JPS6329808B2 - - Google Patents
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- JPS6329808B2 JPS6329808B2 JP56053470A JP5347081A JPS6329808B2 JP S6329808 B2 JPS6329808 B2 JP S6329808B2 JP 56053470 A JP56053470 A JP 56053470A JP 5347081 A JP5347081 A JP 5347081A JP S6329808 B2 JPS6329808 B2 JP S6329808B2
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- etching
- thin film
- tantalum
- silicon
- photoresist
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- Expired
Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗薄膜のエツチング方法に関する。
さらに詳しくは、フレオンガスプラズマによるタ
ンタルとシリコンからなる抵抗薄膜のエツチング
方法に関する。
さらに詳しくは、フレオンガスプラズマによるタ
ンタルとシリコンからなる抵抗薄膜のエツチング
方法に関する。
抵抗薄膜は電子部品の抵抗素子、薄膜サーマル
ヘツドの発熱抵抗体などの材料として広く用いら
れている。従来の薄膜サーマルヘツドは、グレー
ズドアルミナ基板上にタンタルとシリコンからな
る抵抗薄膜をスパツタリング、真空蒸着などによ
り所望の厚さ、たとえば100Å〜1μm程度に被覆
し、その上に電極材料、たとえばアルミニウムと
かクロム−金、クロム−銅などの導体薄膜をスパ
ツタリングや真空蒸着などにより所望の厚さに被
覆したのち電極をフオトレジスト法などにより形
成し、ついで抵抗薄膜をフオトレジスト法などに
よつて形成することにより製造されている。また
タンタルとシリコンからなる抵抗薄膜のパターニ
ング法としては、フツ化水素酸と硝酸からなる混
合物をエツチング溶剤に用いてエツチングしてい
る。しかし、その方法はフツ化水素酸と硝酸の混
合物を用いるため取り扱い上慎重な注意を要し、
かつ該混合物がグレーズドアルミナ基板のグレー
ズ層を侵食するため、好ましいエツチング方法と
はいえない。すなわち、このグレーズ層の侵食は
薄膜サーマルヘツドの特性を劣化させ、また薄膜
サーマルヘツドにおける薄膜抵抗体部は発熱体で
あるので、抵抗薄膜のパターンのバラツキは印字
したときの文字などの品質の低下を惹起する原因
となつている。
ヘツドの発熱抵抗体などの材料として広く用いら
れている。従来の薄膜サーマルヘツドは、グレー
ズドアルミナ基板上にタンタルとシリコンからな
る抵抗薄膜をスパツタリング、真空蒸着などによ
り所望の厚さ、たとえば100Å〜1μm程度に被覆
し、その上に電極材料、たとえばアルミニウムと
かクロム−金、クロム−銅などの導体薄膜をスパ
ツタリングや真空蒸着などにより所望の厚さに被
覆したのち電極をフオトレジスト法などにより形
成し、ついで抵抗薄膜をフオトレジスト法などに
よつて形成することにより製造されている。また
タンタルとシリコンからなる抵抗薄膜のパターニ
ング法としては、フツ化水素酸と硝酸からなる混
合物をエツチング溶剤に用いてエツチングしてい
る。しかし、その方法はフツ化水素酸と硝酸の混
合物を用いるため取り扱い上慎重な注意を要し、
かつ該混合物がグレーズドアルミナ基板のグレー
ズ層を侵食するため、好ましいエツチング方法と
はいえない。すなわち、このグレーズ層の侵食は
薄膜サーマルヘツドの特性を劣化させ、また薄膜
サーマルヘツドにおける薄膜抵抗体部は発熱体で
あるので、抵抗薄膜のパターンのバラツキは印字
したときの文字などの品質の低下を惹起する原因
となつている。
本発明の目的は、操作が比較的簡単であり、操
作上の安全性が高くかつグレーズ層を浸食するこ
とがなく、しかも精密な加工を行なうことのでき
る抵抗薄膜のエツチング方法を提供することにあ
る。
作上の安全性が高くかつグレーズ層を浸食するこ
とがなく、しかも精密な加工を行なうことのでき
る抵抗薄膜のエツチング方法を提供することにあ
る。
本発明者はタンタルとシリコンからなる抵抗薄
膜をより一層簡単にかつ高い精度をもつてエツチ
ング加工する技術を開発するべく鋭意研究を重ね
た結果、該抵抗薄膜で被覆されている基板をフレ
オンガスプラズマを用いてエツチングすることに
より前記の目的が達成されうることを見出し、本
発明を完成するにいたつた。
膜をより一層簡単にかつ高い精度をもつてエツチ
ング加工する技術を開発するべく鋭意研究を重ね
た結果、該抵抗薄膜で被覆されている基板をフレ
