JPH01115890A - 単結晶育成方法 - Google Patents
単結晶育成方法Info
- Publication number
- JPH01115890A JPH01115890A JP27325487A JP27325487A JPH01115890A JP H01115890 A JPH01115890 A JP H01115890A JP 27325487 A JP27325487 A JP 27325487A JP 27325487 A JP27325487 A JP 27325487A JP H01115890 A JPH01115890 A JP H01115890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- crystals
- single crystal
- growing
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Garb Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は単結晶育成方法に関し、特にチョクラルスキー
法によるバルク単結晶の育成方法において、得られる単
結晶の直胴部の全結晶に対する割合を増加させ、育成し
た単結晶のインゴットから得られるウェーハの収率を向
上させ１ｑるバルク単結晶の育成方法に関するものであ
る。
法によるバルク単結晶の育成方法において、得られる単
結晶の直胴部の全結晶に対する割合を増加させ、育成し
た単結晶のインゴットから得られるウェーハの収率を向
上させ１ｑるバルク単結晶の育成方法に関するものであ
る。
［従来の技術とその問題点］
従来、チョクラルスキー法を用いることにより大口径の
バルク単結晶が作製されている。第２図は従来のチョク
ラルスキー法による単結晶育成方法を示す説明図で、単
結晶育成の種として使用される種結晶１２は１本であり
、そのサイズは通常、縦、横、高さがそれぞれ約３．３
．５０ｍｍである。
バルク単結晶が作製されている。第２図は従来のチョク
ラルスキー法による単結晶育成方法を示す説明図で、単
結晶育成の種として使用される種結晶１２は１本であり
、そのサイズは通常、縦、横、高さがそれぞれ約３．３
．５０ｍｍである。
ところが、目的とする成長結晶１３の直径は少なくとも
５ｃｒｎ以上なので、１本の種結晶から大口径のバルク
単結晶を育成する場合、いわゆるパ肩部形状作り″の作
業、具体的には直径の小さな種結晶から大口径の単結晶
直胴部への移行部分が必要である。この“肩部形状作り
″の作業において、結晶育成方向と肩部との角度（θ）
を大きくすることは、育成した結晶の品質の劣化、たと
えば転位などの欠陥の発生のために不可能である。従っ
て、第２図に示すように、結晶育成方向と肩部との角度
（θ）はある有限な角度以下でなければならないことが
経験的に解っている。このため、育成した１本の単結晶
に対する直胴部の比率が低下するために、得られるウェ
ーハの枚数が減少することにより、ウェーハの収率が低
下するという問題点がおった。
５ｃｒｎ以上なので、１本の種結晶から大口径のバルク
単結晶を育成する場合、いわゆるパ肩部形状作り″の作
業、具体的には直径の小さな種結晶から大口径の単結晶
直胴部への移行部分が必要である。この“肩部形状作り
″の作業において、結晶育成方向と肩部との角度（θ）
を大きくすることは、育成した結晶の品質の劣化、たと
えば転位などの欠陥の発生のために不可能である。従っ
て、第２図に示すように、結晶育成方向と肩部との角度
（θ）はある有限な角度以下でなければならないことが
経験的に解っている。このため、育成した１本の単結晶
に対する直胴部の比率が低下するために、得られるウェ
ーハの枚数が減少することにより、ウェーハの収率が低
下するという問題点がおった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、チョクラルスキー法を用いてバルク
単結晶を育成する際に必要な″肩部形状作り″の工程に
要する時間を短縮して作業効率の向上を図ると共に、得
られる単結晶の直胴部の全結晶に対する割合を増加させ
、育成した単結晶のインゴットから得られるウェーハの
収率を向上させ得る単結晶育成方法を提供することを目
的とする。
になされたもので、チョクラルスキー法を用いてバルク
単結晶を育成する際に必要な″肩部形状作り″の工程に
要する時間を短縮して作業効率の向上を図ると共に、得
られる単結晶の直胴部の全結晶に対する割合を増加させ
、育成した単結晶のインゴットから得られるウェーハの
収率を向上させ得る単結晶育成方法を提供することを目
的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、チョクラルスキー法によるバルク単結晶の育
成方法において、種として使用する結晶を複数個用いて
結晶成長を行うことを特徴とする単結晶育成方法である
。
成方法において、種として使用する結晶を複数個用いて
結晶成長を行うことを特徴とする単結晶育成方法である
。
本発明は、種結晶を複数個使用することによって、これ
を通して逃げる熱の旧を大きくし、育成した結晶の単結
晶化率を向上しつつ、ウェーハの収率を向上させること
をその要旨とするものである。
を通して逃げる熱の旧を大きくし、育成した結晶の単結
晶化率を向上しつつ、ウェーハの収率を向上させること
をその要旨とするものである。
［作用］
本発明においては、第１図にその概略を示すように、同
一方向の種結晶（シード）２を複数個円筒対称に、しか
も同一方向（たとえば＜１００＞）になるように配置す
ることにより（第１図（ａ））、それぞれの種結晶から
均等な結晶成長が行われるので、肩部形状作りの工程（
第１図（ｂ）の長さ“′ｌ″部分の作製工程）が短縮さ
れる。
一方向の種結晶（シード）２を複数個円筒対称に、しか
も同一方向（たとえば＜１００＞）になるように配置す
ることにより（第１図（ａ））、それぞれの種結晶から
均等な結晶成長が行われるので、肩部形状作りの工程（
第１図（ｂ）の長さ“′ｌ″部分の作製工程）が短縮さ
れる。
［実施例］
次に本発明の実施例について図面を参照してシリコン単
結晶の場合に着目して詳細に説明する。
結晶の場合に着目して詳細に説明する。
第１図に示すように、＜１１１ ＞方向のシリコン種結
晶を固定するシードチャック１に同じ方向の４本のシー
ド２を同じ方向に揃えて配置した後に、ルツボ４内に収
容された成長すべき結晶の融液５、すなわちシリコンの
メルトにシード２を接触させ、第１図（ｂ）に示すよう
に結晶成長を行った。
晶を固定するシードチャック１に同じ方向の４本のシー
ド２を同じ方向に揃えて配置した後に、ルツボ４内に収
容された成長すべき結晶の融液５、すなわちシリコンの
メルトにシード２を接触させ、第１図（ｂ）に示すよう
に結晶成長を行った。
その結果、肩部形状作りの部分の結晶全体に対する割合
は従来の方法に比べて小さくなり、具体的には全長２０
ｃｍの結晶中で肩部形状作りの部分は約５ ｃｍと従来
の方法の約１７２の長さとなり、直胴部の長さが長くな
った。そのため、１本のインゴットから得られるウェー
ハの枚数が増加し、収率が増加した。
は従来の方法に比べて小さくなり、具体的には全長２０
ｃｍの結晶中で肩部形状作りの部分は約５ ｃｍと従来
の方法の約１７２の長さとなり、直胴部の長さが長くな
った。そのため、１本のインゴットから得られるウェー
ハの枚数が増加し、収率が増加した。
以上のように、４本（または複数個）の種結晶を同じ方
向に揃えて配置し、結晶成長を行った結果、直胴部の長
いインゴットを得ることが可能であることが確認された
。
向に揃えて配置し、結晶成長を行った結果、直胴部の長
いインゴットを得ることが可能であることが確認された
。
［発明の効果Ｊ
以上説明したように、本発明の方法によれば、種結晶を
複数個用いることにより、“肩部形状作り″の部分を少
なくして１本のインゴットから得られるウェーハの収率
を向上させることができると共に、゛肩部形状作り″に
要する時間を短縮することができる。また、種結晶を通
