JPS63310283A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63310283A JPS63310283A JP62146599A JP14659987A JPS63310283A JP S63310283 A JPS63310283 A JP S63310283A JP 62146599 A JP62146599 A JP 62146599A JP 14659987 A JP14659987 A JP 14659987A JP S63310283 A JPS63310283 A JP S63310283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- register
- shift register
- signal
- transferred
- horizontal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子の構造に関する、〔従来の技術〕
従来、この種の固体撮像素子はおもに第９図及び第１０
図に示す様な構造となっていた。第９図はインターライ
ン転送型固体撮像素子の構造概念図である。複数のホト
センサｌが複数列に形成され、そのホトセンサｌの各縦
配列と近接平行して垂直転送レジスタ２がそれぞれ形成
されその垂直転送レジスタ２の各一端に水平転送レジス
タ３が形成され、その−瑞には、信号出力部６が形成さ
れている。ホトセンサ１に入射した元の元素に応じて信
号電荷がホトセンサ１に形成され読み出し７パルスによ
ジ垂直シフトレジスタ２に読み出される。垂直シフトレ
ジスタ２の全電荷パターンａ行単位で一水平走査級毎に
水平転送レジスタ３に並行転送され、信号出力部６よジ
順次ビデオ信号として出力される。
図に示す様な構造となっていた。第９図はインターライ
ン転送型固体撮像素子の構造概念図である。複数のホト
センサｌが複数列に形成され、そのホトセンサｌの各縦
配列と近接平行して垂直転送レジスタ２がそれぞれ形成
されその垂直転送レジスタ２の各一端に水平転送レジス
タ３が形成され、その−瑞には、信号出力部６が形成さ
れている。ホトセンサ１に入射した元の元素に応じて信
号電荷がホトセンサ１に形成され読み出し７パルスによ
ジ垂直シフトレジスタ２に読み出される。垂直シフトレ
ジスタ２の全電荷パターンａ行単位で一水平走査級毎に
水平転送レジスタ３に並行転送され、信号出力部６よジ
順次ビデオ信号として出力される。
第１Ｏ図はフレーム転送型固体撮像素子の構造概念図で
ある。受元部４で生じｆｃ信号電荷は垂直ブランキング
期間中に信号蓄積部５に並行転送される。信号蓄積部５
の全電荷パターンは玉水平走査線毎に水平シフトレジス
タ３に並行転送され、信号出力部６より順次ビデオ信号
として出力される。
ある。受元部４で生じｆｃ信号電荷は垂直ブランキング
期間中に信号蓄積部５に並行転送される。信号蓄積部５
の全電荷パターンは玉水平走査線毎に水平シフトレジス
タ３に並行転送され、信号出力部６より順次ビデオ信号
として出力される。
上述した従来の固体撮像素子では一意にテレビジョン方
式の走査に符合する順序で各７オトセンサの信号が信号
出力部よりビデオ信号として出力される構造となってい
て、映作信号の出力方法の自由度に欠けるという欠点が
ある。
式の走査に符合する順序で各７オトセンサの信号が信号
出力部よりビデオ信号として出力される構造となってい
て、映作信号の出力方法の自由度に欠けるという欠点が
ある。
本発明の固体撮像素子は、入射九量に応じた信号電荷を
発生し蓄積する二次元光電変換部と、行単位で一水平走
査級毎に、前記元型ｆ換され几信号電荷金所足の一万回
に（又は互いに逆の二方向のいずれか一万七選択して）
転送する垂匣走介手段と、垂直方向に転送きれてきた信
号電荷ｔ−順次信号出力部へ互いに逆の二方向のいずれ
か一万を選択して転送する水平シフトレジスタ（又はそ
れぞれ前記二次元光電変換部の上下に配置され互いに逆
方向へ電荷全転送する第１の水平シフトレジスタ及び第
２の水平シフトレジスタ）を含む水平走査手段とを有し
ている。
発生し蓄積する二次元光電変換部と、行単位で一水平走
査級毎に、前記元型ｆ換され几信号電荷金所足の一万回
に（又は互いに逆の二方向のいずれか一万七選択して）
転送する垂匣走介手段と、垂直方向に転送きれてきた信
号電荷ｔ−順次信号出力部へ互いに逆の二方向のいずれ
か一万を選択して転送する水平シフトレジスタ（又はそ
れぞれ前記二次元光電変換部の上下に配置され互いに逆
方向へ電荷全転送する第１の水平シフトレジスタ及び第
２の水平シフトレジスタ）を含む水平走査手段とを有し
ている。
次に本発明の実施例について図面全参照して説明する。
第１図は不発明の第１の実施例金示す構造概念図である
。
。
第１図を参照すると、この実施例は第９図に示し几イン
ターライン形固体撮像索子に本発明全適用したものであ
