体表面の膜の乾燥の諸工程を、超臨界抽出
法の適用によって1工程で完了させることすることを可
能にしているものである。
具体的には、次の、A 金属粉またはセラミック粉を超
臨界流体によって抽出可能な物質を主要部分とする分散
媒に分散させてスラリーとし、このスラリーを鋳込み形
成により分散媒を含有する成形体を得ろ工程、B 金属
粉またはセラミック粉を超臨界流体によって抽出可能な
物質を主要部分とする分散媒に分散させてスラリーとし
、このスラリーを前述の成形体表面全体に塗布して膜を
形成する工程、C前記超臨界流体により成形体および膜
になよれる分散媒中の抽出可能成分を抽出除去する工程
、D この多孔質の膜付成形体を加熱して膜をガス不透
過膜とする工程、および、E この成形体に熱間等方加
圧処理を施こす工程、の5工程からなることを特徴とす
る金属粉またはセラミック粉の高密度焼結体の製造方法
、に関するものである。
臨界流体によって抽出可能な物質を主要部分とする分散
媒に分散させてスラリーとし、このスラリーを鋳込み形
成により分散媒を含有する成形体を得ろ工程、B 金属
粉またはセラミック粉を超臨界流体によって抽出可能な
物質を主要部分とする分散媒に分散させてスラリーとし
、このスラリーを前述の成形体表面全体に塗布して膜を
形成する工程、C前記超臨界流体により成形体および膜
になよれる分散媒中の抽出可能成分を抽出除去する工程
、D この多孔質の膜付成形体を加熱して膜をガス不透
過膜とする工程、および、E この成形体に熱間等方加
圧処理を施こす工程、の5工程からなることを特徴とす
る金属粉またはセラミック粉の高密度焼結体の製造方法
、に関するものである。
この発明でいう金属粉またはセラミック粉とは、2%N
i −98%Fe粉、5US316粉、ステライト粉
等の金属粉、アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ジル
コニア等のセラミック粉、炭化タングステン−コバ用l
−1窒化チタン−ニッケル等の金属とセラミックの複合
粉を含めた粉末を指称している。
i −98%Fe粉、5US316粉、ステライト粉
等の金属粉、アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ジル
コニア等のセラミック粉、炭化タングステン−コバ用l
−1窒化チタン−ニッケル等の金属とセラミックの複合
粉を含めた粉末を指称している。
また、ここで使用する超臨界流体としては、特に制約は
ないが、二酸化炭素、エタン、エチレン、モノクロロト
リフルオロメタンなど臨界温度が常温に近い物質が扱い
易いので好ましい。
ないが、二酸化炭素、エタン、エチレン、モノクロロト
リフルオロメタンなど臨界温度が常温に近い物質が扱い
易いので好ましい。
分散媒の主要部分となる超臨界流体によって抽出するこ
との可能な物質としては、メチルアルコール、エチルア
ルコール、n−ゴロビルアルコール、i−プロピルアル
コール、n−ブチルアルコール、l−ブチルアルコール
、S−ブチルアルコール、t−ブチルアルコールなどの
低級アルコール、アセトン、ステアリン酸、ステアリル
アルコール、パラフィンなどがある。
との可能な物質としては、メチルアルコール、エチルア
ルコール、n−ゴロビルアルコール、i−プロピルアル
コール、n−ブチルアルコール、l−ブチルアルコール
、S−ブチルアルコール、t−ブチルアルコールなどの
低級アルコール、アセトン、ステアリン酸、ステアリル
アルコール、パラフィンなどがある。
工程Aの鋳込み成形に使用する鋳型としては、鋳型へ分
散媒を吸収させることによってスラリーの固化を達成さ
せる場合には、石膏あるいは多孔質樹脂などの吸液性の
鋳型を使用する。
散媒を吸収させることによってスラリーの固化を達成さ
せる場合には、石膏あるいは多孔質樹脂などの吸液性の
鋳型を使用する。
また、これとは別に分散媒を凍結させることによりスラ
リーの固化を達成する場合には、非吸収性の材料によっ
て形成された鋳型を適用する。
リーの固化を達成する場合には、非吸収性の材料によっ
て形成された鋳型を適用する。
このような目的を達成するには、工具鋼のほか本、硬質
ゴム、アルミニウム、ステンレス、鋼すど材質のうちか
ら必要に応じて適宜選択して使用する。
ゴム、アルミニウム、ステンレス、鋼すど材質のうちか
ら必要に応じて適宜選択して使用する。
この工程へにおけるスラリー濃度(よ、粉濃度で40〜
75容積%とすることが好ましく、この範囲外、例えば
、40容積%以下では分散媒除去後の成形体は密度が低
くなり取扱いに耐えられない傾向を示し、その逆に濃度
が75容積%以上になると流動性に劣り鋳型内にうまく
充填できなくなる傾向が現れる。
75容積%とすることが好ましく、この範囲外、例えば
、40容積%以下では分散媒除去後の成形体は密度が低
くなり取扱いに耐えられない傾向を示し、その逆に濃度
が75容積%以上になると流動性に劣り鋳型内にうまく
充填できなくなる傾向が現れる。
これとは別に、分散剤を添加することは、スラリーの流
動性向上に効果的である。
動性向上に効果的である。
工程Bのスラリーは、粉濃度で10〜75容積%とする
。
。
