JPS63303898A - 液相成長用メルトの製造方法および装置 - Google Patents
液相成長用メルトの製造方法および装置Info
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- JPS63303898A JPS63303898A JP13931187A JP13931187A JPS63303898A JP S63303898 A JPS63303898 A JP S63303898A JP 13931187 A JP13931187 A JP 13931187A JP 13931187 A JP13931187 A JP 13931187A JP S63303898 A JPS63303898 A JP S63303898A
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- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＩｎＰ系液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）においては
、従来より同時複数個メルト（以下バッチメルトと称す
る）と呼ばれる成長溶液を使用して０る。
、従来より同時複数個メルト（以下バッチメルトと称す
る）と呼ばれる成長溶液を使用して０る。
このバッチメルトを作製する際、溶媒中に多くの溶質を
同時に溶解するとき溶解量の小辛い溶質が溶は残ること
があり、所望の溶液組成が得られなくなる。この対策と
して溶解量の小さい溶質は他の溶質とは別に溶媒に溶解
した後に、その他の溶質を溶解した溶液と混合して所望
の溶液を作製する方法と装置を提起する。
同時に溶解するとき溶解量の小辛い溶質が溶は残ること
があり、所望の溶液組成が得られなくなる。この対策と
して溶解量の小さい溶質は他の溶質とは別に溶媒に溶解
した後に、その他の溶質を溶解した溶液と混合して所望
の溶液を作製する方法と装置を提起する。
本発明は液相成長用メルトの製造方法および装置に係り
、とくに溶質の溶は残りを生じないようにして、所望の
組成が得られるようにしたメルトの製造方法および装置
に関する。
、とくに溶質の溶は残りを生じないようにして、所望の
組成が得られるようにしたメルトの製造方法および装置
に関する。
化合物半導体デバイスの製造にＬＰＥ法が多く用いられ
ている。
ている。
ＬＰＥ法により、レーザやフォトデテクタ等のデバイス
を構成する化合物半導体の層構造を形成している。
を構成する化合物半導体の層構造を形成している。
第２図は従来例を説明するＩｎＰ系の液相成長用メルト
の製造用ボートの断面図である。
の製造用ボートの断面図である。
ここでは、１．３μｍμｍ−ザの活性層（フォトルミネ
センス波長λ＝１．３μｍ）に用いる４元結晶Ｉｎ、）
、？０Ｇａ１１．３＋）ＡＳｏ、 ６４ｐＨ，３６用溶
液作製の場合を例にとり説明する。
センス波長λ＝１．３μｍ）に用いる４元結晶Ｉｎ、）
、？０Ｇａ１１．３＋）ＡＳｏ、 ６４ｐＨ，３６用溶
液作製の場合を例にとり説明する。
図において、ボートは固定部１とスライダ２よりなり、
固定部１には多数の溶液つぼＩＡ、 ＩＢ、 ・・・
が形成され、スライダ２は固定部１の上を移動し、大き
な溶液つぼ２Ａと溶液落とし孔２Ｂが形成されている。
固定部１には多数の溶液つぼＩＡ、 ＩＢ、 ・・・
が形成され、スライダ２は固定部１の上を移動し、大き
な溶液つぼ２Ａと溶液落とし孔２Ｂが形成されている。
スライダ２の大きな溶液つぼ２Ａ内で溶解、飽和された
Ｉｎ ＋ ＩｎＡｓ ＋ＧａＡｓ ＋ ＩｎＰ溶液を、
スライダ２を左方に移動させて固定部１の多数の溶液つ
ぼＩＡ。
Ｉｎ ＋ ＩｎＡｓ ＋ＧａＡｓ ＋ ＩｎＰ溶液を、
スライダ２を左方に移動させて固定部１の多数の溶液つ
ぼＩＡ。
ＩＢ、・・・に振り分けてバソ千メルトは作製される。
この４元結晶に対する溶液の飽和温度は５９０℃で。
（液相組成） （Ｉｎ １ ｇｒあたり）ＸＬ
ａｍ＝０．００５９２ １ｎＡｓ ３６．
９ ｖｓｇＸＬｍｓ−０，０２７ＧａＡｓ ７．
９ ｍｇＸ’Ｐ −０，００１１１ｎＰ １．４
８ ｍｇのようになり、溶媒のＩｎの量を２００ ｇｒ