り、入射光量に応じて信号電荷全蓄積する複数個のホト
センサ１からなる元［変侯部とホトセンサｌから読み出
された信号電荷全転送する垂直シフトレジスタと、行単
位で一水平走査巌毎に垂直シフトレジスタ２より吋送さ
れて来る信号電荷を順次信号出力部に転送する第１．第
２の水平シフトレジスタ３１．３２と信号出力部６１．
６２，６３．６４から構成されている。
ターライン形固体撮像索子に本発明全適用したものであ
り、入射光量に応じて信号電荷全蓄積する複数個のホト
センサ１からなる元［変侯部とホトセンサｌから読み出
された信号電荷全転送する垂直シフトレジスタと、行単
位で一水平走査巌毎に垂直シフトレジスタ２より吋送さ
れて来る信号電荷を順次信号出力部に転送する第１．第
２の水平シフトレジスタ３１．３２と信号出力部６１．
６２，６３．６４から構成されている。
複数個のホトセンサｌはその入射光量に応じて信号電荷
を蓄積し、読み出しパルスにより、この信号電荷は垂直
シフトレジスタ２に読み出される。
を蓄積し、読み出しパルスにより、この信号電荷は垂直
シフトレジスタ２に読み出される。
こ仁で第４図に示す様な４相クロツクパルス９ｂ１〜ｐ
４で、ＷＪ２図に示した構造の垂直シフトレジスタ２を
、第７図に示す様な２相クロツクパルスρ１’ 、 ５
ｚ！’で、第６図に示した構造のｉｌの水平シフトレジ
スタ３１ｔ−駆動した場合、第３図に示したように垂直
シフトレジスタで転送されて第１の水平レジスタ３１ｔ
／ｃａみ重筋れた全電荷パターンは第１図ＡからＢの方
向に順次並行転送される。
４で、ＷＪ２図に示した構造の垂直シフトレジスタ２を
、第７図に示す様な２相クロツクパルスρ１’ 、 ５
ｚ！’で、第６図に示した構造のｉｌの水平シフトレジ
スタ３１ｔ−駆動した場合、第３図に示したように垂直
シフトレジスタで転送されて第１の水平レジスタ３１ｔ
／ｃａみ重筋れた全電荷パターンは第１図ＡからＢの方
向に順次並行転送される。
行単位で一水平走査線毎にｉ＠１の水平シフトレジスタ
３１に垂直シフトレジスメ２より並行転送された信号電
荷は第１図りからＣの方向に幀久転送嘔れ信号出力部６
１よりビデオ信号として出力される。この場合、第９図
の従来技術の一つでおるインターライン型固体撮像素子
と同等の映像信号が出力される。
３１に垂直シフトレジスメ２より並行転送された信号電
荷は第１図りからＣの方向に幀久転送嘔れ信号出力部６
１よりビデオ信号として出力される。この場合、第９図
の従来技術の一つでおるインターライン型固体撮像素子
と同等の映像信号が出力される。
次に、第６図に示すセレクトスイッチ１３ｔ−ｂ側にし
２相クロツクパルスｌ”ｌ’ｌρ２′で第１の水平シフ
トレジスタ３１會駆動した場合、行単位で一水平走査線
毎に水平シフトレジスタ３１に垂直シフトレジスタ２よ
り並行転送された信号電荷は第１図ＣからＤの方向に順
次転送され信号出力部６２よりビデオ信号として出力さ
れる。この場合、鷹９内の従来技術であるインターライ
ン型固体撮像素子から得られる映像信号に対して左右反
転した映像信号が得られる。
２相クロツクパルスｌ”ｌ’ｌρ２′で第１の水平シフ
トレジスタ３１會駆動した場合、行単位で一水平走査線
毎に水平シフトレジスタ３１に垂直シフトレジスタ２よ
り並行転送された信号電荷は第１図ＣからＤの方向に順
次転送され信号出力部６２よりビデオ信号として出力さ
れる。この場合、鷹９内の従来技術であるインターライ
ン型固体撮像素子から得られる映像信号に対して左右反
転した映像信号が得られる。
また第５図に示した様に第４図の４相クロツクパルスの
ρ２とρ４を入れ換えた４相クロックパΦ１′、ρ２′
で第２の水平シフトレジスタ３２を駆動し次場合、垂直
シフトレジスタ２に読み出された信号電荷は第１図Ｂか
らＡの方向に順次並行転送される。行単位で一水平走査
巌毎に第２の水平シフトレジスタ３２に垂直シフトレジ
スタ２よジ並行転送された信号電荷は第１図のＦからＥ
の方向に順次転送され、信号出力部６３１リピテオ信号
として出力される。この場合、第９凶の従来技術の一つ
であるインターライン型固体撮像索子から得られる映ｆ
ｐ信号に対して上下反転した映像信号が得られる。
ρ２とρ４を入れ換えた４相クロックパΦ１′、ρ２′
で第２の水平シフトレジスタ３２を駆動し次場合、垂直
シフトレジスタ２に読み出された信号電荷は第１図Ｂか
らＡの方向に順次並行転送される。行単位で一水平走査
巌毎に第２の水平シフトレジスタ３２に垂直シフトレジ
スタ２よジ並行転送された信号電荷は第１図のＦからＥ
の方向に順次転送され、信号出力部６３１リピテオ信号
として出力される。この場合、第９凶の従来技術の一つ
であるインターライン型固体撮像索子から得られる映ｆ
ｐ信号に対して上下反転した映像信号が得られる。
最後に、ＷＪｓ図で示した４相クロツクパルスで垂直シ
フトレジスタ２ｔ−１ｆｆｉ６図に示し文セレクトスイ
ッチ１３’ｔ−ｂｌｌｌｌにし２相クロツクパルスｐ１
′。
