JPS63304597A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
- Publication number
- JPS63304597A JPS63304597A JP14020587A JP14020587A JPS63304597A JP S63304597 A JPS63304597 A JP S63304597A JP 14020587 A JP14020587 A JP 14020587A JP 14020587 A JP14020587 A JP 14020587A JP S63304597 A JPS63304597 A JP S63304597A
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- JP
- Japan
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- plasma
- electrodes
- plasma generation
- gas
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- Pending
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
Landscapes
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｘ線発生のための高温高密度プラズマ生成
技術に関するものである。
技術に関するものである。
第２図は、例えは刊行物（ＳＥＭｌｏｏＮ ＮＥＷＳ
１９８７．１、 Ｐ、ｌ１２ ）に示された従来のＸ線
発生装置を示す構成図であり、図において、（１）は一
対の電極、（２）は真空容器、（３）は′ガスバフ装置
すなわち高速開閉ガスパルプ、（４＞ｌｔｉコンデンサ
、（５ｈコンデンサ【４）に充電するための充電装置、
αＢは電極（１）に電流を流すためのギャップスイッチ
、０ｚはギャップスイッチ圓を動作させるための高電圧
パルサ、（６）は放電によって生成されたピンチプラズ
マ、（７）はプラズマから発生するＸ線である。
１９８７．１、 Ｐ、ｌ１２ ）に示された従来のＸ線
発生装置を示す構成図であり、図において、（１）は一
対の電極、（２）は真空容器、（３）は′ガスバフ装置
すなわち高速開閉ガスパルプ、（４＞ｌｔｉコンデンサ
、（５ｈコンデンサ【４）に充電するための充電装置、
αＢは電極（１）に電流を流すためのギャップスイッチ
、０ｚはギャップスイッチ圓を動作させるための高電圧
パルサ、（６）は放電によって生成されたピンチプラズ
マ、（７）はプラズマから発生するＸ線である。
次に動作について説明する。基準パルスにより高速開閉
ガスパルプ（３）を駆動させてプラズマ生成部の電極（
１）の間にガス塊を形成し、これと同期させて高電圧パ
ルサー面からの信号によりギャップスイッチαＢを閉じ
、コンデンサ（４）に蓄えられたエネルギーをプラズマ
生成部に注入して高温・高密度のプラズマ（６）を生成
する。
ガスパルプ（３）を駆動させてプラズマ生成部の電極（
１）の間にガス塊を形成し、これと同期させて高電圧パ
ルサー面からの信号によりギャップスイッチαＢを閉じ
、コンデンサ（４）に蓄えられたエネルギーをプラズマ
生成部に注入して高温・高密度のプラズマ（６）を生成
する。
従来のＸ線発生装置は以上のように構成されており、放
電のためのギャップスイッチαＤを真空容器（２）の外
部に設置しているため、放電回路のインダクタンスを小
さくするためには限界があり、プラズマ生成部）のエネ
ルギー注入を短時間に行なえないことや、プラズマ発生
にガス塊の沿面放電を利用しているので、プラズマ発生
の位置が安定しないなどの問題点があった。
電のためのギャップスイッチαＤを真空容器（２）の外
部に設置しているため、放電回路のインダクタンスを小
さくするためには限界があり、プラズマ生成部）のエネ
ルギー注入を短時間に行なえないことや、プラズマ発生
にガス塊の沿面放電を利用しているので、プラズマ発生
の位置が安定しないなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、より高温・高密度プラズマを形成するために
、プラズマ生成部へのエネルギー注入時間を短縮すると
ともに、Ｘ線発生源である生成プラズマの位置再現性の
高いＸ線発生装置を得ることを目的とする。
たもので、より高温・高密度プラズマを形成するために
、プラズマ生成部へのエネルギー注入時間を短縮すると
ともに、Ｘ線発生源である生成プラズマの位置再現性の
高いＸ線発生装置を得ることを目的とする。
この発明に係るＸ線発生装置は、プラズマ生成部である
電極間にレーザー光を集光するためのレーザー装置と集
光系を備えプラズマ生成部に放電用のギャップスイッチ
機能を付加させたものである。
電極間にレーザー光を集光するためのレーザー装置と集
光系を備えプラズマ生成部に放電用のギャップスイッチ
機能を付加させたものである。
この発明により、ガスバフ２ピンチ装置のプラズマ生成
部に放電用スイッチの機能を付加させたので、従来のギ
ャップスイッチが不必要となり放電回路のインダクタン
スを小さくでき、コンデンサカラプラズマ生成部へのエ
ネルギー注入が高速に行なえるとともに、レーザー光の
集光点がプラズマ発生点となるためプラズマ発生の位置
が安定になる。
部に放電用スイッチの機能を付加させたので、従来のギ
ャップスイッチが不必要となり放電回路のインダクタン
スを小さくでき、コンデンサカラプラズマ生成部へのエ
ネルギー注入が高速に行なえるとともに、レーザー光の
集光点がプラズマ発生点となるためプラズマ発生の位置
が安定になる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は一対の電極、（２）は真空容器、
（３）は高速開閉ガスバルブ、（４）はコンデンサ、（
５）はコンデンサ（４）に充電するための充電装置、（
６）は放電によって生成するピンチプラズマ、（７）は
プラズマより発生するＸ線、（８）けレーザ装置、（９
）は集光レンズ、αＯはレーザ光である。
図において、（１）は一対の電極、（２）は真空容器、
（３）は高速開閉ガスバルブ、（４）はコンデンサ、（
５）はコンデンサ（４）に充電するための充電装置、（
６）は放電によって生成するピンチプラズマ、（７）は
プラズマより発生するＸ線、（８）けレーザ装置、（９
）は集光レンズ、αＯはレーザ光である。
次に動作について説明する。基準パルスより高速開閉ガ
スバルブ（３）を駆動させてプラズマ生成部の電極（１
）間にガス塊を形成させる。これと同期させてレーザ装
置（８）を発振させる。レーザ光は集光レンズ（９）を
通り、電極（１）間にあるガス塊に集光する。集光して
大強度になったレーザ光はガス塊と相互作用し、ガス塊
をプラズマ化する。このとき電極（１）間には高電圧が
印加されているため、レーザ光によって生じたプラズマ
が種となって電極（１）間に放電が始まり、高温高密度
プラズマが発生する。この回路では外部に放電用ギャッ
プスイッチを設ける必要がないため、ギャップスイッチ
自体の持つインダクタンスを取り除くことができ、コン
デンサ（４）のもつエネルギを短時間のうちにプラズマ
生成部へ注入できる。また、レーザ光の集光点がプラズ