とすれば。
ａｍ＝０．００５９２ １ｎＡｓ ３６．
９ ｖｓｇＸＬｍｓ−０，０２７ＧａＡｓ ７．
９ ｍｇＸ’Ｐ −０，００１１１ｎＰ １．４
８ ｍｇのようになり、溶媒のＩｎの量を２００ ｇｒ
とすれば。
溶質のＩｎＡｓ＋ ＧａＡｓ、 ＩｎＰの量は上記の２
００倍となる。
００倍となる。
この場合、溶媒として大量（２００ｇｒ）のＩｎを使用
するため、溶質としてのＩｎＡｓ、 ＧａＡｓ、 Ｉｎ
Ｐの量も多（なり、溶は残る溶質が生ずる。中でもＩｎ
ｌ’は特に溶ｉ難く、溶液作製後溶は残ったＩｎＰが見
つかるということがしばしば起こり、完全な組成の溶液
が得られなくなる。
するため、溶質としてのＩｎＡｓ、 ＧａＡｓ、 Ｉｎ
Ｐの量も多（なり、溶は残る溶質が生ずる。中でもＩｎ
ｌ’は特に溶ｉ難く、溶液作製後溶は残ったＩｎＰが見
つかるということがしばしば起こり、完全な組成の溶液
が得られなくなる。
上記問題点の解決は、所定の組成の溶液を作製するに際
し、所定量の溶質と溶媒を用意し、溶媒に対して最も溶
解率の少ない溶質および該溶質の溶解可能な量の溶媒と
、その他の溶質および所定の量より前記溶解可能な贋を
差し引いた量の溶媒とを別々に溶解し、溶解した両溶液
を混合して所定の組成の溶液を作製する工程を有する液
相成長用メルトの製造方法、および第１の溶液っぽと仕
切板落とし穴を形成した固定部と、第２の溶液っぽと溶
液落とし孔を形成したスライダと、該溶液落とし孔に嵌
合し、かつ第２の溶液っぽを２分する仕切り板とを有し
、該固定部上を該スライダが移動して、該仕切り板を該
仕切板落とし穴に落とし込み、さらに移動して該溶液落
とし孔が第１の溶液つぼの上にきて、第２の溶液つぼに
溶解された溶液が第１の溶液つぼに注入できる構造を具
備する液相成長用メルトの製造装置により達成される。
し、所定量の溶質と溶媒を用意し、溶媒に対して最も溶
解率の少ない溶質および該溶質の溶解可能な量の溶媒と
、その他の溶質および所定の量より前記溶解可能な贋を
差し引いた量の溶媒とを別々に溶解し、溶解した両溶液
を混合して所定の組成の溶液を作製する工程を有する液
相成長用メルトの製造方法、および第１の溶液っぽと仕
切板落とし穴を形成した固定部と、第２の溶液っぽと溶
液落とし孔を形成したスライダと、該溶液落とし孔に嵌
合し、かつ第２の溶液っぽを２分する仕切り板とを有し
、該固定部上を該スライダが移動して、該仕切り板を該
仕切板落とし穴に落とし込み、さらに移動して該溶液落
とし孔が第１の溶液つぼの上にきて、第２の溶液つぼに
溶解された溶液が第１の溶液つぼに注入できる構造を具
備する液相成長用メルトの製造装置により達成される。
１．３μｍμｍ−ザの活性層に用いる４元結晶成長用溶
液の場合は、前記溶媒がインジウム（Ｉｎ）。
液の場合は、前記溶媒がインジウム（Ｉｎ）。
溶媒に対して最も溶解率の少ない溶質がインジウムｔｌ
ｆｆｉ（ＩｒｒＰ） 、その他の溶質がインジウム砒素
（ＩｎＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）である。
ｆｆｉ（ＩｒｒＰ） 、その他の溶質がインジウム砒素
（ＩｎＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）である。
前記４元結晶成長用溶液を作製する際、溶媒としてＩｎ
を使用し、これに溶質としてＩｎＡｓ＋ ＧａＡｓ。
を使用し、これに溶質としてＩｎＡｓ＋ ＧａＡｓ。
ＩｎＰを溶解した溶液を作製した後に見られるＩｎＰの
溶は残りは、同−重量、同一温度のＩｎに対する溶解量
の相違によるもので、 ＩｎＰの溶解量が最も小さいか
らである。
溶は残りは、同−重量、同一温度のＩｎに対する溶解量
の相違によるもので、 ＩｎＰの溶解量が最も小さいか
らである。
とのため、 ＩｎＡｓ、 ＧａＡｓが先に大量に溶は出
し。
し。
これに伴ってますますＩｎＰが溶は難くなる結果と思わ
れる。
れる。
因に、６１０℃で、１ｇｒあたりのＩｎに対する溶解量
はＩｎＡｓは９７ ｍｇｒ、 ＧａＡｓは４２ ｗ＋ｇ
ｒ、 ＩｎＰは５．５信ｇｒである。
はＩｎＡｓは９７ ｍｇｒ、 ＧａＡｓは４２ ｗ＋ｇ
ｒ、 ＩｎＰは５．５信ｇｒである。
本発明はスライダの第２の溶液つぼの中に仕切り板を設