オンガスプラズマを用いてエツチングすることに
より前記の目的が達成されうることを見出し、本
発明を完成するにいたつた。
本発明に用いるフレオンガスとしては、たとえ
ば四フツ化炭素（CF4）に不活性ガスを混合した
ものでもよく、さらに四フツ化炭素に酸素を混合
してエツチングレートを大きくすることもでき
る。
ば四フツ化炭素（CF4）に不活性ガスを混合した
ものでもよく、さらに四フツ化炭素に酸素を混合
してエツチングレートを大きくすることもでき
る。
フレオンガスを減圧プラズマ反応器に導入し、
プラズマを発生させてタンタルとシリコンからな
る抵抗薄膜を処理すると、エツチングされる表面
からタンタルとシリコンがそれぞれフツ化タンタ
ルとフツ化シリコンとなつて気化蒸散し、エツチ
ングが完了する。このエツチング操作は1000Åの
厚さの薄膜のばあい、0.5〜２分間で充分である。
グレーズ層は厚さ20〜80μm程度のものが使用さ
れたが、ほとんど侵食されなかつた。
プラズマを発生させてタンタルとシリコンからな
る抵抗薄膜を処理すると、エツチングされる表面
からタンタルとシリコンがそれぞれフツ化タンタ
ルとフツ化シリコンとなつて気化蒸散し、エツチ
ングが完了する。このエツチング操作は1000Åの
厚さの薄膜のばあい、0.5〜２分間で充分である。
グレーズ層は厚さ20〜80μm程度のものが使用さ
れたが、ほとんど侵食されなかつた。
本発明によるエツチング法において、エツチン
グマスクとして膜厚1μmのフオトレジストを用い
たばあい、フオトレジストのエツチングはほとん
ど起こらず、したがつて該フオトレジストはエツ
チングマスクとして充分に使用できることがわか
つた。さらに該フオトレジストを酸素ガスプラズ
マを用いて容易に除去することができることがわ
かつた。またエツチングマスクとしてアルミニウ
ムを用いたばあいも、アルミニウムはフレオンガ
スプラズマでほとんどエツチングされず、エツチ
ングマスクとして充分使用可能であることがわか
つた。
グマスクとして膜厚1μmのフオトレジストを用い
たばあい、フオトレジストのエツチングはほとん
ど起こらず、したがつて該フオトレジストはエツ
チングマスクとして充分に使用できることがわか
つた。さらに該フオトレジストを酸素ガスプラズ
マを用いて容易に除去することができることがわ
かつた。またエツチングマスクとしてアルミニウ
ムを用いたばあいも、アルミニウムはフレオンガ
スプラズマでほとんどエツチングされず、エツチ
ングマスクとして充分使用可能であることがわか
つた。
本発明を実施するのに好適な装置としては、た
とえば平行平板電極型プラズマエツチング装置や
円筒型プラズマエツチング装置などがあげられ
る。具体例として第１図に平行平板電極型プラズ
マエツチング装置を示し、第１図に基づき説明す
る。
とえば平行平板電極型プラズマエツチング装置や
円筒型プラズマエツチング装置などがあげられ
る。具体例として第１図に平行平板電極型プラズ
マエツチング装置を示し、第１図に基づき説明す
る。
プラズマ反応器１に抵抗薄膜を有する基板２を
置き、フレオンガスボンベ３からフレオンガスを
ガス流量計４を通して反応器１に導入する。反応
器内は真空ポンプ５を用いて減圧にし、たとえば
0.01〜５トールの真空度に維持する。２枚の電極
平板６はたがいに平行に設置し、それらに高周波
電源７から高周波電力、たとえば500Wを印加し
てフレオンガスプラズマを発生させる。
置き、フレオンガスボンベ３からフレオンガスを
ガス流量計４を通して反応器１に導入する。反応
器内は真空ポンプ５を用いて減圧にし、たとえば
0.01〜５トールの真空度に維持する。２枚の電極
平板６はたがいに平行に設置し、それらに高周波
電源７から高周波電力、たとえば500Wを印加し
てフレオンガスプラズマを発生させる。
グレーズドアルミナ基板上にタンタルとシリコ
ン（タンタル10〜60重量％）からなる抵抗薄膜
（（膜厚1000Å）を被覆し、ついでポジ型フオトレ
ジスト（膜厚1μm）をスピンコートし、フオトレ
ジストの画像を形成したものを前記の装置を用い
てエツチングした。エツチングレートは、タンタ
ルとシリコンとの組成比、高周波印加電力および
反応器内真空度などによつて若干異なり、適宜選
択することにより好適な結果をうることができ
る。
ン（タンタル10〜60重量％）からなる抵抗薄膜
（（膜厚1000Å）を被覆し、ついでポジ型フオトレ
ジスト（膜厚1μm）をスピンコートし、フオトレ
ジストの画像を形成したものを前記の装置を用い
てエツチングした。エツチングレートは、タンタ
ルとシリコンとの組成比、高周波印加電力および
反応器内真空度などによつて若干異なり、適宜選
択することにより好適な結果をうることができ
る。
本発明によると、従来の溶液エツチング法のば
あいに問題となつたグレーズ層の侵食がなく、寸
法精度のよい製品をうることができる。さらに溶
液エツチング法とは異なりフオトレジストのポス
