JPS63295494A - 単結晶の育成装置 - Google Patents
単結晶の育成装置Info
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- JPS63295494A JPS63295494A JP13096287A JP13096287A JPS63295494A JP S63295494 A JPS63295494 A JP S63295494A JP 13096287 A JP13096287 A JP 13096287A JP 13096287 A JP13096287 A JP 13096287A JP S63295494 A JPS63295494 A JP S63295494A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、３ｉ 、Ｑｅ等の半導体、Ｇａ Ａｓ 。
ＩｎＰ等の■−Ｖ族化合物半導体およびｌｎ Ｓｅ 。
Ｃｄ Ｔｅ等のＩＩ−Ｖｒ族化合物半導体ならびにＢ５
０（ビスマス・シリコン・オキサイド）およびＬＮｏ（
リチウム・ナイオベイト）等の酸化物の単結晶を、チョ
クラルスキー法に従い育成させる装置に関するものであ
る。
０（ビスマス・シリコン・オキサイド）およびＬＮｏ（
リチウム・ナイオベイト）等の酸化物の単結晶を、チョ
クラルスキー法に従い育成させる装置に関するものであ
る。
［従来の技術］
第８図は、従来の単結晶の育成装置を説明するための概
略構成図であり、■−ｖ族化合物半導体のチョクラルス
キー法による育成装置の例を示す図である。原料の融液
１１は、るつぼ２１内に入れられており、るつぼ２１は
下軸２０に取付けられている。融液１１の上には、液体
封止剤１９が設けられている。液体封止剤１９は、融液
１１中の揮発しやすい元素の揮発を防止するため設けら
れるものである。このような液体封止剤は、ｍ−Ｖ族化
合物半導体およびＩ［−Ｖｌ族化合物半導体の育成の場
合には使用されるが、その他の単結晶の育成の場合には
ほとんど使用されない。
略構成図であり、■−ｖ族化合物半導体のチョクラルス
キー法による育成装置の例を示す図である。原料の融液
１１は、るつぼ２１内に入れられており、るつぼ２１は
下軸２０に取付けられている。融液１１の上には、液体
封止剤１９が設けられている。液体封止剤１９は、融液
１１中の揮発しやすい元素の揮発を防止するため設けら
れるものである。このような液体封止剤は、ｍ−Ｖ族化
合物半導体およびＩ［−Ｖｌ族化合物半導体の育成の場
合には使用されるが、その他の単結晶の育成の場合には
ほとんど使用されない。
種結晶であるシード１４は、シードチャック１６により
保持されており、シードチャック１６は上軸１３に取付
けられている。るつぼ２１のまわりには、融液１１を加
熱するためのヒータ１２が設けられており、さらにその
まわりには保温材２２が設けられている。
保持されており、シードチャック１６は上軸１３に取付
けられている。るつぼ２１のまわりには、融液１１を加
熱するためのヒータ１２が設けられており、さらにその
まわりには保温材２２が設けられている。
単結晶１５は、シード１４を融液１１に浸けて引き上げ
ることにより育成される。
ることにより育成される。
第９図は、従来の装置におけるシードチャックによるシ
ードの保持方法を示す側面図である。シード１４の上方
端部には２つの溝１８が形成されており、シードチャッ
ク１６の下部と溝１８との間を、モリブデン線またはタ
ングステン線などからなる巻きつけ用線材１７で巻きつ
けることにより、シード１４がシードチャック１６に固
定されている。従来、シードチャック１６の材質として
は、巻きつけ用線材１７と同様の材質である、モリブデ
ンやタングステン等の材質が用いられている。
ードの保持方法を示す側面図である。シード１４の上方
端部には２つの溝１８が形成されており、シードチャッ
ク１６の下部と溝１８との間を、モリブデン線またはタ
ングステン線などからなる巻きつけ用線材１７で巻きつ
けることにより、シード１４がシードチャック１６に固
定されている。従来、シードチャック１６の材質として
は、巻きつけ用線材１７と同様の材質である、モリブデ
ンやタングステン等の材質が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、このような従来の装置では、原料の融液
の真上で、シード１４を長時間保持した場合、シードチ
ャックや巻きつけ用線材と接するシード１４の一部が、
融解してしまうという問題があった。第１０図は、この
ようにして融解した状態のシード１４を示す側面図であ
る。
の真上で、シード１４を長時間保持した場合、シードチ
ャックや巻きつけ用線材と接するシード１４の一部が、
融解してしまうという問題があった。第１０図は、この
ようにして融解した状態のシード１４を示す側面図であ
る。
それゆえに、この発明の目的は、かかる従来の装置にお
けるシードの融解を防止した単結晶の育成装置を提供す
ることにある。
けるシードの融解を防止した単結晶の育成装置を提供す
ることにある。
Ｅ問題点を解決するための手段］
この発明の装置では、シード押え部材が設けられており
、このシード押え部材により、シードの端部を押え、シ