けて２分し、一方にＩｎおよびＩｎＡｓ。
けて２分し、一方にＩｎおよびＩｎＡｓ。
ＧａＡｓを、他方にＩｎおよびＩｎＰを入れて別々に溶
解すると、溶解量の小さいＩｎＰも他の溶質の溶解によ
る影響を受けないためＩｎ中に容易に溶解し。
解すると、溶解量の小さいＩｎＰも他の溶質の溶解によ
る影響を受けないためＩｎ中に容易に溶解し。
この後両方の溶液を混合して所定の組成の溶液を作製す
ればＩｎＰの溶は残りを生じないことを利用したもので
ある。
ればＩｎＰの溶は残りを生じないことを利用したもので
ある。
第１図（１）〜（３）は実施例を説明するＩｎＰ系の液
相成長用メルトの製造用ボートの断面図である。
相成長用メルトの製造用ボートの断面図である。
図において、ボートは固定部１とスライダ２よりなり、
固定部１には多数の第１の溶液つぼＩＡ。
固定部１には多数の第１の溶液つぼＩＡ。
ＩＢ、 ・・・と、仕切り板落とし穴ＩＺとが形成さ
れ。
れ。
スライダ２は固定部１の上を移動し、かつ第２の溶液つ
ぼ２Ａと溶液落とし孔２Ｂが形成され、溶液落とし孔２
Ｂには仕切り板３が嵌合されて、大きな溶液つぼ２Ａは
左右に２分されている。
ぼ２Ａと溶液落とし孔２Ｂが形成され、溶液落とし孔２
Ｂには仕切り板３が嵌合されて、大きな溶液つぼ２Ａは
左右に２分されている。
いま従来例と同様に、１．３μｍμｍ−ザの活性層に用
いる４元結晶（ＩｎＧａＡｓＰ）の成長用メルトを製造
する場合について説明する。
いる４元結晶（ＩｎＧａＡｓＰ）の成長用メルトを製造
する場合について説明する。
前記のように、液相組成はＸ’Ｇ−＝０．００５９２
。
。
ｘＬＡｓ＝０．０２７ 、 ＸＬＰ ＝０．００１１
テある。
テある。
溶媒であるＩｎを２００ ｇｒ使用すると。
ＩｎＡｓは７．３８ ｇｒ＋ＧａＡｓは１．５８ ｇｒ
、ＩｎＰは０．２９６ ｇｒとなる。
、ＩｎＰは０．２９６ ｇｒとなる。
ところで、この４元結晶成長用溶液の飽和温度は５９０
℃であるからバッチメルトの製造温度は。
℃であるからバッチメルトの製造温度は。
それより２０℃高い６１０℃とする。この温度があまり
高すぎると溶質中の揮発成分Ｐの蒸発が激しくなるため
この程度とする。
高すぎると溶質中の揮発成分Ｐの蒸発が激しくなるため
この程度とする。
この温度におけるＩｎ １ ｇｒあたりのＩｎＰの溶解
量は５．５ ｍｇであるから、約５４ ｇｒ以上のＩｎ
量で前記１ｎＰはすべて溶解することになる。
量は５．５ ｍｇであるから、約５４ ｇｒ以上のＩｎ
量で前記１ｎＰはすべて溶解することになる。
そこで、第２の溶液つぼ２Ａ内の仕切り板３の右側には
５４ ｇｒ以上（６０ｇｒ程度）のＩｎと。
５４ ｇｒ以上（６０ｇｒ程度）のＩｎと。
０．２９６ ｇのＩｎＰを入れる。
仕切り板３の左側には、残りのＩｎ （１４０ｇｒ）と
７．３８ ｇのＩｎＡｓと、 １．５８ ｇのＧａＡｓ
とを入れる。
７．３８ ｇのＩｎＡｓと、 １．５８ ｇのＧａＡｓ
とを入れる。
この状態で、６１０℃まで昇温し、この温度で４０分間
放置する（第１図（１））。
放置する（第１図（１））。
つぎに、スライダ２を左方に移動させて、仕切り板３を
、仕切り板落とし穴ＩＺの中に落とし込む。
、仕切り板落とし穴ＩＺの中に落とし込む。
第２の溶液つぼ２Ａの左側の底には傾斜がつけられてい
るので、このとき、左右の溶液は互いに混ざり合う（第
１図（２））。
るので、このとき、左右の溶液は互いに混ざり合う（第
１図（２））。
溶液を十分に均一にするため、この状態でさらに１時間
放置する。
放置する。
その後、さらにスライダ２を左方に移動させて。
固定板１の第１の溶液つぼＩＡ、 ＩＢ、 ・・・に
仕切り板３が抜けて開口された溶液落とし孔２Ｂより溶
液を順次振り分ける（第１図（３））−〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、バッチメルト作製
の際の溶質の溶は残りが完全に防止でき。
仕切り板３が抜けて開口された溶液落とし孔２Ｂより溶
液を順次振り分ける（第１図（３））−〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、バッチメルト作製
の際の溶質の溶は残りが完全に防止でき。
完全な組成の溶液が得られるようになる。