フトレジスタ２ｔ−１ｆｆｉ６図に示し文セレクトスイ
ッチ１３’ｔ−ｂｌｌｌｌにし２相クロツクパルスｐ１
′。
ρ２′で第２の水平シフトレジスタ３２ｔ−駆動し友場
合行単位で一水平走査級毎に第２の水平シフトレジスタ
３２に垂直シフトレジスタ２より並行転送された信号電
荷は第１図のＥからＦの方向に順次転送され、信号出力
部６４よりビデオ信号として出力される。この場合、第
９図の従来技術であるインターライ”／型固体操像素子
から得られる映像信号に対して上下左右反転した映像信
号が得られる。
合行単位で一水平走査級毎に第２の水平シフトレジスタ
３２に垂直シフトレジスタ２より並行転送された信号電
荷は第１図のＥからＦの方向に順次転送され、信号出力
部６４よりビデオ信号として出力される。この場合、第
９図の従来技術であるインターライ”／型固体操像素子
から得られる映像信号に対して上下左右反転した映像信
号が得られる。
つまり、第１図の様な構成全採用し、垂直シフトレジス
タ２及び第１．第２の水平シフトレジスタ３］、３２に
駆動するパルスを選定することにより、信号出力部６１
からは第９図の従来技術でろるインターライン型固体撮
イ家素子から得られる映像信号と同等の映像信号を、信
号出力部６２からは上述の映像信号に対して左右反転し
た映像信号を信号出力部６３からは上述の映像信号に対
して上下反転した映像信号全信号出力部６４からは上述
の映像信号に対して上下左右反転した映像信号金選足す
ることが出来る。
タ２及び第１．第２の水平シフトレジスタ３］、３２に
駆動するパルスを選定することにより、信号出力部６１
からは第９図の従来技術でろるインターライン型固体撮
イ家素子から得られる映像信号と同等の映像信号を、信
号出力部６２からは上述の映像信号に対して左右反転し
た映像信号を信号出力部６３からは上述の映像信号に対
して上下反転した映像信号全信号出力部６４からは上述
の映像信号に対して上下左右反転した映像信号金選足す
ることが出来る。
なお、第６図においてセレクトスイッチ１３を転送ゲー
ト電極の１つおきにそれぞれ接続した例を用いて説明し
たが、これらはまとめてｐ１′又はρ２′金加える信号
線につなげばよいので、セレクトスイッチは１つにする
ことができる。更に従来例でも、ａ又はｂのＩＩ゛１に
固定されているのであるから、単にセレクトスイッチが
１つ必要になるだけで、集積度の低下をひきおこすこと
はない。
ト電極の１つおきにそれぞれ接続した例を用いて説明し
たが、これらはまとめてｐ１′又はρ２′金加える信号
線につなげばよいので、セレクトスイッチは１つにする
ことができる。更に従来例でも、ａ又はｂのＩＩ゛１に
固定されているのであるから、単にセレクトスイッチが
１つ必要になるだけで、集積度の低下をひきおこすこと
はない。
第８図は本発明の第２の実施例を示す構造概念図である
。
。
この実施例は第１０図のフレーム転送型固体撮像素子に
本発明を適用したもので、受九部４（九′１を変換部）
の上下に信号蓄積部と水平シフトレジスタが対称に配置
嘔れている。動作は第１の実施例と同様であり、光電変
換部（４１、電荷蓄積部５１゜５２及び第１．第２の水
平シフトレジスタ３１゜３２を駆動するパルスを選定す
る仁とによシ、信号出力部６１からＨ第１０図の従来技
術であるフレーム転送型固体撮像素子から得られる映像
信号と同等の映像信号を、信号出力部６２からは左右反
転した映像信号を、信号出力部６３からは上下反転し九
映像償号を、信号出力部６４からは上下左右反転した映
像信号をそれぞれ出力させることが出来る。
本発明を適用したもので、受九部４（九′１を変換部）
の上下に信号蓄積部と水平シフトレジスタが対称に配置
嘔れている。動作は第１の実施例と同様であり、光電変
換部（４１、電荷蓄積部５１゜５２及び第１．第２の水
平シフトレジスタ３１゜３２を駆動するパルスを選定す
る仁とによシ、信号出力部６１からＨ第１０図の従来技
術であるフレーム転送型固体撮像素子から得られる映像
信号と同等の映像信号を、信号出力部６２からは左右反
転した映像信号を、信号出力部６３からは上下反転し九
映像償号を、信号出力部６４からは上下左右反転した映
像信号をそれぞれ出力させることが出来る。
以上説明した様に本発明は１つ又は２つの水平シフトレ
ジスタと、少なくとも２つ以上の信号出力部全固体撮像
素子にもたせ、垂直シフトレジスタ及び、水平シフトレ
ジスタの転送方向七制御することにより、固体撮像素子
からの出力信号の順序全選定することが可能となり、テ
レビジランカメラシステムとして使用した場合、簡単に
映像の左右反転、上下反転及び上下左右反転等の特殊効
果システムが構成出来るという効果がある。
ジスタと、少なくとも２つ以上の信号出力部全固体撮像
素子にもたせ、垂直シフトレジスタ及び、水平シフトレ
ジスタの転送方向七制御することにより、固体撮像素子
からの出力信号の順序全選定することが可能となり、テ
レビジランカメラシステムとして使用した場合、簡単に
