JPS63301579A - 磁気抵抗素子の成膜方法 - Google Patents
磁気抵抗素子の成膜方法Info
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- JPS63301579A JPS63301579A JP62134947A JP13494787A JPS63301579A JP S63301579 A JPS63301579 A JP S63301579A JP 62134947 A JP62134947 A JP 62134947A JP 13494787 A JP13494787 A JP 13494787A JP S63301579 A JPS63301579 A JP S63301579A
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- patterns
- pattern
- thin films
- resistor
- resistor pattern
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜によ
り形成される磁気抵抗素子の成膜方法に関するものであ
る。
り形成される磁気抵抗素子の成膜方法に関するものであ
る。
従来、この種の磁気抵抗素子は、磁気信号に対して磁気
検出感度が極めて高いことから、高精度の回転検出ある
いは位置検出センサとして広く応用されている。その之
め、工り一層の高感度化が要求されている。この高感度
化の要求に対応するため、強磁性体薄膜によって形成さ
れるストライプ状パターンに対して隣接並置され之短冊
状隣接パターンを有する磁気抵抗素子が特開昭５６−３
４１３４号公報、あるいは特開昭５７−７５４７６号公
報で開示されている。
検出感度が極めて高いことから、高精度の回転検出ある
いは位置検出センサとして広く応用されている。その之
め、工り一層の高感度化が要求されている。この高感度
化の要求に対応するため、強磁性体薄膜によって形成さ
れるストライプ状パターンに対して隣接並置され之短冊
状隣接パターンを有する磁気抵抗素子が特開昭５６−３
４１３４号公報、あるいは特開昭５７−７５４７６号公
報で開示されている。
前述した従来の磁気抵抗素子は、抵抗体と隣接パターン
との長さ方向の関係が明示されておらず、そのため隣接
パターンが抵抗体りり長さが短い場合、抵抗体の磁化時
に発生する反磁界を軽減する効果が局部的に得られない
領域が形成される。そして、この領域では、反磁界の発
生が大きいため、磁化が弱くなり、この結果、抵抗体全
体に磁気抵抗効果を得ることができないという問題があ
った。
との長さ方向の関係が明示されておらず、そのため隣接
パターンが抵抗体りり長さが短い場合、抵抗体の磁化時
に発生する反磁界を軽減する効果が局部的に得られない
領域が形成される。そして、この領域では、反磁界の発
生が大きいため、磁化が弱くなり、この結果、抵抗体全
体に磁気抵抗効果を得ることができないという問題があ
った。
し友がって本発明は前述し次従来の問題に鑑みてなされ
友ものであり、その目的は磁気抵抗体部に発生する反磁
界成分を軽減させて磁気抵抗効果を向上させ、高感度が
得られる磁気抵抗素子の成膜方法を提供することにある
。
友ものであり、その目的は磁気抵抗体部に発生する反磁
界成分を軽減させて磁気抵抗効果を向上させ、高感度が
得られる磁気抵抗素子の成膜方法を提供することにある
。
本発明による磁気抵抗素子の成膜方法は、非磁性体基板
上に強磁性体薄膜にエリ棒状の磁気抵抗体パター、およ
びこの抵抗体パターンの両１ｔｌｌＫ 一定の間隔をも
友せて平行に隣接パターンを形成シ比後、磁気抵抗体パ
ターンの長さ方向の端部上に導電性金属薄膜全被着形成
するものである。
上に強磁性体薄膜にエリ棒状の磁気抵抗体パター、およ
びこの抵抗体パターンの両１ｔｌｌＫ 一定の間隔をも
友せて平行に隣接パターンを形成シ比後、磁気抵抗体パ
ターンの長さ方向の端部上に導電性金属薄膜全被着形成
するものである。
本発明においては、導電性金属薄膜にエリ磁気抵抗体パ
ターンの長さが隣接パターンに対して見かけ上、短かく
なる。
ターンの長さが隣接パターンに対して見かけ上、短かく
なる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗素子の成膜方法の一実施
例を説明する平面図である。同図におい、て、非磁性体
基板１上に強磁性体薄膜にエリ棒状の抵抗体パターン２
おＬびその両側に抵抗体パターン２エクも長さが短かく
かつパターン幅の大きい隣接パターン３，４を一定の間
隔をもたせて平行に被着形成させた後、これらの並置さ
れ次棒状パターン２，３．４Ｔｈ、上下方向の所定の長
さＬを確保し几残りのパターン、つまり同図に点線で示
したラインＬｌ ｌ Ｌ２を境界として斜雇部分で示す
上下部側パターン２’ 、３’ 、４’の上面に、例え
ばＡｕなとの導体薄膜５ｔ−被着形成する。このように
しされる。
例を説明する平面図である。同図におい、て、非磁性体
基板１上に強磁性体薄膜にエリ棒状の抵抗体パターン２
おＬびその両側に抵抗体パターン２エクも長さが短かく
かつパターン幅の大きい隣接パターン３，４を一定の間
隔をもたせて平行に被着形成させた後、これらの並置さ
れ次棒状パターン２，３．４Ｔｈ、上下方向の所定の長
さＬを確保し几残りのパターン、つまり同図に点線で示
したラインＬｌ ｌ Ｌ２を境界として斜雇部分で示す
上下部側パターン２’ 、３’ 、４’の上面に、例え
ばＡｕなとの導体薄膜５ｔ−被着形成する。このように
しされる。
この工うな方法にエフ形成され次磁気抵抗素子において
、抵抗体パターン２は、上下方向の長さが実質的に短か
くなるが、隣接パターン３，４は抵抗体として利用され
るものではなり、磁気的性質のみを活用するものである
念め、上層に導体薄膜５が形成されたとしても、効果に
対しての影響はない。したがって、結果的に第２図に示
すように隣接パターン３，４が抵抗体パターン２以上の
長さを有する構成とすることができる。これによって抵
抗体パターン２部に発生する反磁界は、隣接パターン３
，４にエフ全領域にわ九って軽減され、磁気抵抗効果が
エフ大きく得ることができる。