第１図（１）〜（３）は実施例を説明するＩｎＰ系の液
相成長用メルトの製造用ボートの断面図。 第２図は従来例を説明するＩｎＰ系の液相成長用メルト
の製造用ボートの断面図である。 図において。 １はボートの固定部。 ＬＡ、 ＩＢ、・・・は第１の溶液つぼ。 ｌＺは仕切り板落とし穴。 ２はポートのスライダ・ ２Ａは第２の溶液つぼ。 ２Ｂは溶液落とし孔。 ３は仕切り板 彰彪菊ｒ）’Ｉｌ？ｉＪｒＭ ｇＩｌゲ
相成長用メルトの製造用ボートの断面図。 第２図は従来例を説明するＩｎＰ系の液相成長用メルト
の製造用ボートの断面図である。 図において。 １はボートの固定部。 ＬＡ、 ＩＢ、・・・は第１の溶液つぼ。 ｌＺは仕切り板落とし穴。 ２はポートのスライダ・ ２Ａは第２の溶液つぼ。 ２Ｂは溶液落とし孔。 ３は仕切り板 彰彪菊ｒ）’Ｉｌ？ｉＪｒＭ ｇＩｌゲ
Claims (3)
- （１）所定の組成の溶液を作製するに際し、所定量の溶
質と溶媒を用意し、 溶媒に対して最も溶解率の少ない溶質および該溶質の溶
解可能な量の溶媒と、 その他の溶質および所定の量より前記溶解可能な量を差
し引いた量の溶媒とを別々に溶解し、溶解した両溶液を
混合して所定の組成の溶液を作製する工程を有すること
を特徴とする液相成長用メルトの製造方法。 - （２）前記溶媒がインジウム（Ｉｎ）、溶媒に対して最
も溶解率の少ない溶質がインジウム燐（ＩｎＰ）、その
他の溶質がインジウム砒素（ＩｎＡｓ）とガリウム砒素
（ＧａＡｓ）であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の液相成長用メルトの製造方法。 - （３）第１の溶液つぼと仕切板落とし穴を形成した固定
部と、 第２の溶液つぼと溶液落とし孔を形成したスライダと、 該溶液落とし孔に嵌合し、かつ第２の溶液つぼを２分す
る仕切り板とを有し、 該固定部上を該スライダが移動して、該仕切り板を該仕
切板落とし穴に落とし込み、さらに移動して該溶液落と
し孔が第１の溶液つぼの上にきて、第２の溶液つぼに溶
解された溶液が第１の溶液つぼに注入できる構造を具備
することを特徴とする液相成長用メルトの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13931187A JPS63303898A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 液相成長用メルトの製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13931187A JPS63303898A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 液相成長用メルトの製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303898A true JPS63303898A (ja) | 1988-12-12 |
Family
ID=15242345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13931187A Pending JPS63303898A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 液相成長用メルトの製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303898A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06140711A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP13931187A patent/JPS63303898A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06140711A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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