JPS6330727A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 本発明は充電変換装置の製造方法において、光検知素子
に対する入射光の視野角を制限するアパーチャを支持す
るバンプを硬化型樹脂材によって形成することにより、
該バンプに前記アパーチャを接着剤により固着支持する
際に、該光検知素子とアパーチャ間の間隔を規定の間隔
に正確に定めることを容易化し、かつアパーチャの位置
ずれを解消するようにしたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は光電変換装置の製造方法に係り、特に光電変換
装置において、赤外線検知素子に対する入射光の視野角
を制限するアパーチャを支持するハンプの形成方法に関
するものである。

一般に赤外線検知用の光電変換装置においては、検知対
象物から光検知素子に入射する赤外線の視野角をできる
だけ狭めて、該検知対象物以外の背景から来る余分な輻
射線を排除して検知感度を高めることが要求されること
から、前記光検知素子の受光部の前面に視野角を制限す
る視野決定用のスリットを備えたアパーチャを配置して
、検知すべき赤外線を前記視野決定用スリットを通して
受光部へ入射せしめる構成がとられている。

このため、そのような視野決定用のスリットを備えたア
パーチャを、光検知素子の受光部の前面に精度良く所定
間隔をもって容易に配設し得るアパーチャ支持用バンプ
の形成方法が必要とされている。

〔従来の技術〕

従来の赤外線検知用の光電変換装置は、第６図に示すよ
うにサファイア等からなる絶縁支持板１上に接着剤２（
接着層）によっ光検知用結晶基板を固着し、該結晶基板
１を所定の厚さに薄膜化した後、その表面に受光面４を
画定するように赤外線が透過しない金（Ａｕ）等からな
る金属電極層５゜６を設け、更に選択エツチング法によ
るバターニング工程によって、アレイ状に分割形成され
た複数の光検知素子３と、該複数の光検知素子３の両側
にアパーチャ支持用のバンプ形成領域となる一対の凸部
７ａ、　７ｂを形成する。

その後、前記バンプ形成領域となる凸部７ａ、　？ｂ上
に蒸着法などにより、例えばインジウム（Ｉｎ）を厚く
被着してアパーチャ支持用の金属バンプ８ａ。

８ｂを形成し、かかる金属バンプ８ａ、　８ｂ上に視野
決定用のスリット１１を備えたアパーチャ１０（図中鎖
線で示す）を押圧して、前記光検知素子３に対して規定
の間隔を持つ形にアパーチャ１０を圧着接合し、更にそ
の接合部に接着剤を塗布して固着した構成としている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで上記のような従来の光電変換装置にあっては、
インジウムからなる軟質な金属バンプ８ａ。

８ｂ上に視野決定用のスリット１１を備えたアパーチャ
１０（図中鎖線で示す）を押圧して光検知素子３との間
を規定の間隔となるように接合するには、該金属バンブ
８ａ、　８ｂを押圧により押潰すようにして接合してい
るため、前記光検知素子３とアパーチャ１０間の間隔を
規定の間隔に正確に定めることが難しく、また位置ずれ
が生じ易い問題があり、光検知素子３に対してアパーチ
ャ１０を規定の間隔に、かつ位置ずれしないように再現
性よく配置することが困難となる欠点があった。

本発明は上記のような従来の欠点に鑑み、アパーチャ支
持用バンプの材質及び形成方法を改良して、該支持用ハ
ンプに対してアパーチャを光検知素子と規定の間隔を持
ち、かつ位置ずれしないように再現性良く固着し得る新
規な光電変換装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するため、光検知用結晶基板に
選択エツチング法によりバンプ形成用溝を形成すると共
に、該溝に硬化性樹脂材を充填し、その状態の基板の溝
のある面に絶縁支持板を固着する。その後、該結晶基板
を研削して充填硬化した樹脂材を規定の高さとなるよう
にする。

引き続き結晶基板のみをエツチングして薄膜化し該薄膜
化した結晶基板に受光領域を画定すると共に、素子分離
を行って絶縁支持板上に複数の光検知用素子とその両サ
イドに樹脂材からなるバンプを形成する。しかる後、そ
のバンプ上に視野角制限用スリットを備えたアパーチャ
を接着剤により固着支持するようにする。

〔作　用〕

本発明の光電変換装置の製造方法では、光検知素子の形
成工程と平行して、アパーチャ支持用のバンプを規定の
高さく光検知素子とアパーチャとの間隔を規定する高さ
）に硬化性樹脂材によって形成し、このバンブ上に視野
角制限用スリットを備えたアパーチャを接着剤により固
着支持することにより、該バンプを従来のように変形（
押潰す）させることがないので、前記光検知素子とアパ
ーチャ間の間隔を規定の間隔に正確に定めることが容易
となり、またアパーチャの位置ずれも解消する。