トベーキングが不要となるのでプロセスが簡略化
できる。そのほか廃ガスの後処理が容易で、安全
性が高いなどの特徴がある。
あいに問題となつたグレーズ層の侵食がなく、寸
法精度のよい製品をうることができる。さらに溶
液エツチング法とは異なりフオトレジストのポス
トベーキングが不要となるのでプロセスが簡略化
できる。そのほか廃ガスの後処理が容易で、安全
性が高いなどの特徴がある。
第１図はプラズマエツチング装置の一例である
平行平板電極型プラズマエツチング装置の概略図
である。 図面の主要符号、１：プラズマ反応器、２：抵
抗薄膜を有する基板、６：電極平板、７：高周波
電源。
平行平板電極型プラズマエツチング装置の概略図
である。 図面の主要符号、１：プラズマ反応器、２：抵
抗薄膜を有する基板、６：電極平板、７：高周波
電源。
Claims (1)
- １ タンタルとシリコンからなる抵抗薄膜で被覆
された基板をフレオンガスプラズマを用いて処理
することを特徴とするエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56053470A JPS57167602A (en) | 1981-04-07 | 1981-04-07 | Method of etching cermet film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56053470A JPS57167602A (en) | 1981-04-07 | 1981-04-07 | Method of etching cermet film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57167602A JPS57167602A (en) | 1982-10-15 |
| JPS6329808B2 true JPS6329808B2 (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=12943736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56053470A Granted JPS57167602A (en) | 1981-04-07 | 1981-04-07 | Method of etching cermet film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57167602A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131515A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | 株式会社東芝 | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JP2679201B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1997-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 酸化ルテニウム系薄膜のエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398096A (en) * | 1977-02-08 | 1978-08-26 | Nec Corp | Production of thin film metal resistor |
| JPS5648102A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Suwa Seikosha Kk | Method of manufacturing thin film resistor |
-
1981
- 1981-04-07 JP JP56053470A patent/JPS57167602A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398096A (en) * | 1977-02-08 | 1978-08-26 | Nec Corp | Production of thin film metal resistor |
| JPS5648102A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-01 | Suwa Seikosha Kk | Method of manufacturing thin film resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57167602A (en) | 1982-10-15 |
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