JPS6329826B2 - - Google Patents

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JPS6329826B2
JPS6329826B2 JP52098099A JP9809977A JPS6329826B2 JP S6329826 B2 JPS6329826 B2 JP S6329826B2 JP 52098099 A JP52098099 A JP 52098099A JP 9809977 A JP9809977 A JP 9809977A JP S6329826 B2 JPS6329826 B2 JP S6329826B2
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JP
Japan
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wiring
cell
input
logic circuit
integrated circuit
Prior art date
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JP52098099A
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Japanese (ja)
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JPS5432085A (en
Inventor
Choji Tanaka
Toshihiko Yatsuhara
Takao Nagai
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS5432085A publication Critical patent/JPS5432085A/en
Publication of JPS6329826B2 publication Critical patent/JPS6329826B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803Masterslice integrated circuits using field effect technology

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積回路の設計方式に関するもので
あり、特に配線部分のみを個別設計するマスター
スライス方式の半導体集積回路に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an integrated circuit design method, and more particularly to a master slice semiconductor integrated circuit in which only wiring portions are individually designed.

一般的に、マスタースライス方式の集積回路は
論理素子を構成する基本素子を基本論理回路セル
(以下セルと称する)とし、そのセルを固定的に
配置し、任意の論理機能実現のために配線のみを
可変とすることにより、配線以前の集積回路製造
を共通化し多品種小量生産を可能とする方式であ
る。
Generally, in a master slice type integrated circuit, the basic elements constituting the logic element are basic logic circuit cells (hereinafter referred to as cells), and the cells are fixedly arranged, and only wiring is required to realize any logical function. By making this variable, this method standardizes integrated circuit manufacturing prior to wiring and enables high-mix, low-volume production.

この明細書では論理回路セルのことをセルと称
し、複数のセルを整列させたもの(アレイ)をセ
ルアレイと称する。
In this specification, a logic circuit cell is referred to as a cell, and a plurality of cells arranged in an array (array) is referred to as a cell array.

各セル間の配線のためには、一般に、X方向、
Y方向の配線とこの両配線を接続するためのコン
タクトホールを用意することが必要である。
In general, for wiring between each cell,
It is necessary to prepare wiring in the Y direction and a contact hole for connecting both wirings.

この配線を実現するためバイポーラ形では2層
の金属配線とコンタクトホールが必要であり、
MOS形ではセルを構成する拡散層またはポリシ
リコン層と1層の金属配線及びコンタクトホール
で行うのが普通である。しかしMOS形マスター
スライス方式においてはセルを構成するために拡
散層またはポリシリコン層が必要のため、マスタ
ースライス方式の特徴である配線のみを個別設計
することが不可能であり、あらかじめ、共通部分
のみを製造しておくことができないのでこの方式
によるMOS形マスタースライス方式は不可能で
あり、マスタースライス方式によるMOS形集積
回路は実用化されない。勿論、金属配線2層とコ
ンタクトホールによるマスタースライス方式を
MOS形集積回路に適用することは可能であるが、
この場合には高価となりMOSの特徴を生かせな
い欠点があつた。
In order to realize this wiring, bipolar type requires two layers of metal wiring and contact holes.
In the MOS type, it is common to use a diffusion layer or a polysilicon layer constituting the cell, one layer of metal wiring, and a contact hole. However, in the MOS type master slice method, a diffusion layer or a polysilicon layer is required to configure the cell, so it is impossible to individually design only the wiring, which is a feature of the master slice method. Since it is not possible to manufacture the MOS type master slice method using this method, a MOS type integrated circuit using the master slice method is not put into practical use. Of course, we use the master slicing method with two layers of metal wiring and contact holes.
Although it is possible to apply it to MOS type integrated circuits,
In this case, the drawback was that it was expensive and the features of MOS could not be taken advantage of.

