JPS6031223A - 液相エピタキシァル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシァル成長装置Info
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- JPS6031223A JPS6031223A JP58139010A JP13901083A JPS6031223A JP S6031223 A JPS6031223 A JP S6031223A JP 58139010 A JP58139010 A JP 58139010A JP 13901083 A JP13901083 A JP 13901083A JP S6031223 A JPS6031223 A JP S6031223A
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- JP
- Japan
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- solution
- growth
- epitaxial growth
- cladding layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
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- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液相エピタキシアル成長装置に関するもので
ある。
ある。
同じ値のバンドギャップを持ち、かつ各々反対導電型を
有するクラッド層１．２と（第５図参照）クラッド層１
．２にはさまれた。クラッド層よシ小さなバンドギャッ
プを有する活性層とから成る構造のダブルへテロ接合型
レーザーダイオードに於ては、活性層厚を０．１μｍ程
度に薄くすれば発振閾電流密度は低く、かつダイオード
端面から放射されるレーザー光の層厚方向の放射角は小
さい等の特性向上が期待される。
有するクラッド層１．２と（第５図参照）クラッド層１
．２にはさまれた。クラッド層よシ小さなバンドギャッ
プを有する活性層とから成る構造のダブルへテロ接合型
レーザーダイオードに於ては、活性層厚を０．１μｍ程
度に薄くすれば発振閾電流密度は低く、かつダイオード
端面から放射されるレーザー光の層厚方向の放射角は小
さい等の特性向上が期待される。
しかしこの時、活性層を挾み込む両側のクラッド層１．
２の屈折率（またはバンドギャップンがお互いに異な
ると、光は屈折率の大きな方のり２ラド層によシ多くし
み出すために、光強度分布のピークは活性層からはずれ
２発振不能状態に陥る。
２の屈折率（またはバンドギャップンがお互いに異な
ると、光は屈折率の大きな方のり２ラド層によシ多くし
み出すために、光強度分布のピークは活性層からはずれ
２発振不能状態に陥る。
この状態は、クラッド層１．活性層、クラッド層２の唄
に液相成長してゆく際にり２ラド層ｌと２を成長する溶
液の組成（特に、屈折率を決定する要因〕が異なること
に起因し５．、溶液の組成の違いはエピタキシアル成長
用ボートへの屈折率を決定する元素（例えばＡＪ ｘＧ
ａ ｔ −ｘＡｓ に於けるＡｌ）あるいは種結晶等の
仕込みの際の作業上のミス及び秤量精度に因るところが
大きいう本発明は上記の欠点、すなわち、人為的なミス
あるいは秤量精度に因るクラッド層１．２の屈折率に関
する非対称性を解決し、完全に対称なりラッド層を再現
性良く与えるものである。
に液相成長してゆく際にり２ラド層ｌと２を成長する溶
液の組成（特に、屈折率を決定する要因〕が異なること
に起因し５．、溶液の組成の違いはエピタキシアル成長
用ボートへの屈折率を決定する元素（例えばＡＪ ｘＧ
ａ ｔ −ｘＡｓ に於けるＡｌ）あるいは種結晶等の
仕込みの際の作業上のミス及び秤量精度に因るところが
大きいう本発明は上記の欠点、すなわち、人為的なミス
あるいは秤量精度に因るクラッド層１．２の屈折率に関
する非対称性を解決し、完全に対称なりラッド層を再現
性良く与えるものである。
本発明によれば、ボートの一部分をボート本体に対して
相対的に移動させるＣとによシ、エピタキシアル成長用
溶液を分割し、該分割した溶液によりそれぞれ異なった
組成を持つエピタキシアル成長層を形成する液相エピタ
キシアル成長装置に於いて溶液分割前に屈折率を決定す
る成分を混合し、分割後に不純物を加え、互いに屈折率
が等しく導電型の異なるエピタキシアル成長層を形成す
る事を特徴とする液相エピタキシアル成長装置が得られ
る。
相対的に移動させるＣとによシ、エピタキシアル成長用
溶液を分割し、該分割した溶液によりそれぞれ異なった
組成を持つエピタキシアル成長層を形成する液相エピタ