〔実施例〕 以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図乃至第５図は本発明に係る光電変換装置の製造方
法の一実施例を工程順に示す要部概略断面図である。

先ず第１図に示すように例えばインジウム・アンチモン
（ＩｎＳｂ）または水銀・カドミウム・テルル（ＨｇＣ
ｄＴｅ）などからなる光検知用の結晶基板２１上にレジ
スト膜を塗着し、該レジスト膜をパターニングして溝形
成用のレジストパターン２２を形成した後、該パターン
２２をマスクにして選択エツチング法により前記結晶基
板２１に図示のように一対のハンプ形成用？ａ２３を形
成する。

次に第２図に示すように該結晶基板２１に形成された一
対のバンプ形成用溝２３内に、例えば硬化性樹脂接着剤
等からなる硬化性樹脂材２４を先議すると共に、その結
晶基板２１を図示のように反転してサファイアなどから
なる絶縁支持板２５上にその硬化性樹脂材２４により固
着する。

その後、第３図に示すように前記結晶基板２１を研削し
て充虜硬化した樹脂材２４を規定の高さく光検知素子と
アパーチャとの間隔を規定する高さ）となるようにする
。引き続き該結晶基板２１のみをエツチングして薄膜化
する。

次に第４図に示すように薄膜化した結晶基板２１上に、
受光領域を画定するように電極２７を形成すると共に、
素子分離を行い、更に前記電極２７の端部にボンディン
グパソド２８を形成して、絶縁支持板２５上に複数の光
検知用素子２６とその両サイドに樹脂材２４からなるア
パーチャ支持用のバンプ２９を形成する。

しかる後、第５図に示すように絶縁支持板２５上の前記
バンプ２９上に視野角制限用スリフ１−３１を備えたア
パーチャ３０を接着剤３２により固着支持する。

かくすれば、該アパーチャ３０をバンプ２９上に固着す
るに際して、該バンプ２９を従来のように変形（押潰す
）させる必要がないため、前記光検知素子２６とアパー
チャ３０間の間隔を規定の間隔に正確に定めることが容
易となり、またアパーチャ３０の位置ずれもなくなる。

〔発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係る充電変換
装置の製造方法によれば、絶縁支持板上に複数の光検知
用素子とその両サイドに樹脂材からなるアパーチャ支持
用バンプとを効率良く同時に形成することができ、しか
も該バンプ上に視野角制限用スリフトを備えたアパーチ
ャを固着するに際しては、該バンプが従来のように変形
（押潰し変形）されないため、前記光検知素子に対する
アパーチャの配設間隔を規定の間隔に正確に定めること
が容易となり、またアパーチャの位置ずれも解消する等
、バンプに対してアパーチャを光検知素子と規定の間隔
で、かつ正確な位置に再現性良く固着することが可能と
なる優れた利点を有する。

従って、この種の光電変換装置の製造方法に適用して極
めて有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第５図は本発明に係る光電変換装置の製造方
法の一実施（！１１を工程順に示す要部概略断面図、 第６図は従来の光電変換装置の製造方法を説明するため
の概略斜視図である。 第１図乃至第５図において、 ２１は結晶基板、２２はレジストパターン、２３はバン
プ形成用溝、２４は樹脂材、２５は絶縁支持板、２６は
光検知素子、２９はバンプ、３０はアパーチャ、３１は
視野制限用ス２２仁シ”ズ［ハｍ７−＞ 不発ΦｌじＴｅｙ垣；１欄八°Ｔガ閏 第　１　図 、ｌ１ＱＩＪ　／ｌ　＃ｆＲ’ｔ　ｎｔ４　ＸＨｍ第２
図 第３図 第５図 従来σ作託θ肘３磯拝軒視面 第　６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　光検知用結晶基板（２１）上にレジストパターン（２
   ２）を形成し、該パターン（２２）をマスクにして選択
   エッチング法により該結晶基板（２１）にバンプ形成用
   溝（２３）を形成する工程と、該溝（２３）に樹脂材（
   ２４）を充填し、かつ該溝を有する面に絶縁支持板（２
   ５）を固着する工程と、前記結晶基板（２１）の厚みを
   前記溝の深さより薄くしてアパーチャ支持用のバンプ（
   ２９）を形成する工程と、薄膜化した結晶基板（２１）
   に光検知用素子（２６）を形成する工程とを行った後、
   前記バンプ（２９）上に視野角制限用スリット（３１）
   を備えたアパーチャ（３０）を接着剤（３２）により固
   着支持することを特徴とする光電変換装置の製造方法。