この発明は従来マスタースライス方式の集積回
路の場合任意に配線可能な2層配線とそのコンタ
クトホールを必要とする方式を改良し、固定配線
と任意の1層配線及びそのコンタクトホールで実
現する方式を考慮したものであり、その目的は従
来の製造でマスタースライス方式のMOS形集積
回路を実現可能とすると共に、バイポーラ形では
任意の論理機能を実現するための2層配線とコン
タクトホールを1層配線とコンタクトホールにす
ることにより低価格化を可能とした半導体集積回
路を提供するものである。
This invention improves the conventional master slice type integrated circuit, which requires two-layer wiring and contact holes that can be arbitrarily routed, and provides a method that can be realized using fixed wiring, arbitrary one-layer wiring, and its contact holes. The purpose of this is to make it possible to realize master slice type MOS integrated circuits using conventional manufacturing, while also making it possible to realize bipolar type MOS integrated circuits using two layers of wiring and one layer of contact holes to realize arbitrary logic functions. The present invention provides a semiconductor integrated circuit whose cost can be reduced by using a contact hole.

この発明の構成および作用を説明するため、実
施例をMOS形集積回路をとり以下に説明する。
In order to explain the structure and operation of the present invention, an embodiment will be explained below using a MOS type integrated circuit.

第1図はマスタースライス集積回路を実現する
ため、セルを2入力NOR回路とした場合の公知
のMOSトランジスタによる回路図であり、1が
出力、2,3が入力端子、4が電源端子、5がグ
ランド端子を表わし★印をつけたトランジスタは
デプレツシヨン型トランジスタであり、印のない
トランジスタはエンハンスメント形トランジスタ
を表わしている。
Fig. 1 is a circuit diagram using a known MOS transistor when the cell is a two-input NOR circuit in order to realize a master slice integrated circuit, where 1 is an output, 2 and 3 are input terminals, 4 is a power supply terminal, and 5 represents the ground terminal, transistors marked with a star are depletion type transistors, and transistors without a mark represent enhancement type transistors.

第2図はこのセルをアレイ状に配列した集積回
路全体のレイアウトであり14がこのセルを複数
個配列したもの、12及び13は電源及びグラン
ド線であり、11は信号を外部にとり出すための
バツフア回路及びパツド領域である。各セルのア
レイ間は配線領域であり、マスタースライス方式
においてはこの配線を行わない部分までを共通化
し、配線のみを論理機能に応し、個別設計する所
に特徴を有している。
Figure 2 shows the overall layout of an integrated circuit in which these cells are arranged in an array. 14 is a plurality of these cells arranged, 12 and 13 are power and ground lines, and 11 is a line for taking out signals to the outside. These are the buffer circuit and pad area. The area between each cell array is a wiring area, and the master slice method is characterized in that even the parts where wiring is not performed are made common, and only the wiring is designed individually according to the logical function.

第3図は従来方式による配線を行つた後の第2
図の部分的拡大図であり、端子21,22,23
が1つのセル端子を構成し、21は論理回路セル
としての2入力NOR回路の出力端子、22,2
3は入力端子、29はデプレツシヨン型トランジ
スタ、30はエンハンスメント形トランジスタを
表わしている。27,28は電源及びグランド配
線であり、ここまでがすべての集積回路に共通の
部分である。ここで、論理回路セルはマトリツク
ス状に形成され、以下マトリツクスの行を横方向
に、列を縦方向として説明する。
Figure 3 shows the second wiring after wiring using the conventional method.
It is a partially enlarged view of the figure, and terminals 21, 22, 23
constitutes one cell terminal, 21 is an output terminal of a 2-input NOR circuit as a logic circuit cell, 22, 2
3 represents an input terminal, 29 a depletion type transistor, and 30 an enhancement type transistor. Reference numerals 27 and 28 are power supply and ground wiring, which are common to all integrated circuits. Here, the logic circuit cells are formed in a matrix, and the following description will be made assuming that the rows of the matrix are in the horizontal direction and the columns are in the vertical direction.