キシアル成長装置に於いて溶液分割前に屈折率を決定す
る成分を混合し、分割後に不純物を加え、互いに屈折率
が等しく導電型の異なるエピタキシアル成長層を形成す
る事を特徴とする液相エピタキシアル成長装置が得られ
る。
第１図は従来の方法に依る。ダブルへテロ接合の成長装
置である。０部４にセットした基板７を矢印の方向に移
動し、クラッド層ｌ、活性層３゜クラッド層２をそれぞ
れ成長する溶液の下で特定の時間だけ基板を保持すれば
、第５図に示すダブルヘテロ接合結晶を成長する事がで
きる。しかし前述の様にクラッド成長用溶液１．２を作
る際に人為的なミス及び、秤量による誤差が入る余地が
ある。
置である。０部４にセットした基板７を矢印の方向に移
動し、クラッド層ｌ、活性層３゜クラッド層２をそれぞ
れ成長する溶液の下で特定の時間だけ基板を保持すれば
、第５図に示すダブルヘテロ接合結晶を成長する事がで
きる。しかし前述の様にクラッド成長用溶液１．２を作
る際に人為的なミス及び、秤量による誤差が入る余地が
ある。
次に本発明を説明する。本説明ではＡｌｘＧａ１−ｘＡ
ｓ結晶成長の場合を例にとって説明するが、他の結晶材
料の場合でも何ら変わるところはない。
ｓ結晶成長の場合を例にとって説明するが、他の結晶材
料の場合でも何ら変わるところはない。
第２． ３． ４図に本発明によるエピタキシアル成長
用ボートの二側を示す。０部４に基板７を入れ。
用ボートの二側を示す。０部４に基板７を入れ。
矢印方向に移動するところは従来方法と同じである。従
来方式ボートの０部５に当たる部分は１本発明ではさら
に０部５と８部６に分かれ％Ｅ部６は矢印方向に移動す
る。（第２図） 本ボートの使用法は、まず活性層成長用槽９に（）ａ、
ＧａＡｓ 種結晶、ＡＪ、さらにｐ！又はｎ型の不純物
（入れない場合もある）を仕込み、蓋１２をして、しか
る後にクラッド層２成長用槽１１に、Ｇａ、ＧａＡｓ種
結晶、ＡＪを仕込む。この時ｐ型あるいはｎ型不純物は
仕込まない。
来方式ボートの０部５に当たる部分は１本発明ではさら
に０部５と８部６に分かれ％Ｅ部６は矢印方向に移動す
る。（第２図） 本ボートの使用法は、まず活性層成長用槽９に（）ａ、
ＧａＡｓ 種結晶、ＡＪ、さらにｐ！又はｎ型の不純物
（入れない場合もある）を仕込み、蓋１２をして、しか
る後にクラッド層２成長用槽１１に、Ｇａ、ＧａＡｓ種
結晶、ＡＪを仕込む。この時ｐ型あるいはｎ型不純物は
仕込まない。
以上２槽に必要な材料を仕込んだ時点でボートを成長炉
に入れて高温に保持し溶液を充分に溶かし込む。溶液が
均一に溶けたところで、８部６を矢印方向に移動し、ク
ラッド層２成長用溶液１１゜のうち９部６内にある部分
（第４図に於ける１１７部分）を０部５内のクラッド層
１成長用槽７に落し込む。この際溶液１１／／は蓋１２
の上を通過し活性層成長用溶液９と混合することなくク
ラッド層１成長用槽８′に入る。次にクラッド層１１及
び２成長用溶液内にｐ型あるいはｎｉｌ不純物をそれぞ
れ添加する。添加方法は例えば８部６の上部に不純物置
場を作り、前述と同様な方法で、該置場を移動させて各
種に落し込む。以上の様な方法によシフラッド槽１１及
び２成長用溶液は各々ＡＪＡｓとＧ ａ Ａ ｓの混晶
比が同一で導電型のみ異なる溶液となる。しかる後に従
来方法と同様に基板の入った０部４を矢印方向に移動す
れば屈折率が全く同一で導電型が異なるクラッド層１．
と２に狭まれた活性層を備えるダブルへテロ接合を形成
する事ができる。
に入れて高温に保持し溶液を充分に溶かし込む。溶液が
均一に溶けたところで、８部６を矢印方向に移動し、ク
ラッド層２成長用溶液１１゜のうち９部６内にある部分
（第４図に於ける１１７部分）を０部５内のクラッド層
１成長用槽７に落し込む。この際溶液１１／／は蓋１２
の上を通過し活性層成長用溶液９と混合することなくク
ラッド層１成長用槽８′に入る。次にクラッド層１１及
び２成長用溶液内にｐ型あるいはｎｉｌ不純物をそれぞ
れ添加する。添加方法は例えば８部６の上部に不純物置
場を作り、前述と同様な方法で、該置場を移動させて各
種に落し込む。以上の様な方法によシフラッド槽１１及
び２成長用溶液は各々ＡＪＡｓとＧ ａ Ａ ｓの混晶
比が同一で導電型のみ異なる溶液となる。しかる後に従
来方法と同様に基板の入った０部４を矢印方向に移動す
れば屈折率が全く同一で導電型が異なるクラッド層１．
と２に狭まれた活性層を備えるダブルへテロ接合を形成
する事ができる。
第１図は従来方式のボートの断面図、第２図。
第３図は本発明によるボートの断面図および平面図をそ
れぞれ示す。第４図は第２図のＡ−Ａ’断面図を示す。 第５図はダブルへテロ接合の断面図を示す。第６図は第
３図のＦ−Ｐ’断面図を示す。 ｌ・・・・・・クラッド層１．２・・・・・・活性層、
