JPS63295494A - 単結晶の育成装置 - Google Patents
単結晶の育成装置Info
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- JPS63295494A JPS63295494A JP13096287A JP13096287A JPS63295494A JP S63295494 A JPS63295494 A JP S63295494A JP 13096287 A JP13096287 A JP 13096287A JP 13096287 A JP13096287 A JP 13096287A JP S63295494 A JPS63295494 A JP S63295494A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、3i 、Qe等の半導体、Ga As 。
InP等の■−V族化合物半導体およびln Se 。
Cd Te等のII−Vr族化合物半導体ならびにB5
0(ビスマス・シリコン・オキサイド)およびLNo(
リチウム・ナイオベイト)等の酸化物の単結晶を、チョ
クラルスキー法に従い育成させる装置に関するものであ
る。
0(ビスマス・シリコン・オキサイド)およびLNo(
リチウム・ナイオベイト)等の酸化物の単結晶を、チョ
クラルスキー法に従い育成させる装置に関するものであ
る。
[従来の技術]
第8図は、従来の単結晶の育成装置を説明するための概
略構成図であり、■−v族化合物半導体のチョクラルス
キー法による育成装置の例を示す図である。原料の融液
11は、るつぼ21内に入れられており、るつぼ21は
下軸20に取付けられている。融液11の上には、液体
封止剤19が設けられている。液体封止剤19は、融液
11中の揮発しやすい元素の揮発を防止するため設けら
れるものである。このような液体封止剤は、m−V族化
合物半導体およびI[−Vl族化合物半導体の育成の場
合には使用されるが、その他の単結晶の育成の場合には
ほとんど使用されない。
略構成図であり、■−v族化合物半導体のチョクラルス
キー法による育成装置の例を示す図である。原料の融液
11は、るつぼ21内に入れられており、るつぼ21は
下軸20に取付けられている。融液11の上には、液体
封止剤19が設けられている。液体封止剤19は、融液
11中の揮発しやすい元素の揮発を防止するため設けら
れるものである。このような液体封止剤は、m−V族化
合物半導体およびI[−Vl族化合物半導体の育成の場
合には使用されるが、その他の単結晶の育成の場合には
ほとんど使用されない。
種結晶であるシード14は、シードチャック16により
保持されており、シードチャック16は上軸13に取付
けられている。るつぼ21のまわりには、融液11を加
熱するためのヒータ12が設けられており、さらにその
まわりには保温材22が設けられている。
保持されており、シードチャック16は上軸13に取付
けられている。るつぼ21のまわりには、融液11を加
熱するためのヒータ12が設けられており、さらにその
まわりには保温材22が設けられている。
単結晶15は、シード14を融液11に浸けて引き上げ
ることにより育成される。
ることにより育成される。
第9図は、従来の装置におけるシードチャックによるシ
ードの保持方法を示す側面図である。シード14の上方
端部には2つの溝18が形成されており、シードチャッ
ク16の下部と溝18との間を、モリブデン線またはタ
ングステン線などからなる巻きつけ用線材17で巻きつ
けることにより、シード14がシードチャック16に固
定されている。従来、シードチャック16の材質として
は、巻きつけ用線材17と同様の材質である、モリブデ
ンやタングステン等の材質が用いられている。
ードの保持方法を示す側面図である。シード14の上方
端部には2つの溝18が形成されており、シードチャッ
ク16の下部と溝18との間を、モリブデン線またはタ
ングステン線などからなる巻きつけ用線材17で巻きつ
けることにより、シード14がシードチャック16に固
定されている。従来、シードチャック16の材質として
は、巻きつけ用線材17と同様の材質である、モリブデ
ンやタングステン等の材質が用いられている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、このような従来の装置では、原料の融液