マ発生の位置となるため、ガス塊の沿面放電によるプラ
ズマ発生に比べて生成プラズマの発生位置の再現性はは
るかに高い。
スバルブ（３）を駆動させてプラズマ生成部の電極（１
）間にガス塊を形成させる。これと同期させてレーザ装
置（８）を発振させる。レーザ光は集光レンズ（９）を
通り、電極（１）間にあるガス塊に集光する。集光して
大強度になったレーザ光はガス塊と相互作用し、ガス塊
をプラズマ化する。このとき電極（１）間には高電圧が
印加されているため、レーザ光によって生じたプラズマ
が種となって電極（１）間に放電が始まり、高温高密度
プラズマが発生する。この回路では外部に放電用ギャッ
プスイッチを設ける必要がないため、ギャップスイッチ
自体の持つインダクタンスを取り除くことができ、コン
デンサ（４）のもつエネルギを短時間のうちにプラズマ
生成部へ注入できる。また、レーザ光の集光点がプラズ
マ発生の位置となるため、ガス塊の沿面放電によるプラ
ズマ発生に比べて生成プラズマの発生位置の再現性はは
るかに高い。
以上のように、この発明によれば、一対の電極を収納す
る真空容器、上記電極間に間欠的に高速ガス流を吹きつ
けるガスバフ装置、上記電極間に大電流を流すコンデン
サ、このコンデンサに充電する充電装置、および上記電
極間にレーザ光を集光するレーザ装置を備えたので、放
電用ギャップスイッチが不必要となるため放電回路のイ
ンダクタンスを小さくでき為よりＸ線発生効率のよい高
温高密度のプラズマを得られる効果がある。また、レー
ザ光の焦点がプラズマ発生の位置となるため、Ｘ線発生
源の位置安定性の極めて高いＸ線発生装置が得られる。
る真空容器、上記電極間に間欠的に高速ガス流を吹きつ
けるガスバフ装置、上記電極間に大電流を流すコンデン
サ、このコンデンサに充電する充電装置、および上記電
極間にレーザ光を集光するレーザ装置を備えたので、放
電用ギャップスイッチが不必要となるため放電回路のイ
ンダクタンスを小さくでき為よりＸ線発生効率のよい高
温高密度のプラズマを得られる効果がある。また、レー
ザ光の焦点がプラズマ発生の位置となるため、Ｘ線発生
源の位置安定性の極めて高いＸ線発生装置が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるＸ線発生装置を示す
構成図、第２図は従来のＸ線発生装置を示す構成図であ
る。 図において、（１）は電極、（２）は真空容器、（３）
は高速ガスバルブ、（４）はコンデンサ、（５）は充電
装置、（６）はピンチプラズマ、（７）は発生Ｘ線、（
８）はレーザー装置、（９）Ｆｉ集光レンズ、００けレ
ーザー光、（社）はギャップスイッチ、■は高電圧パル
サである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
構成図、第２図は従来のＸ線発生装置を示す構成図であ
る。 図において、（１）は電極、（２）は真空容器、（３）
は高速ガスバルブ、（４）はコンデンサ、（５）は充電
装置、（６）はピンチプラズマ、（７）は発生Ｘ線、（
８）はレーザー装置、（９）Ｆｉ集光レンズ、００けレ
ーザー光、（社）はギャップスイッチ、■は高電圧パル
サである。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 一対の電極を収納する真空容器、上記電極間に間欠的に
高速ガス流を吹きつけるガスパフ装置、上記電極間に大
電流を流すコンデンサ、このコンデンサに充電する充電
装置、および上記電極間にレーザ光を集光するレーザ装
置を備えたＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14020587A JPS63304597A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14020587A JPS63304597A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63304597A true JPS63304597A (ja) | 1988-12-12 |
Family
ID=15263363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14020587A Pending JPS63304597A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63304597A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577092A (en) * | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
| JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2004501491A (ja) * | 2000-06-09 | 2004-01-15 | サイマー， インコーポレイテッド | 活性ガス及びバッファガス制御を有するプラズマ集束光源 |
| US7688948B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for generating radiation in the wavelength range from about 1 nm to about 30 nm, and use in a lithography device or in metrology |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP14020587A patent/JPS63304597A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577092A (en) * | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
| JP2004501491A (ja) * | 2000-06-09 | 2004-01-15 | サイマー， インコーポレイテッド | 活性ガス及びバッファガス制御を有するプラズマ集束光源 |
| JP2003051398A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US7688948B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for generating radiation in the wavelength range from about 1 nm to about 30 nm, and use in a lithography device or in metrology |
| TWI393486B (zh) * | 2004-11-29 | 2013-04-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | 用以產生約１奈米到約３０奈米的波長範圍之輻射之方法及裝置以及在一微影器件中或一度量衡中之使用 |
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