JPS6295326U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6295326U JPS6295326U JP18685285U JP18685285U JPS6295326U JP S6295326 U JPS6295326 U JP S6295326U JP 18685285 U JP18685285 U JP 18685285U JP 18685285 U JP18685285 U JP 18685285U JP S6295326 U JPS6295326 U JP S6295326U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- field effect
- semiconductor
- microwave
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例によるマイクロ波
半導体増幅器の構造を示す図、第2図はこの考案
のうち利得平坦化のために用いている回路の動作
を説明するための図、第3図は従来のマイクロ波
半導体増幅器の構造例を示す図、第4図は従来の
半導体増幅器の利得の周波数特性の一例を示す図
である。 図中、1は半導体基板、2は地導体、3は入力
線路、4は出力線路、5は入力側整合回路、6は
出力側整合回路、7はゲートバイアス回路、8は
ドレインバイアス回路、9はFET、10はゲー
ト電極、11はドレイン電極、12はソース電極
、13はエアーブリツジ、14はダイオード、1
5はインダクタ、16はダイオードバイアス回路
、17はキヤパシタ、18はスルホールである。
なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す
。
半導体増幅器の構造を示す図、第2図はこの考案
のうち利得平坦化のために用いている回路の動作
を説明するための図、第3図は従来のマイクロ波
半導体増幅器の構造例を示す図、第4図は従来の
半導体増幅器の利得の周波数特性の一例を示す図
である。 図中、1は半導体基板、2は地導体、3は入力
線路、4は出力線路、5は入力側整合回路、6は
出力側整合回路、7はゲートバイアス回路、8は
ドレインバイアス回路、9はFET、10はゲー
ト電極、11はドレイン電極、12はソース電極
、13はエアーブリツジ、14はダイオード、1
5はインダクタ、16はダイオードバイアス回路
、17はキヤパシタ、18はスルホールである。
なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す
。
Claims (1)
- 半導体基板に、電界効果トランジスタ、ダイオ
ード等の半導体素子、および、マイクロストリツ
プ線路、集中定数回路素子を一体形成してなるマ
イクロ波半導体増幅器において、電界効果トラン
ジスタの出力側に接続されるマイクロストリツプ
線路に並列にダイオードの一端を接続し、上記ダ
イオードの他端はインダクタを介して接地し、か
つ上記電界効果トランジスタならびに上記ダイオ
ードにバイアスを印加する手段を具備したことを
特徴とするマイクロ波半導体増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18685285U JPS6295326U (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18685285U JPS6295326U (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6295326U true JPS6295326U (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=31136787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18685285U Pending JPS6295326U (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6295326U (ja) |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP18685285U patent/JPS6295326U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5884510A (ja) | Fet装置を用いたrf増巾回路 | |
JPS6295326U (ja) | ||
JPS6140024U (ja) | 高出力増幅器 | |
JPS6083247U (ja) | マイクロ波集積回路化トランジスタ回路 | |
JPS6150314U (ja) | ||
JPH0436112Y2 (ja) | ||
JPS6152818U (ja) | ||
JPS63165863U (ja) | ||
JPS6261528U (ja) | ||
JPH0284414U (ja) | ||
JPH02101613U (ja) | ||
JPS60172438U (ja) | 半導体装置 | |
JPH03106203A (ja) | 電界効果トランジスタ増巾器 | |
JPS6214818U (ja) | ||
JPS60141135U (ja) | トランジスタ装置 | |
JPS617117U (ja) | モノリシツクfet増幅器 | |
JPS6454411U (ja) | ||
JPH0582127U (ja) | マイクロ波集積回路増幅器 | |
JPS59149702U (ja) | 半導体移相器 | |
JPH0284416U (ja) | ||
JPS59189319U (ja) | マイクロ波増幅器 | |
JPS60150815U (ja) | 誘電体共振器装荷発振器 | |
JPH0352U (ja) | ||
JPH0344303U (ja) | ||
JPS59228408A (ja) | 電界効果トランジスタ増幅器 |