の真上で、シード14を長時間保持した場合、シードチ
ャックや巻きつけ用線材と接するシード14の一部が、
融解してしまうという問題があった。第10図は、この
ようにして融解した状態のシード14を示す側面図であ
る。
の真上で、シード14を長時間保持した場合、シードチ
ャックや巻きつけ用線材と接するシード14の一部が、
融解してしまうという問題があった。第10図は、この
ようにして融解した状態のシード14を示す側面図であ
る。
それゆえに、この発明の目的は、かかる従来の装置にお
けるシードの融解を防止した単結晶の育成装置を提供す
ることにある。
けるシードの融解を防止した単結晶の育成装置を提供す
ることにある。
E問題点を解決するための手段]
この発明の装置では、シード押え部材が設けられており
、このシード押え部材により、シードの端部を押え、シ
ードチャックとの間でシードを挾持している。また、少
なくとも、シードチャックおよびシード押え部材のシー
ドと接する部分の材質は、カーボンまたはセラミックス
である。
、このシード押え部材により、シードの端部を押え、シ
ードチャックとの間でシードを挾持している。また、少
なくとも、シードチャックおよびシード押え部材のシー
ドと接する部分の材質は、カーボンまたはセラミックス
である。
シードチャックとシード押え部材の材質は、同じ材質で
もよく、また異なる材質でもよい。セラミックスとして
は、BN、PBNlSI C,A史N1石英、アルミナ
およびジルコニアなどを挙げることができる。また、シ
ードチャックおよびシード押え部材は、セラミックスの
上に他の種類のセラミックスをコーティングしたような
2種以上のセラミックスの複合体であってもよい。
もよく、また異なる材質でもよい。セラミックスとして
は、BN、PBNlSI C,A史N1石英、アルミナ
およびジルコニアなどを挙げることができる。また、シ
ードチャックおよびシード押え部材は、セラミックスの
上に他の種類のセラミックスをコーティングしたような
2種以上のセラミックスの複合体であってもよい。
[作用]
この発明の装置では、シードをシードチャックとシード
押え部材で挾むことにより保持しており、しかもシード
チャックおよびシード押え部材のシードと接する部分の
材質は、カーボンまたはセラミックスからなる。したが
って、従来の装置のように、モリブデンまたはタングス
テンが、シードに直接接触することがない。
押え部材で挾むことにより保持しており、しかもシード
チャックおよびシード押え部材のシードと接する部分の
材質は、カーボンまたはセラミックスからなる。したが
って、従来の装置のように、モリブデンまたはタングス
テンが、シードに直接接触することがない。
[実施例]
第1図は、この発明の一実施例を示す側面図であり、従
来の装置の第9図に対応する図である。
来の装置の第9図に対応する図である。
シードチャック6は上軸3に取付けられており、その形
状は、従来の第9図に示すシードチャック16とほぼ同
じ形状をしている。シードチャック6の正面図を第4図
に、平面図を第5図に示す。
状は、従来の第9図に示すシードチャック16とほぼ同
じ形状をしている。シードチャック6の正面図を第4図
に、平面図を第5図に示す。
第4図および第5図に示されるように、シードチャック
6には、シード4のコーナ部分を嵌めることのできるV
字形のill! 6 aが形成されている。シードチャ
ック6の材質は、従来の材質とは異なり、カーボンまた
はBN、PBN、81 C,A庭N1アルミナ、ジルコ
ニアもしくは石英等のセラミックスまたは2種以上のセ
ラミックスの複合体である。
6には、シード4のコーナ部分を嵌めることのできるV
字形のill! 6 aが形成されている。シードチャ
ック6の材質は、従来の材質とは異なり、カーボンまた
はBN、PBN、81 C,A庭N1アルミナ、ジルコ
ニアもしくは石英等のセラミックスまたは2種以上のセ
ラミックスの複合体である。
シード押え部材9は、シードチャック6との間でシード
4を挾むように設けられている。シード押え部材9の形
状について説明するため、シード押え部材の背面図を第
6図に平面図を第7図に示す。第6図および第7図に示
されるように、シード押え部材の中央にはV字形の溝9
aが形成されている。満9aの2箇所には、シード4の
溝8と嵌まり合う形状の凸部9bが形成されている。
4を挾むように設けられている。シード押え部材9の形