しての熱の放散が促進されるため、育成した結晶が多結
晶化することもなく、高品質の単結晶を得ることができ
る等の効果を有する。実施例に関してはシリコンについ
てのみ記述したが、他にＧａＡｓ、Ｇｅ、 ＩｎＰ、
ＩｎＡｓ、 Ｇａｒｂ、ＩｎＳｂなどの他の竿導体結晶
の育成にも本発明は適用し得ることは明らかであろう。
複数個用いることにより、“肩部形状作り″の部分を少
なくして１本のインゴットから得られるウェーハの収率
を向上させることができると共に、゛肩部形状作り″に
要する時間を短縮することができる。また、種結晶を通
しての熱の放散が促進されるため、育成した結晶が多結
晶化することもなく、高品質の単結晶を得ることができ
る等の効果を有する。実施例に関してはシリコンについ
てのみ記述したが、他にＧａＡｓ、Ｇｅ、 ＩｎＰ、
ＩｎＡｓ、 Ｇａｒｂ、ＩｎＳｂなどの他の竿導体結晶
の育成にも本発明は適用し得ることは明らかであろう。
第１図は本発明の一実施例の工程を示す説明図、第２図
は従来のチョクラルスキー法による結晶成長方法を示す
説明図である。 １．１１・・・ジ−トチセック
は従来のチョクラルスキー法による結晶成長方法を示す
説明図である。 １．１１・・・ジ−トチセック
Claims (1)
- （１）チョクラルスキー法によるバルク単結晶の育成方
法において、種として使用する結晶を複数個用いて結晶
成長を行うことを特徴とする単結晶育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27325487A JPH01115890A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 単結晶育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27325487A JPH01115890A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 単結晶育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115890A true JPH01115890A (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=17525268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27325487A Pending JPH01115890A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 単結晶育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01115890A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008254958A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPWO2009104534A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2011-06-23 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶 |
| CN104178805A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-03 | 苏州洛特兰新材料科技有限公司 | 一种改良子晶夹 |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27325487A patent/JPH01115890A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008254958A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPWO2009104534A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2011-06-23 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶 |
| CN104178805A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-03 | 苏州洛特兰新材料科技有限公司 | 一种改良子晶夹 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4142332B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ | |
| EP0445036B1 (en) | Polycrystalline silicon rod for floating zone method and process for making the same | |
| EP2045372A2 (en) | Method for growing silicon ingot | |
| JP2009292659A (ja) | シリコン単結晶育成における肩形成方法 | |
| JPH076972A (ja) | シリコン単結晶の成長方法及び装置 | |
| JPH01115890A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| JP2018095490A (ja) | シリコン単結晶製造方法、シリコン単結晶、及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| US7361219B2 (en) | Method for producing silicon wafer and silicon wafer | |
| WO2018105317A1 (ja) | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| EP1201795A1 (en) | Semiconductor single crystal pulling apparatus | |
| JP2007084358A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3787888B2 (ja) | 結晶の育成方法及び育成用ルツボ | |
| JPS61242983A (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
| JPS63151697A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP2601204B2 (ja) | 化合物半導体の固相再結晶法 | |
| JPH0380184A (ja) | 結晶育成方法 | |
| JP2582318B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH09110575A (ja) | 単結晶製造用ルツボ及び単結晶の製造方法 | |
| JPH05163094A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPS5938186B2 (ja) | 無機化合物単結晶の製造方法 | |
| JP2005047797A (ja) | ＩｎＰ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、及びそれらの製造方法 | |
| JP2005200228A (ja) | 化合物半導体単結晶成長方法 | |
| JPH09235185A (ja) | 単結晶育成用種結晶およびこれを用いた単結晶育成方法 | |
| JPH10291889A (ja) | 化合物半導体単結晶製造用ボート | |
| JPS60200893A (ja) | ルツボ |