ードチャックとの間でシードを挾持している。また、少
なくとも、シードチャックおよびシード押え部材のシー
ドと接する部分の材質は、カーボンまたはセラミックス
である。
、このシード押え部材により、シードの端部を押え、シ
ードチャックとの間でシードを挾持している。また、少
なくとも、シードチャックおよびシード押え部材のシー
ドと接する部分の材質は、カーボンまたはセラミックス
である。
シードチャックとシード押え部材の材質は、同じ材質で
もよく、また異なる材質でもよい。セラミックスとして
は、ＢＮ、ＰＢＮｌＳＩ Ｃ，Ａ史Ｎ１石英、アルミナ
およびジルコニアなどを挙げることができる。また、シ
ードチャックおよびシード押え部材は、セラミックスの
上に他の種類のセラミックスをコーティングしたような
２種以上のセラミックスの複合体であってもよい。
もよく、また異なる材質でもよい。セラミックスとして
は、ＢＮ、ＰＢＮｌＳＩ Ｃ，Ａ史Ｎ１石英、アルミナ
およびジルコニアなどを挙げることができる。また、シ
ードチャックおよびシード押え部材は、セラミックスの
上に他の種類のセラミックスをコーティングしたような
２種以上のセラミックスの複合体であってもよい。
［作用］
この発明の装置では、シードをシードチャックとシード
押え部材で挾むことにより保持しており、しかもシード
チャックおよびシード押え部材のシードと接する部分の
材質は、カーボンまたはセラミックスからなる。したが
って、従来の装置のように、モリブデンまたはタングス
テンが、シードに直接接触することがない。
押え部材で挾むことにより保持しており、しかもシード
チャックおよびシード押え部材のシードと接する部分の
材質は、カーボンまたはセラミックスからなる。したが
って、従来の装置のように、モリブデンまたはタングス
テンが、シードに直接接触することがない。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を示す側面図であり、従
来の装置の第９図に対応する図である。
来の装置の第９図に対応する図である。
シードチャック６は上軸３に取付けられており、その形
状は、従来の第９図に示すシードチャック１６とほぼ同
じ形状をしている。シードチャック６の正面図を第４図
に、平面図を第５図に示す。
状は、従来の第９図に示すシードチャック１６とほぼ同
じ形状をしている。シードチャック６の正面図を第４図
に、平面図を第５図に示す。
第４図および第５図に示されるように、シードチャック
６には、シード４のコーナ部分を嵌めることのできるＶ
字形のｉｌｌ！ ６ ａが形成されている。シードチャ
ック６の材質は、従来の材質とは異なり、カーボンまた
はＢＮ、ＰＢＮ、８１ Ｃ，Ａ庭Ｎ１アルミナ、ジルコ
ニアもしくは石英等のセラミックスまたは２種以上のセ
ラミックスの複合体である。
６には、シード４のコーナ部分を嵌めることのできるＶ
字形のｉｌｌ！ ６ ａが形成されている。シードチャ
ック６の材質は、従来の材質とは異なり、カーボンまた
はＢＮ、ＰＢＮ、８１ Ｃ，Ａ庭Ｎ１アルミナ、ジルコ
ニアもしくは石英等のセラミックスまたは２種以上のセ
ラミックスの複合体である。
シード押え部材９は、シードチャック６との間でシード
４を挾むように設けられている。シード押え部材９の形
状について説明するため、シード押え部材の背面図を第
６図に平面図を第７図に示す。第６図および第７図に示
されるように、シード押え部材の中央にはＶ字形の溝９
ａが形成されている。満９ａの２箇所には、シード４の
溝８と嵌まり合う形状の凸部９ｂが形成されている。
４を挾むように設けられている。シード押え部材９の形
状について説明するため、シード押え部材の背面図を第
６図に平面図を第７図に示す。第６図および第７図に示
されるように、シード押え部材の中央にはＶ字形の溝９
ａが形成されている。満９ａの２箇所には、シード４の
溝８と嵌まり合う形状の凸部９ｂが形成されている。
シード４は、従来用いられているシードと同じものであ
り、側面図を第２図に、平面図を第３図に示す。
り、側面図を第２図に、平面図を第３図に示す。
このようなシード４の溝８に、シード押え部材の凸部９
ｂを嵌め、シードチャック６とシード押え部材９との間
でシード４の端部を挾み保持している。
ｂを嵌め、シードチャック６とシード押え部材９との間
でシード４の端部を挾み保持している。
シードチャック６とシード押え部材９との固定は、それ
らの間にモリブデン線またはタングステン線などの巻き
つけ用線材７を巻きつけることによりなされている。
らの間にモリブデン線またはタングステン線などの巻き
つけ用線材７を巻きつけることによりなされている。
このようにモリブデン線やタングステン線等を用いてシ
ード４を保持しても、第１図に示す実施例では、これら
の線が直接にはシードに接触しないため、従来問題とな
ったシードの融解が生じることはない。また、シードチ
ャックとシード押え部材との固定は、他の方法で行なっ
てもよい。たとえば、シードチャックとシード押え部材
にフランジを設け、これに孔を形成シ、ボルトとナツト
のような固定具でシードを挾持させてもよい。
ード４を保持しても、第１図に示す実施例では、これら
の線が直接にはシードに接触しないため、従来問題とな