状について説明するため、シード押え部材の背面図を第
6図に平面図を第7図に示す。第6図および第7図に示
されるように、シード押え部材の中央にはV字形の溝9
aが形成されている。満9aの2箇所には、シード4の
溝8と嵌まり合う形状の凸部9bが形成されている。
シード4は、従来用いられているシードと同じものであ
り、側面図を第2図に、平面図を第3図に示す。
り、側面図を第2図に、平面図を第3図に示す。
このようなシード4の溝8に、シード押え部材の凸部9
bを嵌め、シードチャック6とシード押え部材9との間
でシード4の端部を挾み保持している。
bを嵌め、シードチャック6とシード押え部材9との間
でシード4の端部を挾み保持している。
シードチャック6とシード押え部材9との固定は、それ
らの間にモリブデン線またはタングステン線などの巻き
つけ用線材7を巻きつけることによりなされている。
らの間にモリブデン線またはタングステン線などの巻き
つけ用線材7を巻きつけることによりなされている。
このようにモリブデン線やタングステン線等を用いてシ
ード4を保持しても、第1図に示す実施例では、これら
の線が直接にはシードに接触しないため、従来問題とな
ったシードの融解が生じることはない。また、シードチ
ャックとシード押え部材との固定は、他の方法で行なっ
てもよい。たとえば、シードチャックとシード押え部材
にフランジを設け、これに孔を形成シ、ボルトとナツト
のような固定具でシードを挾持させてもよい。
ード4を保持しても、第1図に示す実施例では、これら
の線が直接にはシードに接触しないため、従来問題とな
ったシードの融解が生じることはない。また、シードチ
ャックとシード押え部材との固定は、他の方法で行なっ
てもよい。たとえば、シードチャックとシード押え部材
にフランジを設け、これに孔を形成シ、ボルトとナツト
のような固定具でシードを挾持させてもよい。
カーボン製のシードチャックおよびシード押え部材を用
い、シードとしては4m11角で長さ5Qavのものを
用い、巻きつけ用線材としてはモリブデン線を用いて、
第1図に示すようにシードをシードチャックとシード押
え部材で挾み保持して、GaAsの単結晶の育成条件下
に、このシードをGaAS融液の上15m+11のとこ
ろで20時間保持した。この結果、シードには全く融解
が認められなかった。これに対し、第9図のように従来
と同様の方法で同じ条件下に置いたシードは、第10図
のようなシードの一部の融解が認められた。
い、シードとしては4m11角で長さ5Qavのものを
用い、巻きつけ用線材としてはモリブデン線を用いて、
第1図に示すようにシードをシードチャックとシード押
え部材で挾み保持して、GaAsの単結晶の育成条件下
に、このシードをGaAS融液の上15m+11のとこ
ろで20時間保持した。この結果、シードには全く融解
が認められなかった。これに対し、第9図のように従来
と同様の方法で同じ条件下に置いたシードは、第10図
のようなシードの一部の融解が認められた。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の装置によれば、単結晶
育成の際のシードの融解を防ぐことができるため、長時
間安定したチ日りラルスキー法による単結晶の引き上げ
が可能となり、結晶の歩留りや生産効率が著しく向上す
る。
育成の際のシードの融解を防ぐことができるため、長時
間安定したチ日りラルスキー法による単結晶の引き上げ
が可能となり、結晶の歩留りや生産効率が著しく向上す
る。
第1図は、この発明の一実施例を示す側面図である。第
2図は、第1図の実施例に用いられるシードを示す側面
図である。第3図は、同じく第1図の実施例に用いられ
るシードを示す平面図である。第4図は、第1図の実施
例に用いられるシードチャックを示す正面図である。第
5図は、同じく第1図の実施例に用いられるシードチャ
ックを示す平面図である。第6図は、第1図の実施例に
用いられるシード押え部材を示す背面図である。 第7図は、同じく第1図の実施例に用いられるシード押
え部材を示す平面図である。第8図は、従来の単結晶の
育成装置を説明するための概略構成図である。第9図は
、従来の装置でのシードの保持方法を示す側面図である
。第10図は、従来の装置を用いた場合に生ずるシード
の融解を示す側面図である。 図において、3.13は上軸、4.14はシード、6.
