JPS63296250A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63296250A JPS63296250A JP13429687A JP13429687A JPS63296250A JP S63296250 A JPS63296250 A JP S63296250A JP 13429687 A JP13429687 A JP 13429687A JP 13429687 A JP13429687 A JP 13429687A JP S63296250 A JPS63296250 A JP S63296250A
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- insulating
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発つ」は電力用半導体に関し、その放熱機能を同上
、絶縁層に加わる熱的、機械的ストレスの軽減に関する
ものである。
、絶縁層に加わる熱的、機械的ストレスの軽減に関する
ものである。
第３図に例えば特開昭５８−１５１０３９に示された従
来の半導体装置の断面図である。図においてｆｉ＋はア
ルミの放熱基板で、（２１は放熱基板ｉｌｌ上に無機粉
体、ガラス繊維を含有する高分子樹脂で形成された絶縁
伝熱層、＋３１ （４１はさらに絶縁伝熱層（２）上に
メタライズされた銅電極層及びアルミ電極層でアシ必要
に応じてバタ一二シグされている。
来の半導体装置の断面図である。図においてｆｉ＋はア
ルミの放熱基板で、（２１は放熱基板ｉｌｌ上に無機粉
体、ガラス繊維を含有する高分子樹脂で形成された絶縁
伝熱層、＋３１ （４１はさらに絶縁伝熱層（２）上に
メタライズされた銅電極層及びアルミ電極層でアシ必要
に応じてバタ一二シグされている。
以後１１１〜（４）を絶縁基板と呼ぶ。（６）はシリコ
ンチップであシ図示しない半田でヒートスプレッダ−に
固着されている。次に％３図に基いて従来の半導体装置
の組立方法を示す。
ンチップであシ図示しない半田でヒートスプレッダ−に
固着されている。次に％３図に基いて従来の半導体装置
の組立方法を示す。
まず絶縁基板（１１〜（４）上にシリコンチップ（６）
の固着したヒートスプレッダ−（５）を図示しない半田
で融着する。次にこのシリコンチップ（６）の上部に超
音波ポンディジグ法でアルミのリード細線（７）を接続
する。この後外部取出電極（８）のインサート成形され
たケース＋９１を絶縁基板上に載せ、外部取出電極（８
）には図示しない半田を塗布し、ケース１９１ Ｋは図
示しない接着剤を塗布して、温度を上げることによりそ
れぞれ接合する。次にケース上部の開口部よりゲル樹脂
ααを入れ昇温硬化し、さらにエポキシ樹脂αＬＫよシ
封止し、従来の半導体装置が完成される。
の固着したヒートスプレッダ−（５）を図示しない半田
で融着する。次にこのシリコンチップ（６）の上部に超
音波ポンディジグ法でアルミのリード細線（７）を接続
する。この後外部取出電極（８）のインサート成形され
たケース＋９１を絶縁基板上に載せ、外部取出電極（８
）には図示しない半田を塗布し、ケース１９１ Ｋは図
示しない接着剤を塗布して、温度を上げることによりそ
れぞれ接合する。次にケース上部の開口部よりゲル樹脂
ααを入れ昇温硬化し、さらにエポキシ樹脂αＬＫよシ
封止し、従来の半導体装置が完成される。
上記従来の半導体装置はメタライズ電極層である銅電極
層（３）とアルミ電極層（４）を選択的にエツチングす
ることにより銅部分とアルミ部分から成る回路設計が自
由にでき、またアルミのリード細線（７１のアルミ電極
層（４１への強固な固着結線が得られる。放熱について
はチップ下の銅のヒートスプレッダ−（５）より電極層
（３）を通って絶縁層（２）へ、さらにアルミの放熱基
板によシ熱を逃がす工夫をしている。
層（３）とアルミ電極層（４）を選択的にエツチングす
ることにより銅部分とアルミ部分から成る回路設計が自
由にでき、またアルミのリード細線（７１のアルミ電極
層（４１への強固な固着結線が得られる。放熱について
はチップ下の銅のヒートスプレッダ−（５）より電極層
（３）を通って絶縁層（２）へ、さらにアルミの放熱基
板によシ熱を逃がす工夫をしている。
従来の構造においては絶縁層（２）と放熱基板（１）が
−重構造であったため、銅やアルミに比べて熱伝導の小
さい絶縁層は熱抵抗が上昇し絶縁層に加わるストレスが
増大し、この絶縁層が部分的に劣化して亀裂などを生じ
絶縁不良を起こすという問題があった＠ この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
ものであり、半導体素子載置基板に絶縁不良が生じない
半導体装置を提供するものである。
−重構造であったため、銅やアルミに比べて熱伝導の小
さい絶縁層は熱抵抗が上昇し絶縁層に加わるストレスが
増大し、この絶縁層が部分的に劣化して亀裂などを生じ
絶縁不良を起こすという問題があった＠ この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
ものであり、半導体素子載置基板に絶縁不良が生じない
半導体装置を提供するものである。
本発明は絶縁形半導体装置基板においてアルミの放熱基
板と絶縁伝熱層を二重に重ね合わせることによって絶縁
層に加わるストレスを軽減することができる。
板と絶縁伝熱層を二重に重ね合わせることによって絶縁
層に加わるストレスを軽減することができる。
本発明は半導体素子載置基板の第一の主面と第二の主面
との間に付けられた第二の絶縁層によシ、第一の絶縁層
