JPS63296383A - Ｑスイッチ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はＱスイッチ素子に係り、特に入力トランスデュ
ーサーの電極の１部に１局所的に電場が集中して高温と
なることを防ぐよう電極全体に電力供給できるＱスイッ
チ素子に関する。

［従来の技術］ 従来のＱスイッチ素子の側面図を第２図に示す。Ｑスイ
ッチ素子は、石英ガラスやＬｉＮｂ０．結晶等よりなる
Ｑスイッチ媒体ｌと、該Ｑスイッチ媒体ｌの１面に取り
付けた入力トランスデューサー用の圧電体２と、駆動回
路とのインピーダンスのマツチングを行う整合回路３と
、パッケージ４より構成される。Ｑスイッチ素子への電
力供給は、圧電体２と整合回路３とを金片５により導電
接続して行う、第３図に、Ｑスイッチ素子の電力供給部
の拡大側面図を示す、従来、圧電体２の電極部より小さ
い面積の金片５を電極部に面接触して導電接続していた
。たとえば、電極面Ｍｉ　５　Ｘ　２１ｍ＠”に対し、
金片５の接触部は３　Ｘ　１２ｍ５’で約１７３の接触
面積である。

また、金片５のエツジが全て電極周辺より内部で接触し
ていた。第４図に入力トランスデューサーの圧電体の平
面図を示す、Ｑスイッチ媒体ｌの１面に入力トランスデ
ューサー用の圧電体２を取り付けて圧電体上の電極に金
片を接触させる。斜線部は金片の接触部６であり、エツ
ジ部７は全て電極周辺より内部て接触している。

［発明の解決しようとする問題点］ 従来、金片の接触部６のエツジ部７か、内部より電場の
集中か起き易く、特異点と称する強電場の発生箇所とな
っていた。その結果、高温となり圧電体とＱスイッチ媒
体ｌとの接合部か溶融し、電気的特性、光学的特性を損
なうという問題点を有していた。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものてあ
り、Ｑスイッチ素子を駆動する入力トランスデューサー
と整合回路との導電接続を、入力トランスデューサーの
圧電体上の電極全体を覆って面接触する導電性部材によ
って行うことを特徴とするＱスイッチ素子を提供するも
のである。

［作用］ 本発明において、金片は圧電体との接触部の特異点をな
くすように作用し、Ｑスイッチ素子を耐大出力用に動作
させ得る。つまり、圧電体上には特異点がなく電場の集
中が非常に起きにくい接触構造となるのて、大出力にな
るほど増大する電場による発熱の効果を極力抑制する効
果を有する。

［実施例］ 第１図は、本発明の１実施例てあり、入力トランスデュ
ーサーの圧電体の平面図を示す。Ｑスイッチ媒体ｌの１
面に入力トランスデューサー用の圧電体２か取り付けて
あり、金片３を圧電体２上の電極全体を覆って面接触さ
せている。斜線部は接触部４である。金片３の面積は少
なくとも圧電体もしくは圧電体の電極部の面積より大き
く、形状は金片のエツジか必ず圧電体のエツジより外側
になければならない。電極の面積は５．５×２１１ＩＩ
１２であるのに対し、金片３の面積は９　Ｘ　２２ｍｍ
２であり、完全に電極を覆う構造となっている。又、金
片３の代わりに金メッキを施した金属材料も使用できる
か、信頼性の点て金片の方が好ましい。

［発明の効果］ 本発明は、Ｑスイッチ素子の電気的、光学的特性を劣化
させることなく、高出力のレーザー装置に長時間使用で
きるという優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例を示し、入力トランスデュー
サーの圧電体の平面図であり、第２図〜第４図は従来例
の図を示し、第２図は従来のＱスイッチ素子の側面図で
あり、第３図はＱスイッチ素子の電力供給部の拡大側面
図てあり、第４図は入力トランスデューサーの圧電体の
平面図である。 ｌ・・・Ｑスイッチ媒体 ２・・・圧電体 ３・・・金片 ４・・・接触部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｑスイッチ素子を駆動する入力トランスデューサ
   ーと整合回路との導電接続を、入力トランスデューサー
   の圧電体上の電極全体を覆って面接触する導電性部材に
   よって行うことを特徴とするＱスイッチ素子。
2. （２）該導電性部材は金片である特許請求の範囲第１項
   記載のＱスイッチ素子。