JPS6031223A - 液相エピタキシァル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシァル成長装置

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JPS6031223A
JPS6031223A JP58139010A JP13901083A JPS6031223A JP S6031223 A JPS6031223 A JP S6031223A JP 58139010 A JP58139010 A JP 58139010A JP 13901083 A JP13901083 A JP 13901083A JP S6031223 A JPS6031223 A JP S6031223A
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JP
Japan
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solution
growth
epitaxial growth
cladding layer
refractive index
Prior art date
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Pending
Application number
JP58139010A
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English (en)
Inventor
Naoshi Kogure
小暮 直志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6031223A publication Critical patent/JPS6031223A/ja
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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    • H01L21/02387Group 13/15 materials
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液相エピタキシアル成長装置に関するもので
ある。
同じ値のバンドギャップを持ち、かつ各々反対導電型を
有するクラッド層1.2と(第5図参照)クラッド層1
.2にはさまれた。クラッド層よシ小さなバンドギャッ
プを有する活性層とから成る構造のダブルへテロ接合型
レーザーダイオードに於ては、活性層厚を0.1μm程
度に薄くすれば発振閾電流密度は低く、かつダイオード
端面から放射されるレーザー光の層厚方向の放射角は小
さい等の特性向上が期待される。
しかしこの時、活性層を挾み込む両側のクラッド層1.
 2の屈折率(またはバンドギャップンがお互いに異な
ると、光は屈折率の大きな方のり2ラド層によシ多くし
み出すために、光強度分布のピークは活性層からはずれ
2発振不能状態に陥る。
この状態は、クラッド層1.活性層、クラッド層2の唄
に液相成長してゆく際にり2ラド層lと2を成長する溶
液の組成(特に、屈折率を決定する要因〕が異なること
に起因し5.、溶液の組成の違いはエピタキシアル成長
用ボートへの屈折率を決定する元素(例えばAJ xG
a t −xAs に於けるAl)あるいは種結晶等の
仕込みの際の作業上のミス及び秤量精度に因るところが
大きいう本発明は上記の欠点、すなわち、人為的なミス
あるいは秤量精度に因るクラッド層1.2の屈折率に関
する非対称性を解決し、完全に対称なりラッド層を再現
性良く与えるものである。
本発明によれば、ボートの一部分をボート本体に対して
相対的に移動させるCとによシ、エピタキシアル成長用
溶液を分割し、該分割した溶液によりそれぞれ異なった
組成を持つエピタキシアル成長層を形成する液相エピタ
キシアル成長装置に於いて溶液分割前に屈折率を決定す
る成分を混合し、分割後に不純物を加え、互いに屈折率
が等しく導電型の異なるエピタキシアル成長層を形成す
る事を特徴とする液相エピタキシアル成長装置が得られ
る。
第1図は従来の方法に依る。ダブルへテロ接合の成長装
置である。0部4にセットした基板7を矢印の方向に移
動し、クラッド層l、活性層3゜クラッド層2をそれぞ
れ成長する溶液の下で特定の時間だけ基板を保持すれば
、第5図に示すダブルヘテロ接合結晶を成長する事がで
きる。しかし前述の様にクラッド成長用溶液1.2を作
る際に人為的なミス及び、秤量による誤差が入る余地が
ある。
次に本発明を説明する。本説明ではAlxGa1−xA
s結晶成長の場合を例にとって説明するが、他の結晶材
料の場合でも何ら変わるところはない。
第2. 3. 4図に本発明によるエピタキシアル成長
用ボートの二側を示す。0部4に基板7を入れ。
矢印方向に移動するところは従来方法と同じである。従
来方式ボートの0部5に当たる部分は1本発明ではさら
に0部5と8部6に分かれ%E部6は矢印方向に移動す
る。(第2図) 本ボートの使用法は、まず活性層成長用槽9に()a、
GaAs 種結晶、AJ、さらにp!又はn型の不純物
(入れない場合もある)を仕込み、蓋12をして、しか
る後にクラッド層2成長用槽11に、Ga、GaAs種
結晶、AJを仕込む。この時p型あるいはn型不純物は
仕込まない。
以上2槽に必要な材料を仕込んだ時点でボートを成長炉
に入れて高温に保持し溶液を充分に溶かし込む。溶液が
均一に溶けたところで、8部6を矢印方向に移動し、ク
ラッド層2成長用溶液11゜のうち9部6内にある部分
(第4図に於ける117部分)を0部5内のクラッド層
1成長用槽7に落し込む。この際溶液11//は蓋12
の上を通過し活性層成長用溶液9と混合することなくク
ラッド層1成長用槽8′に入る。次にクラッド層11及
び2成長用溶液内にp型あるいはnil不純物をそれぞ
れ添加する。添加方法は例えば8部6の上部に不純物置
場を作り、前述と同様な方法で、該置場を移動させて各
種に落し込む。以上の様な方法によシフラッド槽11及
び2成長用溶液は各々AJAsとG a A sの混晶
比が同一で導電型のみ異なる溶液となる。しかる後に従
来方法と同様に基板の入った0部4を矢印方向に移動す
れば屈折率が全く同一で導電型が異なるクラッド層1.
と2に狭まれた活性層を備えるダブルへテロ接合を形成
する事ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来方式のボートの断面図、第2図。 第3図は本発明によるボートの断面図および平面図をそ
れぞれ示す。第4図は第2図のA−A’断面図を示す。 第5図はダブルへテロ接合の断面図を示す。第6図は第
3図のF−P’断面図を示す。 l・・・・・・クラッド層1.2・・・・・・活性層、
3・・・・・・クラッド層2.4・・・・・・エピタキ
シアル成長用基板7を収納し、矢印方向にスライドする
。ボートの一部分、5・・・・・・エピタキシアル成長
用ボート本体。 6・・・・・・クラッド層2成長用メルトをクラッド層
1成長用メルトとクラッド層2成長用溶液とに分割する
ためのボートの一町動部分、7・・・・・・エピタキシ
アル成長用基板、6′・・・・・・5と同一部分、6″
・・・・・・6と同一部分、8・・・・・・従来方式ボ
ートによる、クラッド層l成長用溶液、9・・・・・・
活性層成長用溶液、9′・・・・・・9と同一物である
が、6″に覆われて、表に露出していない% 10・・
・・・・従来方式ボートによるクラッド層2成長用溶液
、11・・・・・・本発明によるクラッド層1. 2成
長用溶液、11′・・・・・・と同一物、但し、6′に
覆われて1表に露出していない、12・・・・・・溶液
11が移動する際に溶液9と混合しないための蓋、8′
・・・・・・クラッド層l成長用槽 11//・・・・
・・クラッド層2成長用溶液11のうち8部内に存在す
る部分 11 /// 囮・、クラッド層2成長用溶液
11のうち0部内に存在する部分。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ボートの一部分をボート本体に対して相対的に移動させ
    ることによシ、エピタキシャル成長用溶液を分割し、該
    分割した溶液によシそれぞれ異なった組成を持つエピタ
    キシアル成長層を形成する液相エピタキシアル成長層置
    において溶液分割前に屈折率を決定する成分を混合し5
    分割後に不純物を加え、互いに屈折率が等しく導電をの
    外なるエピタキシアル成長層を形成することを特徴とす
    る液相エピタキシアル成長装置。
JP58139010A 1983-07-29 1983-07-29 液相エピタキシァル成長装置 Pending JPS6031223A (ja)

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JPS6031223A true JPS6031223A (ja) 1985-02-18

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