第3図において論理回路を構成するためには各
セル端子間を接続する必要があり、この配線の様
子が配線24,25及びコンタクトホール26に
示されている。第3図において24は縦方向の配
線であり、25は横方向の配線、26はこの縦、
横の配線を結ぶためのコンタクトホールである。
一般にMOS形集積回路の場合には電源、グラン
ド配線と縦横いずれか一方を金属配線とし他の配
線をポリシリコンまたは拡散により配線するのが
一般であるが、ポリシリコンまたは拡散による配
線の場合には第3図に示す通り配線を固定できず
任意に行う必要があるためこの方式では既に述べ
た通り、マスタースライス方式によりMOS形集
積回路を実現することは不可能である。
In FIG. 3, in order to construct a logic circuit, it is necessary to connect each cell terminal, and the state of this wiring is shown by wirings 24, 25 and contact holes 26. In FIG. 3, 24 is a vertical wiring, 25 is a horizontal wiring, 26 is a vertical wiring,
This is a contact hole for connecting horizontal wiring.
In general, in the case of MOS type integrated circuits, the power supply and ground wiring and either the vertical or horizontal wiring are metal wiring, and the other wiring is wired using polysilicon or diffusion, but in the case of wiring using polysilicon or diffusion, As shown in FIG. 3, the wiring cannot be fixed and must be done arbitrarily, so in this method, as already mentioned, it is impossible to realize a MOS type integrated circuit using the master slice method.

この発明はこのような欠点をとり除き、ポリシ
リコンまたは拡散配線を固定化したマスタースラ
イス方式を可能とする半導体集積回路を提供する
ものであり、この発明の実施例を第4図に示す。
第4図のセル構造は第3図と同じであるが上下の
セルアレイの各端子位置を互いに1配線区間ずれ
るように交互に配置し各々の入出力端子毎に縦用
の配線を準備しその配線を第4図破線に示すよう
に固定化し、この配線をポリシリコンまたは拡散
により行いMOS形集積回路をマスタースライス
方式で実現可能としたことにある。第4図の例は
34が固定拡散層であり、35が金属配線、36
がコンタクトホールである。拡散層34と金属配
線35とはコンタクトホール36により接続され
る。また、セル端子と固定拡散層34の接続は金
属配線35とコンタクトホール36により行われ
ている。この場合、拡散層34は各々の端子毎に
設けられているので端子を直接接続しておくこと
も可能であるが使用しない端子に余分の浮遊容量
を付加しないため必要部分のみコンタクトホール
により接続する方法をとつている。このように、
第4図に示したセル及び固定配線を配置しこの部
分を共通とすることにより金属配線とコンタクト
ホールのみで任意の配線が可能となりしたがつて
任意の論理実現することが可能となる。また、こ
のものは配線設計が容易となり容易に配線設計の
自動化をはかることも可能である。なお第4図に
おいて、第3図と同一符号は同一又は相当部分を
示す。
The present invention eliminates these drawbacks and provides a semiconductor integrated circuit that enables a master slice method in which polysilicon or diffused wiring is fixed. An embodiment of the present invention is shown in FIG.
The cell structure in Figure 4 is the same as that in Figure 3, but the terminal positions of the upper and lower cell arrays are arranged alternately so as to be shifted by one wiring section from each other, and vertical wiring is prepared for each input/output terminal. By fixing the wiring as shown by the broken line in FIG. 4 and using polysilicon or diffusion, it is possible to realize a MOS type integrated circuit using the master slice method. In the example of FIG. 4, 34 is a fixed diffusion layer, 35 is a metal wiring, and 36 is a fixed diffusion layer.
is the contact hole. Diffusion layer 34 and metal wiring 35 are connected through contact hole 36 . Further, the connection between the cell terminal and the fixed diffusion layer 34 is made by a metal wiring 35 and a contact hole 36. In this case, since the diffusion layer 34 is provided for each terminal, it is possible to connect the terminals directly, but in order to avoid adding extra stray capacitance to unused terminals, only the necessary portions are connected through contact holes. I am taking a method. in this way,
By arranging the cells and fixed wiring shown in FIG. 4 and making this part common, any wiring can be formed using only metal wiring and contact holes, and therefore any logic can be realized. Moreover, this makes wiring design easy, and it is also possible to easily automate wiring design. In FIG. 4, the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same or corresponding parts.