に絶縁破壊があってもこれを補うことができる。
との間に付けられた第二の絶縁層によシ、第一の絶縁層
に絶縁破壊があってもこれを補うことができる。
以下、本発明の実施例を図で説明する。第１図はこの発
明の一実施例による電力用半導体装置の断面図である。
明の一実施例による電力用半導体装置の断面図である。
以下この図により詳細にｍＨする。ｉｌｌ〜（４）は半
導体装置基板でアシ、アルミの放熱基板（１）の上に無
機フィラー系高充填エポキシ樹脂系の絶縁伝熱層（２）
を形成し、さらにこの＋１１＋２１からなる絶縁基板を
重ね合わせて作られる。
導体装置基板でアシ、アルミの放熱基板（１）の上に無
機フィラー系高充填エポキシ樹脂系の絶縁伝熱層（２）
を形成し、さらにこの＋１１＋２１からなる絶縁基板を
重ね合わせて作られる。
熱伝導率は銅９１８ＸＩＱ 、アルミ４８０Ｘ１０．
絶縁伝熱層＋２＋ ４２Ｘ１０ （単位は全てＣ−Ｌ
ｌ／ｃｍ −５ｅａ ・℃）であるから、アルミ電極層
（４）及び銅電極層（３）は熱膨張しながらも放熱しよ
うとする。
絶縁伝熱層＋２＋ ４２Ｘ１０ （単位は全てＣ−Ｌ
ｌ／ｃｍ −５ｅａ ・℃）であるから、アルミ電極層
（４）及び銅電極層（３）は熱膨張しながらも放熱しよ
うとする。
しかしながら絶縁層（２）は、シリカ系及びガラスエポ
キシ系樹脂に比べて高熱伝導性といえども、放熱作用よ
り熱を層内部に貯えている時間が長く、熱的機械的スト
レスが増大して部分劣化が起こり、従来はこれで絶縁不
良となっていたが放熱基板（１１の第一の主面と第二の
主面の間に第二の絶縁層（２１を有することによって、
第一の絶縁層（２１が裂化し亀裂によって絶縁不良が発
生しても第二の絶縁層（２１で絶縁不良を軽減すること
ができる。
キシ系樹脂に比べて高熱伝導性といえども、放熱作用よ
り熱を層内部に貯えている時間が長く、熱的機械的スト
レスが増大して部分劣化が起こり、従来はこれで絶縁不
良となっていたが放熱基板（１１の第一の主面と第二の
主面の間に第二の絶縁層（２１を有することによって、
第一の絶縁層（２１が裂化し亀裂によって絶縁不良が発
生しても第二の絶縁層（２１で絶縁不良を軽減すること
ができる。
本件の発明の構造は、前記実施例のものだけでなく、絶
縁層をもつメタライズ基板については一般的に適用可能
である。
縁層をもつメタライズ基板については一般的に適用可能
である。
以上のように本件発明によれば、半導体素子載置基板の
第一の主面と、この第一の主面に対抗する第二の主面と
の間に第２の絶縁膜を設け、半導体装置の絶縁不良を軽
減することができる。
第一の主面と、この第一の主面に対抗する第二の主面と
の間に第２の絶縁膜を設け、半導体装置の絶縁不良を軽
減することができる。
第１図は本発明の断面図、第２図は第１図の部分拡大断
面図、第３図は従来の断面図を示す６図において、（１
）はアルミの放熱基板、（２）は絶縁伝熱層、（３１は
銅電極層、（４１はアルミ電極層、＋５１はヒートスプ
レッダ−１（６Ｉはシリコンチップ、（７）はアルミ細
線、（８）は外部取出電極、（９３はケース、凹はゲル
樹脂、（１１）はエポキシ樹脂を示す。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第３図は従来の断面図を示す６図において、（１
）はアルミの放熱基板、（２）は絶縁伝熱層、（３１は
銅電極層、（４１はアルミ電極層、＋５１はヒートスプ
レッダ−１（６Ｉはシリコンチップ、（７）はアルミ細
線、（８）は外部取出電極、（９３はケース、凹はゲル
樹脂、（１１）はエポキシ樹脂を示す。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体素子と第一の主面に第一の絶縁層が形成されると
共に、この第一の絶縁層上に前記半導体素子が設けられ
る熱伝導性の良い材料で形成される半導体素子載置基板
において、この半導体素子載置基板の第一の主面とこの
第一の主面に対抗する第二の主面との間第二の絶縁層を
備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13429687A JPS63296250A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13429687A JPS63296250A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296250A true JPS63296250A (ja) | 1988-12-02 |
Family
ID=15124967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13429687A Pending JPS63296250A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63296250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153922A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP13429687A patent/JPS63296250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153922A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
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