JPS6329959U - - Google Patents

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JPS6329959U
JPS6329959U JP12263486U JP12263486U JPS6329959U JP S6329959 U JPS6329959 U JP S6329959U JP 12263486 U JP12263486 U JP 12263486U JP 12263486 U JP12263486 U JP 12263486U JP S6329959 U JPS6329959 U JP S6329959U
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JP
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integrated circuit
microwave integrated
monolithic microwave
semiconductor substrate
semi
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JP12263486U
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案実施例のMMICを多数連ねた
半導体基板の上面図、第2図は従来のMMICの
上面図を示す。 1……半導体基板、2……電界効果トランジス
タ、3……ソース電極、4……ゲート電極、5…
…ドレイン電極、6……入力整合回路、7……出
力整合回路、8……MIM型キヤパシタ、9……
バイアホール(貫通孔)、10……スクライブラ
イン。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半絶縁性化合物半導体基板の主表面上にモノリ
    シツクマイクロ波集積回路パターンが備えられ、
    該モノリシツクマイクロ波集積回路パターンの接
    地導体を前記半絶縁性化合物半導体基板に形成し
    た貫通孔により、前記半絶縁性化合物半導体基板
    の裏面に形成した接地導体と電気的導通を得るよ
    う構成されたモノリシツクマイクロ波集積回路に
    おいて、 前記貫通孔は該モノリシツクマイクロ波集積回
    路の側面を形成するスクライブラインに連結され
    ていることを特徴とするモノリシツクマイクロ波
    集積回路。
JP12263486U 1986-08-08 1986-08-08 Pending JPS6329959U (ja)

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JP12263486U JPS6329959U (ja) 1986-08-08 1986-08-08

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JP12263486U JPS6329959U (ja) 1986-08-08 1986-08-08

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JPS6329959U true JPS6329959U (ja) 1988-02-27

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ID=31013008

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JP12263486U Pending JPS6329959U (ja) 1986-08-08 1986-08-08

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