この場合もスラリー濃度が、10容積%以下では分散媒
の塗り重ね回数を多く要するようになり手間がかかるし
、一方、75容積%以上になるとスラリーのtc動性が
悪く均一な膜形成が困難となる。
の塗り重ね回数を多く要するようになり手間がかかるし
、一方、75容積%以上になるとスラリーのtc動性が
悪く均一な膜形成が困難となる。
また、この場合も工程Bの場合と同様に、分散剤を添加
することがスラリーの流動性向上に効果的である。
することがスラリーの流動性向上に効果的である。
膜は、工程Eのあと焼結体からの除去が容易にできれば
1層でも良いが、この除去操作が容易でない場合、ある
いはまた、内部と反応して焼結体表面の変質が問題にな
る場合には、2層とする。
1層でも良いが、この除去操作が容易でない場合、ある
いはまた、内部と反応して焼結体表面の変質が問題にな
る場合には、2層とする。
2層にするときには、まずその第1層は、難焼結性の不
活性物質とし、第2層をガス不透過膜になりうる易焼結
物質とするが、ガス不透過膜をつくり易くするために焼
結性の異なる2層で51I便を構成しても良い。
活性物質とし、第2層をガス不透過膜になりうる易焼結
物質とするが、ガス不透過膜をつくり易くするために焼
結性の異なる2層で51I便を構成しても良い。
さらに、成形体とこの2層との間に不活性物質からなる
層をっ(す3層構造としても良い。
層をっ(す3層構造としても良い。
工程Cは、成形体および膜の両方に含まれる分散媒中の
抽出可能成分を1工程で実施する。
抽出可能成分を1工程で実施する。
さらに、工程りは、常圧または真空中で行うが、その雰
囲気は、成形体の材質によって定まり、例えば、窒化ケ
イ素のように熱分解が問題になる場合では、窒素ガスに
よって加圧を行った状態で実施しても良い。
囲気は、成形体の材質によって定まり、例えば、窒化ケ
イ素のように熱分解が問題になる場合では、窒素ガスに
よって加圧を行った状態で実施しても良い。
金属の場合では、アルゴン、窒素等の不活性ガスを使用
し、場合によってこれに水素を添加しても良い。
し、場合によってこれに水素を添加しても良い。
非酸化物系セラミックスの場合には、不活性ガス雰囲気
で行うことが望ましいが、酸化物系セラミックスの場合
では空気でも良い。
で行うことが望ましいが、酸化物系セラミックスの場合
では空気でも良い。
工程りを行うに先立って、必要に応じて工程Cで除去し
きれなかった残留分散媒の加熱除去を行う工程を入れて
も良いし、また、工程りの途中で′残留分散媒の除去を
行っても良い。
きれなかった残留分散媒の加熱除去を行う工程を入れて
も良いし、また、工程りの途中で′残留分散媒の除去を
行っても良い。
このようにして形成するガス不透過膜は、工程Eの熱間
等方加圧の間、成形体の収縮に追従してガス不透過性を
維持しつつ塑性変形する材質のうちから選択して使用す
る。
等方加圧の間、成形体の収縮に追従してガス不透過性を
維持しつつ塑性変形する材質のうちから選択して使用す
る。
以下、具体的に実施例を示し本発明の構成および効果を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
実施例 1
12閣φX20mのキャビティを有する石膏型を用意し
、これに95重量部のSi、N、および5重量部のY2
O3原料粉を78重量部、l−ゴロビルアルコール11
7ti、JitalS、ポリエチレングリコール1重量
部からなるスラリーを鋳込み、8時間放置して分散媒を
鋳型に吸収させ、固まった円筒状の成形体を取出してこ
れを、窒化ホウ素35重量部、1−プロピルアルコール
65重量部のスラリーに浸漬した後、10分間空気中に
保持し、再び浸漬するという操作を計5回繰り返した。
、これに95重量部のSi、N、および5重量部のY2
O3原料粉を78重量部、l−ゴロビルアルコール11
7ti、JitalS、ポリエチレングリコール1重量
部からなるスラリーを鋳込み、8時間放置して分散媒を
鋳型に吸収させ、固まった円筒状の成形体を取出してこ
れを、窒化ホウ素35重量部、1−プロピルアルコール
65重量部のスラリーに浸漬した後、10分間空気中に
保持し、再び浸漬するという操作を計5回繰り返した。
次いで、84重量部のSi、N4.12重置部のY2O
3,4重量部c7)A I 、o、カラナルR合粉35
重景部を1−プロピルアルコール65重量部と混合して
得たスラリーに浸漬し、10分間空気中に保持し再び浸
漬するという操作を計5回繰り返して2層構造の膜を形
成した。
3,4重量部c7)A I 、o、カラナルR合粉35
重景部を1−プロピルアルコール65重量部と混合して
得たスラリーに浸漬し、10分間空気中に保持し再び浸
漬するという操作を計5回繰り返して2層構造の膜を形
成した。
ついで、この成形体を圧力200kg/c+J(ゲージ
圧)、温度35℃の二酸化炭素により1.5時間抽出を
行ったところ、はぼ粉体重量に相当する重量になってい
ることが確認された。
圧)、温度35℃の二酸化炭素により1.5時間抽出を
行ったところ、はぼ粉体重量に相当する重量になってい
ることが確認された。
この成形体を、熱間等方加圧装置にセットし、第1図に
示したような加熱、昇温パターンに従って、真空脱気、