16はシードチャック、7.17は巻きつけ用線材、8
.18はシードの溝、9はシード押え部材、11は融液
、12はヒータ、15は単結晶、19は液体封止剤、2
oは下軸、21はるつぼ、22は保温材を示す。 第1図
2図は、第1図の実施例に用いられるシードを示す側面
図である。第3図は、同じく第1図の実施例に用いられ
るシードを示す平面図である。第4図は、第1図の実施
例に用いられるシードチャックを示す正面図である。第
5図は、同じく第1図の実施例に用いられるシードチャ
ックを示す平面図である。第6図は、第1図の実施例に
用いられるシード押え部材を示す背面図である。 第7図は、同じく第1図の実施例に用いられるシード押
え部材を示す平面図である。第8図は、従来の単結晶の
育成装置を説明するための概略構成図である。第9図は
、従来の装置でのシードの保持方法を示す側面図である
。第10図は、従来の装置を用いた場合に生ずるシード
の融解を示す側面図である。 図において、3.13は上軸、4.14はシード、6.
16はシードチャック、7.17は巻きつけ用線材、8
.18はシードの溝、9はシード押え部材、11は融液
、12はヒータ、15は単結晶、19は液体封止剤、2
oは下軸、21はるつぼ、22は保温材を示す。 第1図
Claims (10)
- (1)チョクラルスキー法に従い、シードチャックによ
って保持したシードを融液に浸けて引き上げることによ
り単結晶を育成させる装置において、 前記シードの端部を押え前記シードチャックとの間でシ
ードを挾持するシード押え部材が設けられており、 前記シードチャックおよびシード押え部材のシードと接
する部分が少なくとも、カーボンまたはセラミックスか
らなる、単結晶の育成措置。 - (2)前記シードチャックの全体がカーボンからなる、
特許請求の範囲第1項記載の単結晶の育成装置。 - (3)前記シードチャックの全体がセラミックスからな
る、特許請求の範囲第1項記載の単結晶の育成装置。 - (4)前記シードチャックが、2種以上のセラミックス
の複合体からなる、特許請求の範囲第3項記載の単結晶
の育成装置。 - (5)前記シード押え部材の全体がカーボンからなる、
特許請求の範囲第1〜4項のいずれか1項に記載の単結
晶の育成装置。 - (6)前記シード押え部材の全体がセラミックスからな
る、特許請求の範囲第1〜4項のいずれか1項に記載の
単結晶の育成装置。 - (7)前記シード押え部材が、2種以上のセラミックス
の複合体からなる、特許請求の範囲第6項記載の単結晶
の育成装置。 - (8)前記セラミックスが、BN、PBN、SiC、A
lN、石英、アルミナまたはジルコニアである、特許請
求の範囲第1〜7項のいずれか1項に記載の単結晶の育
成装置。 - (9)前記シードチャックとシード押え部材が、異なる
材質からなる、特許請求の範囲第1〜8項のいずれか1
項に記載の単結晶の育成装置。 - (10)前記シードチャックとシード押え部材との間を
、モリブデン線またはタングステン線で巻きつけること
により、シードをシードチャックとシード押え部材で挾
持する、特許請求の範囲第1〜9項のいずれか1項に記
載の単結晶の育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13096287A JPS63295494A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 単結晶の育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13096287A JPS63295494A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 単結晶の育成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63295494A true JPS63295494A (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=15046698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13096287A Pending JPS63295494A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 単結晶の育成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63295494A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6106611A (en) * | 1998-10-06 | 2000-08-22 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck and method for using the device |
JP2007261855A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokuyama Corp | 単結晶引上用種結晶体の保持方法 |
WO2011010394A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | トヨタ自動車株式会社 | 溶液法による単結晶成長用種結晶軸 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP13096287A patent/JPS63295494A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6106611A (en) * | 1998-10-06 | 2000-08-22 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck and method for using the device |
US6183556B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-02-06 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck |
JP2007261855A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokuyama Corp | 単結晶引上用種結晶体の保持方法 |
WO2011010394A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | トヨタ自動車株式会社 | 溶液法による単結晶成長用種結晶軸 |
US8328937B2 (en) | 2009-07-21 | 2012-12-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Seed crystal axis for solution growth of single crystal |
JP5218431B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-06-26 | トヨタ自動車株式会社 | 溶液法による単結晶成長用種結晶軸 |
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