この発明はマスタースライス方式による集積回
路の設計法について考案したものであり、この発
明は特にMOS形集積回路に効果的であるがバイ
ポーラ形集積回路にもこの方式を適用することが
可能である。
This invention has devised a method for designing integrated circuits using the master slice method, and although this invention is particularly effective for MOS type integrated circuits, it is also possible to apply this method to bipolar type integrated circuits.

以上のように、この発明に係る半導体集積回路
は1層の配線層とコンタクトホールのみで任意の
論理を構成することが可能なため、MOS形半導
体集積回路にマスタースライス方式を適用可能と
し設計製造期間を短縮し、小量多品種の半導体集
積回路を能率良く開発・製造することが可能なら
しめるものである。
As described above, since the semiconductor integrated circuit according to the present invention can configure any logic using only one wiring layer and contact holes, it is possible to apply the master slice method to MOS type semiconductor integrated circuits and design and manufacture them. This shortens the period and makes it possible to efficiently develop and manufacture a wide variety of semiconductor integrated circuits in small quantities.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の実施例であるMOS形集積
回路のセルの2入力NOR回路の回路図、第2図
は第1図に示したこのセルを使用したときの
MOS形マスタースライス方式のチツプの全体の
配置図、第3図は第2図の一部を拡大しセル間の
配線を将来方式で配線した場合のパターンレイア
ウト図、第4図はこの発明の実施例による固定配
線を用いたときのセルの配置及び配線方法を説明
するためのパターンレイアウト図である。 図中、21〜23はセルの入出力端子、27は
電源配線、28はグランド配線、29,30はト
ランジスタ、34は交互に形成された配線として
の固定拡散層、35は金属層、36はコンタクト
ホールである。なお図中同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Fig. 1 is a circuit diagram of a 2-input NOR circuit of a cell of a MOS type integrated circuit which is an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a circuit diagram of a 2-input NOR circuit of a cell of a MOS type integrated circuit which is an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing the overall layout of a chip using the MOS type master slice method. Figure 3 is a partial enlargement of Figure 2 and is a pattern layout diagram when wiring between cells is routed using the future method. Figure 4 is a diagram showing the implementation of this invention. FIG. 4 is a pattern layout diagram for explaining cell arrangement and wiring method when using fixed wiring according to an example. In the figure, 21 to 23 are cell input/output terminals, 27 is a power supply wiring, 28 is a ground wiring, 29 and 30 are transistors, 34 is a fixed diffusion layer as an alternately formed wiring, 35 is a metal layer, and 36 is a This is a contact hole. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 入出力端子を有する論理回路セルが同一半導
体基板上にアレイ状に並べられたセルアレイまた
はセルアレイ群を形成し、かつ、上記論理回路セ
ル間及び外部回路と接続するための入出力端子と
信号線、電源線、接地線などを配線するために設
けた配線領域を形成した集積回路において、上記
配線領域をはさんで平行に向い合つた2つのセル
アレイを設け、これらセルアレイを構成する論理
回路セルの各入出力端子から向い合つた論理回路
セルに接しないところまで、それぞれ直線状に延
在させた固定配線が、相互の論理回路セルの入出
力端子からの固定配線と接しないように、入出力
端子の間隔の半分のビツチだけ固定配線の軸に垂
直な方向にずらせたことを特徴とする半導体集積
回路。
1 Logic circuit cells having input/output terminals form a cell array or cell array group arranged in an array on the same semiconductor substrate, and input/output terminals and signal lines for connecting between the logic circuit cells and to external circuits. In an integrated circuit that has a wiring area provided for wiring power lines, ground lines, etc., two cell arrays are provided facing each other in parallel across the wiring area, and the logic circuit cells constituting these cell arrays are Input/output terminals are designed so that the fixed wiring that extends in a straight line from each input/output terminal to the point where it does not touch the opposing logic circuit cell does not touch the fixed wiring from the input/output terminal of each logic circuit cell. A semiconductor integrated circuit characterized in that the terminals are shifted in a direction perpendicular to the axis of the fixed wiring by half the distance between the terminals.
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