ったシードの融解が生じることはない。また、シードチ
ャックとシード押え部材との固定は、他の方法で行なっ
てもよい。たとえば、シードチャックとシード押え部材
にフランジを設け、これに孔を形成シ、ボルトとナツト
のような固定具でシードを挾持させてもよい。
カーボン製のシードチャックおよびシード押え部材を用
い、シードとしては４ｍ１１角で長さ５Ｑａｖのものを
用い、巻きつけ用線材としてはモリブデン線を用いて、
第１図に示すようにシードをシードチャックとシード押
え部材で挾み保持して、ＧａＡｓの単結晶の育成条件下
に、このシードをＧａＡＳ融液の上１５ｍ＋１１のとこ
ろで２０時間保持した。この結果、シードには全く融解
が認められなかった。これに対し、第９図のように従来
と同様の方法で同じ条件下に置いたシードは、第１０図
のようなシードの一部の融解が認められた。
い、シードとしては４ｍ１１角で長さ５Ｑａｖのものを
用い、巻きつけ用線材としてはモリブデン線を用いて、
第１図に示すようにシードをシードチャックとシード押
え部材で挾み保持して、ＧａＡｓの単結晶の育成条件下
に、このシードをＧａＡＳ融液の上１５ｍ＋１１のとこ
ろで２０時間保持した。この結果、シードには全く融解
が認められなかった。これに対し、第９図のように従来
と同様の方法で同じ条件下に置いたシードは、第１０図
のようなシードの一部の融解が認められた。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の装置によれば、単結晶
育成の際のシードの融解を防ぐことができるため、長時
間安定したチ日りラルスキー法による単結晶の引き上げ
が可能となり、結晶の歩留りや生産効率が著しく向上す
る。
育成の際のシードの融解を防ぐことができるため、長時
間安定したチ日りラルスキー法による単結晶の引き上げ
が可能となり、結晶の歩留りや生産効率が著しく向上す
る。
第１図は、この発明の一実施例を示す側面図である。第
２図は、第１図の実施例に用いられるシードを示す側面
図である。第３図は、同じく第１図の実施例に用いられ
るシードを示す平面図である。第４図は、第１図の実施
例に用いられるシードチャックを示す正面図である。第
５図は、同じく第１図の実施例に用いられるシードチャ
ックを示す平面図である。第６図は、第１図の実施例に
用いられるシード押え部材を示す背面図である。 第７図は、同じく第１図の実施例に用いられるシード押
え部材を示す平面図である。第８図は、従来の単結晶の
育成装置を説明するための概略構成図である。第９図は
、従来の装置でのシードの保持方法を示す側面図である
。第１０図は、従来の装置を用いた場合に生ずるシード
の融解を示す側面図である。 図において、３．１３は上軸、４．１４はシード、６．
１６はシードチャック、７．１７は巻きつけ用線材、８
．１８はシードの溝、９はシード押え部材、１１は融液
、１２はヒータ、１５は単結晶、１９は液体封止剤、２
ｏは下軸、２１はるつぼ、２２は保温材を示す。 第１図
２図は、第１図の実施例に用いられるシードを示す側面
図である。第３図は、同じく第１図の実施例に用いられ
るシードを示す平面図である。第４図は、第１図の実施
例に用いられるシードチャックを示す正面図である。第
５図は、同じく第１図の実施例に用いられるシードチャ
ックを示す平面図である。第６図は、第１図の実施例に
用いられるシード押え部材を示す背面図である。 第７図は、同じく第１図の実施例に用いられるシード押
え部材を示す平面図である。第８図は、従来の単結晶の
育成装置を説明するための概略構成図である。第９図は
、従来の装置でのシードの保持方法を示す側面図である
。第１０図は、従来の装置を用いた場合に生ずるシード
の融解を示す側面図である。 図において、３．１３は上軸、４．１４はシード、６．
１６はシードチャック、７．１７は巻きつけ用線材、８
．１８はシードの溝、９はシード押え部材、１１は融液
、１２はヒータ、１５は単結晶、１９は液体封止剤、２
ｏは下軸、２１はるつぼ、２２は保温材を示す。 第１図
Claims (10)
- （１）チョクラルスキー法に従い、シードチャックによ
って保持したシードを融液に浸けて引き上げることによ
り単結晶を育成させる装置において、 前記シードの端部を押え前記シードチャックとの間でシ
ードを挾持するシード押え部材が設けられており、 前記シードチャックおよびシード押え部材のシードと接
する部分が少なくとも、カーボンまたはセラミックスか
らなる、単結晶の育成措置。 - （２）前記シードチャックの全体がカーボンからなる、
特許請求の範囲第１項記載の単結晶の育成装置。 - （３）前記シードチャックの全体がセラミックスからな
る、特許請求の範囲第１項記載の単結晶の育成装置。 - （４）前記シードチャックが、２種以上のセラミックス
の複合体からなる、特許請求の範囲第３項記載の単結晶
の育成装置。 - （５）前記シード押え部材の全体がカーボンからなる、
特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に記載の単結
晶の育成装置。 - （６）前記シード押え部材の全体がセラミックスからな
