JPS6295326U - - Google Patents

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JPS6295326U
JPS6295326U JP18685285U JP18685285U JPS6295326U JP S6295326 U JPS6295326 U JP S6295326U JP 18685285 U JP18685285 U JP 18685285U JP 18685285 U JP18685285 U JP 18685285U JP S6295326 U JPS6295326 U JP S6295326U
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JP
Japan
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diode
field effect
semiconductor
microwave
effect transistor
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JP18685285U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例によるマイクロ波
半導体増幅器の構造を示す図、第2図はこの考案
のうち利得平坦化のために用いている回路の動作
を説明するための図、第3図は従来のマイクロ波
半導体増幅器の構造例を示す図、第4図は従来の
半導体増幅器の利得の周波数特性の一例を示す図
である。 図中、1は半導体基板、2は地導体、3は入力
線路、4は出力線路、5は入力側整合回路、6は
出力側整合回路、7はゲートバイアス回路、8は
ドレインバイアス回路、9はFET、10はゲー
ト電極、11はドレイン電極、12はソース電極
、13はエアーブリツジ、14はダイオード、1
5はインダクタ、16はダイオードバイアス回路
、17はキヤパシタ、18はスルホールである。
なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板に、電界効果トランジスタ、ダイオ
    ード等の半導体素子、および、マイクロストリツ
    プ線路、集中定数回路素子を一体形成してなるマ
    イクロ波半導体増幅器において、電界効果トラン
    ジスタの出力側に接続されるマイクロストリツプ
    線路に並列にダイオードの一端を接続し、上記ダ
    イオードの他端はインダクタを介して接地し、か
    つ上記電界効果トランジスタならびに上記ダイオ
    ードにバイアスを印加する手段を具備したことを
    特徴とするマイクロ波半導体増幅器。
JP18685285U 1985-12-04 1985-12-04 Pending JPS6295326U (ja)

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JP18685285U JPS6295326U (ja) 1985-12-04 1985-12-04

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JP18685285U JPS6295326U (ja) 1985-12-04 1985-12-04

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JPS6295326U true JPS6295326U (ja) 1987-06-18

Family

ID=31136787

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JP18685285U Pending JPS6295326U (ja) 1985-12-04 1985-12-04

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