多孔質膜の不透膜化、熱間等方加圧処理を行った。
示したような加熱、昇温パターンに従って、真空脱気、
多孔質膜の不透膜化、熱間等方加圧処理を行った。
すなわち、先ず真空脱気操作は、1000℃で0.2T
orr到達まで保持することより行い、多孔質膜の不透
膜化は、1800℃、10kg/cj(ゲージ圧)窒素
雰囲気中で10分間保持し、また、熱間等方加圧処理は
、1750℃、2000kg / cri (ゲージ圧
)の窒素雰囲気中2時間保持した。
orr到達まで保持することより行い、多孔質膜の不透
膜化は、1800℃、10kg/cj(ゲージ圧)窒素
雰囲気中で10分間保持し、また、熱間等方加圧処理は
、1750℃、2000kg / cri (ゲージ圧
)の窒素雰囲気中2時間保持した。
冷却後、サンドプラス1−にかけて膜を除去したが、こ
のようにして得た焼結体は、その理論密度の99.2%
の高密度となっていた。
のようにして得た焼結体は、その理論密度の99.2%
の高密度となっていた。
実施例 2
95重量部のW、3.5重量部のNiおよび1゜5重量
部のFeからなる原料粉(粒度5〜60μm)にパラフ
ィン(融点42〜44℃)8重fi部とオレイン酸0.
2重量部を加えて8−0℃に保持しながら3時間攪拌混
合した。
部のFeからなる原料粉(粒度5〜60μm)にパラフ
ィン(融点42〜44℃)8重fi部とオレイン酸0.
2重量部を加えて8−0℃に保持しながら3時間攪拌混
合した。
一方、10maX 50+naX 70+mの直方形状
のキャピテイを有するアルミニウム性の水冷管付き鋳型
をセットシた。
のキャピテイを有するアルミニウム性の水冷管付き鋳型
をセットシた。
そして、スラリーを3kg/cd(ゲージ圧)に加圧し
てこの水冷鋳型に注込み、成形体を形成させたのち、こ
の成形体を取出して、これにSiO□96.5重量部、
B、0,2.9重量部、A I 2030.6重電部か
らなるガラス粉末80重置部、を−プ千ルアルコール1
9.5重量M、カルボン酸系分散剤0.5重量部のスラ
リーを約0.5mmの厚みで塗布した。
てこの水冷鋳型に注込み、成形体を形成させたのち、こ
の成形体を取出して、これにSiO□96.5重量部、
B、0,2.9重量部、A I 2030.6重電部か
らなるガラス粉末80重置部、を−プ千ルアルコール1
9.5重量M、カルボン酸系分散剤0.5重量部のスラ
リーを約0.5mmの厚みで塗布した。
つぎに、この試料を圧力100kg/c♂(ゲージ圧)
、温度35℃の二酸化炭素により、2時間抽出を行った
ところ、はぼ粉体重量に相当する重量になっていること
が確認された。
、温度35℃の二酸化炭素により、2時間抽出を行った
ところ、はぼ粉体重量に相当する重量になっていること
が確認された。
この成形体を800℃、1’0−’Torrで2時間維
持したのち、1300℃、10−’Torrで10分間
保持して放冷しなところガラス膜で覆われた成形体とな
った。
持したのち、1300℃、10−’Torrで10分間
保持して放冷しなところガラス膜で覆われた成形体とな
った。
この成形体を、熱間等方加圧装置にセットし、第2図に
示したような加熱、昇温パターンによって、アルゴン雰
囲気中でガラス膜の溶融、熱間等方加圧処理を行った。
示したような加熱、昇温パターンによって、アルゴン雰
囲気中でガラス膜の溶融、熱間等方加圧処理を行った。
すなわち、ガラス膜の溶融には、1300℃、0.5T
orrの条件下で10分間保持し、熱間等方加圧処理(
よ、1350℃、1000 kg / cj(ゲージ圧
)のアルゴン雰囲気中で1時間保持することにより行っ
た。
orrの条件下で10分間保持し、熱間等方加圧処理(
よ、1350℃、1000 kg / cj(ゲージ圧
)のアルゴン雰囲気中で1時間保持することにより行っ
た。
この処理の終了後、冷却しサンドブラストにかけて膜を
除去したが、得られた焼結体の密度は、理論密度の99
.6%の高密度となっていた。
除去したが、得られた焼結体の密度は、理論密度の99
.6%の高密度となっていた。
この発明は、金属粉またはセラミックス粉のスラリーを
鋳込成形して成形体を形成した後、其の成形体表回に膜
を形成させ、抽出可能成分の抽出除去を行い、膜付き成
形体を加熱して前記膜をガス不透過膜とし、次いで熱間
等方加圧処理を施すという工程を超臨界抽出を利用する
ことにより一工程で行うようにしたので、工程を簡略化
し得たという効果がある。
鋳込成形して成形体を形成した後、其の成形体表回に膜
を形成させ、抽出可能成分の抽出除去を行い、膜付き成
形体を加熱して前記膜をガス不透過膜とし、次いで熱間
等方加圧処理を施すという工程を超臨界抽出を利用する
ことにより一工程で行うようにしたので、工程を簡略化
し得たという効果がある。
また、従来、膜形成時に使用した溶媒は、蒸発によって
除去していたが、この場合には膜の収縮を伴うので亀裂
の発生を抑制することが困難であったが、この発明のよ
うに超臨界抽出を適用することにより亀裂の発生はなく
健全な膜を得られやすくなったという効果をも有するも
のである。
除去していたが、この場合には膜の収縮を伴うので亀裂
の発生を抑制することが困難であったが、この発明のよ