３・・・・・・クラッド層２．４・・・・・・エピタキ
シアル成長用基板７を収納し、矢印方向にスライドする
。ボートの一部分、５・・・・・・エピタキシアル成長
用ボート本体。 ６・・・・・・クラッド層２成長用メルトをクラッド層
１成長用メルトとクラッド層２成長用溶液とに分割する
ためのボートの一町動部分、７・・・・・・エピタキシ
アル成長用基板、６′・・・・・・５と同一部分、６″
・・・・・・６と同一部分、８・・・・・・従来方式ボ
ートによる、クラッド層ｌ成長用溶液、９・・・・・・
活性層成長用溶液、９′・・・・・・９と同一物である
が、６″に覆われて、表に露出していない％ １０・・
・・・・従来方式ボートによるクラッド層２成長用溶液
、１１・・・・・・本発明によるクラッド層１． ２成
長用溶液、１１′・・・・・・と同一物、但し、６′に
覆われて１表に露出していない、１２・・・・・・溶液
１１が移動する際に溶液９と混合しないための蓋、８′
・・・・・・クラッド層ｌ成長用槽 １１／／・・・・
・・クラッド層２成長用溶液１１のうち８部内に存在す
る部分 １１ ／／／ 囮・、クラッド層２成長用溶液
１１のうち０部内に存在する部分。
れぞれ示す。第４図は第２図のＡ−Ａ’断面図を示す。 第５図はダブルへテロ接合の断面図を示す。第６図は第
３図のＦ−Ｐ’断面図を示す。 ｌ・・・・・・クラッド層１．２・・・・・・活性層、
３・・・・・・クラッド層２．４・・・・・・エピタキ
シアル成長用基板７を収納し、矢印方向にスライドする
。ボートの一部分、５・・・・・・エピタキシアル成長
用ボート本体。 ６・・・・・・クラッド層２成長用メルトをクラッド層
１成長用メルトとクラッド層２成長用溶液とに分割する
ためのボートの一町動部分、７・・・・・・エピタキシ
アル成長用基板、６′・・・・・・５と同一部分、６″
・・・・・・６と同一部分、８・・・・・・従来方式ボ
ートによる、クラッド層ｌ成長用溶液、９・・・・・・
活性層成長用溶液、９′・・・・・・９と同一物である
が、６″に覆われて、表に露出していない％ １０・・
・・・・従来方式ボートによるクラッド層２成長用溶液
、１１・・・・・・本発明によるクラッド層１． ２成
長用溶液、１１′・・・・・・と同一物、但し、６′に
覆われて１表に露出していない、１２・・・・・・溶液
１１が移動する際に溶液９と混合しないための蓋、８′
・・・・・・クラッド層ｌ成長用槽 １１／／・・・・
・・クラッド層２成長用溶液１１のうち８部内に存在す
る部分 １１ ／／／ 囮・、クラッド層２成長用溶液
１１のうち０部内に存在する部分。
Claims (1)
- ボートの一部分をボート本体に対して相対的に移動させ
ることによシ、エピタキシャル成長用溶液を分割し、該
分割した溶液によシそれぞれ異なった組成を持つエピタ
キシアル成長層を形成する液相エピタキシアル成長層置
において溶液分割前に屈折率を決定する成分を混合し５
分割後に不純物を加え、互いに屈折率が等しく導電をの
外なるエピタキシアル成長層を形成することを特徴とす
る液相エピタキシアル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139010A JPS6031223A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 液相エピタキシァル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58139010A JPS6031223A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 液相エピタキシァル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031223A true JPS6031223A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15235367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58139010A Pending JPS6031223A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 液相エピタキシァル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031223A (ja) |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58139010A patent/JPS6031223A/ja active Pending
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