、抵抗体パターン２は、上下方向の長さが実質的に短か
くなるが、隣接パターン３，４は抵抗体として利用され
るものではなり、磁気的性質のみを活用するものである
念め、上層に導体薄膜５が形成されたとしても、効果に
対しての影響はない。したがって、結果的に第２図に示
すように隣接パターン３，４が抵抗体パターン２以上の
長さを有する構成とすることができる。これによって抵
抗体パターン２部に発生する反磁界は、隣接パターン３
，４にエフ全領域にわ九って軽減され、磁気抵抗効果が
エフ大きく得ることができる。
その実測結果は、前述し之成膜方法によＶ第３図に点線
で示す工うに実線で示し次従来エクもエフ高感度な磁気
抵抗素子を得ることができる。
で示す工うに実線で示し次従来エクもエフ高感度な磁気
抵抗素子を得ることができる。
以上説明した工うに本発明は、強磁性薄膜にエリ磁気抵
抗体パターンおよびこの両側に一定の間隔？もたせて平
行に隣接パターンを形成した後、磁気抵抗体となる部分
に４１！性金属薄膜を形放し、抵抗値全調整すると同時
に抵抗体に隣接並置される隣接パターン長が見かけ上、
抵抗体部分エフ長くなるように形成されるので、抵抗体
部分を形成する強磁性体薄膜中に発生する反磁界成分を
最小限にとどめることができ、より高感グな磁気抵抗素
子を得ることができる。また、本発明に工れば、抵抗体
エリ短い隣接パターン全方する磁気抵抗素子においても
、適当な箇所への導体形成にエフ見かけ上、隣接パター
ンが抵抗体部分以上の長さを有する＃Ｉ造に再生するこ
とができるなどの極めて優れ几効来が得られる。
抗体パターンおよびこの両側に一定の間隔？もたせて平
行に隣接パターンを形成した後、磁気抵抗体となる部分
に４１！性金属薄膜を形放し、抵抗値全調整すると同時
に抵抗体に隣接並置される隣接パターン長が見かけ上、
抵抗体部分エフ長くなるように形成されるので、抵抗体
部分を形成する強磁性体薄膜中に発生する反磁界成分を
最小限にとどめることができ、より高感グな磁気抵抗素
子を得ることができる。また、本発明に工れば、抵抗体
エリ短い隣接パターン全方する磁気抵抗素子においても
、適当な箇所への導体形成にエフ見かけ上、隣接パター
ンが抵抗体部分以上の長さを有する＃Ｉ造に再生するこ
とができるなどの極めて優れ几効来が得られる。
第１図は本発明による磁気抵抗素子の放膜方法の一実施
例を説明する平面図、第２図は本発明に工タ得られる磁
気抵抗素子の抵抗体の見かけ上の構成を示す平面図、第
３図は本発明お工び従来の磁気抵抗素子の抵抗変化率金
示す特性図である。 １・・・・非磁性体基板、２・・・・抵抗体パターン、
３，４・・・・隣接パターン、５・・・・導体薄膜。
例を説明する平面図、第２図は本発明に工タ得られる磁
気抵抗素子の抵抗体の見かけ上の構成を示す平面図、第
３図は本発明お工び従来の磁気抵抗素子の抵抗変化率金
示す特性図である。 １・・・・非磁性体基板、２・・・・抵抗体パターン、
３，４・・・・隣接パターン、５・・・・導体薄膜。
Claims (1)
- 非磁性体基板上に強磁性体薄膜からなる磁気抵抗体パタ
ーンおよびこの磁気抵抗体パターンの両側に隣接パター
ンを一定の間隔をもたせて平行に形成した後、前記磁気
抵抗体パターンの長さ方向の端部上に導電性金属薄膜を
形成することを特徴とした磁気抵抗素子の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134947A JPH0758812B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 磁気抵抗素子の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134947A JPH0758812B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 磁気抵抗素子の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301579A true JPS63301579A (ja) | 1988-12-08 |
| JPH0758812B2 JPH0758812B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=15140282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134947A Expired - Lifetime JPH0758812B2 (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 磁気抵抗素子の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758812B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637822A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-11 | Nec Corp | Magnetic-field detector |
| JPS6152314U (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-08 |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP62134947A patent/JPH0758812B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637822A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-11 | Nec Corp | Magnetic-field detector |
| JPS6152314U (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758812B2 (ja) | 1995-06-21 |
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