うに超臨界抽出を適用することにより亀裂の発生はなく
健全な膜を得られやすくなったという効果をも有するも
のである。
第1図は熱間等方加圧処理の加熱、昇高パターンを示し
たヒストダラム、第2図は他の熱間等方加圧処理の加熱
、昇温パターンを示したヒストダラム、第3図は従来の
方法による鋳込成形方法を示した工程図である。
たヒストダラム、第2図は他の熱間等方加圧処理の加熱
、昇温パターンを示したヒストダラム、第3図は従来の
方法による鋳込成形方法を示した工程図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の、 A 金属粉またはセラミック粉を超臨界流体によって抽
出可能な物質を主要部分とする分散媒に分散させてスラ
リーとし、このスラリーを鋳込み形成により分散媒を含
有する成形体を得る工程、 B 金属粉またはセラミック粉を超臨界流体によって抽
出可能な物質を主要部分とする分散媒に分散させてスラ
リーとし、このスラリーを前述の成形体表面全体に塗布
して膜を形成する工程、 C 前記超臨界流体により成形体および膜に含まれる分
散媒中の抽出可能成分を抽出除去する工程、 D この多孔質の膜付成形体を加熱して膜をガス不透過
膜とする工程、および、 E この成形体に熱間等方加圧処理を施こす工程、 の5工程からなることを特徴とする金属粉またはセラミ
ック粉の高密度焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145323A JPS63310776A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 高密度焼結体の製造法 |
US07/203,239 US4931238A (en) | 1987-06-12 | 1988-06-06 | Method for manufacturing a sintered body with high density |
EP88109204A EP0294806A1 (en) | 1987-06-12 | 1988-06-09 | Method for manufacturing a sintered body with high density |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62145323A JPS63310776A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 高密度焼結体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63310776A true JPS63310776A (ja) | 1988-12-19 |
JPH0436117B2 JPH0436117B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=15382502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62145323A Granted JPS63310776A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 高密度焼結体の製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4931238A (ja) |
EP (1) | EP0294806A1 (ja) |
JP (1) | JPS63310776A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01145104A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Nkk Corp | 高密度燒結体の製造法 |
WO1997007948A1 (fr) * | 1995-08-26 | 1997-03-06 | Toto Ltd. | Procede de coulage en barbotine de poudres, moule utilise selon ce procede et procede de production de corps poreux a alveoles ouvertes a l'aide dudit moule |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU6545690A (en) * | 1990-03-15 | 1991-10-10 | Klaus Rennebeck | Process for manufacturing metallic or ceramic materials |
US5126284A (en) * | 1991-10-25 | 1992-06-30 | Curran Patrick A | Method of inductively contacting semiconductor regions |
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