る、特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に記載の
単結晶の育成装置。 - （７）前記シード押え部材が、２種以上のセラミックス
の複合体からなる、特許請求の範囲第６項記載の単結晶
の育成装置。 - （８）前記セラミックスが、ＢＮ、ＰＢＮ、ＳｉＣ、Ａ
ｌＮ、石英、アルミナまたはジルコニアである、特許請
求の範囲第１〜７項のいずれか１項に記載の単結晶の育
成装置。 - （９）前記シードチャックとシード押え部材が、異なる
材質からなる、特許請求の範囲第１〜８項のいずれか１
項に記載の単結晶の育成装置。 - （１０）前記シードチャックとシード押え部材との間を
、モリブデン線またはタングステン線で巻きつけること
により、シードをシードチャックとシード押え部材で挾
持する、特許請求の範囲第１〜９項のいずれか１項に記
載の単結晶の育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13096287A JPS63295494A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 単結晶の育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13096287A JPS63295494A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 単結晶の育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295494A true JPS63295494A (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=15046698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13096287A Pending JPS63295494A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 単結晶の育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295494A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106611A (en) * | 1998-10-06 | 2000-08-22 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck and method for using the device |
| JP2007261855A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokuyama Corp | 単結晶引上用種結晶体の保持方法 |
| WO2011010394A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | トヨタ自動車株式会社 | 溶液法による単結晶成長用種結晶軸 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP13096287A patent/JPS63295494A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106611A (en) * | 1998-10-06 | 2000-08-22 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck and method for using the device |
| US6183556B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-02-06 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck |
| JP2007261855A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokuyama Corp | 単結晶引上用種結晶体の保持方法 |
| WO2011010394A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | トヨタ自動車株式会社 | 溶液法による単結晶成長用種結晶軸 |
| US8328937B2 (en) | 2009-07-21 | 2012-12-11 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Seed crystal axis for solution growth of single crystal |
| JP5218431B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-06-26 | トヨタ自動車株式会社 | 溶液法による単結晶成長用種結晶軸 |
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