映像の左右反転、上下反転及び上下左右反転等の特殊効
果システムが構成出来るという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す構造概念図、第２
図は４相ゲート電極構造シフトレジスタ゛の断面図、第
３図は時刻ｔ１％ｔｓにおけるチャネル電位プロファイ
ル図、第４図、第５図はそれぞれ４相クロックｅｓ−’
ｆｂ４の例全示す信号波形図、第６図は２相ゲート電極
構造シフトレジスタの断面図、第７図は２相クロツクρ
ｌ’ ＊ １２’ ２’の例を示す信号波形図、第８図
は本発明の第２の実施例を示す構造概念図、第９図は従
来のインクライン転送型固体撮像素子の構造概念図、第
１υ図は従来のフレーム転送型固体撮像素子の構造概念
図である。 ｌ・・・ホトセンサ、２・・・垂直シフトレジスタ、３
・・・水平シフトレジスタ、４・・・受九部、５・・・
信号蓄積部、６・・・信号出力部、７・・・酸化シリコ
ン膜、８−１〜８−５・・・転送ゲート電極、９・・・
Ｐ型シリコン基板、ｌＯ・・・へ型層、１１・・・Ｐ型
層、１２−１〜１２−５・・・転送ゲート電極、１３・
・・セレクトスイッチ、３１・・・第１の水平シフトレ
ジスメ、３２・・・第２の水平シフトレジスタ、５１．
５２・・・信号蓄積部、６１〜６４・・・信号出力部。 代理人 弁理士 内 原 晋、 葎 ｌ コ 第 ２ 図 茶 ３ 回 声 ４ 図 第 ５ 図 兼 ２ 国 葬 ７ 回 イ ３ 留 茅 ７ 酊 乎 ／θ 塵
図は４相ゲート電極構造シフトレジスタ゛の断面図、第
３図は時刻ｔ１％ｔｓにおけるチャネル電位プロファイ
ル図、第４図、第５図はそれぞれ４相クロックｅｓ−’
ｆｂ４の例全示す信号波形図、第６図は２相ゲート電極
構造シフトレジスタの断面図、第７図は２相クロツクρ
ｌ’ ＊ １２’ ２’の例を示す信号波形図、第８図
は本発明の第２の実施例を示す構造概念図、第９図は従
来のインクライン転送型固体撮像素子の構造概念図、第
１υ図は従来のフレーム転送型固体撮像素子の構造概念
図である。 ｌ・・・ホトセンサ、２・・・垂直シフトレジスタ、３
・・・水平シフトレジスタ、４・・・受九部、５・・・
信号蓄積部、６・・・信号出力部、７・・・酸化シリコ
ン膜、８−１〜８−５・・・転送ゲート電極、９・・・
Ｐ型シリコン基板、ｌＯ・・・へ型層、１１・・・Ｐ型
層、１２−１〜１２−５・・・転送ゲート電極、１３・
・・セレクトスイッチ、３１・・・第１の水平シフトレ
ジスメ、３２・・・第２の水平シフトレジスタ、５１．
５２・・・信号蓄積部、６１〜６４・・・信号出力部。 代理人 弁理士 内 原 晋、 葎 ｌ コ 第 ２ 図 茶 ３ 回 声 ４ 図 第 ５ 図 兼 ２ 国 葬 ７ 回 イ ３ 留 茅 ７ 酊 乎 ／θ 塵
Claims (1)
- 入射光量に応じた信号電荷を発生し蓄積する二次元光電
変換部と、行単位で一水平走査線毎に、前記光電変換さ
れた信号電荷を所定の一方向に（又は互いに逆の二方向
のいずれか一方を選択して）転送する垂直走査手段と、
垂直方向に転送されてきた信号電荷を順次信号出力部へ
互いに逆の二方向のいずれか一方を選択して転送する水
平シフトレジスタ（又はそれぞれ前記二次元光電変換部
の上下に配置され互いに逆方向へ電荷を転送する第１の
水平シフトレジスタ及び第２の水平シフトレジスタ）を
含む水平走査手段とを有してなることを特徴とする固体
撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146599A JPS63310283A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62146599A JPS63310283A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310283A true JPS63310283A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15411370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62146599A Pending JPS63310283A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369356B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 |
| JP2007124174A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置および固体撮像素子の駆動制御方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53124028A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-30 | Sony Corp | Solid state image pickup device |
| JPS58195371A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP62146599A patent/JPS63310283A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53124028A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-30 | Sony Corp | Solid state image pickup device |
| JPS58195371A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369356B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 |
| JP2007124174A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置および固体撮像素子の駆動制御方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8102455B2 (en) | Multiple output charge-coupled devices | |
| EP0712238B1 (en) | Solid-state image pickup device and method of driving the same | |
| US7289150B2 (en) | Solid-state image apparatus including a plurality of horizontal transfer registers for transferring image signals from an imaging area | |
| JPH04262679A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP2524434B2 (ja) | Ｃｃｄ映像素子 | |
| US8300132B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device, solid-state imaging system, and camera system | |
| JPH06121238A (ja) | Ｃｃｄ映像素子 | |
| US4862487A (en) | Solid-state imaging device | |
| JPS63310283A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP4637033B2 (ja) | 出力２分岐型固体撮像素子及び撮像装置 | |
| JPH10285467A (ja) | 撮像装置 | |
| JP4478651B2 (ja) | 撮像装置及びこの撮像装置に搭載するｃｃｄ型固体撮像素子とその駆動方法 | |
| JPS6170869A (ja) | 固体撮像装置および固体光センサ装置 | |
| JP2001060681A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
| JPH0360226B2 (ja) | ||
| JPH0748828B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US7586133B2 (en) | Solid state imaging apparatus and driving method of solid state imaging apparatus | |
| JPH05244340A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH10200819A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ | |
| JPH0685582B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0370375A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP3460979B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP2753895B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2983864B2 (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
| JP3064657B2 (ja) | 固体撮像装置 |